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基于I-V曲线逆推法的光伏组件故障诊断策略
1
作者 朱青云 刘凡 曾伟 《可再生能源》 CAS CSCD 北大核心 2024年第8期1029-1036,共8页
光伏组件故障诊断一般依赖于对辐照度和温度等环境变量的测量,对分散的组件故障判别不够精确。文章提出了基于逆推I-V曲线法的光伏组件故障诊断策略。该策略事先提取光伏组件模型参数,然后计算不同辐照度及太阳能电池温度下的I-V曲线,形... 光伏组件故障诊断一般依赖于对辐照度和温度等环境变量的测量,对分散的组件故障判别不够精确。文章提出了基于逆推I-V曲线法的光伏组件故障诊断策略。该策略事先提取光伏组件模型参数,然后计算不同辐照度及太阳能电池温度下的I-V曲线,形成I-V曲线库;在运行时无须实时监测太阳能电池运行时表面辐照度及平均温度,仅测量光伏组件的开路电压、短路电流和最大功率点电压、电流,即可判断出组件是否发生故障。搭建实验平台对典型故障进行模拟并利用该策略进行判别,结果表明,文章提出的策略能够有效判断组件的故障。利用该策略研发了单板故障监测模块,实现了光伏组件在线故障判断,提高了光伏组件故障判断的精确性及光伏电站运行的可靠性和经济性。 展开更多
关键词 太阳能电池 参数辨识 最大功率点 逆推i-v曲线
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基于Overlay Tester的钢桥面铺装力学特征的数值分析 被引量:5
2
作者 李兴海 黄卫 +2 位作者 钱振东 Ray BROWN 张辰辰 《公路交通科技》 CAS CSCD 北大核心 2013年第10期33-38,共6页
为采用Overlay Tester对钢桥面铺装材料性能进行评价,介绍了其试验方法和理论,利用Abaqus有限元程序建立了局部钢桥面铺装、复合梁和Overlay Tester的三维有限元模型。研究结果表明,3个实体模型具有相似由反弯作用或拉伸作用造成的拉伸... 为采用Overlay Tester对钢桥面铺装材料性能进行评价,介绍了其试验方法和理论,利用Abaqus有限元程序建立了局部钢桥面铺装、复合梁和Overlay Tester的三维有限元模型。研究结果表明,3个实体模型具有相似由反弯作用或拉伸作用造成的拉伸效应应力分布特征。同时,复合梁的钢板部件的应力远大于复合梁的铺装层应力,复合梁的钢板承担了主要试验外力荷载,降低了对铺装层材料评价的针对性。为此,分别对0.63、0.063 mm和0.01 mm 3种不同位移加载模式的Overlay Tester进行数值分析。结果表明,传统的0.63 mm位移拉应力过大,超过铺装材料固有强度,采用0.01 mm的最大拉应力基本与钢桥面铺装的最大拉应力值在一个数量级,考虑到试验周期等因素,最终选定0.063 mm的位移模式作为今后评价钢桥面铺装材料裂缝扩展特性的加载条件。 展开更多
关键词 桥梁工程 力学特征 OVERLAY tester 钢桥面铺装 三维有限元
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基于Overlay Tester试验评价沥青混合料抗反射裂缝的能力 被引量:14
3
作者 李兴海 周绪利 +1 位作者 张涛 薛忠军 《中外公路》 北大核心 2015年第3期303-305,共3页
为研究评价沥青混合料抵抗反射裂缝的能力,得克萨斯交通研究中心提出了Overlay Tester试验方法。该文从试验原理、试件制作、试验条件和评价标准等方面,对Overlay Tester试验进行了系统的介绍。然后,通过室内试验,对比分析了不同油石比... 为研究评价沥青混合料抵抗反射裂缝的能力,得克萨斯交通研究中心提出了Overlay Tester试验方法。该文从试验原理、试件制作、试验条件和评价标准等方面,对Overlay Tester试验进行了系统的介绍。然后,通过室内试验,对比分析了不同油石比的沥青混合料的抗裂性能。结果表明:Overlay Tester试验可以有效区别不同沥青含量的沥青混合料的抗裂性能。 展开更多
关键词 道路工程 沥青混合料 OVERLAY tester 反射裂缝
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Development of overlay tester for fracture test of asphalt mixture 被引量:2
4
作者 李兴海 黄卫 钱振东 《Journal of Southeast University(English Edition)》 EI CAS 2013年第3期294-299,共6页
