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基于变压器磁调谐的双模W波段VCO
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作者 朱承同 徐雷钧 +1 位作者 谢月娥 陈元平 《半导体技术》 北大核心 2024年第2期164-170,共7页
提出了一种基于变压器的用于无变容管W波段压控振荡器(VCO)的磁调谐技术。通过控制变压器磁调谐线圈所连接MOS管的开关状态,引入了四个重叠的频率子带。所提出的可切换的六线圈变压器采用40 nm CMOS工艺的顶层厚金属设计,实现了较高的... 提出了一种基于变压器的用于无变容管W波段压控振荡器(VCO)的磁调谐技术。通过控制变压器磁调谐线圈所连接MOS管的开关状态,引入了四个重叠的频率子带。所提出的可切换的六线圈变压器采用40 nm CMOS工艺的顶层厚金属设计,实现了较高的输出频率稳定性和谐振腔品质因数。所采用的技术在对相位噪声的不利影响最小的情况下扩展了调谐范围,实现了无变容管W波段VCO的宽调谐范围和低功耗。所设计的双模W波段VCO输出频率为84.2~107.5 GHz,频率调谐范围大于24%,在1 V电源电压下功耗仅6.1 mW,在10 MHz偏移处的相位噪声为-107.203~-97.875 dBc/Hz。 展开更多
关键词 变压器 磁调谐 无变容管 W波段 压控振荡器(vco)
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一种多段式VCO频率校准电路及方法
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作者 谢翔宇 陈昌锐 +2 位作者 侯照临 张文锋 金广华 《电子信息对抗技术》 2024年第2期72-78,共7页
设计了一种多段式压控振荡器(Voltage Controlled Oscillator,VCO)频率校准电路,用于多段式VCO在锁相环应用中输出频率的分段情况进行校准,并完成了详细电路设计。基于该电路,提出了一种便于实现的多段式VCO频率校准方法,使用该方法对... 设计了一种多段式压控振荡器(Voltage Controlled Oscillator,VCO)频率校准电路,用于多段式VCO在锁相环应用中输出频率的分段情况进行校准,并完成了详细电路设计。基于该电路,提出了一种便于实现的多段式VCO频率校准方法,使用该方法对设计实例中的多段式VCO进行频率校准。频率校准电路和校准方法应用于8~16 GHz超低相位噪声频率合成器的设计需求中,设置合理的校准变量,分别使用传统方法和优化后的校准方法对多段式VCO进行校准,使用优化后的校准方法比传统校准方法的校准结果频率准确度更高。 展开更多
关键词 频率合成器 锁相环 多段式vco 频率校准电路 频率校准方法
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增强型MOS变容管LCVCO增益建模 被引量:1
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作者 王飞 来金梅 +2 位作者 张海清 孙承绶 章倩苓 《计算机辅助设计与图形学学报》 EI CSCD 北大核心 2005年第8期1813-1817,共5页
研究分析了大信号振荡电压对变容管的调制效应,导出增强型变容管LCVCO增益解析模型.将该模型应用于Chartered0.35μmCMOS2P4MRF工艺实现的2.4GHzLCVCO设计中,spectreRF电路仿真得到的VCO增益曲线与模型预测的增益曲线吻合.
