期刊文献+
共找到46篇文章
< 1 2 3 >
每页显示 20 50 100
碳纳米管异质结构的ECR-CVD法制备 被引量:1
1
作者 王志 巴德纯 +1 位作者 于春宏 梁吉 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期1244-1248,共5页
使用电子回旋共振微波等离子体化学气相沉积方法(ECR·CVD),以Fe3O4纳米粒子为催化剂,多孔硅为基底,采用CH4/H2和CH4/B2H6/H2两种气源在连续的CVD过程中大量合成了一种新型的纳米管异质结构.扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)观察表... 使用电子回旋共振微波等离子体化学气相沉积方法(ECR·CVD),以Fe3O4纳米粒子为催化剂,多孔硅为基底,采用CH4/H2和CH4/B2H6/H2两种气源在连续的CVD过程中大量合成了一种新型的纳米管异质结构.扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)观察表明:合成的异质结构一端是类竹节状的掺硼碳纳米管,另一端是光滑中空的纯碳纳米管.异质结构采用底端生长模式,先行生长的掺硼纳米管处于纳米管结构的顶端. 展开更多
关键词 ecr-cvd 异质结构 碳纳米管 硼掺杂
下载PDF
ECR-CVD沉积a-C∶F薄膜 被引量:1
2
作者 康健 叶超 +2 位作者 辛煜 程珊华 宁兆元 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第5期490-491,共2页
采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积 (ECR CVD)技术 ,用苯和三氟甲烷混合气体 ,制备了氟化非晶碳膜 (a C∶F)。用红外吸收光谱 (FTIR)和X射线光电子能谱 (XPS)分析了a C∶F薄膜的结构。FTIR结果表明 ,氟主要以C—F、CF2 的形式成键形... 采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积 (ECR CVD)技术 ,用苯和三氟甲烷混合气体 ,制备了氟化非晶碳膜 (a C∶F)。用红外吸收光谱 (FTIR)和X射线光电子能谱 (XPS)分析了a C∶F薄膜的结构。FTIR结果表明 ,氟主要以C—F、CF2 的形式成键形成a C∶F薄膜 ;XPS结果进一步证明a C∶F膜中存在C—F、CF2 键 。 展开更多
关键词 a-C:F薄膜 ecr-cvd 键结合 氟化非晶碳膜
下载PDF
微波ECR-CVD低温SiN_x薄膜的氢含量分析 被引量:1
3
作者 叶超 宁兆元 +2 位作者 汪浩 沈明荣 甘肇强 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第1期89-91,共3页
利用红外光谱技术研究了微波电子回旋共振( ECR)等离子体化学气相沉积 ( CVD)法在低温条件下制备的 Si Nx 膜的键结构和氢含量 ,分析了微波功率和后处理条件对膜含氢量的影响及其成因 ,提出适当提高微波功率是降低微波 ECR- CVD低温 Si ... 利用红外光谱技术研究了微波电子回旋共振( ECR)等离子体化学气相沉积 ( CVD)法在低温条件下制备的 Si Nx 膜的键结构和氢含量 ,分析了微波功率和后处理条件对膜含氢量的影响及其成因 ,提出适当提高微波功率是降低微波 ECR- CVD低温 Si Nx 膜中氢含量的可能途径。 展开更多
关键词 薄膜 氢含量 微波 ecr-cvd 低温 氮化硅
下载PDF
微波ECR-CVD法制备a-C:F:H膜的红外吸收及其光学带隙 被引量:1
4
作者 甘肇强 陆新华 《材料科学与工程》 CSCD 北大核心 2002年第2期163-165,176,共4页
改变CHF3 CH4 流量比R =[CHF3] ([CHF3]+[CH4 ]) ,采用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积 (MWECR CVD)方法沉积a C :F :H薄膜。a C :F :H薄膜的结构和光学带隙使用傅立叶变换红外光谱和紫外 可见光谱来表征。红外结果表明 ,在低流... 改变CHF3 CH4 流量比R =[CHF3] ([CHF3]+[CH4 ]) ,采用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积 (MWECR CVD)方法沉积a C :F :H薄膜。