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对二维Graphene/VS_(2)/BN范德华多层异质结构作为LIBs的阳极材料的相关研究
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作者 伍虎 唐贵平 +1 位作者 肖事成 范志强 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第5期1543-1552,共10页
通过范德华尔斯作用将单层石墨烯(Graphene)、单层二硫化钒(VS2)和单层氮化硼(BN)构建成Graphene/VS2/BN范德华三层异质结构,并将其与不同数量的锂结合,研究了其作为锂离子电池(Li-Ion Batterys,LIBs)中阳极电极材料的可行性.Graphene/V... 通过范德华尔斯作用将单层石墨烯(Graphene)、单层二硫化钒(VS2)和单层氮化硼(BN)构建成Graphene/VS2/BN范德华三层异质结构,并将其与不同数量的锂结合,研究了其作为锂离子电池(Li-Ion Batterys,LIBs)中阳极电极材料的可行性.Graphene/VS_(2)/BN范德华三层异质结构具有-0.33 e V/A2的形成能,具有较强的稳定性,理论上可实现合成.同时,计算了Graphene/VS_(2)/BN范德华异质结构的平面内刚度,得出的杨氏模量(Y)为886.88 N/m,高于单层VS_(2)的Y(82.5 N/m),具有较好的力学性能.Graphene/VS_(2)/BN范德华三层异质结构表面和界面上吸附Li的吸附能(-5~-2 e V)远大于相应单层的吸附能,表明其对Li具有较好的吸附性能.Li在Graphene/VS_(2)/BN范德华三层异质结构的不同表面和界面处迁移时的扩散势垒非常小(0.3~0.6 e V),对电池速率性能极为有利.Graphene/VS_(2)/BN范德华三层异质结构在LIBs的阳极电极材料方面的应用具有广泛的前景. 展开更多
关键词 石墨烯 异质结 吸附能 开路电压 能带 锂离子电池
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GaN HEMT栅偏置电压与反向传导电压的解耦合研究
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作者 周峰 荣玉 +1 位作者 郑有炓 陆海 《电子元件与材料》 CAS 北大核心 2024年第3期264-269,共6页
第三代宽禁带氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)的反向传导特性由于受到栅极偏置的控制作用,限制了器件在双向DC/DC变换器等场景中的实用化发展。通过采用源极控制p-GaN区域的结构设计,使得部分异质结导电沟道受到源极控制,实现了反... 第三代宽禁带氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)的反向传导特性由于受到栅极偏置的控制作用,限制了器件在双向DC/DC变换器等场景中的实用化发展。通过采用源极控制p-GaN区域的结构设计,使得部分异质结导电沟道受到源极控制,实现了反向传导电压与栅极偏置电压的解耦合,有效解决了负栅偏压下器件的反向传导特性退化难题。研究表明,当器件p-GaN层上方的源控金属块和栅极金属块长度比值为1∶1时,有利于实现正向与反向传导性能的最佳折中。在150℃高温下,采用新结构设计的GaN HEMT维持了低开启反向传导能力。双脉冲动态开关测试表明,器件具有快速开关能力。器件制备工艺简单,兼容现有的GaN HEMT工艺流程,有望促进GaN功率半导体器件技术在变换器应用领域的实用化发展。 展开更多
关键词 GaN HEMT 反向传导能力 栅偏置电压 双脉冲开关 双向变换器
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基于体硅MEMS工艺的射频微系统冲击特性仿真研究
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作者 冯政森 王辂 +4 位作者 曾燕萍 杨兵 祁冬 王志辉 张睿 《电子技术应用》 2024年第2期65-70,共6页
高过载冲击试验成本高、周期长,同时失效检测手段较少,难以定位结构薄弱点。针对体硅工艺MEMS(Micro-electromechanical System)射频微系统,采用冲击响应谱与瞬态动力学方法,研究板级与试验条件下的高冲击载荷响应。仿真结果表明,该射... 高过载冲击试验成本高、周期长,同时失效检测手段较少,难以定位结构薄弱点。针对体硅工艺MEMS(Micro-electromechanical System)射频微系统,采用冲击响应谱与瞬态动力学方法,研究板级与试验条件下的高冲击载荷响应。仿真结果表明,该射频微系统能够承受高冲击过载,仿真结果可提前预判结构失效点,提高产品抗冲击可靠性。 展开更多
关键词 体硅MEMS 射频微系统 冲击 响应谱 瞬态动力学 可靠性