关键词 LC vco 增强型变容管 大信号分析 vco增益
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VCO扫频非线性校正技术综述 被引量:8
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作者 肖玮 涂亚庆 李先利 《电测与仪表》 北大核心 2009年第12期33-38,共6页
VCO扫频非线性校正技术是实现高精度及高分辨率线性调频连续波(LFMCW)雷达的关键技术之一。论文从VCO调频线性度的定义入手,分析了VCO扫频非线性校正技术的原理;讨论了电抗补偿线性校正、开环线性校正和闭环线性校正技术等三种基本校正... VCO扫频非线性校正技术是实现高精度及高分辨率线性调频连续波(LFMCW)雷达的关键技术之一。论文从VCO调频线性度的定义入手,分析了VCO扫频非线性校正技术的原理;讨论了电抗补偿线性校正、开环线性校正和闭环线性校正技术等三种基本校正技术的最新动态,并特别介绍了低阶变频域估计校正法、频偏函数重构校正法和思维进化校正法等三种新型校正技术;最后比较和展望了VCO扫频非线性校正技术。 展开更多
关键词 vco 扫频非线性 校正技术 综述
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微滴式数字PCR定量检测转基因玉米品系VCO-01981-5 被引量:11
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作者 张佳玲 潘广 +5 位作者 章桂明 程颖慧 向才玉 陈枝楠 谢忠稳 凌杏园 《食品科学》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第12期246-252,共7页
建立基于QX100微滴式数字聚合酶链式反应(polymerase chain reaction,PCR)平台的我国未批准转基因玉米品系VCO-01981-5的二重微滴式数字PCR定量检测方法。该方法选择基因组中单拷贝的玉米内源基因hmg和VCO-01981-5品系边界序列为定量靶... 建立基于QX100微滴式数字聚合酶链式反应(polymerase chain reaction,PCR)平台的我国未批准转基因玉米品系VCO-01981-5的二重微滴式数字PCR定量检测方法。该方法选择基因组中单拷贝的玉米内源基因hmg和VCO-01981-5品系边界序列为定量靶序列,分别设计不同的PCR扩增引物和TaqMan探针,并对两种探针用不同的荧光进行标记,然后将上述探针和引物置于同一个PCR反应体系中以同时定量两个靶标序列。特异性实验结果显示该法只有VCO-01981-5品系的两个靶序列才都有扩增信号。灵敏度、线性和准确性实验结果显示在定量结果相对标准偏差不大于25%时,最低可稳定定量5个拷贝的VCO-01981-5品系特异性序列分子和4个拷贝的内源基因hmg分子;而在高达50 ng模板DNA以下范围内,PCR反应模板量与测定样品拷贝数之间呈高度正相关,相关系数达0.99以上;平均误差小于10%。结果表明本研究建立的该玉米品系定量方法特异性强,稳定性好,精确性、准确性以及灵敏度高,定量范围广,可用于进、出口农产品和食品中该转基因玉米品系成分的定量检测。此外,该法还可为其他转基因玉米品系及其他转基因作物品系建立类似定量检测方法提供参考。 展开更多
关键词 转基因玉米 品系vco-01981-5 微滴式数字PCR 定量检测
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一种低功耗宽频率调谐范围的伪差分环形VCO 被引量:4
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作者 卓汇涵 张万荣 +1 位作者 靳佳伟 周永旺 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第5期343-347,共5页
设计了一种低功耗、宽频率调谐范围的伪差分环形压控振荡器(VCO)。电路设计分为振荡环路设计和电流源设计两部分。在振荡器的振荡环路部分,提出了一种新颖的降低功耗的方法,即通过动态地调节接入振荡环路的锁存器,减小驱动电流,降低功... 设计了一种低功耗、宽频率调谐范围的伪差分环形压控振荡器(VCO)。电路设计分为振荡环路设计和电流源设计两部分。在振荡器的振荡环路部分,提出了一种新颖的降低功耗的方法,即通过动态地调节接入振荡环路的锁存器,减小驱动电流,降低功耗;在振荡器的控制电源部分,采用gain-boost结构,设计了一款理想的可控双电流源,实现了振荡器的宽频率调谐范围。基于SMIC 65 nm工艺,在1.8 V工作电压下,对振荡器进行了后仿验证。结果表明,在频率为900 MHz时,振荡器的功耗仅为3.564 m W;当控制电压在0.6~1.8 V变化时,振荡器的频率调谐范围可宽达0.495~1.499 GHz。 展开更多
关键词 低功耗 动态锁存 调谐范围 理想电流源 压控振荡器(vco)
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多段LC VCO的自适应频段选择技术 被引量:2
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作者 齐贺飞 陈陵都 +2 位作者 赵瑞华 李晋 陈君涛 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第11期812-816,共5页
摘要:研究了一款单片CMOSLc压控振荡器(VCO)。除可变电容和开关电容阵列外,设计中还应用了二叉树的原理。多频段VCO自适应选择最优工作频段,将压控电压置于预先设定的范围内,谐振频率放在该频段的中心附近,提高了VCO的工作稳定... 摘要:研究了一款单片CMOSLc压控振荡器(VCO)。除可变电容和开关电容阵列外,设计中还应用了二叉树的原理。多频段VCO自适应选择最优工作频段,将压控电压置于预先设定的范围内,谐振频率放在该频段的中心附近,提高了VCO的工作稳定性。设计难点在于如何控制压控电压位于合适的范围。将该VCO应用在锁相环(PLL)中,对锁相环芯片测试的结果表明,当压控电压为1~2V时,锁相环能够快速锁定,频率输出范围为600~1300MHz。电荷泵的NMOS和PMOS匹配最佳,相位噪声最好。自适应频段选择技术还提高了锁相环的工作可靠性,强制控制电压进入设定区间,保证了锁相环可靠入锁,在高、低温下也不会发生失锁。 展开更多
