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Effect of Ti-Mo-V composite addition on microstructure andmechanical properties of marine 10Ni5CrMoV steel
1
作者 ZOU Tao DONG Yan-wu +3 位作者 JIANG Zhou-hua WANG Qi WANG Yong PENG Fei 《Journal of Central South University》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第10期3628-3645,共18页
The effects of Ti-Mo-V composite addition on the evolution of precipitates in marine 10Ni5CrMoV steel andthe corresponding strength and toughness mechanisms were systematically investigated.Ti-Mo-V composite addition ... The effects of Ti-Mo-V composite addition on the evolution of precipitates in marine 10Ni5CrMoV steel andthe corresponding strength and toughness mechanisms were systematically investigated.Ti-Mo-V composite addition canform the Ti_(x)Mo_(y)V_(z)C carbide with TiC as core and Mo-V as shell in the order of Ti(C)→V→Mo.The yield strength of thespecimens is increased from 815 MPa to 876 MPa due to the nanoscale precipitates enhancing the pinning effect on grainboundaries and dislocations,and the contribution of precipitation and dislocation strengthening is increased.The decrease of ductile-brittle transition temperature from−103 to−116℃is attributed to the decrease in equivalent grainsize and the increase of high-angle grain boundary misorientation,which hinders the initiation and propagation of cracks.When the mass fraction of Ti is 0.05%,the strength and cryogenic toughness can be improved synergistically,which alsoprovides a theoretical basis and experimental reference for exploring the more excellent combination of strength andcryogenic toughness of marine 10Ni5CrMoV steel. 展开更多
关键词 10Ni5crmov steel Ti-mo-v composition addition ductile-brittle transition temperature Ti_(x)mo_(y)v_(z)c mechanical properties
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SiC隐埋沟道MOS结构夹断模式下的C-V特性畸变 被引量:3
2
作者 郜锦侠 张义门 张玉明 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第7期1259-1263,共5页
用数值和解析的方法研究了SiC隐埋沟道MOS结构夹断模式下C-V特性的畸变.隐埋沟道MOSFET中存在一个pn结,在沟道夹断以后,半导体表面耗尽区和pn结耗尽区连在一起,这时总的表面电容是半导体表面耗尽区电容和pn结电容的串联,使埋沟MOS结构的... 用数值和解析的方法研究了SiC隐埋沟道MOS结构夹断模式下C-V特性的畸变.隐埋沟道MOSFET中存在一个pn结,在沟道夹断以后,半导体表面耗尽区和pn结耗尽区连在一起,这时总的表面电容是半导体表面耗尽区电容和pn结电容的串联,使埋沟MOS结构的C-V特性发生畸变.文中通过求解泊松方程,用解析的方法分析了这种畸变发生的物理机理,并对栅电容进行了计算,计算结果与实验结果符合得很好. 展开更多
关键词 埋沟moS结构 夹断模式 c-v特性 SIc 畸变
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TiC-VC-Mo2C颗粒增强铁基激光熔覆层的研究 被引量:1
