一种注入增强型快速SOI-LIGBT新结构研究

薄顶层硅SOI(Silicon on Insulator)横向绝缘栅双极型晶体管(Lateral Insulated-Gate Bipolar Transistor, LIGBT)的正向饱和电压较高,引入旨在减小关断态拖尾电流的集电极短路结构后,正向饱和电压进一步增大。提出了一种注入增强型(Injection Enhancement, IE)快速LIGBT新结构器件(F-IE-LIGBT),并对其工作机理进行了理论分析和模拟仿真验证。该新结构F-IE-LIGBT器件整体构建在薄顶层硅SOI衬底材料上,其集电极采用注入增强结构和电势控制结构设计。器件及电路联合模拟仿真说明:新结构F-IE-LIGBT器件在获得较小正向饱和电压的同时,减小了关断拖尾电流,实现了快速关断特性。新结构F-IE-LIGBT器件非常适用于SOI基高压功率集成电路。

晶闸管交流调功器在电机绕组烘干炉中的应用

论述了电机绕组烘干的温度控制对电机绝缘强度的影响,分析了晶闸管交流调功器的控温系统的结构并附有框图,详细的介绍了晶闸管交流调功器的在周期内通过输出周波数百分率的控温原理,同时对晶闸管交流调功器的自身特点也做了比较详尽的总结。通过实际运行证明该装置控温精度高,瞬态浪涌电流小,节约电能。

可控硅物理特性综合实验仪的设计与制作

在研究可控硅物理特性的基础上,设计制作了可控硅物理特性综合实验仪。该实验仪除了能测试单向可控硅之外,还可对双向可控硅、光控可控硅等的物理特性进行测试。该实验仪的成功研制,将有助于实验者对可控硅基本性能的掌握,并且丰富了实验教学的内容。

半导体放电管维持电流的研究

对提高半导体放电管的维持电流（ＩＨ）进行了研究，实验结果表明：应用一般晶闸管维持电流公式进行调整，不易得到大的维持电流，必须在放电管结构上进行改进。

一种用于低压防护的新型闩锁免疫双向可控硅

针对传统片上静电放电(ESD)防护器件双向可控硅(DDSCR)的低维持电压特性,设计了一种内嵌多MOS管的新型DDSCR。通过多MOS管组成的旁路通路进行分流,能够增强反偏结电场,从而提高器件抗闩锁能力。基于TCAD进行仿真,模拟TLP测试结果表明,与NLVTDDSCR相比,新型器件的触发电压基本保持不变,维持电压从3.50 V提高到5.06 V,通过拉长关键尺寸D5,可将器件维持电压进一步提高到6.02 V,适用于电源轨为5 V的低压芯片防护。

12MeV电子束辐照改善双向晶闸管特性参数的研究

用１２ＭｅＶ电子束对２００Ａ双向晶闸管进行三种不同方式辐照，并对辐照前后双向晶闸管的主要参数进行了测试。实验结果表明，１２ＭｅＶ电子束辐照可以明显改善双向晶闸管的换向能力，而且根据对器件参数的不同要求，可以选择不同辐照方式，使器件各电学参数达到最佳。为了保证器件能够长期稳定工作，辐照后在２００℃下进行２—４ｈ退火。

一种新的大功率电力半导体器件的烧结工艺

在现有的硅－铝－钼（Ｓｉ－Ａｌ－Ｍｏ）烧结工艺的基础上，引入了铬（Ｃｒ）、镍（Ｎｉ）、银（Ａｇ）金属阻挡层，并将这一新的金属阻挡层烧结工艺应用到双向晶闸管的生产中。结果表明，该工艺能得到浅而平坦的烧结合金结，并能改善器件的反向阻断特性和通态特性的一致性，提高器件的成品率．

