期刊文献+

二次检索

题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到258篇文章
< 1 2 13 >
每页显示 20 50 100
超高精度定位系统及线性补偿研究 被引量:7
1
作者 刘红忠 卢秉恒 +2 位作者 丁玉成 李寒松 严乐 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期277-281,共5页
依据一个带有宏定位和微定位的超高精度定位系统设计 ,应用弹性力学理论进行精定位台的静、动参数的分析和估算 ,确定了系统的自然频率 ,并由此设计出双伺服环的控制系统 .控制系统由 2根循环滚珠丝杠构成宏定位 ,3个压电驱动器构成微定... 依据一个带有宏定位和微定位的超高精度定位系统设计 ,应用弹性力学理论进行精定位台的静、动参数的分析和估算 ,确定了系统的自然频率 ,并由此设计出双伺服环的控制系统 .控制系统由 2根循环滚珠丝杠构成宏定位 ,3个压电驱动器构成微定位 .在系统软件中 ,采用Chebyshev数字滤波器进行去噪 ,使整个定位系统控制在 2 0 0mm的行程中 ,其定位精度达到了 8nm .对于由压电驱动器 (PZT)的迟滞和非线性特性而产生的系统重复运动误差 ,系统采用EMM (ExactModelMatching)控制策略 ,最终实现正向和反向运行的误差量比补偿前降低 5倍以上 ,使得正反向运动几乎落在同一曲线内 。 展开更多
关键词 超高精度定位系统 线性补偿 宏定位台 精定位台 双伺服控制 弹性力学 集成电路 压印光刻工艺
下载PDF
电子束曝光技术发展动态 被引量:12
2
作者 刘明 陈宝钦 +4 位作者 梁俊厚 李友 徐连生 张建宏 张卫红 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2000年第2期117-120,共4页
电子束曝光技术是近三十年来发展起来的一门技术 ,主要应用于 0 .1~ 0 .5μm的超微细加工 ,甚至可以实现纳米线条的曝光。文中重点介绍电子束曝光系统、电子束抗蚀剂以及电子束曝光技术的应用。
关键词 电子束曝光 微细加工 抗蚀剂
下载PDF
一种适于快速OPC的精确光刻胶剖面仿真算法 被引量:4
3
作者 王国雄 史峥 +2 位作者 付萍 陈志锦 严晓浪 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期168-171,共4页
光刻仿真工具是描述实际工艺的有效工具。利用光刻仿真工具 ,能够准确地描述由掩模制造工艺、光刻胶曝光、显影、蚀刻所引起的光学邻近效应和畸变所导致的关键尺寸的变化。利用了改进的空间图像仿真及可变光强阈值模型来获得准确的硅片... 光刻仿真工具是描述实际工艺的有效工具。利用光刻仿真工具 ,能够准确地描述由掩模制造工艺、光刻胶曝光、显影、蚀刻所引起的光学邻近效应和畸变所导致的关键尺寸的变化。利用了改进的空间图像仿真及可变光强阈值模型来获得准确的硅片图形。改进的空间图像的基本思想是 ,用空间图像与一个高斯滤波器进行卷积 ,从而使图像较原来变得模糊 ,以此来模拟光刻胶的实际扩散效应。描述了一种适用于快速光学邻近校正 ( OPC) 展开更多
关键词 精确光刻胶剖面仿真算法 光学邻近校正 光刻仿真 高斯滤波器 集成电路
下载PDF
0.35μm投影光刻机的逐场调平技术与套刻步进模型 被引量:4
4
作者 胡淞 姚汉民 +3 位作者 张津 李展 曾晓阳 苏伟军 《光电工程》 CAS CSCD 1998年第A12期42-46,共5页
介绍用于 0 .35μm投影光刻机的逐场调平技术 ,讨论其检测和控制原理 ,并作精度分析 ;讨论逐场调平对套刻精度的影响 ,并建立三轴测量逐场调平的套刻步进模型。
关键词 投影光刻机 逐场调平 步进模型 IC
下载PDF
用光刻及离子束蚀刻技术制作DNA芯片模版 被引量:5