a C :F :H薄膜的结构和光学带隙使用傅立叶变换红外光谱和紫外 可见光谱来表征。红外结果表明 ,在低流量比R(R <6 4 % )下 ,薄膜的红外特征结构主要以 CF(10 6 0cm- 1 ) , CF2(112 0cm- 1 )以及 CHx(2 80 0~ 30 0 0cm- 1 )的伸缩振动为主 ;在高流量比R(R >6 4 % )下 ,薄膜表现为类聚四氟乙烯(PTFE)的结构特征 ,典型的红外特征峰是位于 12 2 0cm- 1 处的 -CF2 反对称伸缩振动。薄膜的光学带隙Eg 随流量比R的变化表现为先降后升。进一步研究表明 ,薄膜中的H和F浓度调制着薄膜的CC共轭双键结构 ,使光学带隙Eg 从 2 37到 3 展开更多
关键词 微波ecr-cvd 光学带隙 a-C:F:H薄膜 傅立叶变换红外光谱 紫外可见光谱 类金刚石碳膜
下载PDF
一维纳米材料的ECR-CVD方法制备
5
作者 王志 巴德纯 +1 位作者 蔺增 曹培江 《真空》 CAS 北大核心 2004年第4期67-70,共4页
应用电子回旋共振微波等离子体化学气相沉积方法 (ECR- CVD)进行了一维纳米材料的制备。以Fe3O4 纳米粒子为催化剂 ,采用不同的气源 ,在多孔硅基底上制备出了碳纳米管、掺硼碳纳米管以及异质结构的纳米管。利用扫描电子显微镜 (SEM)、... 应用电子回旋共振微波等离子体化学气相沉积方法 (ECR- CVD)进行了一维纳米材料的制备。以Fe3O4 纳米粒子为催化剂 ,采用不同的气源 ,在多孔硅基底上制备出了碳纳米管、掺硼碳纳米管以及异质结构的纳米管。利用扫描电子显微镜 (SEM)、透射电子显微镜 (TEM)和 X射线光电子谱 (XPS)对样品的形貌。 展开更多
关键词 一维纳米材料 ecr-cvd 制备 碳纳米管 扫描电子显微镜 透射电子显微镜
下载PDF
用ECR-CVD方法制备定向碳纳米管
6
作者 王志 巴德纯 曹培江 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期412-418,共7页
以Fe3O4纳米粒子为催化剂,CH4和:H2为气源,采用电子回旋共振微波等离子体化学气相沉积技术(ECR-CVD)在多孔硅基底上制备出定向生长的碳纳米管.研究了气氛组成、气压、温度和反应时间对碳纳米管生长特性的影响.使用扫描电子显微镜(SEM)... 以Fe3O4纳米粒子为催化剂,CH4和:H2为气源,采用电子回旋共振微波等离子体化学气相沉积技术(ECR-CVD)在多孔硅基底上制备出定向生长的碳纳米管.研究了气氛组成、气压、温度和反应时间对碳纳米管生长特性的影响.使用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和拉曼光谱(Raman spectrum)表征了样品的形貌和结构.结果表明:气氛组成和气压影响了反应腔内离解碳的浓度,从而影响碳纳米管的成核、生长速度及定向生长;温度的变化改变催化剂的尺寸从而改变碳纳米管的直径,在过低的温度下碳纳米管不能实现定向生长;碳纳米管随着反应时间的延长而不断增长,但超过一定时间后催化剂颗粒被碳包覆而失去催化作用,生长停止. 展开更多
关键词 无机非金属材料 碳纳米管 电子回旋共振微波等离子体化学气相沉积(ecr-cvd)方法 阵列 生长特性
下载PDF
催化剂、基底对ECR-CVD法制备碳纳米管的影响 被引量:4
7
作者 王志 巴德纯 +1 位作者 蔺增 刘飞 《东北大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第10期980-983,共4页
采用电子回旋共振微波等离子体化学气相沉积技术(ECR CVD),CH4和H2为气源,分别以Fe3O4,Co纳米粒子及Fe(NO)3溶胶为催化剂在多孔硅基底上制备了碳纳米管;在Si(111)和石英基底上以Fe3O4纳米粒子为催化剂实现了碳纳米管的生长·使用扫... 采用电子回旋共振微波等离子体化学气相沉积技术(ECR CVD),CH4和H2为气源,分别以Fe3O4,Co纳米粒子及Fe(NO)3溶胶为催化剂在多孔硅基底上制备了碳纳米管;在Si(111)和石英基底上以Fe3O4纳米粒子为催化剂实现了碳纳米管的生长·使用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)对样品的形貌、尺寸及结构进行表征·讨论了催化剂和基底对碳纳米管形貌、密度和取向性的影响·结果表明:催化剂影响碳纳米管的成核密度和生长速度,基底通过影响催化剂的特性和分布均匀性,对碳纳米管的形貌和生长模式产生重要影响,以Fe3O4为催化剂在多孔硅上实现了碳纳米管的最优定向生长· 展开更多