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面向存算架构的神经网络数字系统设计
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作者 卢北辰 杨兵 《微电子学与计算机》 2024年第9期98-109,共12页
随着深度学习与神经网络的不断发展,庞大的计算量使得传统的冯·诺依曼架构设备面临“存储墙”等问题,因此“存内计算(Compute-In-Memory,CIM)”成为满足神经网络高时效需求和高运算量要求的主流设计方向。针对高密度数据的高性能... 随着深度学习与神经网络的不断发展,庞大的计算量使得传统的冯·诺依曼架构设备面临“存储墙”等问题,因此“存内计算(Compute-In-Memory,CIM)”成为满足神经网络高时效需求和高运算量要求的主流设计方向。针对高密度数据的高性能计算提供高速且节能的解决方案,设计了一款神经网络加速器。首先,完成了对ResNet14神经网络的量化,依据其结构设计了一种面向存内计算的数字系统。而后,为了增强该系统的多网络适配性,提出了一种兼容性架构构想,使该数字系统可适配ResNet18或其他卷积神经网络的部分卷积层。最后,将该系统加载到FPGA上进行验证。在10 MHz的时钟频率下,以Cifar-10和MNIST数据集进行目标分类任务,分别得到60 FPS下84.17%和98.79%的准确率,具有更小的数据位宽和相近的准确率。 展开更多
关键词 存内计算 数字集成电路设计 目标分类 卷积神经网络 ResNet14
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反熔丝的研究与应用 被引量:20
5
作者 王刚 李平 +3 位作者 李威 张国俊 谢小东 姜晶 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第11期30-33,共4页
综述了ONO(氧化物-氮化物-氧化物)反熔丝、非晶硅(a-Si)反熔丝和栅氧化层反熔丝的制作工艺、性能参数及其优缺点,介绍了反熔丝器件包括反熔丝可编程只读存储器(PROM)和反熔丝现场可编程门阵列(FPGA)在器件应用、存储容量、可用门数、工... 综述了ONO(氧化物-氮化物-氧化物)反熔丝、非晶硅(a-Si)反熔丝和栅氧化层反熔丝的制作工艺、性能参数及其优缺点,介绍了反熔丝器件包括反熔丝可编程只读存储器(PROM)和反熔丝现场可编程门阵列(FPGA)在器件应用、存储容量、可用门数、工作电压和抗辐射性能等方面的研究进展,指出了反熔丝以及反熔丝器件的4个主要发展趋势,即工艺兼容、高密度、有机/柔性和新材料。 展开更多
关键词 反熔丝 氧化物-氮化物-氧化物 非晶硅 栅氧化层 反熔丝PROM 反熔丝FPGA
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串行链路IBIS-AMI模型信号完整性分析及优化
6
作者 杨云普 王青 曾燕萍 《无线电工程》 2024年第4期882-891,共10页
为解决高速串行链路通信时由于均衡器未精细配置导致的信号完整性问题,通过研究IBIS-AMI模型均衡结构对信号完整性的影响,使用田口试验法建立仿真试验,实现各均衡参数优化,解决了均衡器参数需要精细配置的问题。建立并分析一阶线性模型... 为解决高速串行链路通信时由于均衡器未精细配置导致的信号完整性问题,通过研究IBIS-AMI模型均衡结构对信号完整性的影响,使用田口试验法建立仿真试验,实现各均衡参数优化,解决了均衡器参数需要精细配置的问题。建立并分析一阶线性模型,对最佳参数组合下的眼图做出预测,并将仿真值与预测值进行对比,验证了最佳参数组合的准确性。在最佳均衡参数下,发射端与接收端得到的预测值和仿真值最大偏差不超过6%,证明了该最佳参数组合是准确的。眼图扩张程度提升了25%,信号质量明显变好,为系统驱动程序设置与信号完整性研究提供了较好的指导与参考。 展开更多
关键词 信号完整性 IBIS-AMI 田口试验 高速串行链路 眼图
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磁悬浮微进给机构的PID控制 被引量:8
7
作者 宋文荣 于国飞 +2 位作者 王延风 何惠阳 韩红霞 《哈尔滨工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期28-31,共4页
利用磁悬浮技术实现了微进给机构的运动部件与运行导轨之间的无接触支撑,消除了摩擦与磨损,克服了摩擦产生的金属粉尘污染问题。采用主动可控电磁阻尼系统,控制线圈的电流即可控制系统的阻尼,可根据实际应用场合,确定采用恒定阻尼还是... 利用磁悬浮技术实现了微进给机构的运动部件与运行导轨之间的无接触支撑,消除了摩擦与磨损,克服了摩擦产生的金属粉尘污染问题。采用主动可控电磁阻尼系统,控制线圈的电流即可控制系统的阻尼,可根据实际应用场合,确定采用恒定阻尼还是时变阻尼。对磁悬浮微进给机构实施PID控制,并进行了仿真试验。结果表明:当阻尼恒定不变时,应使C_2=0.5~1.0,机构的位移控制超调量≤0.933%,绝对稳态误差值≤1.77~2.30μm;当采用时变阻尼系统时,位移控制超调量≤3.617%,绝对稳态误差值≤0.033μm,运动控制达到纳米级准确度。 展开更多
