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面向神经形态感知的人工脉冲神经元的研究进展
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作者 方胜利 任文君 +7 位作者 赵淑景 王瑞麟 刘卫华 李昕 张国和 王小力 耿莉 韩传余 《微电子学》 CAS 北大核心 2024年第1期1-16,共16页
近年来,随着人工智能技术和脉冲神经网络(SNN)的迅猛发展,人工脉冲神经元的研究逐渐兴起。人工脉冲神经元的研究对于开发具有人类智能水平的机器人、实现自主学习和自适应控制等领域具有重要的应用前景。传统的电子器件由于缺乏神经元... 近年来,随着人工智能技术和脉冲神经网络(SNN)的迅猛发展,人工脉冲神经元的研究逐渐兴起。人工脉冲神经元的研究对于开发具有人类智能水平的机器人、实现自主学习和自适应控制等领域具有重要的应用前景。传统的电子器件由于缺乏神经元的非线性特性,需要复杂的电路结构和大量的器件才能模拟简单的生物神经元功能,同时功耗也较高。因此,最近研究者们借鉴生物神经元的工作机制,提出了多种基于忆阻器等新型器件的人工脉冲神经元方案。这些方案具有功耗低、结构简单、制备工艺成熟等优点,并且在模拟生物神经元的多种功能等方面取得了显著进展。文章将从人工脉冲神经元的基本原理出发,综述和分析目前已有的各种实现方案。具体来说,将分别介绍基于传统电子器件和基于新型器件的人工脉冲神经元的实现方案,并对其优缺点进行比较。此外,还将介绍不同类型的人工脉冲神经元在实现触觉、视觉、嗅觉、味觉、听觉和温度等神经形态感知方面的应用,并对未来的发展进行展望。希望能够为人工脉冲神经元的研究和应用提供有益的参考和启示。 展开更多
关键词 人工脉冲神经元 神经形态感知 莫特忆阻器 脉冲神经网络
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氧化硅水平隧穿结电子源及其应用
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作者 朱韬远 李志伟 +2 位作者 詹芳媛 杨威 魏贤龙 《真空科学与技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第9期737-748,共12页
电子源是真空电子设备的核心部件,片上微型电子源是实现微型化、片上化真空电子器件的关键和基础。氧化硅水平隧穿结电子源是本课题组近几年发展的一种新型片上微型电子源,其具有发射效率高、发射电流密度大、工作电压低、能耐受粗真空... 电子源是真空电子设备的核心部件,片上微型电子源是实现微型化、片上化真空电子器件的关键和基础。氧化硅水平隧穿结电子源是本课题组近几年发展的一种新型片上微型电子源,其具有发射效率高、发射电流密度大、工作电压低、能耐受粗真空和时间响应快等优点,展现出较大的应用潜力。文章将从电子发射微观过程及理论模型、阵列化集成以及在真空电子器件中的应用三个方面系统介绍氧化硅水平隧穿结电子源,并对本课题组在该方向上所做的工作进行梳理与总结。 展开更多
关键词 氧化硅水平隧穿结电子源 片上微型电子源 微型真空电子器件
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石墨烯纳米带的制备技术及应用研究现状
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作者 周新博 付景顺 +3 位作者 苑泽伟 钟兵 刘涛 唐美玲 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第4期64-74,共11页
石墨烯具有优异的力学、电学、光学、热学等物理性质,是当前新型材料的研究热点之一,被广泛应用在导电薄膜、储能元件、药物载体以及锂电池等领域。然而,石墨烯无带隙的特点限制其更广泛的应用,因此,通过技术手段打开石墨烯带隙成为学... 石墨烯具有优异的力学、电学、光学、热学等物理性质,是当前新型材料的研究热点之一,被广泛应用在导电薄膜、储能元件、药物载体以及锂电池等领域。然而,石墨烯无带隙的特点限制其更广泛的应用,因此,通过技术手段打开石墨烯带隙成为学者们亟待解决的新问题。将石墨烯制成石墨烯纳米带(Graphene nanoribbons,GNRs)是打开其带隙的可行办法。因此,本文梳理了制备GNRs的不同方法,综述了其制备原理和研究进展,并对比了其优点和不足,提出了将不同方法的优点相互结合的复合制备方法,以实现可控、高效、高质量制备GNRs,最后介绍了GNRs在高性能传感器、场效应晶体管和光电探测器领域应用的研究进展和未来发展趋势。这对GNRs进一步应用在纳米器件中有一定的指导意义。 展开更多