关键词 碳纳米管 ECR—CVD 催化剂 基底 纳米粒子
下载PDF
大面积取向生长碳纳米管的ECR-CVD方法制备与表征 被引量:1
8
作者 王志 巴德纯 +4 位作者 刘飞 曹培江 杨天中 顾有松 庞世谨 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期385-388,共4页
本文采用电子回旋共振微波等离子体化学气相沉积方法 (ECR -CVD) ,以CH4和H2 为气源、Fe3 O4纳米粒子为催化剂 ,未加电场 ,在多孔硅基底上制备出大面积取向生长碳纳米管。使用扫描电子显微镜 (SEM)、透射电子显微镜 (TEM)、X射线衍射 (X... 本文采用电子回旋共振微波等离子体化学气相沉积方法 (ECR -CVD) ,以CH4和H2 为气源、Fe3 O4纳米粒子为催化剂 ,未加电场 ,在多孔硅基底上制备出大面积取向生长碳纳米管。使用扫描电子显微镜 (SEM)、透射电子显微镜 (TEM)、X射线衍射 (XRD)、X射线能量色散分析 (EDX)对样品形貌和结构进行表征。结果显示 :合成的碳纳米管为多壁碳管 ;碳纳米管直径 6 0nm~ 90nm ,长度约 8μm ;碳纳米管展现出中空管状和链状两种结构 ;碳纳米管的生长采取催化剂底端生长模式。 展开更多
关键词 制备与表征 碳纳米管 取向生长 色散 电子回旋共振 多孔硅 ECR CVD 硅基底 微波等离子体化学气相沉积
下载PDF
A Comparative Study of Boron and Phosphorus Doping Effects in SiC: H Films Prepared by ECR-CVD 被引量:1
9
作者 S.F. Yoon (School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Nanyang Avenue,Singapore 639798, Rep. of Singapore) 《Journal of Materials Science & Technology》 SCIE EI CAS CSCD 1998年第1期65-71,共7页
Hydrogenated silicon carbide films (SiC:H) were deposited using the electron cyclotron resonance chemical vapour deposition (ECR-CVD) technique from a mixture of methane, silane and hydrogen, and using diborane and ph... Hydrogenated silicon carbide films (SiC:H) were deposited using the electron cyclotron resonance chemical vapour deposition (ECR-CVD) technique from a mixture of methane, silane and hydrogen, and using diborane and phosphine as doping gases. The effects of changes in the microwave power on the deposition rate and optical bandgap were investigated, and variations in the photoand dark-conductivities and activation energy were studied in conjunction with film analysis using the Raman scattering technique. In the case of boron-doped samples, the conductivity increased rapidly to a maximum, followed by rapid reduction at high microwave power. The ratio of the photo- to dark-conductivity (σph/σd) peaked at microwave power of ~600 W. Under conditions of high microwave power, Raman scattering analysis