To determine the fracture characteristics of asphalt mixture a novel fracture test with modified loading modes loading fixtures and the control system of the conventional overlay tester is implemented by the asphalt m... To determine the fracture characteristics of asphalt mixture a novel fracture test with modified loading modes loading fixtures and the control system of the conventional overlay tester is implemented by the asphalt material performance tester AMPT .In order to evaluate the validity of the proposed fracture test four different loading rates including 1 2 3 and 4 mm/min are examined in the AMPT. The results indicate that the fracture behavior is similar to creep at a low loading rate and does not show significant marginal tail extension at a high loading rate.It clearly shows the phase of crack initiation crack propagation and fracture at a loading rate of 3 mm/min. Besides eight fracture parameters such as fracture energy tensile strength and tensile modulus are applied to evaluate the fracture characteristics of asphalt mixture.Development of the overlay tester for the fracture test of asphalt mixture can be considered as a new fracture test of asphalt mixture. 展开更多
关键词 asphalt mixture fracture test overlay tester asphalt material performance tester (AMPT) fracture parame-ter
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基于动态电容充电的光伏阵列I-V测试仪 被引量:12
5
作者 张国荣 瞿晓丽 +2 位作者 苏建徽 刘宁 董康 《电子测量与仪器学报》 CSCD 2009年第S1期85-89,共5页
光伏阵列Ⅰ-Ⅴ测试仪是一种对光伏阵列进行现场测试,从而为有效评价光伏电站的控制和设计水平提供参考实验数据的仪器。为获取光伏阵列的Ⅰ-Ⅴ曲线,系统测试时采用动态电容充电的方式,将电容作为可变负载接于光伏阵列的输出端,当光伏阵... 光伏阵列Ⅰ-Ⅴ测试仪是一种对光伏阵列进行现场测试,从而为有效评价光伏电站的控制和设计水平提供参考实验数据的仪器。为获取光伏阵列的Ⅰ-Ⅴ曲线,系统测试时采用动态电容充电的方式,将电容作为可变负载接于光伏阵列的输出端,当光伏阵列给电容充电时,连续采样该时段内的电压电流就可得到当前环境条件下光伏阵列的Ⅰ-Ⅴ特性曲线。通过对光伏阵列进行实际测量的结果表明:该测试系统运行稳定、携带方便、测量精度较高,并且测量得到的伏安特性可以在液晶上直接以曲线的形式显示,从而使测得的阵列特性更为直观,能满足工程应用的需要。 展开更多
关键词 光伏阵列 光伏特性 动态电容充电 i-v曲线
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Josephson结的I-V曲线的理论分析 被引量:5
6
作者 钱敏 潘涛 刘曾荣 《物理学报》 SCIE EI CAS 1987年第2期149-156,共8页
本文从理论上分析了Josephson结的I-V曲线的混沌、台阶和滞后等一系列现象,并给出了描述上述现象的解析关系式,所得结果与实验结果比较符合。
关键词 理论分析 i-v JOSEPHSON
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单电子晶体管I-V特性数值分析 被引量:11
7
作者 杜磊 庄奕琪 江文平 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期153-156,168,共5页
在单电子晶体管的正统理论的基础上 ,建立了平稳条件下I V特性的数值分析方法 .应用该方法计算和分析了温度和栅压对单电子晶体管I V 特性的影响 ,研究了隧道结电阻对于库仑台阶及电导振荡的影响 ,分析了单电子现象产生的条件 .