5
作者 张新宇 汤庆乐 +2 位作者 张智 易新建 裴先登 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期129-133,共5页
采用光刻及离子束蚀刻技术制作面阵石英 DNA芯片模版 ,利用扫描电子显微镜 ( SEM)和表面轮廓仪测试了所制石英 DNA芯片模版的表面微结构形貌特征 ,分析了所制石英 DNA芯片模版出现图形畸变的原因。所用工艺为在其它衬底材料表面制作更... 采用光刻及离子束蚀刻技术制作面阵石英 DNA芯片模版 ,利用扫描电子显微镜 ( SEM)和表面轮廓仪测试了所制石英 DNA芯片模版的表面微结构形貌特征 ,分析了所制石英 DNA芯片模版出现图形畸变的原因。所用工艺为在其它衬底材料表面制作更大规模及具有复杂结构的大面阵 展开更多
关键词 离子束蚀刻 光刻 DNA芯片模版
下载PDF
应用于PHEMT器件的深亚微米T形栅光刻技术 被引量:3
6
作者 谢常青 陈大鹏 +1 位作者 李兵 叶甜春 《微纳电子技术》 CAS 2002年第7期39-42,共4页
PHEMT器件和基于它的高频单片集成电路广泛应用于现代微波/毫米波系统。当PHEMT器件的栅长缩短到足够短的时候,沿着栅宽方向的寄生电阻会影响PHEMT器件的性能。为了解决这个问题,一种具有大截面面积而底部长度却很小的T形栅结构通常被... PHEMT器件和基于它的高频单片集成电路广泛应用于现代微波/毫米波系统。当PHEMT器件的栅长缩短到足够短的时候,沿着栅宽方向的寄生电阻会影响PHEMT器件的性能。为了解决这个问题,一种具有大截面面积而底部长度却很小的T形栅结构通常被用于制作PHEMT器件,因为这种结构可以有效地减少由于栅寄生电阻而引起的晶体管噪声。对几种常用的制作深亚微米T形栅的三种光刻技术即光学光刻、电子束光刻、X射线光刻技术进行了比较分析。对于光学光刻技术,通常需要采用移相和光学邻近效应校正技术,它的制作成本低,但是很难用于制作深亚微米T形栅;对于电子束光刻技术,通常需要采用高灵敏度和低灵敏度的多层胶技术,虽然它的栅长可以制作到非常小,但是它的生产成本非常高,而且它的生产效率非常低;对于X射线光刻技术,它不仅可以用于制作深亚微米T形栅,而且它的生产效率非常高,T形栅的形状可以非常容易控制。 展开更多
关键词 PHEMT器件 光刻技术 T形栅 光学光刻 电子束光刻 X射线 集成电路
下载PDF
光刻中驻波效应的影响分析 被引量:2
7
作者 刘世杰 杜惊雷 +4 位作者 肖啸 唐雄贵 彭钦军 刘建莉 郭永康 《微纳电子技术》 CAS 2004年第2期41-45,共5页
驻波效应是抗蚀剂在曝光过程中的寄生现象。一般认为,驻波效应对薄胶的光刻图形有较大的影响,而对厚胶的光刻图形影响不大。根据DILL曝光模型进行了模拟计算,分析了在曝光过程中抗蚀剂折射率的改变对驻波强度和位置的影响以及驻波效应... 驻波效应是抗蚀剂在曝光过程中的寄生现象。一般认为,驻波效应对薄胶的光刻图形有较大的影响,而对厚胶的光刻图形影响不大。根据DILL曝光模型进行了模拟计算,分析了在曝光过程中抗蚀剂折射率的改变对驻波强度和位置的影响以及驻波效应引起抗蚀剂曝光剂量分布的变化,并结合MACK显影模型分析了当抗蚀剂的厚度改变时,驻波效应对其显影轮廓的影响程度,计算分析得出了一个可以不采用后烘工序的抗蚀剂厚度值。 展开更多
关键词 光刻 驻波效应 曝光剂量 显影轮廓 厚胶 集成电路 薄光刻胶
下载PDF
0.35μm相移掩模模拟计算及软件设计 被引量:2
8
作者 周崇喜 冯伯儒 +3 位作者 侯德胜 张锦 陈芬 孙方 《光电工程》 EI CAS CSCD 1999年第4期34-39,共6页