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作者 孔令海 王晓荣 +1 位作者 王新洪 曲仕尧 《现代制造技术与装备》 2010年第3期31-32,34,共3页
采用激光熔覆技术在Q235钢表面制备TiC-VC-Mo2C颗粒增强Fe基复合涂层。借助X射线衍射仪、扫描电镜、显微硬度计、滑动磨损试验机,研究了复合涂层的显微组织和性能。研究表明:复合涂层物相包括α-Fe、γ-Fe、Fe3C和TiC-VC-Mo2C,其中陶瓷... 采用激光熔覆技术在Q235钢表面制备TiC-VC-Mo2C颗粒增强Fe基复合涂层。借助X射线衍射仪、扫描电镜、显微硬度计、滑动磨损试验机,研究了复合涂层的显微组织和性能。研究表明:复合涂层物相包括α-Fe、γ-Fe、Fe3C和TiC-VC-Mo2C,其中陶瓷相以细小粒状均匀分布于涂层,起到了颗粒增强的作用。复合涂层的平均显微硬度达1102.5HV0.3,具有优异的耐磨性,在相同试验条件下,复合涂层的磨损失重仅约为基材的1/20,其磨损机制主要为显微切削和区域性粘着磨损。 展开更多
关键词 激光熔覆 Fe—Ti-vmoc 复合涂层 显微组织 耐磨性
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胶体金量子点浮置栅MOS结构的制备及其C-V特性
4
作者 李卫 《南京邮电大学学报(自然科学版)》 2010年第5期55-58,共4页
通过单相相转移法合成了胶体金纳米粒子,利用异种电荷之间的静电相互吸引作用,采用自组装技术制备了二维有序纳米金阵列。在此基础上,制备了在氧化层中内嵌纳米金颗粒的金属-氧化层-半导体(MOS)结构,并研究了其C-V特性。扫描电镜显示... 通过单相相转移法合成了胶体金纳米粒子,利用异种电荷之间的静电相互吸引作用,采用自组装技术制备了二维有序纳米金阵列。在此基础上,制备了在氧化层中内嵌纳米金颗粒的金属-氧化层-半导体(MOS)结构,并研究了其C-V特性。扫描电镜显示金粒子的直径在6~7 nm左右,C-V测量结果显示胶体金量子点浮置栅MOS结构存在3V左右的平带电压偏移。通过这种方法制备的胶体金量子点浮置栅MOS结构可以在非挥发性存储器研究方面展现巨大的应用前景。 展开更多
关键词 金属-氧化层-半导体(moS)结构 电容-电压(c-v) 纳米金颗粒 自组装
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MOS结构电容高频C-V特性的应用 被引量:5
5
作者 熊海 孔学东 章晓文 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期94-98,共5页
CMOS工艺的发展要求栅介质层厚度不断减薄,随着栅极漏电流的不断增大使用准静态的方法测量器件特性不稳定。根据这一情况,提出用高频电容电压(C-V)来评价深亚微米和超深亚微米器件工艺。通过高频C-V法结合MOS相关理论可以得到介质层的... CMOS工艺的发展要求栅介质层厚度不断减薄,随着栅极漏电流的不断增大使用准静态的方法测量器件特性不稳定。根据这一情况,提出用高频电容电压(C-V)来评价深亚微米和超深亚微米器件工艺。通过高频C-V法结合MOS相关理论可以得到介质层的厚度、最大耗尽层宽度、阈值电压、平带电压等参数以及栅介质层中各种电荷密度的分布,用以评价栅介质层和衬底的界面特性。文章提出通过电导对测量结果进行修正,使其能够适用更小尺寸器件的要求,使高频C-V法能够在不同的工艺下得到广泛的应用。 展开更多
关键词 moS电容 电荷密度 界面态 高频c-v
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利用高频C-V特性评价CMOS工艺 被引量:1
6
作者 熊海 孔学东 +1 位作者 章晓文 汪顺婷 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期383-387,共5页
MOS结构电容由于其结构简单并且和CMOS工艺兼容,是进行实时工艺监控和测试工艺参数的重要测试结构。采用通过对相同工艺不同厂家生产的两批电容样品进行高频C-V测试,编程计算提取器件相关参数。通过对比同一厂家样品中相同面积MOS电容... MOS结构电容由于其结构简单并且和CMOS工艺兼容,是进行实时工艺监控和测试工艺参数的重要测试结构。采用通过对相同工艺不同厂家生产的两批电容样品进行高频C-V测试,编程计算提取器件相关参数。通过对比同一厂家样品中相同面积MOS电容和不同面积电容参数的分布特性,以及不同厂家样品各个参数的差异,对CMOS相关工艺进行评价。为工艺过程以及相关设计的改进提供参考依据。 展开更多
关键词 moS电容 界面态 高频c-v测试
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MOS结构界面性质的变频C-V研究
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作者 王永生 郑有炓 张荣 《南京大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 1990年第2期211-222,共12页
本文提出了一种用于MOS界面测量的方法,能够测量半导体/氧化层界面的界面态密度、时间常数、俘获截面在禁带中的能量分布,还能够用于研究界面深能级及氧化层电荷陷阱态。此方法对样品漏电及测量环境要求较低,具有较大的实用意义。
关键词 moS 结构 界面 测量 c-v 变频
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激光熔覆Fe-Mo-V-C合金涂层组织及摩擦磨损性能 被引量:7