关键词 压控振荡器(vco) 二叉树 锁相环(PLL) 稳定性 多频段
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A CMOS LC VCO with 3.2~6.1GHz Tuning Range 被引量:3
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作者 宁彦卿 池保勇 +1 位作者 王志华 陈弘毅 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期526-529,共4页
The design and implementation of a CMOS LC VCO with 3. 2-6. 1GHz tuning range are presented. This is achieved by enhancing the tuning capability of the binary-weighted band-switching MIM capacitor. The circuit has bee... The design and implementation of a CMOS LC VCO with 3. 2-6. 1GHz tuning range are presented. This is achieved by enhancing the tuning capability of the binary-weighted band-switching MIM capacitor. The circuit has been implemented in a 0. 18μm RF/Mixed-Signal CMOS process. The measured phase noise is - 101.67dBc/Hz at 1MHz offset from a 5.5GHz carrier,and the VCO core draws 9.69mA current from a 1.8V supply. 展开更多
关键词 WIDEBAND LC vco CMOS MB-OFDM UWB
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一种VCO非线性补偿方法研究 被引量:4
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作者 黄仁欣 宗成阁 《化工自动化及仪表》 CAS 北大核心 2004年第3期50-51,53,共3页
在LFMCW液面雷达测距原理的基础上 ,分析了压控振荡器 (VCO)的非线性对测距精度的影响 ,提出一种VCO的非线性补偿方法。
关键词 vco 非线性补偿 连续波雷达 LFM信号
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A 2GHz Low Power Differentially Tuned CMOS Monolithic LC-VCO 被引量:1
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作者 张利 池保勇 +2 位作者 姚金科 王志华 陈弘毅 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第9期1543-1547,共5页
A 2GHz differentially tuned CMOS monolithic LC-VCO is designed and fabricated in a 0.18μm CMOS process. The VCO has a 16.15% tuning range (from 1. 8998 to 2. 2335GHz) through a combination of analog and digital tun... A 2GHz differentially tuned CMOS monolithic LC-VCO is designed and fabricated in a 0.18μm CMOS process. The VCO has a 16.15% tuning range (from 1. 8998 to 2. 2335GHz) through a combination of analog and digital tuning techniques (4-bit binary switch-capacitor array). The measured phase noise is - 118.17dBc/Hz at a 1MHz offset from a 2. 158GHz carrier. With the presented improved switch,the phase noise varies no more than 3dB at different digital control bits. The phase noise changes only by about 2dB in the tuning range because of the pn-junctions as the varactors. The VCO draws a current of about 2. lmA from a 1.8V power supply and works normally with a 1.5V power supply. 展开更多
关键词 binary switchable-capacitor array CMOS differentially tuned phase noise vco
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A Monolithic InGaP/GaAs HBT VCO for 5GHz Wireless Applications 被引量:1
