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不同栅氧退火工艺下的SiC MOS电容及其界面电学特性
1
作者 付兴中 刘俊哲 +4 位作者 薛建红 尉升升 谭永亮 王德君 张力江 《半导体技术》 CAS 北大核心 2025年第1期32-38,共7页
SiC MOS电容的电学特性和栅氧界面特性是评价和改进SiC MOS器件制造工艺的重要依据。通过依次测试SiC MOS器件的氧化物绝缘特性、界面态密度、偏压温度应力不稳定性(偏压温度应力条件下的平带电压漂移)、氧化物陷阱电荷密度和可动电荷... SiC MOS电容的电学特性和栅氧界面特性是评价和改进SiC MOS器件制造工艺的重要依据。通过依次测试SiC MOS器件的氧化物绝缘特性、界面态密度、偏压温度应力不稳定性(偏压温度应力条件下的平带电压漂移)、氧化物陷阱电荷密度和可动电荷密度的方法,对分别经过氮等离子体氧化后退火(POA)处理、氮氢混合等离子体POA处理、氮氢氧混合等离子体POA处理、氮氢氯混合等离子体POA处理的SiC MOS电容的电学特性和栅氧界面特性进行了分析。结果表明,该方法可以系统地评价SiC MOS电容电学特性和栅氧界面特性,经过氮氢氯混合等离子体POA处理的SiC MOS电容可以满足高温、大场强下长期运行的性能指标。 展开更多
关键词 SiC mos电容 氧化后退火(POA) 平带电压漂移 氧化物陷阱电荷 可动电荷
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单/双MOS管组合工装设计及应用
2
作者 王桂花 段海军 +1 位作者 崔峻 谭琴 《新技术新工艺》 2024年第10期35-40,共6页
按产品设计要求,需要将散热片分别与MOS管、双MOS管组合形成单/双MOS管组合,并满足散热片端面与单/双MOS管端面保持平行且间距一致的要求。首先对单/双MOS管进行了结构分析,并运用六点定位原理对散热片进行定位,再设计定位凸台以确定散... 按产品设计要求,需要将散热片分别与MOS管、双MOS管组合形成单/双MOS管组合,并满足散热片端面与单/双MOS管端面保持平行且间距一致的要求。首先对单/双MOS管进行了结构分析,并运用六点定位原理对散热片进行定位,再设计定位凸台以确定散热片与单/双MOS管位置关系,对MOS管进行手动定位,最终完成散热片与单/双MOS管组合。按照以前的装配工艺很难保证设计要求,返工率很高,经过设计专门的单/双MOS管组合工装,达到了设计要求,解决了提高生产效率、降低返工成本的难题,具备了单/双MOS管组合小批量生产能力,对该类MOS管装配具有一定的指导意义。 展开更多
关键词 散热片 mos mos管组合 六点定位原理 工装 mos管装配
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MOS器件Hf基高k栅介质的研究综述
3
作者 吕品 白永臣 邱巍 《辽宁大学学报(自然科学版)》 CAS 2024年第1期24-32,共9页
随着金属氧化物半导体(MOS)器件尺寸的持续缩小,HfO2因其介电常数(k)高、带隙大等特点,成为取代传统SiO2栅介质最有希望的候选材料.本文综述了Hf基高k栅介质薄膜的近年的研究进展.针对HfO2结晶温度低、在HfO2薄膜和Si衬底间易形成界面... 随着金属氧化物半导体(MOS)器件尺寸的持续缩小,HfO2因其介电常数(k)高、带隙大等特点,成为取代传统SiO2栅介质最有希望的候选材料.本文综述了Hf基高k栅介质薄膜的近年的研究进展.针对HfO2结晶温度低、在HfO2薄膜和Si衬底间易形成界面层导致漏电流大、界面态密度高、击穿电压低等问题,回顾了最近论文报道的两种策略,即掺杂改性和插入缓冲层.接着举例讨论了Hf基材料从二元到掺杂氧化物/复合物的演变、非Si衬底上淀积Hf基高k栅介质、Hf基高k栅介质的非传统MOS器件结构,为集成电路(IC)中MOS器件的长期发展提供一些思路. 展开更多
关键词 Hf基高k材料 栅介质 mos器件 介电常数
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黑龙江省准对称混合训练期MOS气温预报性能分析
4
作者 赵玲 白雪梅 +3 位作者 孟莹莹 邢程 刘松涛 付雯 《黑龙江气象》 2024年第2期1-5,共5页