关键词 磁悬浮技术 微进给机构 PID控制 金属粉尘污染 主动可控电磁阻尼系统 集成电路
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直接序列扩频信号快速捕获 被引量:12
8
作者 李菊 陈禾 +1 位作者 吴嗣亮 何佩琨 《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第10期905-908,共4页
提出一种新的基于频域并行搜捕法的改进型快捕电路结构.该结构利用设计复用技术实现FFT单元和IFFT单元的复用;通过软件计算本地伪码FFT,并将其结果存储在ROM中,使硬件规模大幅减少;采用并行设计提高系统的运算速度;采用块浮点算法提高... 提出一种新的基于频域并行搜捕法的改进型快捕电路结构.该结构利用设计复用技术实现FFT单元和IFFT单元的复用;通过软件计算本地伪码FFT,并将其结果存储在ROM中,使硬件规模大幅减少;采用并行设计提高系统的运算速度;采用块浮点算法提高动态范围和运算精度.整个快捕电路由一块FPGA XC 2V 3000-5实现,工作时钟为29 ns,精度为1/4码片情况下,伪码捕获仅需4.145 m s.仿真和测试结果验证了设计的正确性. 展开更多
关键词 直接序列扩频信号 快速捕获 频域并行搜捕法 现场可编程门阵列
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直线驱动磁悬浮进给机构的研究 被引量:6
9
作者 孙宝玉 梁淑卿 +2 位作者 宋文荣 王延风 何惠阳 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 2003年第4期338-342,共5页
分析了传统机械进给机构的特点,设计了一种集磁悬浮和线性驱动技术为一体的精密进给平台机构,此机构采用直线同步电机对悬浮的平台机构提供驱动力。这种驱动方式避免了传统驱动方式造成的摩擦、弹性变形、滞后和非线性误差,实现了平台... 分析了传统机械进给机构的特点,设计了一种集磁悬浮和线性驱动技术为一体的精密进给平台机构,此机构采用直线同步电机对悬浮的平台机构提供驱动力。这种驱动方式避免了传统驱动方式造成的摩擦、弹性变形、滞后和非线性误差,实现了平台进给机构在水平和垂直两方向的无接触支撑和导向。针对磁悬浮平台进给机构设计了直线同步电机的结构,并对直线电机产生的磁力进行分析计算。直线驱动技术在磁悬浮平台进给机构中的应用使进给系统具有响应快速、刚度高以及定位精确的特点,能够满足微电子设备高精度、高效率和超洁净加工的需要。 展开更多
关键词 直线驱动 磁悬浮平台 直线同步电机 数字PID控制 微电子设备
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Avalon总线与SOPC系统架构实例 被引量:24
10
作者 徐宁仪 周祖成 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期17-20,共4页
介绍了可编程系统集成(SOPC)的基本概念和Avalon总线,着重描述了Avalon总线的内容和操作,利用SOPC Builder搭建了一个SOPC的实例,在Altera的Excalibur Nios开发板上进行了仿真验证。
关键词 AVALON总线 SOPC 系统架 嵌入式微处理器 集成电路 可编程系统集成
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神经电生理微电极阵列检测系统研制 被引量:8
11
作者 林楠森 宋轶琳 +1 位作者 刘春秀 蔡新霞 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2011年第8期2028-2032,共5页
该文设计了基于微电极阵列的16通道神经电生理信号检测系统。检测系统由硬件和软件两部分组成,其中硬件部分可分为以下3个模块:微电极阵列接口模块,用于实现微电极阵列和检测系统的可靠连接;多通道信号放大模块,用于对微弱电生理信号进... 该文设计了基于微电极阵列的16通道神经电生理信号检测系统。检测系统由硬件和软件两部分组成,其中硬件部分可分为以下3个模块:微电极阵列接口模块,用于实现微电极阵列和检测系统的可靠连接;多通道信号放大模块,用于对微弱电生理信号进行提取并放大至合适的幅度;数据采集模块,对放大后的电生理信号进行高速数据采集并通过USB2.0接口和计算机相连。软件部分采用多线程、多缓存等技术保证对信号的实时观测和分析。对检测系统的主要参数进行了测试,并结合实验室自制神经微电极阵列对SD大鼠海马区脑切片进行神经电生理信号的检测。系统的输入噪声Vrms<2μV,放大倍数为1000倍,频率带宽范围为10~3000 Hz,并且能够检测到放电幅度为20μV左右的神经电生理信号。该文针对微电极阵列神经电生理信号检测中的技术难点,从硬件和软件设计上保证微弱信号的提取,检测系统的分辨率可达0.6μV,各项参数能够满足神经电生理信号的检测需要。 展开更多
关键词 微电极阵列 检测系统 神经电生理信号