8
作者 张磊 陈小明 +3 位作者 苏建灏 张凯 谌宽 赵坚 《粉末冶金材料科学与工程》 EI 北大核心 2020年第1期65-71,共7页
采用同轴送粉激光熔覆技术在45#钢基材表面制备Fe-Mo-V-C合金涂层。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)等测试分析手段表征涂层的物相组成、组织形貌和元素分布。采用维氏硬度计和干滑动摩擦磨损试验机测试涂层显... 采用同轴送粉激光熔覆技术在45#钢基材表面制备Fe-Mo-V-C合金涂层。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)等测试分析手段表征涂层的物相组成、组织形貌和元素分布。采用维氏硬度计和干滑动摩擦磨损试验机测试涂层显微硬度和摩擦磨损性能,并分析其摩擦磨损机理。结果表明:激光熔覆Fe-Mo-V-C合金涂层的主要物相成分为α-Fe相与(α-Fe,Ni)、Fe4V、Fe9.7Mo0.3等铁基合金相,VC、V8C7、VB、Fe3C等金属间化合物相,以及铁基金属相与渗碳体组成的共晶组织;涂层致密均匀,细小的硬质颗粒在金属基体中呈均匀、弥散、密集分布。当熔覆功率为1600 W时,涂层平均显微硬度达1020 HV0.2,其耐磨性是基材的14倍。VC等硬质颗粒的“弥散强化”赋予涂层高硬度,在磨损过程中起到“扎钉”和“抗磨骨架”作用,大幅提高了铁基涂层的耐磨性。 展开更多
关键词 激光熔覆 Fe-mo-v-c合金 涂层 显微组织 摩擦磨损
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冲击能量对Fe-C-Mo-V堆焊合金抗磨粒磨损性能的影响 被引量:5
9
作者 黄智泉 段嘉旭 +1 位作者 杨威 张海燕 《焊接学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第12期80-85,I0005,I0006,共8页
采用含Fe-C-Mo-V的气体保护药芯焊丝堆焊制备磨损试样,并对其进行不同冲击能量下的动载冲击磨粒磨损试验.通过扫描电子显微镜配合能谱分析、磨损失重测试和激光扫描共聚焦显微镜观察等测试方法,对熔敷金属的显微组织及磨痕特征进行分析... 采用含Fe-C-Mo-V的气体保护药芯焊丝堆焊制备磨损试样,并对其进行不同冲击能量下的动载冲击磨粒磨损试验.通过扫描电子显微镜配合能谱分析、磨损失重测试和激光扫描共聚焦显微镜观察等测试方法,对熔敷金属的显微组织及磨痕特征进行分析及表征,研究了熔敷金属在不同冲击能量下的磨粒磨损行为.结果表明,熔敷金属的显微组织主要由奥氏体基体、层片状共晶组织及团块状的VC硬质相构成.熔敷金属的磨损失重、磨痕粗糙度以及磨痕深度均随冲击能量的增加而逐渐减小.磨损机制为磨粒对奥氏体基体的微观切削以及塑性变形.随着冲击能量的增加,熔敷金属产生加工硬化,磨痕亚表面出现形变马氏体组织,且VC硬质相与层片状共晶组织相互作用,共同提高堆焊层的硬度,从而提高基体的耐磨性,增强抗冲击性能. 展开更多
关键词 Fe-c-mo-v堆焊合金 冲击能量 磨粒磨损 形变马氏体
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Effect of heat treatment on the microstructure and hardness of C-Cr-W-Mo-V-RE Fe-based hardfacing layer 被引量:7
10
作者 常立民 刘建华 缑慧阳 《China Welding》 EI CAS 2006年第1期43-48,共6页
After different heat treatment processes, the metal compound, the microstructure and the hardness of the C-Cr-W- Mo-V-RE Fe-based hardfacing layers are investigated by means of metallographic microscope, X-ray diffrac... After different heat treatment processes, the metal compound, the microstructure and the hardness of the C-Cr-W- Mo-V-RE Fe-based hardfacing layers are investigated by means of metallographic microscope, X-ray diffraction ( XRD ), energy dispersive spectrum( EDS ), transmission electron microscope(TEM) and hardness tester. The results show that the hardfacing layers have higher tempering stability and secondary hardening property. After quenching at 820 ℃ ,the hardness value( HRC37 ) and the microstructure of the layers are similar to that normalized at 820 - 1 000 ℃. The tempering stability and the hardness increases with increasing quench temperature, which is attributed to the amount of the alloy element in the matrix. These results are very helpful for improving the mechanical properties of the hardfacing layers. 展开更多