本文选取ECMWF细网格地面2 m气温要素预报产品作为预报因子,选取中国气象局陆面数据同化系统(CLDAS-V2.0)地面2 m气温格点实况数据作为预报量,应用准对称混合训练期MOS方法,建立黑龙江省格点气温MOS方法,并对MOS方法在24 h预报时效内间... 本文选取ECMWF细网格地面2 m气温要素预报产品作为预报因子,选取中国气象局陆面数据同化系统(CLDAS-V2.0)地面2 m气温格点实况数据作为预报量,应用准对称混合训练期MOS方法,建立黑龙江省格点气温MOS方法,并对MOS方法在24 h预报时效内间隔3 h的格点气温预报性能进行检验分析。结果表明:MOS平均绝对误差≤1.5℃;MOS夏半年≤2℃预报准确率为84.1%,比ECMWF提高7.6%;冬半年预报准确率为71.5%,比ECMWF提高18.3%;预报技巧夏半年为14.2%,冬半年为29.8%。MOS夏半年预报效果好于冬半年,冬半年预报改善效果好于夏半年。大、小兴安岭和东南部山区MOS预报效果不如平原地区好,但是MOS改善效果明显好于平原地区。 展开更多
关键词 准对称混合训练期mos方法 气温 ECMWF CLDAS 预报性能
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基于MOS认证体系的统计数据处理与课证融通教学模式研究
5
作者 薛亚宏 《延安职业技术学院学报》 2024年第1期45-49,共5页
MOS在全球具有广泛影响力,是评价企业数据处理与分析人员技术水平的重要依据,高等职业教育财经商贸大类所属专业类、专业对MOS有较高的依赖性,受限于教育行业兼任企业技术人员数量,目前尚未见到将MOS体系与相关专业课程有效融合的成熟... MOS在全球具有广泛影响力,是评价企业数据处理与分析人员技术水平的重要依据,高等职业教育财经商贸大类所属专业类、专业对MOS有较高的依赖性,受限于教育行业兼任企业技术人员数量,目前尚未见到将MOS体系与相关专业课程有效融合的成熟案例。本文以MOS专家级认证为基本参照,探索统计实践教学与“Microsoft Excel Expert”的融合机制,系统研究基于MOS的课证融通教学模式。 展开更多
关键词 mos 统计学 函数 课证融通
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电子辐照对4H-SiC MOS材料缺陷的影响
6
作者 刘帅 熊慧凡 +3 位作者 杨霞 杨德仁 皮孝东 宋立辉 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第9期1536-1541,共6页
4H-SiC金属氧化物半导体(MOS)基器件在电子辐照环境下应用时可能产生新的材料缺陷,导致其电学性能发生退化。本文选取结构最简单的MOS基器件(4H-SiC MOS电容器)为对象,研究了一系列电子辐照剂量下材料缺陷的演变情况。在10 MeV电子束下... 4H-SiC金属氧化物半导体(MOS)基器件在电子辐照环境下应用时可能产生新的材料缺陷,导致其电学性能发生退化。本文选取结构最简单的MOS基器件(4H-SiC MOS电容器)为对象,研究了一系列电子辐照剂量下材料缺陷的演变情况。在10 MeV电子束下对MOS样品进行30、50、100、500、1 000 kGy剂量的辐照,对辐照前、后样品进行深能级瞬态谱测试(DLTS)和电容-电压(C-V)曲线表征。DLTS实验结果表明,低剂量电子辐照前、后4H-SiC/SiO_(2)界面及近界面处的缺陷没有发生明显变化,而高剂量辐照导致双碳间隙原子缺陷的构型发生了改变,演变后的构型能级位置更深,化学结构更加稳定。C-V曲线测试结果发现,不同电子辐照剂量导致MOS电容器平带电压发生不同程度的负向漂移,这很可能是SiO_(2)氧化层中氧空位数量和4H-SiC/SiO_(2)界面及近界面处缺陷数量共同影响的结果。本文研究结果对研发和优化抗电子辐照的4H-SiC MOS制备工艺具有一定的参考价值。 展开更多
关键词 4H-SiC mos 电子辐照 缺陷变化 双碳间隙原子 深能级瞬态谱
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基于In,Cu单镀液和纳米MoS_2复合镀液电刷镀层的抗粘着磨损性能研究 被引量:2
7
作者 陈元迪 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第1期89-95,共7页
目的在Cr12MoV模具钢上电刷镀制备出多种具有自润滑性和减磨性能好的涂层,筛选出与奥氏体不锈钢对磨时抗粘着磨损性能优秀的镀层,改善模具的抗粘着磨损性能。方法采用电刷镀方法制备In,Cu单镀液镀层及Ni-W(D)-Mo S2(纳米)和Cu-MoS_2(纳... 目的在Cr12MoV模具钢上电刷镀制备出多种具有自润滑性和减磨性能好的涂层,筛选出与奥氏体不锈钢对磨时抗粘着磨损性能优秀的镀层,改善模具的抗粘着磨损性能。方法采用电刷镀方法制备In,Cu单镀液镀层及Ni-W(D)-Mo S2(纳米)和Cu-MoS_2(纳米)复合电刷镀镀层,对4种镀层与1Cr18Ni9Ti奥氏体不锈钢进行对磨磨损实验,载荷为100 N,磨损时间为300 min,并分析磨损质量损失,同时采用扫描电镜观察分析各镀层的抗粘着磨损实验结果。