showed evidence of the formation and increase in the silicon microcrystalline and diamond-like phases in the films, the former of which could account for the rapid increase and the latter the subsequent decrease in the conductivity.In the case of phosphorusdoped SiC:H samples, it was found that increase in the microwave power has the effect of enhancing the formation of the silicon microcrystalline phase in the films which occurred in correspondence to a rapid increase in the conductivity and reduction in the activation energy The conductivity increase stabilised in samples deposited at microwave power exceeding 500 W probably as a result of dopant saturation. Results from Raman scattering measurements also showed that phosphorus doping had the effect of enhancing the formation of the silicon microcrystals in the film whereas the presence of boron had the effect of preserving the amorphous structure. 展开更多
关键词 ECR A Comparative Study of Boron and Phosphorus Doping Effects in SiC H Films Prepared by ecr-cvd
下载PDF
用ECR-CVD方法制备SiO_2薄膜
10
作者 吴振宇 杨银堂 汪家友 《真空电子技术》 2004年第6期48-50,58,共4页
本文在低温下利用ECR CVD技术沉积SiO2薄膜,讨论了沉积速率和薄膜折射率随工艺条件变化的关系。直径6英寸片内均匀性达到96%,重复性达到97%。对薄膜进行了FTIR光谱分析,1050cm-1处出现Si O Si伸缩振动吸收峰;仪器检测精度内,并未出现明... 本文在低温下利用ECR CVD技术沉积SiO2薄膜,讨论了沉积速率和薄膜折射率随工艺条件变化的关系。直径6英寸片内均匀性达到96%,重复性达到97%。对薄膜进行了FTIR光谱分析,1050cm-1处出现Si O Si伸缩振动吸收峰;仪器检测精度内,并未出现明显的Si H和N H吸收峰,表明薄膜具有很低的H含量。 展开更多
关键词 电子回旋共振 化学汽相沉积 氧化硅 薄膜
下载PDF
一种新型磁场MWECR-CVD和氢化非晶硅薄膜制备 被引量:2
11
作者 殷生毅 陈光华 +5 位作者 吴越颖 王青 刘毅 张文理 宋雪梅 邓金祥 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期530-534,共5页
为了简化多电磁线圈 MWECR- CVD装置 ,提出将单个电磁线圈和一个永磁体单元组合 ,以形成所需的新型磁场 .这一磁场可使等离子体集聚于样片台上方 ,显著提高了等离子体的能量密度 .应用这种新型磁场的 MWE-CR- CVD装置沉积氢化非晶硅薄... 为了简化多电磁线圈 MWECR- CVD装置 ,提出将单个电磁线圈和一个永磁体单元组合 ,以形成所需的新型磁场 .这一磁场可使等离子体集聚于样片台上方 ,显著提高了等离子体的能量密度 .应用这种新型磁场的 MWE-CR- CVD装置沉积氢化非晶硅薄膜 ,与采用单电磁线圈或双电磁线圈时相比 ,薄膜沉积速度大幅度提高 ,沉积速度达到采用传统 RF- 展开更多
关键词 ECR—CVD 永磁体 磁场 氢化非晶硅
下载PDF
ECR-CVD制备的非晶SiO_xN_y薄膜的光致蓝光发射 被引量:6
12