关键词 c-cr-W-mo-v-RE Fe-based hardfacing layer heat treatment MIcROSTRUcTURE HARDNESS
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在标准参数测试系统上开发CV分析功能—用于MOS器件参数失效分析 被引量:2
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作者 陈永珍 《电子工业专用设备》 2004年第5期29-34,共6页
为了及时、直接分析PCM参数异常及电路失效原因,我们在标准参数测试系统(如HP4062,Ag4070系列)上开发了MOSC-V测试分析功能。鉴于目前MOS工艺水平不断提高,硅表面空间电荷区少子产生寿命在数百μs以上,传统C-V分析技术往往不能对参数失... 为了及时、直接分析PCM参数异常及电路失效原因,我们在标准参数测试系统(如HP4062,Ag4070系列)上开发了MOSC-V测试分析功能。鉴于目前MOS工艺水平不断提高,硅表面空间电荷区少子产生寿命在数百μs以上,传统C-V分析技术往往不能对参数失效电路进行有效分析。为此我们开发了一个新的C-V分析模式。给出了用此分析模式对CMOS产品的MOSC-V测试分析结果。并简要说明如何利用C-V技术分析PCM参数异常及电路失效的方法。 展开更多
关键词 PcM参数 moS cv技术 moS结构
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Fe-C-Mo-V堆焊合金的滚动三体磨粒磨损行为研究 被引量:3
12
作者 段嘉旭 黄智泉 +2 位作者 魏炜 高站起 李恒 《电焊机》 2021年第3期22-26,I0004,共6页
通过熔化极气体保护焊技术制备了Fe-C-Mo-V堆焊合金磨损试样,基于滚动三体磨粒环境下进行了干砂橡胶轮磨损试验,利用扫描电子显微镜、能谱分析、维氏硬度计等显微分析和性能测试方法,对Fe-C-Mo-V堆焊合金熔敷金属的磨损失重和磨痕形貌... 通过熔化极气体保护焊技术制备了Fe-C-Mo-V堆焊合金磨损试样,基于滚动三体磨粒环境下进行了干砂橡胶轮磨损试验,利用扫描电子显微镜、能谱分析、维氏硬度计等显微分析和性能测试方法,对Fe-C-Mo-V堆焊合金熔敷金属的磨损失重和磨痕形貌进行检测与表征,研究了不同法向载荷条件下该熔敷金属的磨损行为变化规律。结果表明:随法向载荷的增加,磨损失重逐渐增加,但增幅逐渐变缓;磨损机制主要为磨粒对奥氏体基体的切削及VC硬质相和层片状合金碳化物的破碎剥落;磨损后表面硬度随法向载荷的增大逐渐增加,磨痕亚表面产生显著的加工硬化,奥氏体基体转变为马氏体组织,材料的硬度增强,使得熔敷金属在高载荷下表现出较好的耐磨性。 展开更多
关键词 Fe-c-mo-v堆焊合金 法向载荷 磨粒磨损 加工硬化
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C/Mo双涂层改性SiC_f/Ti-6Al-4V界面性能的研究 被引量:1
13
作者 孙庆 薛春岭 《合成材料老化与应用》 2019年第5期41-45,共5页
采用真空热压工艺制备C/Mo双涂层改性SiC f/Ti-6Al-4V复合材料,并对部分热压材料进行真空热暴露处理。随后对两种材料分别进行纤维顶出试验,由顶出后的纤维表面的能谱点分析结果可知,在顶出过程中,制备态试样界面脱粘发生在C/Mo涂层之间... 采用真空热压工艺制备C/Mo双涂层改性SiC f/Ti-6Al-4V复合材料,并对部分热压材料进行真空热暴露处理。随后对两种材料分别进行纤维顶出试验,由顶出后的纤维表面的能谱点分析结果可知,在顶出过程中,制备态试样界面脱粘发生在C/Mo涂层之间;热处理试样界面脱粘发生在纤维与反应层TiC之间。最后,采用已有理论模型估计了两种材料的界面剪切强度与界面断裂韧性,结果表明热处理后的复合材料的界面结合更强。 展开更多
关键词 Sicf/c/mo/Ti-6Al-4v复合材料 顶出试验 界面剪切强度 界面断裂韧性
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Preparation of Ni60-Cr_3C_2 Coating by Plasma Spraying,Plasma Re-melting and Plasma Spray Welding on W6Mo5Cr4V2
14
作者 曾志强 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》 SCIE EI CAS 2012年第2期389-393,共5页