关键词 石墨烯纳米带 剪裁 化学合成 传感器 场效应晶体管 光电探测器
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低温度敏感度谐振式压力传感器设计与仿真
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作者 李光贤 黄晶 +4 位作者 袁宇鹏 杨靖 李春洋 张祖伟 龙帅 《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第2期202-206,共5页
为降低材料杨氏模量温度漂移和热应力对谐振式压力传感器温度漂移的影响,该文设计了一种基于Si-SiO 2复合H形谐振梁和双谐振器结构的低温度敏感度谐振压力传感器。通过有限元仿真软件COMSOL对传感器进行仿真验证。结果表明,在0~350 kPa... 为降低材料杨氏模量温度漂移和热应力对谐振式压力传感器温度漂移的影响,该文设计了一种基于Si-SiO 2复合H形谐振梁和双谐振器结构的低温度敏感度谐振压力传感器。通过有限元仿真软件COMSOL对传感器进行仿真验证。结果表明,在0~350 kPa内传感器灵敏度可达21.146 Hz/kPa,-50~125℃内零点温度漂移低至0.2 Hz/℃。与全硅结构相比,灵敏度温度漂移由339×10^(-6)/℃降低至14.1×10^(-6)/℃,可适应工作温度范围较高的环境。 展开更多
关键词 谐振式压力传感器 温度漂移 温度灵敏度漂移 温度补偿
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基于波浪发电储能装置的DC/DC变换器设计实验研究
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作者 李名楷 孙建军 +1 位作者 张静 刘欢 《电子设计工程》 2024年第22期17-21,26,共6页
波浪发电过程中存在着发电的随机性和不稳定性,将储能装置接入波浪发电系统能较好地解决此类问题。针对波浪发电的特点,设计一款利用新型半导体材料功率器件(氮化镓)的DC/DC变换器用于储能装置中。阐述系统结构的组成,并分析其工作原理... 波浪发电过程中存在着发电的随机性和不稳定性,将储能装置接入波浪发电系统能较好地解决此类问题。针对波浪发电的特点,设计一款利用新型半导体材料功率器件(氮化镓)的DC/DC变换器用于储能装置中。阐述系统结构的组成,并分析其工作原理。根据设计参数和氮化镓开关特性设计出主电路、驱动电路、采样电路和控制电路。根据设计构建测试平台,测试在电压变换的情况下能够稳定输出0.5 A的电流。测试结果验证了所设计方案的有效性,对波浪发电储能系统的实际应用具有一定的参考价值。 展开更多
关键词 储能装置 双脉冲测试 氮化镓 DC/DC变换器
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热电堆式MEMS气体流量传感器设计及性能研究
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作者 刘泽民 张琛琛 +1 位作者 毛海央 周娜 《舰船电子工程》 2024年第4期131-135,共5页
提出一种由微加热器和热电堆构成的热式MEMS气体流量传感器用以实现高灵敏、快响应且低功耗的气体流量检测。采用N/P型重掺杂多晶硅材料构造双层堆叠的热电堆结构,可以实现低热导和高塞贝克系数,具有更高的温度敏感性。实验测试表明,该... 提出一种由微加热器和热电堆构成的热式MEMS气体流量传感器用以实现高灵敏、快响应且低功耗的气体流量检测。采用N/P型重掺杂多晶硅材料构造双层堆叠的热电堆结构,可以实现低热导和高塞贝克系数,具有更高的温度敏感性。实验测试表明,该传感器件在0~1000 sccm的气流范围内灵敏度可达0.309 mV/sccm(58.22 mV/ms-1),响应时间仅约139 ms,其工作电压为2.56 V时,微加热器的加热功耗仅有34.9 mW。该器件的整体尺寸仅有1300 mm×1300 mm,有利于检测系统的小型化和集成化,在动力氢燃料电池、医疗辅助呼吸设备等流速流量检测场景中具有一定应用价值。 展开更多