结果 4种镀层都不同程度地提高了抗粘着磨损能力,但Cu单镀液镀层和Cu-MoS_2(纳米)复合镀层在磨损实验的前150 min磨损质量损失明显,磨损质量损失率分别达到0.105%和0.136%,而In和Ni-W(D)-Mo S2镀层都很小,分别为0.024 57%和0.031 74%,体现出更良好的抗粘着能力和耐磨性。结论在被加工工件的强度不高时,Cu镀层和Cu-MoS_2(纳米)复合镀层仍然具有一定的抗粘着磨损性能,而在被加工工件为具有较明显加工硬化现象的强度较高的奥氏体不锈钢时,In和Ni-W(D)-Mo S2镀层具有更好的抗粘着磨损性能,其中Ni-W(D)-Mo S2镀层表现出了最优秀的综合耐磨性。 展开更多
关键词 In镀层 Cu镀层 Ni-W(D)-mos_2复合镀层 Cu-mos2复合镀层 纳米mos2 奥氏体不锈钢 电刷镀 粘着磨损 模具修复
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Unsaturated bi-heterometal clusters in metal-vacancy sites of 2D MoS2 for efficient hydrogen evolution 被引量:1
8
作者 Gonglei Shao Jie Xu +4 位作者 Shasha Gao Zhang Zhang Song Liu Xu Zhang Zhen Zhou 《Carbon Energy》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第3期264-275,共12页
The valence states and coordination structures of doped heterometal atoms in two-dimensional(2D)nanomaterials lack predictable regulation strategies.Hence,a robust method is proposed to form unsaturated heteroatom clu... The valence states and coordination structures of doped heterometal atoms in two-dimensional(2D)nanomaterials lack predictable regulation strategies.Hence,a robust method is proposed to form unsaturated heteroatom clusters via the metal-vacancy restraint mechanism,which can precisely regulate the bonding and valence state of heterometal atoms doped in 2D molybdenum disulfide.The unsaturated valence state of heterometal Pt and Ru cluster atoms form a spatial coordination structure with Pt–S and Ru–O–S as catalytically active sites.Among them,the strong binding energy of negatively charged suspended S and O sites for H+,as well as the weak adsorption of positively charged unsaturated heterometal atoms for H*,reduces the energy barrier of the hydrogen evolution reaction proved by theoretical calculation.Whereupon,the electrocatalytic hydrogen evolution performance is markedly improved by the ensemble effect of unsaturated heterometal atoms and highlighted with an overpotential of 84 mV and Tafel slope of 68.5 mV dec^(−1).In brief,this metal vacancy-induced valence state regulation of heterometal can manipulate the coordination structure and catalytic activity of heterometal atoms doped in the 2D atomic lattice but not limited to 2D nanomaterials. 展开更多