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CMOS图像传感器的自适应降噪方法研究 被引量:8
12
作者 田里 姚素英 周津 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第9期1561-1565,共5页
提出了一种用于CMOS图像传感器的新型自适应降噪方法,并进行了逻辑电路实现。该方法通过运动检测和边缘检测技术进行噪声功率统计和分析,选择性的利用中值滤波、均值滤波以及运动自适应滤波方法,对传感器输出图像进行了数字降噪处理。... 提出了一种用于CMOS图像传感器的新型自适应降噪方法,并进行了逻辑电路实现。该方法通过运动检测和边缘检测技术进行噪声功率统计和分析,选择性的利用中值滤波、均值滤波以及运动自适应滤波方法,对传感器输出图像进行了数字降噪处理。实验表明本文方法降低了高斯噪声和椒盐噪声的影响,有效提高了图像质量和峰值信噪比。其结构易于电路实现,适用于CMOS图像传感器内部的实时降噪处理。 展开更多
关键词 CMOS图像传感器 自适应降噪 噪声功率统计 峰值信噪比
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SiGe CMOS结构与模拟分析 被引量:3
13
作者 戴显英 郝东艳 +2 位作者 张鹤鸣 胡辉勇 吕懿 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期338-341,共4页
提出了一种新的SiGeCMOS结构,应用MEDICI软件对该结构CMOS器件的主要电学参数与其几何结构和物理结构参数的关系进行了模拟分析.根据模拟结果,讨论分析了应变SiGe层、弛豫SiGe层中Ge组分及Si"帽"层厚度等结构参数对SiGeCMOS... 提出了一种新的SiGeCMOS结构,应用MEDICI软件对该结构CMOS器件的主要电学参数与其几何结构和物理结构参数的关系进行了模拟分析.根据模拟结果,讨论分析了应变SiGe层、弛豫SiGe层中Ge组分及Si"帽"层厚度等结构参数对SiGeCMOS电学性能的影响,给出了该结构的几何结构和物理结构参数.同时模拟了SiGeCMOS倒相器的传输特性. 展开更多
关键词 SIGE CMOS 结构模拟 电学性能
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干法刻蚀和湿法刻蚀制备硅微尖的比较 被引量:3
14
作者 王维彪 金长春 +5 位作者 赵海峰 王永珍 殷秀华 范希武 梁静秋 姚劲松 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第3期272-274,共3页
主要研究了用干法刻蚀和各向同性湿法刻蚀的方法在〈100〉晶面和〈111〉晶面的单晶硅衬底上制备硅微尖.结果表明干法刻蚀和〈111〉晶面的硅衬底各向同性湿法腐蚀容易制备出顶端曲率半径比较小的硅微尖,通过实验。
关键词 干法 刻蚀 湿法 微电子器件
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晶片键合技术及其在微电子学中的应用 被引量:6
15
作者 吴东平 黄宜平 竺士炀 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 1999年第1期44-49,共6页
论述了晶片键合技术的发展概况、基本原理和基本方法,并对键合晶片的表征技术作了介绍。最后着重介绍了晶片键合技术在微电子学领域中的应用。
关键词 集成电路 硅片直接键合 SOI结构 三维器件
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温度应力对MEMS器件分层失效的影响规律 被引量:9
16
作者 刘加凯 齐杏林 王波 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期84-87,共4页
通过分析MEMS器件多层结构界面裂纹疲劳扩展的影响因素及温度应力对界面疲劳的影响机理,建立了温度应力对分层失效影响的理论模型,并建立了双材料结构层的有限元分析模型,研究了温度应力对界面裂纹疲劳扩展的影响规律。研究结果表明:在... 通过分析MEMS器件多层结构界面裂纹疲劳扩展的影响因素及温度应力对界面疲劳的影响机理,建立了温度应力对分层失效影响的理论模型,并建立了双材料结构层的有限元分析模型,研究了温度应力对界面裂纹疲劳扩展的影响规律。研究结果表明:在温度应力作用下,裂纹易沿界面方向扩展;温度幅值升高,裂纹疲劳扩展速率呈指数关系增大;裂纹从形成初期到扩展至分层失效的过程中历经较慢扩展、相对平稳扩展和快速扩展三个阶段。 展开更多
关键词 MEMS器件 温度应力 分层失效 界面裂纹 疲劳 理论模型 有限元分析
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Fabrication of a Silicon-Based Microprobe for Neural Interface Applications 被引量:3
17