关键词 热电堆 MEMS 双层堆叠结构 热式气体流量传感器
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忆阻器基神经形态计算器件与系统研究进展
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作者 郭文斌 汪泽清 +1 位作者 吴祖恒 蔺智挺 《电子与封装》 2024年第4期63-74,共12页
忆阻器作为新原理器件,与现有互补金属氧化物半导体(CMOS)器件相比,具有结构简单、集成密度高、微缩性好、操作能耗低、易于三维集成等优点,是实现神经形态计算技术的理想存储器件之一。对近年来忆阻器基神经形态计算技术的研究进展进... 忆阻器作为新原理器件,与现有互补金属氧化物半导体(CMOS)器件相比,具有结构简单、集成密度高、微缩性好、操作能耗低、易于三维集成等优点,是实现神经形态计算技术的理想存储器件之一。对近年来忆阻器基神经形态计算技术的研究进展进行综述,包括忆阻器基神经突触和神经元功能实现以及忆阻器基神经形态计算系统研究进展,并对当前忆阻器基神经形态计算技术仍然面临的挑战进行总结,对其前景做了展望。 展开更多
关键词 忆阻器 神经形态计算 突触 神经元
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软击穿对压控磁各向异性磁隧道结及其读电路性能影响
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作者 金冬月 曹路明 +4 位作者 王佑 张万荣 贾晓雪 潘永安 邱翱 《北京工业大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第1期10-17,共8页
为了解决软击穿导致的压控磁各向异性磁隧道结(voltage-controlled magnetic anisotropy magnetic tunnel junction,VCMA-MTJ)及其读电路性能下降的问题,在对VCMA-MTJ软击穿机理深入分析的基础上,修正了VCMA-MTJ的电学模型,设计了一种... 为了解决软击穿导致的压控磁各向异性磁隧道结(voltage-controlled magnetic anisotropy magnetic tunnel junction,VCMA-MTJ)及其读电路性能下降的问题,在对VCMA-MTJ软击穿机理深入分析的基础上,修正了VCMA-MTJ的电学模型,设计了一种具有固定参考电阻的VCMA-MTJ读电路和一种具有参考电阻调控单元的VCMA-MTJ读电路,研究了软击穿对VCMA-MTJ电阻R_(t)、隧穿磁阻比率M、软击穿时间T_(s)以及VCMA-MTJ读电路读错误率的影响。结果表明:软击穿的出现会导致R_(t)和M均随应力时间t的增加而降低,T_(s)随氧化层厚度t_(ox)的增大而缓慢增加,却随脉冲电压V_(b)的增大而迅速减少,与反平行态相比,平行态的T_(s)更短且M降低50%所需时间更少;具有固定参考电阻的VCMA-MTJ读电路可有效避免读“0”错误率的产生,但读“1”错误率却随t的增加而上升,而具有参考电阻调控单元的VCMA-MTJ读电路可在保持读“0”正确率的同时,对读“1”错误率改善达54%,在一定程度上削弱了软击穿对VCMA-MTJ读电路的影响。 展开更多
关键词 压控磁各向异性 磁隧道结 软击穿 应力时间 读电路 参考电阻调控单元
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压电俘能结构力-电耦合特性有限元仿真分析
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作者 王梦雨 师阳 《微电子学》 CAS 北大核心 2024年第3期475-480,共6页