500A、1200V光控双向晶闸管的研制

本文具体描述了中心锥形槽状光敏门极结构光控双向晶闸管的结构特点，介绍了该新型结构器件的关键生产工艺，并对器件的触发特性进行了较深入的理论研究，研制成功的直径为４０ｍｍ，电流容量为５００Ａ，耐压为１２００Ｖ的光控双向晶闸管的最小光触发功率小于１５ｍＷ，动态峰值压降小于１．６Ｖ，换向ｄｖ／ｄｔ耐量大于１００Ｖ／μｓ，换向ｄｉ／ｄｔ耐量大于５０Ａ／μｓ．

双向晶闸管4种触发导通过程及灵敏度分析

围绕双向晶闸管的4种触发方式,从其内部结构入手,采用等效电路分析方法,较为透彻清晰地展示了4种触发方式下的导通过程,更好地理解不同触发方式下灵敏度的差异,便于技术人员根据实际情况作出合理选择。

基于MINITAB双向可控硅换向版图设计

通过概述双向可控硅的换向机理,分析提高换向能力的几种技术,运用质量统计软件MINITAB的试验设计分析法(DOE)对双向可控硅芯片的版图设计方案进行归纳总结,确定五试验因子和二个试验水平表,进而确定试验计划.通过对16次工艺试验的结果分析,优选出较佳版图设计方案并获得连续变量因子的回归方程.优选结果表明:在确定芯片工艺方案的前提下,短路区采用正方形分布,并组合相应的换向隔离带设计可更好地实现产品的设计指标.

数控交流稳压电源中二只双向晶闸管的短路分析

数控交流稳压电源中 ,二只双向晶闸管转换导通时 ,产生短路 ,但不一定产生短路大电流 .短路可分为增强型短路 ,截止型短路和减小型短路 ,在输入附加信号的条件下 。

单片机控制的双向可控硅后沿固定触发电路

本文介绍单片机控制的双向可控硅后沿固定移相触发电路,证明它在感性负载下采用的必要性,说明电路组成及工作原理。

一种双向晶闸管调压电路功率调节系数的讨论

根据双向晶闸管和触发二极管的伏安特性和典型应用电路的工作原理 ,列出了电路方程 ,并应用计算机求得了功率调节系数与时间常数 RC的数值解 ,通过对数值解进行分析 ,得出了线性调节范围。

双向晶闸管调试时应注意触发信号极性的连接

我所一台三相电阻加热炉,采用TA电子调节器、ZTZ晶闸管调功器和KS-250A/800V双向晶闸管组成温度控制系统。其三相电阻炉主回路接线如图1所示。R1、R2、

电压质量调节器中晶闸管的强制关断技术

常规电压质量调节器VQC(Voltage Quality Conditioner)的串联补偿部分使用变压器串联到配电网中,但是变压器存在磁饱和问题,易产生破坏性的冲击电流。提出利用双向晶闸管构成开关设备取代变压器结构来解决该问题,并分析了其结构特点及应用。针对晶闸管自然关断带来的滞后补偿问题,提出VQC中晶闸管的强制关断技术原理和控制策略。根据VQC中负载的特性、负载的大小以及逆变器的输出电压幅值和方向对晶闸管关断的影响研究,确立了强制关断原则,分析了晶闸管关断时间与逆变器输出电压、负载特性、负载大小之间的对应变化关系。仿真与实验分析验证了所提出强制关断策略的有效性与可行性。

多元胞半导体电涌吸收器件的研究

设计并试制了一种多元胞结构的半导体电涌吸收器件（SSAD），旨在降低器件工作时的最高温度并提高其过浪涌能力。初步实验结果证明器件经历过电涌后，其失效率比单元胞有较显著的降低。

KJ008双向晶闸管过零触发器集成电路

本文介绍了双向晶闸管过零触发器集成电路KJ008的引脚功能、内部结构、参数限制，分析了其工作原理，进而探讨了其应用。

过零触发光电隔离双向晶闸管驱动器

介绍过零触发光电隔离双向晶闸管驱动器的基本特性及应用电路。

双向晶闸管通态电压特性曲线分析

根据实验数据给出了双向晶闸管(TRIAC)的通态电压特性曲线。通过对特性曲线的分析,认为用铬-镍-银阻挡层烧结新工艺可大大改善双向晶闸管的双向通态特性。