关键词 单电子晶体管 库仑阻塞 库仑台阶 i-v特性 数据分析
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共振隧穿二极管(RTD)I-V特性的几个问题 被引量:8
8
作者 张世林 郭维廉 +4 位作者 梁惠来 侯志娟 牛萍娟 赵振波 郭辉 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期329-333,共5页
对作者研制的 RTD进行了 I-V特性测量 ,并重点分析了 :(1 ) I-V特性的湿度效应 ;(2 )负阻区“表观正阻”现象 ;(3 )用负阻值估算开关时间。以上问题的分析对
关键词 共振隧穿二极管 RTD i-v特性 负阻伏安特性 开关时间
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基于电容阵列I-V测试仪的光伏STC曲线拟合研究 被引量:10
9
作者 颜奕 黄宇 +1 位作者 陈鸣 王自鑫 《电子测量与仪器学报》 CSCD 北大核心 2017年第2期272-279,共8页
现有的光伏组件在标准条件(STC)下I-V曲线的拟合算法存在计算过于复杂或准确度不足的问题。为提高曲线在偏离STC环境下的拟合准度,提出了一种依据太阳电池四参数结构,通过选取曲线最大功率点(MPP)附近6个点作为拟合点,计算组件I-V数学... 现有的光伏组件在标准条件(STC)下I-V曲线的拟合算法存在计算过于复杂或准确度不足的问题。为提高曲线在偏离STC环境下的拟合准度,提出了一种依据太阳电池四参数结构,通过选取曲线最大功率点(MPP)附近6个点作为拟合点,计算组件I-V数学模型从而实现曲线拟合的拟合算法。不同光伏组件的最优拟合点间隔不同,为提高拟合精度,进一步提出了自适应拟合点选取方法,同时设计了以电容阵列为负载的I-V测试仪结构并研制了一套完整仪器。该测试仪可通过增加MPP附近数据点的密度,提升拟合点的选取精度。经过MATLAB仿真与实际验证表明,模型拟合算法的拟合结果在各种测试环境下的准确度均高于多项式拟合算法;所设计的I-V测试仪性能优越,适用于工程测量之中。 展开更多
关键词 光伏组件 STC曲线 曲线拟合 i-v测试仪 电容阵列
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右对合广群中的i-v Fuzzy子广群与理想 被引量:2
10
作者 周亚兰 高淑萍 蒲义书 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期825-828,共4页
密码学中对称加密,各种公钥密码都归结为群的运算,基于此,对右对合广群的i-v Fuzzy性及Fuzzy理想进行了研究,给出了A为右对合广群X的一个i-v Fuzzy集条件下,A是X的一个i-v Fuzzy子广群(理想)的充要条件.
关键词 右对合广群 i-v FUZZY群 i-v Fuzzy子广群 i-v FUZZY理想
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InGaAs线列探测器的I-V特性研究 被引量:5
11
作者 唐恒敬 吴小利 +4 位作者 张可锋 汪洋 贺香荣 李雪 龚海梅 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2008年第4期598-601,共4页
采用p-InP/n-InGaAs/n-InP外延异质结材料,制备了InGaAs线列台面探测器,并测试了器件的I-V曲线、响应率和噪声。通过拟合I-V曲线得到了器件的理想因子和串联电阻,并分析了它们对器件响应率和噪声的影响。结果表明:InGaAs吸收层外延质量... 采用p-InP/n-InGaAs/n-InP外延异质结材料,制备了InGaAs线列台面探测器,并测试了器件的I-V曲线、响应率和噪声。通过拟合I-V曲线得到了器件的理想因子和串联电阻,并分析了它们对器件响应率和噪声的影响。结果表明:InGaAs吸收层外延质量与器件的理想因子相关联,影响器件的噪声,但对器件的响应率影响不大。计算了无光照和有光照情况下串联电阻Rs取不同值时器件的I-V曲线,得到串联电阻较小时其作用可忽略,但串联电阻会表观上增大零偏电阻,且串联电阻越大,损失的光电流越多。实验结果证明该方法对改进器件性能有一定的参考意义。 展开更多
关键词 INGAAS探测器 i-v曲线 串联电阻 理想因子 响应率 噪声
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基于I-V特性灰色关联分析的光伏阵列健康状态评估 被引量:18
12
作者 丁坤 陈富东 +5 位作者 翁帅 张经炜 冯莉 李元良 陈曦晖 陈翔 《电网技术》 EI CSCD 北大核心 2021年第8期3087-3095,共9页
针对光伏阵列故障和异常状态的性能评估问题,文章运用健康管理理论和数据挖掘技术提出了一种基于电流-电压(I-V)特性灰色关联分析的光伏阵列健康状态评估方法。首先对光伏阵列的仿真模型进行研究,通过数值计算的方法提高仿真的速度,然... 针对光伏阵列故障和异常状态的性能评估问题,文章运用健康管理理论和数据挖掘技术提出了一种基于电流-电压(I-V)特性灰色关联分析的光伏阵列健康状态评估方法。首先对光伏阵列的仿真模型进行研究,通过数值计算的方法提高仿真的速度,然后利用粒子群优化算法提取模型参数,并利用灰色关联分析方法对光伏阵列的健康状态进行评估,进而计算其健康指数,定量描述光伏阵列的健康状态。仿真与实验结果表明,文章所提的光伏阵列健康状态评估方法可有效而准确地描述光伏阵列的健康状态,有助于指导光伏电站维护人员进行电站维护,确保光伏电站的安全运行。 展开更多
关键词 i-v曲线 灰色关联分析 健康状态 光伏阵列
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基于I-V特性的阻变存储器的阻变机制研究 被引量:11
13