基于有限元方法对压电悬臂梁进行力电特性数值仿真,研究了不同截面形状压电悬臂梁的力-电特性,发现相比于矩形压电悬臂梁,梯形压电悬臂梁有较高的输出电压和一阶共振频率。进一步分析了梯形压电悬臂梁的压电片长度、压电片位置、基板-... 基于有限元方法对压电悬臂梁进行力电特性数值仿真,研究了不同截面形状压电悬臂梁的力-电特性,发现相比于矩形压电悬臂梁,梯形压电悬臂梁有较高的输出电压和一阶共振频率。进一步分析了梯形压电悬臂梁的压电片长度、压电片位置、基板-压电片厚度比对其性能的影响。结果表明,当压电片长度越短,且位置越靠近固定端时,梯形悬臂梁的输出性能越好,但一阶共振频率随着压电片长度的减小和与固定端距离的增加而降低;当基板-压电片厚度比为1.6时,梯形悬臂梁的电学输出特性最佳,一阶共振频率随着厚度比的增大而增大。 展开更多
关键词 压电悬臂梁 力-电特性 有限元仿真 结构优化
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基于全自旋逻辑器件的五输入择少逻辑门设计
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作者 王森 李鹤楠 《固体电子学研究与进展》 CAS 2024年第4期331-336,共6页
基于全自旋逻辑器件提出了一种五输入择少逻辑门,并基于Landau-Lifshitz-Gilbert-Slonczewski方程和自旋传输模型,建立了择少逻辑门的自一致仿真模型。基于该自一致仿真模型验证了所提出的逻辑门的功能正确性。同时,研究了五输入择少逻... 基于全自旋逻辑器件提出了一种五输入择少逻辑门,并基于Landau-Lifshitz-Gilbert-Slonczewski方程和自旋传输模型,建立了择少逻辑门的自一致仿真模型。基于该自一致仿真模型验证了所提出的逻辑门的功能正确性。同时,研究了五输入择少逻辑门的功耗和延迟问题,发现其功耗不随输入的改变而改变,平均功耗约为1.174 pJ,但延迟时间随输入的不同而变化,最大延迟约为1.9 ns。相对于三输入择少逻辑门,所提出的五输入择少逻辑门在构造译码器、编码器、奇偶校验器等较为复杂的逻辑电路时,在器件数量和时钟周期上都有所减少。 展开更多
关键词 全自旋逻辑 自旋传输 Landau-Lifshitz-Gilbert-Slonczewski方程 择少逻辑门
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3300 V高性能混合SiC模块研制
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作者 刘艳宏 杨晓菲 +2 位作者 王晓丽 荆海燕 刘爽 《固体电子学研究与进展》 CAS 2024年第1期13-18,共6页
将Si基绝缘栅双极型晶体管(Insulated gate bipolar transistor,IGBT)芯片与SiC结型势垒肖特基二极管芯片按照双开关电路结构排布,开发了一种3 300 V等级混合SiC模块,对其设计方法、封装工艺、仿真、测试结果进行分析,并对标相同规格IGB... 将Si基绝缘栅双极型晶体管(Insulated gate bipolar transistor,IGBT)芯片与SiC结型势垒肖特基二极管芯片按照双开关电路结构排布,开发了一种3 300 V等级混合SiC模块,对其设计方法、封装工艺、仿真、测试结果进行分析,并对标相同规格IGBT模块。混合SiC模块低空洞率焊接满足牵引领域高温度循环周次的要求,冗余式的连跳键合结构可以有效增强功率循环能力。采用双脉冲法测试动态性能,测试结果表明该混合SiC模块反向恢复时间减小了84%,反向恢复电流减小了89.5%,反向恢复能量减小了99%,一次开关产生的总损耗降低了43.3%。混合SiC模块消除了开关过程中电压和电流过冲现象,在高电压、大电流和高频率的应用工况下具有明显的优势。 展开更多
关键词 绝缘栅双极型晶体管 结型势垒肖特基二极管 混合SiC模块
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具有量子点插入层的阻变存储器电学特性研究
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作者 段毅伟 耿佳贤 钱郁 《宝鸡文理学院学报(自然科学版)》 CAS 2024年第3期43-49,共7页