In order to prepare heatresistant inner layer of hot-forging die, plasma spraying, plasma re- melting and plasma spray welding were adopted. Cr3C2 coatings of Ni-Based were prepared respectively with 10%, 20% and 30% ... In order to prepare heatresistant inner layer of hot-forging die, plasma spraying, plasma re- melting and plasma spray welding were adopted. Cr3C2 coatings of Ni-Based were prepared respectively with 10%, 20% and 30% Cr3C2 powder and W6Mo5Cr4V2 substrate. The coating microstructure analysis, the micro-hardness test, and the measurement of thermal parameters of coating were conducted. The experimental results show that the coating has the better thermo-physical property by using plasma spray welding method with the powder ratio of 90% Ni60 and 10% Cr3C2, and by this way the micro-hardness of coating can achieve 1100 HV. 展开更多
关键词 W6mo5cR4v2 plasma spraying plasma re-melting plasma spray welding thermo-physical property Ni60-cr3c2
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6H-SiC氧化层中Na离子的C-V测试研究 被引量:2
15
作者 牟维兵 龚敏 曹群 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2010年第5期762-764,共3页
半导体热氧化过程中,不可避免会沾污Na离子,造成MOS电容的C-V曲线平带电压漂移。在1 200℃下热氧化,生成SiC/SiO2界面,进而制作MOS电容。采用高电压偏置,在高温度条件下作用于MOS电容;利用Keithley590C-V分析仪,测量其C-V曲线。计算出... 半导体热氧化过程中,不可避免会沾污Na离子,造成MOS电容的C-V曲线平带电压漂移。在1 200℃下热氧化,生成SiC/SiO2界面,进而制作MOS电容。采用高电压偏置,在高温度条件下作用于MOS电容;利用Keithley590C-V分析仪,测量其C-V曲线。计算出氧化层Na离子密度为2.26×1012/cm2,高温负高压偏置不能完全恢复MOS电容的C-V特性,且高压偏置处理后的MOS电容在积累区的电容值减小,与Si材料MOS的情况不同。主要原因是SiC氧化层和界面质量较差,在高温和高压下弱键断裂、固定电荷重新分布。 展开更多
关键词 6H-SIc Na离子 moS电容 c-v测试
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Ti和Ti-V微合金化低碳贝氏体钢组织性能及析出行为的研究 被引量:4
16
作者 李晓林 蔡庆伍 +1 位作者 赵运堂 崔阳 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期52-59,共8页
利用场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和能谱仪(EDS)等,研究了不同Ti含量的低碳贝氏体钢的显微组织和析出相的成分、尺寸、形貌以及分布等特征。结果表明:在450℃和520℃保温2h,三种实验钢组织为粒状贝氏体... 利用场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和能谱仪(EDS)等,研究了不同Ti含量的低碳贝氏体钢的显微组织和析出相的成分、尺寸、形貌以及分布等特征。结果表明:在450℃和520℃保温2h,三种实验钢组织为粒状贝氏体。与低Ti实验钢相比,高Ti及Ti-V复合实验钢的屈服强度增加了150MPa以上。高Ti钢中纳米级析出相有两种类型:一种大于15nm的TiC析出相;另一种是在10nm以下,具有面心立方结构的(Ti,Mo)C复合析出相。Ti-V钢基体中存在大量尺寸在10nm以下的(Ti,V,Mo)C复合析出相。 展开更多
关键词 粒状贝氏体 纳米级析出相 位错线 (Ti mo)c (Ti v mo)c
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Ti-Mo-V微合金化超高强钢相变行为
17
作者 鄂梦 杨庚蔚 +3 位作者 韩汝洋 徐耀文 付至祥 许德明 《钢铁》 CAS CSCD 北大核心 2024年第11期143-152,182,共11页