作者 李颖弢 刘明 +7 位作者 龙世兵 刘琦 张森 王艳 左青云 王琴 胡媛 刘肃 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2009年第3期134-140,153,共8页
随着器件尺寸的缩小,阻变存储器(RRAM)具有取代现有主流Flash存储器成为下一代新型存储器的潜力。但对RRAM器件电阻转变机制的研究在认识上依然存在很大的分歧,直接制约了RRAM的研发与应用。通过介绍阻变存储器的基本工作原理、不同的... 随着器件尺寸的缩小,阻变存储器(RRAM)具有取代现有主流Flash存储器成为下一代新型存储器的潜力。但对RRAM器件电阻转变机制的研究在认识上依然存在很大的分歧,直接制约了RRAM的研发与应用。通过介绍阻变存储器的基本工作原理、不同的阻变机制以及基于阻变存储器所表现出的不同I-V特性,研究了器件的阻变特性;详细分析了阻变存储器的五种阻变物理机制,即导电细丝(filament)、空间电荷限制电流效应(SCLC)、缺陷能级的电荷俘获和释放、肖特基发射效应(Schottky emission)以及普尔-法兰克效应(Pool-Frenkel);同时,对RRAM器件的研究发展趋势以及面临的挑战进行了展望。 展开更多
关键词 阻变存储器 非挥发性存储器 i-v特性 阻变机制 工作原理
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4H-SiC射频功率MESFET大信号直流I-V特性解析模型 被引量:11
14
作者 杨林安 张义门 +2 位作者 吕红亮 张玉明 于春利 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第9期1160-1164,共5页
根据 4H - Si C高饱和电子漂移速度和常温下杂质不完全离化的特点 ,对适用于 Si和 Ga As MESFET的直流I- V特性理论进行了分析与修正 .采用高场下载流子速度饱和理论 ,以双曲正切函数作为表征 I- V特性的函数关系 ,建立了室温条件下 4H ... 根据 4H - Si C高饱和电子漂移速度和常温下杂质不完全离化的特点 ,对适用于 Si和 Ga As MESFET的直流I- V特性理论进行了分析与修正 .采用高场下载流子速度饱和理论 ,以双曲正切函数作为表征 I- V特性的函数关系 ,建立了室温条件下 4H - Si C射频功率 MESFET直流 I- V特性的准解析模型 ,适于描述短沟道微波段 4H- Si CMESFET的大信号非线性特性 ,计算结果与实验数据有很好的一致性 .同时与 MEDICI模拟器的模拟结果也进行了比较 . 展开更多
关键词 碳化硅 4H-SIC 射频功率 MESFET 非线性大信号模型 直流i-v特性 场效应晶体管
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电子束辐照对氧化锌纳米线I-V特性的影响 被引量:3
15
作者 卫斌 吉元 +4 位作者 王丽 张隐奇 张小玲 吕长志 张跃飞 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期303-307,共5页
在扫描电镜中,采用纳米微操纵仪构成一个2探针电流-电压(I-V)测试装置。测试了单根ZnO纳米线接触钨电极构成的金属-半导体-金属(M-S-M)结的I-V特征曲线。ZnO纳米线的I-V曲线呈现出较弱的肖特基特性。研究了电子束辐照对ZnO纳米线的I-V... 在扫描电镜中,采用纳米微操纵仪构成一个2探针电流-电压(I-V)测试装置。测试了单根ZnO纳米线接触钨电极构成的金属-半导体-金属(M-S-M)结的I-V特征曲线。ZnO纳米线的I-V曲线呈现出较弱的肖特基特性。研究了电子束辐照对ZnO纳米线的I-V曲线的影响。30 keV电子束辐照使ZnO纳米线的总电阻减小。计算得到ZnO纳米线的电导率σ=0.24S/cm,载流子浓度n=1.64×1016cm-3。为了对比,还测试了单根碳纤维接触钨电极的I-V特征曲线。在30 keV电子束辐照下,碳纤维的总电阻保持不变,电导率σ=22 S/cm。 展开更多
关键词 电子束辐照 扫描电镜 ZNO纳米线 i-v曲线
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半群的I-V Fuzzy子半群 被引量:17
16
作者 陈露 《西南大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期93-96,共4页
在半群上引入i-vFuzzy子半群等概念.研究了半群的i-vFuzzy子半群的若干性质.特别是给出半群的i-vFuzzy子集成为i-vFuzzy子半群的充要条件.即定理4半群X的i-vFuzzy子集μ=[μL,μV]是X的一个i-vFuzzy子半群的充要条件是μL与μV均是X的Fu... 在半群上引入i-vFuzzy子半群等概念.研究了半群的i-vFuzzy子半群的若干性质.特别是给出半群的i-vFuzzy子集成为i-vFuzzy子半群的充要条件.即定理4半群X的i-vFuzzy子集μ=[μL,μV]是X的一个i-vFuzzy子半群的充要条件是μL与μV均是X的Fuzzy子半群.定理5设μ是半群X的一个i-vFuzzy子集,则μ是X的一个i-vFuzzy子半群的充要条件是对任意D1∈D[0,1],μD1={x|x∈X,μ(x)≥D1}≠Φ是X的一个子半群. 展开更多
关键词 i-v Fuzzy子集 半群的Fuzzy子半群 半群的i-v FUZZY子半群
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利用MOSFET亚阈I-V特性进行辐射感生界面陷阱的测量 被引量:1
17
作者 张正选 罗晋生 +3 位作者 袁仁峰 何宝平 姜景和 罗尹虹 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第11期128-129,132,共3页
本文利用MOSFET亚阈IV曲线对加固和非加固MOSFET的辐射感生界面陷阱密度进行了测量.