关键词 CLUSTERS hydrogen evolution reaction metal vacancy mos2 unsaturated heterometal
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MoS2/Ti3C2Tx异质复合材料的制备及电化学性能研究
9
作者 李威 何敏 +1 位作者 陈璐宁 韩林 《武汉科技大学学报》 CAS 北大核心 2024年第1期30-37,共8页
利用水热法合成了MoS2/Ti3C2Tx异质复合材料,采用SEM、XRD、XPS和电化学工作站对所制样品的形貌、结构、成分和电化学性能进行了表征。结果表明,当Ti3C2Tx引入量为30 mg时,所制MoS2/Ti3C2Tx异质复合电极具有最优的电化学性能和较好的循... 利用水热法合成了MoS2/Ti3C2Tx异质复合材料,采用SEM、XRD、XPS和电化学工作站对所制样品的形貌、结构、成分和电化学性能进行了表征。结果表明,当Ti3C2Tx引入量为30 mg时,所制MoS2/Ti3C2Tx异质复合电极具有最优的电化学性能和较好的循环稳定性,在1 A/g电流密度下的比电容达到262.54 F/g,且经10 000次循环后仍保持82.1%的初始比电容。 展开更多
关键词 mos2 Ti3C2Tx 异质复合材料 电化学性能 比电容 循环性能
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功率MOS开关的高精度电流检测电路设计
10
作者 张元皓 刘清惓 +1 位作者 刘祖韬 赵自强 《信息技术》 2024年第7期9-14,19,共7页
随着军工设备、工业控制、智能汽车等领域的发展,功率MOS开关驱动器的需求量不断提升,其可靠性、安全性等性能要求也在逐步提高。为保证功率MOS管在安全电流下工作,设计了一款高精度高边电流检测电路。利用复合式斩波放大器,大幅降低失... 随着军工设备、工业控制、智能汽车等领域的发展,功率MOS开关驱动器的需求量不断提升,其可靠性、安全性等性能要求也在逐步提高。为保证功率MOS管在安全电流下工作,设计了一款高精度高边电流检测电路。利用复合式斩波放大器,大幅降低失调电压对电流采样精度的影响,并保证电路系统有足够的响应速度。该电路采用CSMC 0.18μm高压BCD工艺进行设计,在添加10mV的输入失调电压后,测量精度依然可以达到99%,带宽达到3MHz。 展开更多
关键词 mos开关 电流检测 斩波放大器 失调电压 高精度
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与常规CMOS工艺兼容的高压PMOS器件设计与应用
11
作者 李红征 于宗光 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期41-44,共4页
采用常规P阱CMOS工艺,实现了与CMOS工艺兼容的高压PMOS器件。制作的器件,其击穿电压为55 V,阈值电压0.92 V,驱动电流25 mA。对所设计的CMOS兼容高压PMOS器件的制造工艺、器件结构和测试等方面进行了阐述。该器件已成功应用于VFD平板显... 采用常规P阱CMOS工艺,实现了与CMOS工艺兼容的高压PMOS器件。制作的器件,其击穿电压为55 V,阈值电压0.92 V,驱动电流25 mA。对所设计的CMOS兼容高压PMOS器件的制造工艺、器件结构和测试等方面进行了阐述。该器件已成功应用于VFD平板显示系列电路。 展开更多
关键词 高低压兼容 偏置栅高压mos 标准Cmos工艺 Pmos器件
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一种高介质耐电压的光MOS继电器的设计
12
作者 张国明 刘亚锋 +1 位作者 杨姣 谢建军 《机电元件》 2024年第4期23-25,共3页
本文介绍了一种高介质耐电压的陶瓷密封光MOS固体继电器的设计技术,着重阐述了一种介质耐电压为4000Vr.m.s的陶瓷密封光MOS固体继电器设计方案,对我国高介质耐电压陶瓷密封型光MOS固体继电器相关方面具有一定的指导意义。
关键词 高介质耐电压 陶瓷密封 mos固体继电器
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IGBT表面MOS结构的研究
13
作者 赵田 《内江科技》 2024年第6期35-36,共2页