作者 许圣华 辛煜 +5 位作者 宁兆元 程珊华 黄松 陆新华 项苏留 陈军 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期1287-1291,共5页
使用 90 %N2 稀释的SiH4与O2 作为前驱气体 ,利用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积 (ECR CVD)方法制备了非晶氮氧化硅薄膜 (a -SiOxNy) .红外吸收光谱的结果表明 ,a SiOxNy 薄膜主要由Si O Si和Si N键的两相结构组成 ,在存在氧流... 使用 90 %N2 稀释的SiH4与O2 作为前驱气体 ,利用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积 (ECR CVD)方法制备了非晶氮氧化硅薄膜 (a -SiOxNy) .红外吸收光谱的结果表明 ,a SiOxNy 薄膜主要由Si O Si和Si N键的两相结构组成 ,在存在氧流量的情形下 ,薄膜主要成分是SiOx 相 ,而在无氧流量的情形下 ,薄膜则主要是SiNx 相 .使用5 65eV的紫外光激发 ,发现SiOxNy 薄膜出现了位于 460nm的光致蓝光主峰 ,且其发光强度随着氧流量的降低而显著增强 .根据缺陷态发光中心和SiNx 蓝光发射能隙态模型 ,讨论了其发光机理 ,认为在低N含量时 ,蓝光发射是由于SiOx 中的氧空位缺陷引起的 ;在高N含量时 ,蓝光发射强度的大幅度增强是由于SiNx 展开更多
关键词 ecr-cvd 非晶SiOxNy薄膜 制备 光致发光 光致蓝光发射 微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积 非晶氮氧化硅薄膜
原文传递
ECR-CVD制备的SiO_x/a-C:F/SiO_x多层膜的结构与介电性质 被引量:1
13
作者 陈军 辛煜 +2 位作者 许圣华 宁兆元 陆新华 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2004年第2期155-159,共5页
使用80%Ar稀释的SiH_4,O_2,CHF_3和CH_4作为前驱气体,利用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)方法制备了SiO_x/a-C:F/SiO_x多层膜。傅里叶变换红外测试结果表明了多层膜中存在大量的C-F,C=C,Si-O键,同时由于器壁的吸附效应... 使用80%Ar稀释的SiH_4,O_2,CHF_3和CH_4作为前驱气体,利用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)方法制备了SiO_x/a-C:F/SiO_x多层膜。傅里叶变换红外测试结果表明了多层膜中存在大量的C-F,C=C,Si-O键,同时由于器壁的吸附效应,膜中还存在少量的Si-C和Si-F键,这些键的存在从x射线光电子能谱的深层剖析结果得到了证实。热退火的结果表明了薄膜的红外结构没有发生太大的变化,薄膜的介电常数经过400℃的退火后仅上升了8%。实验结果表明了ECR-CVD制备的SiO_x/a-C:F/SiO_x多层膜可以成为超大规模集成电路中层间绝缘层的候选材料。 展开更多
关键词 多层膜 氟化非晶碳膜 介电常数 ecr-cvd
原文传递
ECR-CVD制备氟化非晶碳低k介质薄膜
14
作者 吴振宇 杨银堂 汪家友 《功能材料与器件学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期86-90,共5页
采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)方法,以C4F8和CH4为源气体在不同气体流量比R(R=[CH4]/{[CH4]+[C4F8]})条件下成功地沉积了氟化非晶碳(a-C:F)低介电常数(低后)材料。采用X光电子能谱和椭圆光谱方法分析了a-C... 采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)方法,以C4F8和CH4为源气体在不同气体流量比R(R=[CH4]/{[CH4]+[C4F8]})条件下成功地沉积了氟化非晶碳(a-C:F)低介电常数(低后)材料。采用X光电子能谱和椭圆光谱方法分析了a-C:F薄膜的化学组分和光学性质。沉积的a-C:F薄膜介电常数约为2.1-2.4,热稳定性优于350℃。随着气体流量比的增大,沉积a-C:F薄膜中的碳含量增大,CF、CF2、CF3含量减少,C-C交链成分增加,从而使得π-π^*吸收增强,并引起薄膜光学带隙下降。氮气气氛下350℃温度退火后应力释放引起a-C:F薄膜厚度变化,变化量小于4%。450℃温度退火后,由于热分解作用薄膜厚度变化量在30%左右。 展开更多