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作者 陈立强 张健 +2 位作者 李志强 陈普锋 张海英 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期823-828,共6页
A monolithic voltage controlled oscillator (VCO) based on negative resistance principle is presented uti-lizing commercially available InGaP/GaAs hetero-junction bipolar transistor (HBT) technology. This VCO is de... A monolithic voltage controlled oscillator (VCO) based on negative resistance principle is presented uti-lizing commercially available InGaP/GaAs hetero-junction bipolar transistor (HBT) technology. This VCO is de-signed for 5GHz-band wireless applications. Except for bypass and decoupled capacitors,no external component is needed for real application. Its measured output frequency range is from 4.17 to 4.56GHz,which is very close to the simulation one. And the phase noise at an offset frequency of 1MHz is -112dBc/Hz. The VCO core dissipates 15.5mW from a 3.3V supply,and the output power ranges from 0 to 2dBm. To compare with other oscillators,the figure of merit is calculated,which is about -173.2dBc/Hz. Meanwhile, the principle and design method of nega-tive resistance oscillator are also discussed. 展开更多
关键词 vco MMIC wireless communication InGaP/GaAs HBT
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Ka波段PHEMT MIMIC VCO设计 被引量:1
12
作者 程知群 车延锋 孙晓玮 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期473-475,共3页
给出了Ka波段PHEMTMIMICVCO设计过程 ,根据直流特性曲线确定直流工作点 ,得到对应的S参数 ,再转化为Z参数 ,计算出输入输出谐振回路和输出电路的阻抗 ,用AgilentADS软件进行了仿真 ,振荡中心频率 3 3 .14GHz,用PHEMT管作为变容管 ,调谐... 给出了Ka波段PHEMTMIMICVCO设计过程 ,根据直流特性曲线确定直流工作点 ,得到对应的S参数 ,再转化为Z参数 ,计算出输入输出谐振回路和输出电路的阻抗 ,用AgilentADS软件进行了仿真 ,振荡中心频率 3 3 .14GHz,用PHEMT管作为变容管 ,调谐带宽为 2 0 0MHz。 展开更多
关键词 vco KA波段 MIMIC
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Design of 2.5GHz Low Phase Noise CMOS LC-VCO 被引量:3
13
作者 张海清 章倩苓 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第11期1154-1158,共5页
A 2 5GHz fully integrated LC VCO is fabricated in a standard single poly 4 metal 0 35μm digital CMOS process,using a complementary cross coupled topology for lowering power dissipation and reducing the effect of... A 2 5GHz fully integrated LC VCO is fabricated in a standard single poly 4 metal 0 35μm digital CMOS process,using a complementary cross coupled topology for lowering power dissipation and reducing the effect of 1/ f noise.An on chip LC filtering technique is used to lower the high frequency noise.Accumulation varactors are used to widen frequency tuning.The measured tuning range is 23 percent.A single hexadecagon symmetric on chip spiral is used with grounded shield pattern to reduce the chip area and maximize the quality factor.A phase noise of -118dBc/Hz at 1MHz offset is measured.The power dissipation is 4mA at V DD =3 3V. 展开更多