目的研究量子点插入层的氮离子吸附能力对AlN基阻变存储器的电学特性的影响。方法通过实验制备具有单层AlN阻变层的阻变存储器和具有AlN/PbS量子点堆叠结构的阻变存储器。通过材料表征、对器件电学特性表征以及对电流传导机制分析等手... 目的研究量子点插入层的氮离子吸附能力对AlN基阻变存储器的电学特性的影响。方法通过实验制备具有单层AlN阻变层的阻变存储器和具有AlN/PbS量子点堆叠结构的阻变存储器。通过材料表征、对器件电学特性表征以及对电流传导机制分析等手段研究具有AlN/PbS量子点堆叠结构的阻变存储器的电阻切换机制。结果与单层AlN基阻变存储器相比,AlN/PbS量子点堆叠结构阻变存储器具有优异的电阻开关特性,如Forming-free特性、低功耗特性以及优异的稳定性。结论器件的电阻开关过程显著受到PbS量子点插入层的调控作用,量子点插入层的引入、氮空位的分布情况和电场的分布情况是控制AlN基阻变存储器电阻切换性能的关键因素。 展开更多
关键词 阻变存储器 量子点薄膜 叠层结构 稳定性
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基于氧化锌骨架的二氧化氮传感器及其敏感特性增强方法
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作者 赵俊霞 邢希达 +3 位作者 张新彬 单欣 韦玉 张尧天 《光电子技术》 CAS 2024年第3期235-241,共7页
提出了一种基于结构优化特性优化的α-6T的传感器敏感特性增强方法。通过水热法和有机热蒸发,制备了不同α-6T厚度的α-6T/氧化锌(ZnO)层状复合气体传感器。与单一α-6T传感器相比,优化后的复合传感器具有更高的响应(是单一α-6T的2.14... 提出了一种基于结构优化特性优化的α-6T的传感器敏感特性增强方法。通过水热法和有机热蒸发,制备了不同α-6T厚度的α-6T/氧化锌(ZnO)层状复合气体传感器。与单一α-6T传感器相比,优化后的复合传感器具有更高的响应(是单一α-6T的2.14倍)、更快的响应(是单一α-6T传感器的18.81%)。此外,基于形态学特性和异质结理论分析建立了α-6T/ZnO复合薄膜的敏感特性增强机制。研究为基于α-6T的NO_(2)传感器提供一种简单的增强方法。 展开更多
关键词 二氧化氮传感器 α-六噻吩 氧化锌 复合材料
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基于硅通孔的三维微系统互联结构总剂量效应损伤机制研究
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作者 王昊 陈睿 +7 位作者 陈钱 韩建伟 于新 孟德超 杨驾鹏 薛玉雄 周泉丰 韩瑞龙 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第8期1789-1796,共8页
垂直硅通孔(TSV)作为三维集成微系统的核心技术之一,可以通过多个平面层器件的垂直堆叠有效降低互联延迟,提高集成密度,减少芯片功耗。利用^(60)Co γ射线实验装置,以自主设计的基于TSV的三维互联结构作为实验对象,进行了总剂量效应敏... 垂直硅通孔(TSV)作为三维集成微系统的核心技术之一,可以通过多个平面层器件的垂直堆叠有效降低互联延迟,提高集成密度,减少芯片功耗。利用^(60)Co γ射线实验装置,以自主设计的基于TSV的三维互联结构作为实验对象,进行了总剂量效应敏感性分析。实验发现,随着累积辐照剂量的增加,TSV信号通道的插入损耗(S_(21))减小,回波损耗(S_(11))增大,信号传输效率不断降低。结果表明,总剂量效应诱发TSV内部寄生MOS结构产生氧化层陷阱电荷和界面态陷阱电荷导致了寄生MOS电容C-V曲线出现“负漂”现象,由此引起的信号通道特征阻抗不连续是TSV出现信号完整性问题的内在机制。基于RLGC等效电路模型,利用Keysight ADS仿真软件验证了TSV内部寄生MOS电容总剂量效应的辐射响应规律。 展开更多
关键词 硅通孔 总剂量效应 寄生MOS电容 插入损耗 回波损耗
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PFONet:一种用于加速MRI的渐进式聚焦导向双域重建网络