关键词 i-v特性 辐射 界面陷阱 MOSFET
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多层结构铁电薄膜的I-V特性性能的研究 被引量:2
18
作者 李兴教 黄新堂 +5 位作者 赵建洪 郑远开 董晓敏 李再光 王新兵 李少平 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1997年第6期398-404,共7页
为FRAM、FFET和FDM的实际应用研究,提出了多层结构铁电薄膜的设计思想,实际制备了M/BIT/p-Si、M/PZT/BIT/p-Si、M/BIT/PZT/BIT/p-Si三种结构铁电薄膜,并测量了它们的I-V特... 为FRAM、FFET和FDM的实际应用研究,提出了多层结构铁电薄膜的设计思想,实际制备了M/BIT/p-Si、M/PZT/BIT/p-Si、M/BIT/PZT/BIT/p-Si三种结构铁电薄膜,并测量了它们的I-V特性曲线。结果表明,夹层结构铁电薄膜M/BIT/PZT/BIT/p-Si漏电流密度J最小,在500nm厚时J+(+3V)约2.8×10-10A/mm2,J-(-3V)约1.2×10-12A/mm2优于单层和双层结构铁电薄膜的结果。 展开更多
关键词 多层铁电薄膜 PLD方法 i-v特性曲线 铁电体
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太赫兹探测用GaAs MESFET I-V特性模拟计算 被引量:5
19
作者 李凡 史衍丽 +1 位作者 赵鲁生 徐文 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2011年第7期1205-1208,共4页
Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料GaAs,由于其本征载流子浓度比Si约低104,电子迁移率约是Si的5倍,电阻率高达108Ωcm,有利于降低寄生电容,减少漏电流;另外,GaAs材料便于加工,可方便地实现大规模集成,适用于制作MESFET器件。目前用于太赫兹探测的... Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料GaAs,由于其本征载流子浓度比Si约低104,电子迁移率约是Si的5倍,电阻率高达108Ωcm,有利于降低寄生电容,减少漏电流;另外,GaAs材料便于加工,可方便地实现大规模集成,适用于制作MESFET器件。目前用于太赫兹探测的GaAs MESFET在国际上有了较大的发展,为了进一步研究MESFET的器件特性,参照国外现有的作为太赫兹探测的GaAsMESFET器件结构,通过建立器件结构模型,并进行掺杂、网格化后使用Synopsys器件模拟软件求解泊松方程,计算并分析了其电流电压特性。计算结果和实验测量结果比较吻合。 展开更多
关键词 金属半导体场效应管 太赫兹探测 i-v特性 器件模拟 Synopsys器件模拟软件
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4H-SiC功率MESFET直流I-V特性解析模型 被引量:1
20
作者 徐跃杭 徐锐敏 +2 位作者 延波 国云川 王磊 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期1-4,共4页
提出了一种改进的4H-SiC MESFET大信号直流解析模型。该模型基于栅极下面电荷的二维分布进行分析,在考虑电场相关迁移率、速度饱和及沟道内电荷堆积的基础上,计入沟道长度调制效应,建立基于物理的沟道长度调制效应模型。计算结果表明,... 提出了一种改进的4H-SiC MESFET大信号直流解析模型。该模型基于栅极下面电荷的二维分布进行分析,在考虑电场相关迁移率、速度饱和及沟道内电荷堆积的基础上,计入沟道长度调制效应,建立基于物理的沟道长度调制效应模型。计算结果表明,计入沟道长度调制效应后的直流模型在饱和区与实测的I-V特性较为吻合。 展开更多
关键词 4H-SIC MESFET i-v特性 解析模型
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