首先通过对0.35μm 接触方孔在不同相移掩模情况下硅片表面空间象光强分布的模拟计算,得出不同相移掩模情况下的最优相移参数。在几种相移掩模中,衰减型对提高边缘斜率最为明显,因此我们决定采用衰减型相移掩模。最后编制了相... 首先通过对0.35μm 接触方孔在不同相移掩模情况下硅片表面空间象光强分布的模拟计算,得出不同相移掩模情况下的最优相移参数。在几种相移掩模中,衰减型对提高边缘斜率最为明显,因此我们决定采用衰减型相移掩模。最后编制了相应的实用化软件,该软件能够自动生成各种相移掩模并能够模拟计算不同照明参数、不同掩模、不同数值孔径、不同离焦情况下的空间象分布。 展开更多
关键词 相移掩模 衰减 计算机掩模 软件设计 IC
下载PDF
21世纪微电子光刻技术 被引量:4
9
作者 姚汉民 刘业异 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第10期47-51,73,共6页
介绍了248nm,193nm。
关键词 准分子激光投影光刻 X射线光刻 极紫外光刻 电子束投影光刻 离子束投影光刻 微电子 光刻技术
下载PDF
同步辐射X射线光刻应用新领域──LIGA技术 被引量:5
10
作者 田扬超 胡一贯 +1 位作者 刘泽文 阚娅 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第4期303-307,共5页
介绍了一种超微细加工新方法-LIGA技术,并就LIGA技术对掩模材料、光刻胶和光源的要求予以讨论,同时还介绍了国外在这方面的最新研究成果。LIGA技术是深度X射线刻蚀、电铸成型和塑料铸模等技术相结合的综合技术,是制造... 介绍了一种超微细加工新方法-LIGA技术,并就LIGA技术对掩模材料、光刻胶和光源的要求予以讨论,同时还介绍了国外在这方面的最新研究成果。LIGA技术是深度X射线刻蚀、电铸成型和塑料铸模等技术相结合的综合技术,是制造微型机械最有前途的方法。与传统半导体超微细加工方法相比,LIGA技术有以下优点:(1)用材广泛,可以是金属、陶瓷、聚合物及玻璃;(2)可加工任意复杂的图形结构;(3)可制造有较大高宽比的超微细元件;(4)加工精度高,可达亚微米;(5)可重复复制,工业上能批量生产,成本低。 展开更多
关键词 LIGA技术 X射线光刻 同步辐射 光刻
下载PDF
深紫外深度光刻蚀在LIGA工艺中的应用 被引量:2
11
作者 余国彬 姚汉民 +1 位作者 胡松 陈兴俊 《微纳电子技术》 CAS 2002年第4期30-32,共3页
随着MEMS在各个领域的运用,人们也开始探讨低成本、操作方便的LIGA工艺。本文重点介绍了一种用于深紫外光深度光刻实验装置的设计,并将该实验装置成功地应用于LIGA工艺的深度光刻中,光刻实验结果表明深紫外光深度光刻具有很大的实用意义。
关键词 深紫外深度光刻蚀 LIGA工艺 微型机电系统 微细加工
下载PDF
用于快速光学邻近校正的可变阈值光刻胶模型 被引量:1
12
作者 王国雄 史峥 +2 位作者 严晓浪 陈志锦 付萍 《浙江大学学报(工学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期634-637,684,共5页
提出了用于光刻仿真的建模流程.用高斯滤波器与空间影像进行卷积,得到改进的空间影像来模拟光刻胶的扩散,然后使用可变阈值光刻胶模型,以实际工艺数据拟合该模型参数,再把改进空间影像的相关信息作为输入,并根据可变阈值光刻胶模型所确... 提出了用于光刻仿真的建模流程.用高斯滤波器与空间影像进行卷积,得到改进的空间影像来模拟光刻胶的扩散,然后使用可变阈值光刻胶模型,以实际工艺数据拟合该模型参数,再把改进空间影像的相关信息作为输入,并根据可变阈值光刻胶模型所确定的光强阈值来预测CD(criticaldimension)变化,从而使光刻仿真的结果更精确地附合实际测量数据.由于正确地表征了实际工艺的特性,模拟结果显示,多参数光刻胶模型更适于实际开发的光学邻近校正(opticalproximitycorrection,OPC)仿真工具. 展开更多