Ti-Mo-V微合金化超高强钢具有良好的塑韧性和成型性,且生产工艺简单,在汽车制造、工程机械等领域具有广阔的应用前景。利用Gleeble3 500热模拟试验机、金相显微镜(OM)、透射电子显微镜(TEM)和显微硬度计等设备系统研究了Ti-Mo-V微合金... Ti-Mo-V微合金化超高强钢具有良好的塑韧性和成型性,且生产工艺简单,在汽车制造、工程机械等领域具有广阔的应用前景。利用Gleeble3 500热模拟试验机、金相显微镜(OM)、透射电子显微镜(TEM)和显微硬度计等设备系统研究了Ti-Mo-V微合金化超高强钢的连续冷却相变和等温相变行为,获得了试验钢的连续冷却转变(CCT)曲线和时间-温度转变(TTT)曲线,探究了(Ti,Mo,V)C粒子的析出行为对硬度的影响。研究结果表明,当冷却速率低于1℃/s时,试验钢中的组织由铁素体和珠光体组成;当冷却速率为5℃/s时,基体中出现粒状贝氏体,铁素体和珠光体含量均显著减少;当冷却速率增大至10~20℃/s时,试验钢中珠光体组织消失,室温组织转变为铁素体和贝氏体;当冷却速率达到30℃/s时,过冷奥氏体全部转变为贝氏体,硬度达到最大,约为269.2HV;然而,当冷却速率进一步增大至50℃/s时,基体中(Ti,Mo,V)C的析出受到抑制,沉淀强化效果减弱,硬度下降至256.9HV。试验钢在620~730℃等温时仅发生铁素体相变,其相变动力学随温度的降低呈先增快后减缓的变化规律。当等温温度为700℃时,相变孕育期最短,约为25 s;而当等温温度由730℃降低至620℃时,铁素体的平均晶粒尺寸由29.8μm细化至12.3μm,基体中(Ti,Mo,V)C的平均粒径由9.6 nm减小至3.0 nm,此时试验钢中铁素体的显微硬度最大,约为348.7HV,主要是晶粒细化和沉淀强化所致。 展开更多
关键词 Ti-mo-v微合金化超高强钢 相变行为 (Ti mo v)c 铁素体 硬度
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Ti-V-Mo复合微合金钢中(Ti,V,Mo)C在γ/α中沉淀析出的动力学 被引量:17
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作者 张可 孙新军 +5 位作者 张明亚 李昭东 叶晓瑜 朱正海 黄贞益 雍岐龙 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第8期1122-1130,共9页
根据多元复合析出相的固溶析出理论和经典形核长大动力学理论,计算了Ti-V-Mo复合微合金钢中(Ti,V,Mo)C在奥氏体(γ)和铁素体(α)中沉淀析出的形核参量、析出-时间-温度(PTT)曲线、形核率-温度(Nr T)曲线,并探讨了奥氏体中形变储能和形... 根据多元复合析出相的固溶析出理论和经典形核长大动力学理论,计算了Ti-V-Mo复合微合金钢中(Ti,V,Mo)C在奥氏体(γ)和铁素体(α)中沉淀析出的形核参量、析出-时间-温度(PTT)曲线、形核率-温度(Nr T)曲线,并探讨了奥氏体中形变储能和形变诱导析出量对(Ti,V,Mo)C在γ/α中沉淀析出动力学的影响。结果表明,复合析出相(Ti,V,Mo)C在γ/α中沉淀析出的PTT曲线呈典型的"C"曲线形状,而Nr T曲线表现为典型的反"C"曲线形状,(Ti,V,Mo)C在γ中的最快析出温度为1020~1050℃。增加γ的形变储能,使(Ti,V,Mo)C在γ中沉淀析出的PTT曲线向左上方移动。增加γ中(Ti,V,Mo)C沉淀析出的形变诱导析出量,使(Ti,V,Mo)C在α中沉淀析出的Nr T曲线向右下方移动,经计算可知,(Ti,V,Mo)C在α中的最大形核率温度在630~650℃,理论计算结果和实验结果吻合较好。 展开更多
关键词 (Ti v mo)c PTT曲线 NrT曲线 动力学 理论计算
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数控机床齿轮Fe-Ni-Cu-C-Mo-V合金粉末锻造研究
19
作者 刘波 刘军强 《锻压技术》 CAS CSCD 北大核心 2022年第9期23-29,共7页
为了研究新型数控机床齿轮材料Fe-Ni-Cu-C-Mo-V合金粉末锻造的可行性以及探讨始锻温度对齿轮材料耐磨损性能和耐腐蚀性能的影响。采用不同的始锻温度进行了齿轮材料的粉末锻造试验,并进行了耐磨损性能、耐腐蚀性能和密度的测试与分析。... 为了研究新型数控机床齿轮材料Fe-Ni-Cu-C-Mo-V合金粉末锻造的可行性以及探讨始锻温度对齿轮材料耐磨损性能和耐腐蚀性能的影响。采用不同的始锻温度进行了齿轮材料的粉末锻造试验,并进行了耐磨损性能、耐腐蚀性能和密度的测试与分析。结果表明:采用粉末锻造方法,可以制备出综合性能较佳的齿轮材料。随着始锻温度从800℃增至1200℃,齿轮材料的磨损体积先减小后增大、腐蚀电位先正移后负移、密度先增大后减小,齿轮材料的耐磨损性能和耐腐蚀性能先提高后下降。与始锻温度为800℃时相比,始锻温度为1100℃时,粉末锻造的齿轮材料的磨损体积减小28.4%、腐蚀电位正移23.1%、密度增大7.0%。粉末锻造新型数控机床齿轮材料Fe-Ni-Cu-C-Mo-V合金的始锻温度优选为1100℃。 展开更多
关键词 粉末锻造 Fe-Ni-cu-c-mo-v合金 耐磨损性能 耐腐蚀性能 齿轮材料
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Capacitance-voltage characterization of fully silicided gated MOS capacitor
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作者 王保民 茹国平 +3 位作者 蒋玉龙 屈新萍 李炳宗 刘冉 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期46-51,共6页