IGBT即绝缘栅双极型晶体管,作为新一代的全控型电力电子器件已经广泛应用于工业、交通以及军事等诸多领域。日益进步的电力电子技术对功率半导体器件的性能也提出了更高的要求。本文使用计算机仿真软件对IGBT表面MOS结构进行优化设计,... IGBT即绝缘栅双极型晶体管,作为新一代的全控型电力电子器件已经广泛应用于工业、交通以及军事等诸多领域。日益进步的电力电子技术对功率半导体器件的性能也提出了更高的要求。本文使用计算机仿真软件对IGBT表面MOS结构进行优化设计,结果表明,为了获得最大的通流能力,首先要对MOS的栅宽和栅的间距做最佳匹配,其次是对BJT分量中的P+阱宽度做出合理设计,以期获得较高的抗闩锁能力。 展开更多
关键词 绝缘栅双极型晶体管 mos结构 功率半导体器件 IGBT 电力电子技术 全控型电力电子器件 计算机仿真软件 BJT
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电磁干扰环境MOS器件可靠性表征方法研究
14
作者 朱亚星 赵东艳 +7 位作者 陈燕宁 刘芳 吴波 王凯 郁文 王柏清 宋斌斌 连亚军 《集成电路与嵌入式系统》 2024年第8期29-34,共6页
工业芯片MOS器件的可靠性表征通常基于恒压应力或梯度应力方法对器件进行加速实验测试,根据测试结果对器件进行寿命评估。由于加速实验测试条件较为单一,难以覆盖工业芯片常见电磁干扰应用环境,MOS器件实际应用场景退化程度不能根据此... 工业芯片MOS器件的可靠性表征通常基于恒压应力或梯度应力方法对器件进行加速实验测试,根据测试结果对器件进行寿命评估。由于加速实验测试条件较为单一,难以覆盖工业芯片常见电磁干扰应用环境,MOS器件实际应用场景退化程度不能根据此方法进行有效界定,进而影响对工业芯片工作稳定性的精准判断。本研究提出一种微观层面MOS器件寿命评估方法,结合TCAD仿真软件对电磁干扰环境MOS器件寿命进行预测。该方法有效避免了电磁干扰环境器件输出波动带来的错误反馈,对器件寿命的预测具备一定保守性,能较大限度保证芯片在电磁环境中的正常运作。 展开更多
关键词 电磁干扰 mos器件 TCAD仿真 可靠性理论
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基于深沟槽单次外延工艺超级结MOS器件耐压提升与优化
15
作者 田俊 付振 +3 位作者 张泉 肖超 张文敏 王悦 《集成电路与嵌入式系统》 2024年第6期46-54,共9页
介绍了超级结MOS器件的一种主流工艺—深沟槽单次外延工艺,详细介绍了该工艺的工艺流程及特点。基于超级结MOS器件的电荷平衡原理,分析不同P柱浓度条件下器件击穿电压(Breakdown Voltage)的变化规律,揭示击穿电压(BV)偏低的原因,提出一... 介绍了超级结MOS器件的一种主流工艺—深沟槽单次外延工艺,详细介绍了该工艺的工艺流程及特点。基于超级结MOS器件的电荷平衡原理,分析不同P柱浓度条件下器件击穿电压(Breakdown Voltage)的变化规律,揭示击穿电压(BV)偏低的原因,提出一种改善方案,最终通过实验验证该方案的可行性。 展开更多
关键词 超级结mos 电荷平衡 深沟槽 P柱宽度调整 耐压BV
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MOS管在全固态中波发射机功放模块中的应用分析
16
作者 孙传云 《广播与电视技术》 2024年第10期24-28,共5页
本文介绍了MOS管的类型,并运用Multisim软件对MOS管的特性进行了动态模拟仿真分析。以TSD-10 DAM全固态数字调幅广播发射机中采用的MOS管IRFP350为例,详细探讨了IRFP350在中波发射机功率放大模块中的应用,并通过结合电路图和实际操作,... 本文介绍了MOS管的类型,并运用Multisim软件对MOS管的特性进行了动态模拟仿真分析。以TSD-10 DAM全固态数字调幅广播发射机中采用的MOS管IRFP350为例,详细探讨了IRFP350在中波发射机功率放大模块中的应用,并通过结合电路图和实际操作,分析了IRFP350的工作原理,为读者理解和维护检修MOS管IRFP350以及中波发射机功率放大模块提供参考。 展开更多
关键词 发射机 mos MULTISIM IRFP350
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Ni包MoS_2添加剂对镍基涂层的摩擦磨损性能影响 被引量:11
17
作者 潘蛟亮 王引真 +1 位作者 李方坡 高海军 《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期225-229,共5页