关键词 光刻仿真 光学邻近校正 可变阈值光刻胶模型 集成电路 制造工艺 空间影像
下载PDF
亮暗衬线法校正邻近效应及其实验研究 被引量:1
13
作者 杜惊雷 粟敬钦 +4 位作者 姚军 张怡霄 高福华 杨丽娟 崔铮 《激光技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期213-217,共5页
光学光刻中的邻近效应校正是实现亚微米光刻的必要手段。作者基于波前加工的思想 ,提出亚分辨亮暗衬线结合辅助线条实现邻近效应校正的方法 ,分析了其校正机理 ,采用这种新方法 ,在可加工 0 .7μm光刻图形的I线投影曝光装置上加工出了 0... 光学光刻中的邻近效应校正是实现亚微米光刻的必要手段。作者基于波前加工的思想 ,提出亚分辨亮暗衬线结合辅助线条实现邻近效应校正的方法 ,分析了其校正机理 ,采用这种新方法 ,在可加工 0 .7μm光刻图形的I线投影曝光装置上加工出了 0 .5μm的光刻图形 ,取得了较好的实验结果 ,并与其它邻近效应的校正方法进行了比较。 展开更多
关键词 邻近效应 光学邻近校正 亚微米光剂 亮暗补线法
下载PDF
光敏聚酰亚胺抗蚀剂的研究 被引量:2
14
作者 李加深 李佐邦 +5 位作者 朱普坤 杨丽芳 李芳 焦晓明 成爱萍 陈建军 《感光科学与光化学》 CSCD 1999年第4期334-337,共4页
A kind of negative photoresist, composed of photosensitive polyimides and N methyl 2 pyrrolidone was formulated. The curing mechanism and the relationship of the properties and structure of PSPIs were studied. The res... A kind of negative photoresist, composed of photosensitive polyimides and N methyl 2 pyrrolidone was formulated. The curing mechanism and the relationship of the properties and structure of PSPIs were studied. The results of TGA show that the PSPIs have excellent heat resistance. Based on our research, the pattern with line width as low as 2.5 μm was gained with the conventional UV photolithography under the optimum parameters. 展开更多
关键词 聚酰亚胺 光固化 热失重 光刻工艺 抗蚀剂
下载PDF
x光纳米光刻掩模的离子束制备法 被引量:1
15
作者 韩勇 彭良强 +3 位作者 巨新 伊福廷 张菊芳 吴自玉 《微纳电子技术》 CAS 2002年第1期44-45,共2页
重离子束轰击聚碳酸酯后,对样品进行陈化和紫外线照射敏化,在优化条件下蚀刻后得到纳米孔径核孔膜。利用电化学沉积技术在核孔膜中制备了最小孔径为30纳米的铜纳米线。获得的铜纳米线/聚碳酸酯可以作为x光纳米光刻的掩模。
关键词 纳米光刻 纳米线 x光掩模 离子束制备法
下载PDF
紫外纳米压印技术的图形转移层工艺研究 被引量:2
16
作者 朱兆颖 乌建中 +1 位作者 顾长庚 刘彦伯 《微纳电子技术》 CAS 2006年第10期492-495,共4页
