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Characterization of ZnO Based Varistor Derived from Nano ZnO Powders and Ultrafine Dopants
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作者 Weizhong YANG, Dali ZHOU, Guangfu YIN, Runsheng WANG and Yun ZHANG College of Material Science and Engineering, Sichuan University, Chengdu 610064, China 《Journal of Materials Science & Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2005年第2期183-186,共4页
Nanosized ZnO powders were prepared with a two-step precipitation method. The average size of ZnO particles was about 80 nm and their size distribution was narrow. Combining with ultrafine additive powders, ZnO base v... Nanosized ZnO powders were prepared with a two-step precipitation method. The average size of ZnO particles was about 80 nm and their size distribution was narrow. Combining with ultrafine additive powders, ZnO base varistor was produced via an oxide mixing route. ZnO varistor derived from normal reagent grade starting materials was investigated for comparison purpose. Outstanding microstructure of the ZnO varistor derived from nanosize ZnO powders and ultrafine dopants was obtained: uniform distribution of fine ZnO grains (less than 3 microns), grain boundary and the dopant position. Higher varistor voltage (U=492 V/mm) and nonlinear coefficient (α=56.2) as well as lower leakage current (TL=1.5 μuA) were achieved. The better electrical properties were attributed to the uniform microstructure, which in turn led to stable and uniform potential barriers. Also this improved technique is more feasible for producing ZnO nanopowders and resulting varistor in large scales. 展开更多
关键词 Zinc oxide (zno) VARISTOR NANOPOWDERS Ultrafine dopants Two-step precipitation
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纳米ZnO气敏传感器研究进展 被引量:31
2
作者 宣天美 尹桂林 +2 位作者 葛美英 林琳 何丹农 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第1期132-136,共5页
半导体金属氧化物气敏传感器被广泛应用于有毒性气体、可燃性气体等的检测。ZnO是一种重要的半导体气敏材料,特别是纳米ZnO,由于其粒子尺寸小,比表面积大,成为被广泛研究的气敏响应材料之一。简要介绍了纳米ZnO气敏传感器的气敏机理、... 半导体金属氧化物气敏传感器被广泛应用于有毒性气体、可燃性气体等的检测。ZnO是一种重要的半导体气敏材料,特别是纳米ZnO,由于其粒子尺寸小,比表面积大,成为被广泛研究的气敏响应材料之一。简要介绍了纳米ZnO气敏传感器的气敏机理、主要特性,综述了通过新型纳米形貌、结构制备以及元素掺杂改性提升纳米ZnO气敏性能等方面的研究进展,并进一步指出了纳米ZnO气敏传感器研究中存在的问题和未来的研究方向。 展开更多
关键词 氧化锌 掺杂 气敏传感器
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ZnO低压压敏电阻陶瓷材料研究进展 被引量:11
3
作者 赵鸣 王卫民 +3 位作者 张昌松 张慧君 刘向春 田长生 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期915-918,共4页
本文详细介绍了不同体系的ZnO低压压敏电阻材料特点及各自的局限性,并且对ZnO压敏电阻向低压化发展趋势下出现的材料低温烧结技术进行了评述。最后在总结以往研究的基础上提出了若干ZnO低压压敏电阻材料组份设计上的原则,可为压敏电阻... 本文详细介绍了不同体系的ZnO低压压敏电阻材料特点及各自的局限性,并且对ZnO压敏电阻向低压化发展趋势下出现的材料低温烧结技术进行了评述。最后在总结以往研究的基础上提出了若干ZnO低压压敏电阻材料组份设计上的原则,可为压敏电阻及其它电子陶瓷材料的研究提供一定的指导意义。 展开更多
关键词 低压zno压敏电阻 低温烧结 配方设计
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溶剂热法制备铝掺杂纳米ZnO及其气敏性能 被引量:4
4
作者 桂阳海 李淑勉 +2 位作者 徐甲强 王焕新 李超 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期81-83,共3页
采用溶剂热法合成了铝掺杂的纳米ZnO气敏材料,运用XRD和BET等手段对产物进行了表征并进行了相应的气敏性能测试。结果表明,掺杂1.5%Al后的ZnO比表面最大,粒径最小;材料对乙醛、90#汽油、90#乙醇汽油、硫化氢、二氧化氮响应较高。掺杂量... 采用溶剂热法合成了铝掺杂的纳米ZnO气敏材料,运用XRD和BET等手段对产物进行了表征并进行了相应的气敏性能测试。结果表明,掺杂1.5%Al后的ZnO比表面最大,粒径最小;材料对乙醛、90#汽油、90#乙醇汽油、硫化氢、二氧化氮响应较高。掺杂量为1.5%Al的元件对90#汽油在浓度为50ppm时灵敏度接近120。 展开更多
关键词 溶剂热 zno 铝掺杂 气敏