关键词 氟化非晶碳 ecr-cvd 光电子能谱 椭圆光谱
原文传递
ECR-CVD方法生长a-SiN_x:H薄膜的研究 被引量:1
15
作者 鲁涛 辛煜 吴雪梅 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期259-263,共5页
使用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)方法室温生长了非晶氢化的氮化硅薄膜,通过改变前驱气体(SiH4+80%Ar和NH3)的流量比,研究了薄膜的生长速率、等离子体的发射光谱和薄膜的红外特性。结果表明:随着NH3流量的增加,氮化... 使用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)方法室温生长了非晶氢化的氮化硅薄膜,通过改变前驱气体(SiH4+80%Ar和NH3)的流量比,研究了薄膜的生长速率、等离子体的发射光谱和薄膜的红外特性。结果表明:随着NH3流量的增加,氮化硅薄膜的生长速率呈下降趋势,这主要是由于等离子体中的气相前驱成分之一硅基团浓度的不断下降所导致的;随着NH3流量的增加,薄膜中键合了较多的具有较高电负性的N原子是Si-N和Si-H伸缩振动发生蓝移的主要原因。红外光谱的定量计算表明所制备的氮化硅薄膜具有相对较低的H浓度,约15%左右。文中对氮化硅薄膜的生长机制也进行了讨论。 展开更多
关键词 ecr-cvd a-SiN3 H薄膜 发射光谱 红外光谱
原文传递
ECR-CVD法制备的a-C:F:H薄膜在N_2气氛中的热退火研究 被引量:10
16
作者 辛煜 宁兆元 +3 位作者 程珊华 陆新华 甘肇强 黄松 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期439-443,共5页
改变CHF3 CH4源气体流量比 ,使用微波电子回旋共振化学气相沉积方法 (ECR CVD)制备了具有不同C—F键结构的a C :F :H薄膜 ,着重研究了退火对其结构的影响 .结果显示薄膜的厚度及其光学带隙E0 4随退火温度的上升均呈现了不同程度的下降 ... 改变CHF3 CH4源气体流量比 ,使用微波电子回旋共振化学气相沉积方法 (ECR CVD)制备了具有不同C—F键结构的a C :F :H薄膜 ,着重研究了退火对其结构的影响 .结果显示薄膜的厚度及其光学带隙E0 4随退火温度的上升均呈现了不同程度的下降 .借助于红外吸收光谱和所提出的热解模型解释了产生这种关系的结构上的根源 . 展开更多
关键词 电子回旋共振化学气相沉积 红外吸收光谱 热退火 光学带隙 ECR-CND a-C:F:H薄膜 制备 碳氟氢薄膜
原文传递
a-C:F薄膜结构与电学性能研究 被引量:1
17
作者 吴振宇 杨银堂 汪家友 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期36-39,65,共5页
采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)方法,以C4F8和CH4为源气体,在不同气体流量比R(R=[CH4]/([CH4]+[C4F8]))条件下沉积氟化非晶碳(a-C:F)薄膜。用原子力显微镜(AFM)分析了薄膜的表面形貌。用柯西(Cauchy)模型和Levenberg-Ma... 采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)方法,以C4F8和CH4为源气体,在不同气体流量比R(R=[CH4]/([CH4]+[C4F8]))条件下沉积氟化非晶碳(a-C:F)薄膜。用原子力显微镜(AFM)分析了薄膜的表面形貌。用柯西(Cauchy)模型和Levenberg-Marquardt非线性迭代算法分析了薄膜的椭圆光谱。用X光电子能谱(XPS)和傅里叶变换红外光谱(FTIR)技术分析了薄膜的化学成分。随着气体流量比R的增大a-C:F薄膜C-C键结构增多,薄膜C/F比增大。a-C:F薄膜的介电常数取决于电子极化并随R的增大而上升。a-C:F薄膜导电行为在低场强区域呈现欧姆特性,在高场强区域符合Poole-Frankel机制。随着C-C含量的增大,π价带态和π*导带态之间的带隙减小,电荷陷阱深度减小,陷阱中的电子在场增强热激发作用下更容易进入导带,导致薄膜漏电流增加。 展开更多
关键词 A-C:F 电学性能 ecr-cvd 化学组分