以Ni包MoS2为润滑剂,Ni60粉末为基体,利用超音速火焰喷涂技术制备镍基固体涂层,研究了Ni包MoS2对Ni60涂层和Ni60/MoS2涂层的显微组织、力学性能以其摩擦磨损性能的影响,并探讨载荷对Ni60/MoS2涂层摩擦磨损性能的影响,采用扫描电子显微... 以Ni包MoS2为润滑剂,Ni60粉末为基体,利用超音速火焰喷涂技术制备镍基固体涂层,研究了Ni包MoS2对Ni60涂层和Ni60/MoS2涂层的显微组织、力学性能以其摩擦磨损性能的影响,并探讨载荷对Ni60/MoS2涂层摩擦磨损性能的影响,采用扫描电子显微镜观察涂层的磨损表面形貌并分析其磨损机制.结果表明,Ni包MoS2的加入可以降低Ni60涂层的结合强度和显微硬度,使其摩擦系数和磨损率明显降低;Ni60/MoS2涂层的摩擦系数与载荷无关,其磨损率随载荷增加而增大;Ni60涂层的磨损机制主要为疲劳磨损和黏着磨损,Ni包MoS2的加入减少了Ni60/MoS2涂层的黏着磨损. 展开更多
关键词 mos2 Ni60/mos2涂层 摩擦磨损性能 磨损机制
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PMOS剂量计的退火特性 被引量:10
18
作者 范隆 任迪远 +2 位作者 张国强 严荣良 艾尔肯 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期383-387,共5页
研究了 PMOS剂量计在不同温度和栅偏置下的辐照退火表现 .结果表明 :温度和退火偏置条件是影响初始退火速率和退火幅度的重要因素 ,较高退火温度下 ,退火速率高 ,幅度大 ;相同退火温度下 ,正偏置与负偏置相比有加速退火的作用 ,其退火... 研究了 PMOS剂量计在不同温度和栅偏置下的辐照退火表现 .结果表明 :温度和退火偏置条件是影响初始退火速率和退火幅度的重要因素 ,较高退火温度下 ,退火速率高 ,幅度大 ;相同退火温度下 ,正偏置与负偏置相比有加速退火的作用 ,其退火幅度也较大 .在 1 80℃ ,零偏条件下获得了最快的 1 0 0 %的退火效果 ; 展开更多
关键词 辐射剂量计 Pmos 辐照退火 mos晶体管
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还原氧化石墨烯/MoS_2与碳纳米管/MoS_2作为润滑油添加剂的摩擦学性能研究 被引量:10
19
作者 张飞霞 李长生 +1 位作者 张毅 唐华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第3期801-807,共7页
通过水热法成功制备出还原氧化石墨烯/Mo S2(RGO/Mo S2)与碳纳米管/Mo S2(CNTs/Mo S2)纳米复合材料,采用XRD,SEM以及TEM分别对纳米复合材料样品进行了分析和表征,结果表明所制备的复合材料中Mo S2与还原氧化石墨烯、碳纳米管很好地结合... 通过水热法成功制备出还原氧化石墨烯/Mo S2(RGO/Mo S2)与碳纳米管/Mo S2(CNTs/Mo S2)纳米复合材料,采用XRD,SEM以及TEM分别对纳米复合材料样品进行了分析和表征,结果表明所制备的复合材料中Mo S2与还原氧化石墨烯、碳纳米管很好地结合在一起。用UMT-2多功能摩擦试验机测试其作为液体石蜡添加剂的摩擦磨损性能,并对其摩擦机理进行了分析。研究发现,与纯的Mo S2相比,一定比例的RGO/Mo S2纳米复合材料作为润滑油添加剂的摩擦系数降低了18%,相对磨损量减少55%;与碳纳米管增强的纳米复合材料相比,RGO/Mo S2纳米复合材料具有更好的摩擦磨损性能。 展开更多
关键词 水热法 还原氧化石墨烯/mos2 碳纳米管/mos2 摩擦学性能
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西南地区返乡农民工创业影响因素研究——基于MOS模型
20
作者 皇江博 张新美 《科技创业月刊》 2024年第4期71-75,共5页
通过实地调研,利用问卷调查的方式,总结西南地区返乡农民工创业的特点,并测算西南地区返乡农民工创业与MOS模型的关联度,对模型中6个维度中的各级指标进行信度检验。以此为研究基础,对模型结果进行分析,发现西南地区返乡农民工创业环境... 通过实地调研,利用问卷调查的方式,总结西南地区返乡农民工创业的特点,并测算西南地区返乡农民工创业与MOS模型的关联度,对模型中6个维度中的各级指标进行信度检验。以此为研究基础,对模型结果进行分析,发现西南地区返乡农民工创业环境中存在着缺乏创业激励机制、创业教育资源匮乏、融资渠道单一、创业者风险弱化政策待完善等问题。据此,提出优化西南地区返乡农民工创业的对策建议,为降低该地区返乡农民工创业失败率提供参考。 展开更多
关键词 西南地区 返乡农民工创业 影响因素 mos模型
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