This paper investigates the capacitance-voltage (C-V) measurement on fully silicided (FUSI) gated metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitors and the applicability of MOS capacitor models. When the oxide leakage ... This paper investigates the capacitance-voltage (C-V) measurement on fully silicided (FUSI) gated metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitors and the applicability of MOS capacitor models. When the oxide leakage current of an MOS capacitor is large, two-element parallel or series model cannot be used to obtain its real C-V characteristic. A three-element model simultaneously consisting of parallel conductance and series resistance or a four-element model with further consideration of a series inductance should be used. We employed the threeelement and the four-element models with the help of two-frequency technique to measure the Ni FUSI gated MOS capacitors. The results indicate that the capacitance of the MOS capacitors extracted by the three-element model still shows some frequency dispersion, while that extracted by the four-element model is close to the real capacitance, showing little frequency dispersion. The obtained capacitance can be used to calculate the dielectric thickness with quantum effect correction by NCSU C-V program. We also investigated the influence of MOS capacitor's area on the measurement accuracy. The results indicate that the decrease of capacitor area can reduce the dissipation factor and improve the measurement accuracy. As a result, the frequency dispersion of the measured capacitance is significantly reduced, and real C-V characteristic can be obtained directly by the series model. In addition, this paper investigates the quasi-static C-V measurement and the photonic high-frequency C-V measurement on Ni FUSI metal gated MOS capacitor with a thin leaky oxide. The results indicate that the large tunneling current through the gate oxide significantly perturbs the accurate measurement of the displacement current, which is essential for the quasi-static C-V measurement. On the other hand, the photonic high-frequency C-V measurement can bypass the leakage problem, and get reliable low-frequency C-V characteristic, which can be used to evaluate whether the full silicidation has completed or not, and to extract the interface trap density of the SiO2/Si interface. 展开更多
关键词 FUSI c-v photonic high-frequency c-v moS capacitor model
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