下载PDF
厚度对DLC薄膜内应力的影响研究 被引量:7
18
作者 谷坤明 吕乐阳 +2 位作者 毛斐 虞烈 汤皎宁 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第B02期102-105,共4页
采用ECR微波等离子体增强化学气相沉积的方法于C2H2/H2/Ar2等离子环境中在单晶Si(111)晶面上制备了不同厚度的DLC膜样品,研究了薄膜的厚度随沉积时间的变化及薄膜的硬度、内应力随厚度的变化关系。结果表明,在沉积时间变化范围内,厚度... 采用ECR微波等离子体增强化学气相沉积的方法于C2H2/H2/Ar2等离子环境中在单晶Si(111)晶面上制备了不同厚度的DLC膜样品,研究了薄膜的厚度随沉积时间的变化及薄膜的硬度、内应力随厚度的变化关系。结果表明,在沉积时间变化范围内,厚度与沉积时间基本呈线性关系,沉积速率可达80nm/min;制备态样品存在的内应力先随厚度增加而增加,当薄膜内应力超过某临界值时将通过表面崩裂达到应力松弛效果,XRD测得基底Si(111)峰位偏移先随厚度增加而增加,随后变化趋于平缓,表明薄膜表面崩裂后内应力维持在一定水平,但薄膜的硬度测量值受到表面崩裂程度影响。 展开更多
关键词 ECR—CVD DLC膜 内应力
下载PDF
ECR等离子体刻蚀增强机械抛光CVD金刚石 被引量:4
19
作者 潘鑫 马志斌 +2 位作者 高攀 李国伟 曹为 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第2期174-178,共5页
采用电子回旋共振(ECR)等离子体刻蚀与机械抛光相结合的方法抛光化学气相沉积(CVD)金刚石,运用扫描电镜、Raman光谱观察、分析了刻蚀与抛光后金刚石的表面形貌和质量变化,并与单纯的机械抛光相比较,研究了等离子体刻蚀对后续机械抛光的... 采用电子回旋共振(ECR)等离子体刻蚀与机械抛光相结合的方法抛光化学气相沉积(CVD)金刚石,运用扫描电镜、Raman光谱观察、分析了刻蚀与抛光后金刚石的表面形貌和质量变化,并与单纯的机械抛光相比较,研究了等离子体刻蚀对后续机械抛光的影响,结果发现:金刚石经ECR等离子体刻蚀后非晶碳含量有一定程度降低,刻蚀过程在金刚石晶面形成的疏松表面有利于机械抛光,金刚石表面平均粗糙度更加快速降低。对比实验表明等离子体刻蚀对机械抛光前期的抛光效率的增强效果更为明显,在ECR等离子体刻蚀后的金刚石样品经10min机械抛光后粗糙度从7.284下降到1.054μm,而直接机械抛光30min时金刚石的表面粗糙度为1.133μm,在机械抛光的初始阶段,等离子体刻蚀后的机械抛光效率是单纯机械抛光效率的3倍。最终,经过三次重复刻蚀后机械抛光,金刚石表面粗糙度降为0.045μm。 展开更多
关键词 刻蚀 机械抛光 电子回旋共振等离子体 化学气相沉积金刚石
下载PDF
气体配比对硼掺杂碳纳米管生长特性的影响 被引量:1
20
作者 王志 巴德纯 +3 位作者 蔺增 曹培江 刘飞 梁吉 《新型炭材料》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期350-354,共5页
采用电子回旋共振微波等离子体化学气相沉积技术(ECR-CVD),以Fe3O4纳米粒子为催化剂,CH4、B2H6和H2为气源,在多孔硅基底上制备出了掺硼碳纳米管。研究了不同B2H6/CH4气体配比对碳纳米管生长特性的影响。使用扫描电子显微镜(SEM)、透射... 采用电子回旋共振微波等离子体化学气相沉积技术(ECR-CVD),以Fe3O4纳米粒子为催化剂,CH4、B2H6和H2为气源,在多孔硅基底上制备出了掺硼碳纳米管。研究了不同B2H6/CH4气体配比对碳纳米管生长特性的影响。使用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和X射线光电子谱(XPS)对样品的形貌、结构及组分进行表征。结果表明:B2H6对纳米管的生长具有较大影响。气源中含有少量的B2H6就会破坏纳米管的定向生长,使纳米管变得弯曲;随着气源中B2H6比例的增加,纳米管结构从中空结构转变为类竹节结构,多壁管外径由60nm^90nm增大至200nm^250nm,管壁由10nm^20nm增厚至70nm^100nm,表面变得粗糙,同时纳米管的生长速度降低;纳米管中的B/C原子比随着B2H6比例的增大而增大,当B2H6/CH4体积配比为2∶1时B/C原子比增至28∶72。 展开更多
关键词 碳纳米管 硼掺杂 等离子体化学气相沉积技术 气体配比
下载PDF
上一页 1 2 3 下一页 到第
使用帮助 返回顶部