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作者 王钟贤 王志文 +4 位作者 张中洲 杨子元 冉茂松 余慧 张意 《四川大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2024年第5期121-136,共16页
对k空间数据进行欠采样操作是一种有效的加速磁共振(MRI)成像方法,但是利用欠采样的数据准确地进行图像重建是一个具有挑战性的工作.最近,利用频域和图像域双域信息的神经网络重建方法可以提升MRI重建性能,因此引起了研究者的关注.然而... 对k空间数据进行欠采样操作是一种有效的加速磁共振(MRI)成像方法,但是利用欠采样的数据准确地进行图像重建是一个具有挑战性的工作.最近,利用频域和图像域双域信息的神经网络重建方法可以提升MRI重建性能,因此引起了研究者的关注.然而,这些方法主要存在以下两个不足:首先,在频率域,这些带有传统归一化模块的方法将测量数据和零填充区域同等对待,导致了k空间特征偏移现象和次优的重建效果;其次,在图像域,现有方法通常忽略了多尺度的动态特征对于细节恢复的重要性,因此传统图像域网络难以学习足够的全局-局部信息以重建结构细节.因此,本文提出了一种新型渐进式聚焦导向双域重建网络(PFONet),以分别克服频域和图像域的这些限制.在频域,提出了一个专注于零填充区域的区域归一化模块,逐步缓解特征偏移问题,并预测可靠的k空间数据.在图像域,提出了一个带有通道级门控机制的动态注意力模块,专注于从多尺度感受野中提取丰富的全局-局部特征,以恢复细节.定量和定性实验表明,在与几种最先进方法的比较中,本文提出的PFONet最为轻量,同时实现了更优的重建性能. 展开更多
关键词 磁共振成像 磁共振重建 渐进式聚焦导向 多尺度特征聚合
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六方氮化硼忆阻器的研究进展
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作者 王思博 刘晓航 陈占国 《半导体光电》 CAS 北大核心 2024年第1期11-18,共8页
六方氮化硼是一种与石墨烯结构相似的材料,以六方氮化硼作为阻变介质层的忆阻器,具有良好的散热性能,不易发生介电击穿,能够实现小尺寸、低功耗和大的开关比;在计算机运算存储研究、人工神经网络和神经形态(即类脑)计算领域有极大的应... 六方氮化硼是一种与石墨烯结构相似的材料,以六方氮化硼作为阻变介质层的忆阻器,具有良好的散热性能,不易发生介电击穿,能够实现小尺寸、低功耗和大的开关比;在计算机运算存储研究、人工神经网络和神经形态(即类脑)计算领域有极大的应用前景。文章主要介绍了忆阻器的分类,分析了六方氮化硼忆阻器的阻变机制,综述了六方氮化硼忆阻器的研究现状。最后,指出了六方氮化硼忆阻器当前面临的挑战,并展望了未来的发展方向。 展开更多
关键词 六方氮化硼 忆阻器 低维材料
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低功耗电阻型MEMS半导体气体传感器研究进展 被引量:1
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作者 赵利强 向星岩 +2 位作者 王刚 李威 刘建钢 《微电子学》 CAS 北大核心 2023年第4期716-722,共7页
电阻型MEMS半导体气体传感器在环境空气质量监测和有毒有害气体检测等领域得到了广泛应用,但是受限于功耗较高的原因,这类传感器难以广泛应用于便携式气体检测系统。文章综述了近年来低功耗电阻型MEMS半导体气体传感器的研究进展,分别... 电阻型MEMS半导体气体传感器在环境空气质量监测和有毒有害气体检测等领域得到了广泛应用,但是受限于功耗较高的原因,这类传感器难以广泛应用于便携式气体检测系统。文章综述了近年来低功耗电阻型MEMS半导体气体传感器的研究进展,分别从气敏材料、传感器结构和传感器模组的集成电路等方面探讨如何实现低功耗的电阻型MEMS半导体气体传感器的制备,并展望低功耗的电阻型MEMS半导体气体传感器未来的发展方向。 展开更多
关键词 低功耗 微机电系统 半导体气体传感器 脉冲工作模式