关键词 2.5GHz LC vco phase noise accumulation varactors on chip spiral inductor
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伪工作点与超宽带CMOS LC VCO设计 被引量:1
14
作者 宁彦卿 王志华 陈弘毅 《电子器件》 CAS 2007年第2期349-352,共4页
为了拓宽CMOS LC VCO的频率覆盖范围,很多工作都集中在扩展LC谐振回路中的电容覆盖.但通过对该VCO在调频状态下的分析表明,除了LC乘积的覆盖范围,在改变输出频率时维持交叉耦合MOS管的工作状态稳定也是获得宽带振荡器的条件之一.固定尺... 为了拓宽CMOS LC VCO的频率覆盖范围,很多工作都集中在扩展LC谐振回路中的电容覆盖.但通过对该VCO在调频状态下的分析表明,除了LC乘积的覆盖范围,在改变输出频率时维持交叉耦合MOS管的工作状态稳定也是获得宽带振荡器的条件之一.固定尺寸的交叉耦合MOS管结构不能满足后一个条件.将交叉耦合MOS管结构分为可开关调节的若干段可以有效地解决上述问题.通过VHF超宽频带CMOS LC VCO的具体设计表明,新电路结构可以获得突破性的频率覆盖. 展开更多
关键词 集成电路设计 超宽带 非线性分析 CMOS LC vco
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一种千兆以太网控制器中VCO的设计 被引量:3
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作者 唐路 王志功 赵文虎 《电气电子教学学报》 2004年第2期57-61,共5页
随着通信网络技术的迅速发展 ,以太网技术得到了广泛的运用。千兆以太网是以太网的一种 ,作为一种新的网络体系 ,千兆以太网已成为组建局域网的首选方案。本文中所提出的 VCO(压控振荡器 )是千兆以太网控制器中 PLL (锁相环 )的一个部... 随着通信网络技术的迅速发展 ,以太网技术得到了广泛的运用。千兆以太网是以太网的一种 ,作为一种新的网络体系 ,千兆以太网已成为组建局域网的首选方案。本文中所提出的 VCO(压控振荡器 )是千兆以太网控制器中 PLL (锁相环 )的一个部分。由于 VCO决定了控制器的工作速率 ,因此 VCO的设计是千兆以太网控制器设计的关键。本文给出了 VCO的电路仿真的结果与设计出的版图 ,并对电路与版图的设计方法进行了探讨。本文中所设计的 VCO采用了 TSMC 0 .2 5μm CMOS工艺实现 ,中心振荡频率为 1.2 5 GHz,输出电压的幅度为 62 0 m V,版图的面积为 10 0× 10 0μm2。 展开更多
关键词 千兆以太网 vco 压控振荡器 控制器 锁相环
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热处理工艺对W2Mo9Cr4VCo8高速钢硬度和组织的影响 被引量:3
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作者 王鑫 李铮 +2 位作者 康风波 李检贵 叶健熠 《轴承》 北大核心 2015年第5期23-25,共3页
在不同淬火温度、冷处理方式和回火温度下对W2Mo9Cr4VCo8高速钢的硬度及组织进行试验研究,结果表明:在1 150~1 220℃淬火,随着淬火温度的提高,淬火硬度有逐渐下降的趋势;在不同的冷处理工艺和520,535,550℃温度下回火3次,试样的硬度及... 在不同淬火温度、冷处理方式和回火温度下对W2Mo9Cr4VCo8高速钢的硬度及组织进行试验研究,结果表明:在1 150~1 220℃淬火,随着淬火温度的提高,淬火硬度有逐渐下降的趋势;在不同的冷处理工艺和520,535,550℃温度下回火3次,试样的硬度及回火组织差别不大;不同淬、回火温度下,回火3次后试样的残余奥氏体含量均为零。基于试验分析优化了W2Mo9Cr4VCo8的热处理工艺。 展开更多
关键词 滚动轴承 W2Mo9Cr4vco8高速钢 热处理工艺 硬度 组织
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Wideband CMOS LC VCO design and phase noise analysis 被引量:1
17
作者 郭雪锋 王志功 +1 位作者 李智群 唐路 《Journal of Southeast University(English Edition)》 EI CAS 2008年第4期433-436,共4页
A wideband LC cross-coupled voltage controlled oscillator(VCO) is designed and realized with standard 0. 18 μm complementary metal-oxide-semiconductor(CMOS) technology. Band switching capacitors are adopted to ex... A wideband LC cross-coupled voltage controlled oscillator(VCO) is designed and realized with standard 0. 