研究了紫外纳米压印技术的图形转移层工艺,通过改变膜厚进行压印对比实验,将转速控制在3000~4000r/min,成功地得到了50nm光栅结构的高保真图形,复型精度可以达到93.75%。同时阐明,纳米压印技术由于具有超高分辨率、低成本、高产量等显... 研究了紫外纳米压印技术的图形转移层工艺,通过改变膜厚进行压印对比实验,将转速控制在3000~4000r/min,成功地得到了50nm光栅结构的高保真图形,复型精度可以达到93.75%。同时阐明,纳米压印技术由于具有超高分辨率、低成本、高产量等显著特点,将成为下一代光刻技术(NGL)的主要候选者之一。 展开更多
关键词 紫外纳米压印技术 图形转移层工艺 光刻
下载PDF
掩模硅片自动对准误差校正算法 被引量:1
17
作者 梁友生 曹益平 +1 位作者 周金梅 邢廷文 《微纳电子技术》 CAS 2005年第1期42-47,共6页
为了改善对准精度,对100nm级线宽尺寸建立了掩模硅片自动对准数学模型,应用于同轴离轴混合对准系统的硅片模型、掩模模型以及工件台模型中。掩模硅片自动对准算法决定机器坐标系、掩模坐标系、硅片坐标系相互的位置关系,可很好地校正由... 为了改善对准精度,对100nm级线宽尺寸建立了掩模硅片自动对准数学模型,应用于同轴离轴混合对准系统的硅片模型、掩模模型以及工件台模型中。掩模硅片自动对准算法决定机器坐标系、掩模坐标系、硅片坐标系相互的位置关系,可很好地校正由掩模硅片引起的平移、线变、旋转、正交性的偏差。 展开更多
关键词 光学光刻 掩模硅片 对准 对准模型 最小二乘法
下载PDF
LIGA技术X光深层光刻工艺研究 被引量:3
18
作者 陈迪 李昌敏 +3 位作者 章吉良 伊福廷 周狄 郭晓芸 《微细加工技术》 EI 2000年第2期66-69,共4页
通过在北京高能所 3W 1束线上进行的X光深层光刻工艺研究 ,获得了侧壁光滑、陡直 ,厚度达 1 0 0 μm ,深宽比达 2 0的光刻胶和金属微结构 ,表明该光束线适用于LIGA技术的研究。
关键词 LIGA技术 X光深层光刻 VLSI 微机电系统
下载PDF
下一代曝光(NGL)技术的现状和发展趋势 被引量:7
19
作者 李艳秋 《微纳电子技术》 CAS 2003年第7期116-119,125,共5页
通过介绍光刻技术的演变和所面临的挑战 ,揭示下一代光刻技术的发展潜力和研究现状。通过比较几种具有较大潜力的NGL(浸没式ArF光刻机、极紫外光刻和电子束曝光 )的特点、开发现状和有待解决的关键技术 ,预言将来可能是以极紫外光刻、... 通过介绍光刻技术的演变和所面临的挑战 ,揭示下一代光刻技术的发展潜力和研究现状。通过比较几种具有较大潜力的NGL(浸没式ArF光刻机、极紫外光刻和电子束曝光 )的特点、开发现状和有待解决的关键技术 ,预言将来可能是以极紫外光刻、电子束曝光和某种常规光刻机结合的方式来实现工业、前沿科学技术需要的各种微米 /纳米级图形的制备。 展开更多
关键词 曝光技术 集成电路 微纳技术 极紫外光刻 电子柬
下载PDF
高支化碱溶性丙烯酸化聚酯光刻胶的性能及成像性研究 被引量:1
20
作者 冯宗财 王跃川 +2 位作者 陈毅敏 陈波 杜春蕾 《影像技术》 CAS 2001年第3期12-14,共3页
将高支化碱溶性丙烯酸化聚酯用于光致抗蚀剂,因其独特的三维结构而具有的低粘度,高活性使抗蚀剂膜收缩率小,而具有良好的成像显影性。通过控制合适的树脂酸值及成像显影条件,可得到良好断面的图像,并且抗蚀剂线条图分辨率可达~1μm。... 将高支化碱溶性丙烯酸化聚酯用于光致抗蚀剂,因其独特的三维结构而具有的低粘度,高活性使抗蚀剂膜收缩率小,而具有良好的成像显影性。通过控制合适的树脂酸值及成像显影条件,可得到良好断面的图像,并且抗蚀剂线条图分辨率可达~1μm。当光源分别为平行光和点光源时图像清晰程度不一样:平行光比点光源好。 展开更多
关键词 感光聚合物 抗蚀剂 光成像 光刻胶 高支化碱溶性丙烯酸化聚酯 集成电路 刻蚀
下载PDF
上一页 1 2 13 下一页 到第
使用帮助 返回顶部