作者 隋晓红 张若昕 +2 位作者 裴为华 鲁琳 陈弘达 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第10期1703-1706,共4页
A two-dimensional (2D) multi-channel silicon-based microelectrode array is developed for recording neural signals. Three photolithographic masks are utilized in the fabrication process. SEM images show that the micr... A two-dimensional (2D) multi-channel silicon-based microelectrode array is developed for recording neural signals. Three photolithographic masks are utilized in the fabrication process. SEM images show that the microprobe is 1.2mm long, 100μm wide,and 30μm thick,with recording sites spaced 200μm apart for good signal isolation. For the individual recording sites, the characteristics of impedance versus frequency are shown by in vitro testing. The impedance declines from 14MΩ to 1.9kΩ as the frequency changes from 0 to 10MHz. A compatible PCB (print circuit board) aids in the less troublesome implantation and stabilization of the microprobe. 展开更多
关键词 microelectrode array neural interface MEMS
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塑料封装集成电路结构热应力分布的解析解 被引量:5
18
作者 刘玉岚 王彪 王殿富 《应用数学和力学》 EI CSCD 北大核心 2003年第2期138-145,共8页
 由于集成电路的硅芯片与其周围的塑料封装材料热膨胀系数的不协调,产生的热残余力会直接导致封装结构的破坏及集成电路的失效· 将硅芯片的角点结构模化成半无限大楔体,求得了热应力分布的解析解· 在此基础上。
关键词 塑料封装集成电路结构 热应力 解析解
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真空中谐振微梁的品质因数 被引量:2
19
作者 李炳乾 吴浩杨 +1 位作者 朱长纯 刘君华 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第3期23-26,共4页
考虑到谐振微梁振动时,撞击在微梁两侧的分子数目和分子速率分布的差异,对Kadar等人提出的撞击微梁的分子速率分布函数做了修正.利用修正后的模型,对真空中运动微梁的品质因数进行了理论分析.结果表明,修正后的理论值比原理... 考虑到谐振微梁振动时,撞击在微梁两侧的分子数目和分子速率分布的差异,对Kadar等人提出的撞击微梁的分子速率分布函数做了修正.利用修正后的模型,对真空中运动微梁的品质因数进行了理论分析.结果表明,修正后的理论值比原理论值与实验值符合得更好,对于谐振微梁结构参数的优化设计具有一定的指导意义.同时,在高真空区域,考虑了谐振微梁本征阻尼与分子碰撞耦合效应,消除了原有处理方法在该区域出现的折点. 展开更多
关键词 阻尼特性 品质因数 谐振微梁 真空 传感器 微梁
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同步数字系统时钟分布及偏斜补偿技术研究 被引量:3
20
作者 冀蓉 曾献君 +1 位作者 陈亮 张峻峰 《计算机工程与科学》 CSCD 北大核心 2009年第3期135-138,共4页
本文从时钟系统的两个主要参数——时钟偏斜和抖动对系统性能的影响入手,对现有的高性能VLSI同步数字系统中的时钟分布网络和偏斜补偿技术进行了研究和分类,并从体系结构、偏斜补偿的精度、抖动、功耗以及实现的难易度等方面对各种补偿... 本文从时钟系统的两个主要参数——时钟偏斜和抖动对系统性能的影响入手,对现有的高性能VLSI同步数字系统中的时钟分布网络和偏斜补偿技术进行了研究和分类,并从体系结构、偏斜补偿的精度、抖动、功耗以及实现的难易度等方面对各种补偿技术进行了比较和分析。 展开更多
关键词 时钟分布 时钟偏斜 时钟抖动 网格 时钟补偿
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