18 μm complementary metal-oxide-semiconductor(CMOS) technology. Band switching capacitors are adopted to extend the frequency tuning range, and the phase noise is optimized in the design procedure. The functional relationships between the phase noise and the transistors' width-length ratios are deduced by a linear time variant (LTV) model. The theoretical optimized parameter value ranges are determined. To simplify the calculation, the working region is split into several sub-ranges according to transistor working conditions. Thus, a lot of integrations are avoided, and the phase noise function upon the design variables can be expressed as simple proportion formats. Test results show that the DC current is 8.8 mA under a voltage supply of 1.8 V; the frequency range is 1.17 to 1.90 GHz, and the phase noise reaches - 83 dBc/Hz at a 10 kHz offset from the carrier. The chip size is 1. 2 mm × 0. 9 mm. 展开更多
关键词 voltage controlled oscillator(vco WIDEBAND phase noise
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An Ultra Wideband VHF CMOS LC VCO 被引量:1
18
作者 宁彦卿 王志华 陈弘毅 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期14-18,共5页
This paper presents a VHF CMOS VCO. The most significant improvement on the VCO is that the cross-coupled MOSFET pairs are divided into several switchable parts so the characteristics can compensate the state change t... This paper presents a VHF CMOS VCO. The most significant improvement on the VCO is that the cross-coupled MOSFET pairs are divided into several switchable parts so the characteristics can compensate the state change that results from the frequency tuning of the oscillator. This VCO is implemented in 0, 18μm CMOS with a core area of about 550μm × 700μm. The test results show that the tuning range covers 31-111MHz with a power consumption between 0.3-6. 9mW and a phase noise at a 100kHz offset of about - 110dBc/Hz. 展开更多
关键词 WIDEBAND vco CMOS
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W18Cr4VCo5钢表面PCVD复合陶瓷涂层的摩擦学研究 被引量:1
19
作者 王雷刚 黄瑶 +1 位作者 刘全坤 刘明霞 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2003年第11期46-48,共3页
用等离子体化学气相沉积(PCVD)技术对挤压模具钢表面进行复合陶瓷强化处理,用环 块摩擦磨损试验模拟金属挤压的磨损过程,研究了复合陶瓷表面强化涂层的摩擦磨损特性。用俄歇电子能谱(AES)、X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)分析了表面涂... 用等离子体化学气相沉积(PCVD)技术对挤压模具钢表面进行复合陶瓷强化处理,用环 块摩擦磨损试验模拟金属挤压的磨损过程,研究了复合陶瓷表面强化涂层的摩擦磨损特性。用俄歇电子能谱(AES)、X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)分析了表面涂层的元素分布、相结构和磨痕形貌。结果表明,W18Cr4VCo5钢表面PCVD陶瓷涂层具有显著减摩抗磨能力。 展开更多
关键词 W18Cr4vco5钢 PCVD陶瓷涂层 抗磨减摩
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一种低功耗高线性度VCO的设计与实现 被引量:2
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作者 殷万君 武建寿 +1 位作者 熊建云 郑君 《电子设计工程》 2016年第2期110-111,116,共3页
随着物联网技术的不断发展,无线通信成为了物联网技术发展的关键技术。射频接收机是无线通信系统的重要功能模块,而压控振荡器(voltage-controlled oscillator,VCO)又是射频接收机的关键组成部分。为了充分考虑面积、功耗、工艺等性能... 随着物联网技术的不断发展,无线通信成为了物联网技术发展的关键技术。射频接收机是无线通信系统的重要功能模块,而压控振荡器(voltage-controlled oscillator,VCO)又是射频接收机的关键组成部分。为了充分考虑面积、功耗、工艺等性能之间的各种约束,设计采用了电流饥饿CMOS反相器单元延时电路,实现了线性度好、频率调节范围广、功耗低、稳定性高的要求。 展开更多
关键词 vco 电流饥饿 CMOS反相器 线性度
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