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声共振风传感器用全相位风速风向解算方法
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作者 王飞 王登攀 +4 位作者 王露 曾祥豹 向星旭 廖崧琳 周悦 《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第4期582-585,595,共5页
提出了一种超声波共振式全相位风速风向解算方法,搭建以间距L呈等边三角形分布的3个超声波换能器A、B、C,测量了超声波换能器A、B、C回波初相,根据得到的回波初相解算出从顶点无角度直接吹风和从顶点有角度吹风情况下的风速与风向数据... 提出了一种超声波共振式全相位风速风向解算方法,搭建以间距L呈等边三角形分布的3个超声波换能器A、B、C,测量了超声波换能器A、B、C回波初相,根据得到的回波初相解算出从顶点无角度直接吹风和从顶点有角度吹风情况下的风速与风向数据。结果表明,该文建立的全相位风速风向解算方法连续无奇点,与其他方法相比,在输入量相同的情况下风速波动较小,风向解算较准确。 展开更多
关键词 超声波 共振式 回波初相 全相位风速风向解算方法
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基于反溶剂法调控薄膜成核的钙钛矿太阳能电池
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作者 魏淑萍 王仁杰 吴炯桦 《光电子技术》 CAS 2024年第1期1-5,12,共6页
介绍了一种以分散纳米二氧化硅的氯苯作为反溶剂制备高质量钙钛矿薄膜的新方法。通过在反溶剂氯苯中分散纳米二氧化硅来控制成核和晶体生长,最终提升钙钛矿太阳能电池的整体器件性能。优化后的钙钛矿薄膜致密、表面均匀平整,载流子寿命... 介绍了一种以分散纳米二氧化硅的氯苯作为反溶剂制备高质量钙钛矿薄膜的新方法。通过在反溶剂氯苯中分散纳米二氧化硅来控制成核和晶体生长,最终提升钙钛矿太阳能电池的整体器件性能。优化后的钙钛矿薄膜致密、表面均匀平整,载流子寿命显著延长至2386.5 ns,器件内建电场提升至1143.2 mV,最佳器件的光电转换效率为20.6%,填充因子提升至76.6%。 展开更多
关键词 钙钛矿太阳能电池 反溶剂法 缺陷抑制 晶体成核
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QCA技术在递归盒式滤波器中的应用
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作者 周先春 王博文 崔程程 《电子测量与仪器学报》 CSCD 北大核心 2023年第5期198-206,共9页
量子点元胞自动机(quantum dot-cellular automata,QCA)因其延迟时间短、功耗低以及占用面积小等优点被当作代替CMOS的新型技术之一。针对CMOS器件尺寸日益减小导致的高功耗和电容寄生及串扰问题,本文首次利用QCA技术构建了一种递归盒... 量子点元胞自动机(quantum dot-cellular automata,QCA)因其延迟时间短、功耗低以及占用面积小等优点被当作代替CMOS的新型技术之一。针对CMOS器件尺寸日益减小导致的高功耗和电容寄生及串扰问题,本文首次利用QCA技术构建了一种递归盒式滤波器。其中,提出了一种全新的QCA全加器,较已提出的QCA全加器减少了55%的电路面积;少使用了56.7%的元胞数;量子成本也降低了10%以上。并以此为基础设计了一种高效的行波进位加法器(ripple carry adder,RCA)以及一种高效的进位选择加法器(carry select adder,CSA)来构成盒式滤波器的加法单元。以此构建的盒式滤波器较一般QCA盒式滤波器节省了32.6%的硬件资源;减少20%的电路运行时间;减少了48.7%的功耗。并使用QCA Designer仿真,结果表明,本设计完全可以代替实现传统的盒式滤波器功能,并在效率、功耗、电路面积、资源占用方面均有显著降低。 展开更多
关键词 量子点元胞自动机 递归盒式滤波器 行波进位加法器 进位选择加法器
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