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Sb掺杂对ZnO-V_2O_5多元系压敏电阻的影响 被引量:5
5
作者 赵鸣 王卫民 +1 位作者 刘向春 田长生 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期839-842,853,共5页
本文研究了V/Sb预合成粉、SbVO4和Sb2O3等三种不同形式的Sb掺杂对ZnO-V2O5基压敏陶瓷结构和性能的影响。化学计量比不变情况下,上述Sb掺杂方式的改变,使烧结过程中Sb3+离子在陶瓷样品中的浓度上升,促进Zn7Sb2O12型尖晶石相形成,材料晶... 本文研究了V/Sb预合成粉、SbVO4和Sb2O3等三种不同形式的Sb掺杂对ZnO-V2O5基压敏陶瓷结构和性能的影响。化学计量比不变情况下,上述Sb掺杂方式的改变,使烧结过程中Sb3+离子在陶瓷样品中的浓度上升,促进Zn7Sb2O12型尖晶石相形成,材料晶粒随之细化。同时材料的压敏电压出现大幅上升,而非线性系数和漏电流密度受Sb掺杂形式的变化影响不大。Sb以V/Sb预合成粉进行掺杂可以获得较大尺寸的晶粒,有利于材料在低压方面的应用。 展开更多
关键词 SB 掺杂 zno 压敏电阻
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La^(3+)掺杂对纳米ZnO晶粒度及光催化性能的影响 被引量:7
6
作者 吴建锋 赵娜 +2 位作者 徐晓虹 邓腾飞 田越 《武汉理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第7期5-9,共5页
以二水合乙酸锌为原料,柠檬酸三铵为改性剂,采用溶胶-凝胶法分别制备了纯纳米ZnO粉体和La3+离子掺杂纳米ZnO粉体。XRD、TEM分析结果表明:所制得的纳米ZnO粒子均为六方晶系红锌矿结构,在热处理温度为550℃时,制得的纯纳米ZnO的晶粒尺寸... 以二水合乙酸锌为原料,柠檬酸三铵为改性剂,采用溶胶-凝胶法分别制备了纯纳米ZnO粉体和La3+离子掺杂纳米ZnO粉体。XRD、TEM分析结果表明:所制得的纳米ZnO粒子均为六方晶系红锌矿结构,在热处理温度为550℃时,制得的纯纳米ZnO的晶粒尺寸最小为28.33 nm;La3+离子的掺入抑制了纳米ZnO晶粒的生长,当掺入量为0.2%时,晶粒大小减小了7 nm左右;La3+离子的掺入提高了纳米ZnO的光催化活性,比未掺杂纳米ZnO的光催化降解MB率提高了30%—40%。 展开更多
关键词 La3+掺杂 纳米zno 溶胶-凝胶法 光催化
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[101]取向Li掺杂ZnO薄膜光学性能的研究 被引量:10
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作者 朱兴文 李勇强 +2 位作者 陆液 李英伟 夏义本 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期359-362,共4页
采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了[101]取向的Li:ZnO薄膜,研究了该薄膜的光学性能随热处理温度变化的规律.结果表明,399nm的发光峰是由Li的杂质能级引起;与[002]取向的薄膜相比,未经热处理的[101]薄膜其光学带隙大,且出现了380nm... 采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了[101]取向的Li:ZnO薄膜,研究了该薄膜的光学性能随热处理温度变化的规律.结果表明,399nm的发光峰是由Li的杂质能级引起;与[002]取向的薄膜相比,未经热处理的[101]薄膜其光学带隙大,且出现了380nm附近的带边发射(NBE)峰;在560~580℃热处理下,其晶胞变小、光学带隙变窄、360nm左右的带间发光峰红移;当热处理温度升至610℃时,薄膜中再次出现380nm的NBE峰. 展开更多
关键词 zno薄膜 Li掺杂 【101】取向 PL谱
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Bi_2O_3与Sb_2O_3掺杂对ZnO力学性能的影响 被引量:3
8
作者 彭志坚 杨义勇 +3 位作者 王成彪 付志强 苗赫濯 Ludwig J.Gauckler 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第10期1265-1270,共6页
设计、制备了三个系列(不同Bi_2O_3与Sb_2O_3掺杂浓度)的ZnO基复合材料.力学性能测试的结果表明.Bi含量(2%,原子分数)保持不变,随Sb含量(在合适的剂量范围内)的增大,由于基质ZnO晶粒减小,陶瓷致密度增大,所得材料的模量、抗弯强度以及... 设计、制备了三个系列(不同Bi_2O_3与Sb_2O_3掺杂浓度)的ZnO基复合材料.力学性能测试的结果表明.Bi含量(2%,原子分数)保持不变,随Sb含量(在合适的剂量范围内)的增大,由于基质ZnO晶粒减小,陶瓷致密度增大,所得材料的模量、抗弯强度以及断裂韧性均增大;Sb含量(3%,原子分数)保持不变,随Bi含量的增大,由于基质ZnO晶粒增大、陶瓷致密度减小,所得材料的模量、抗弯强度以及断裂韧性均减小.在设汁组成范围内材料的最佳力学性能约为:弹性模量114 GPa,弯曲模量115 GPa,抗弯强度120 MPa,断裂韧性1.87 MPa·m^(1/2). 展开更多
关键词 ZN0 Bi203 Sb203 掺杂 复合陶瓷变阻器 力学性能
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掺杂剂与ZnO材料的气敏特性 被引量:2
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作者 全宝富 沈艳宾 +1 位作者 卢革宇 孙良彦 《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 1993年第3期77-80,共4页
本文报导了金属氢化物BeO,Tl_2O_3,Y_2O_3,ZrO_2在ZnO材料中的掺杂行为及其对ZnO材料气敏性能的影响.
关键词 掺杂剂 灵敏度 氧化锌 传感器
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MgO对ZnO压敏电阻电性能的影响 被引量:2
10
作者 许毓春 李慧峰 +1 位作者 王礼琼 王士良 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1996年第2期114-116,共3页
研究了MgO掺杂对ZnO压敏电阻电性能的影响。结果表明,MgO含量增加,压敏场强E1ma=V1mA/d上升,通流能力增强,非线性指数α和漏电流IL变化不大。文中还对上述结果进行了理论分析。
关键词 压敏电阻 掺杂 电性能 氧化锌 氧化镁
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ZnO中Li相关缺陷结构性质 被引量:5
11
作者 徐群和 康俊勇 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期509-513,共5页
采用第一性原理量子力学分子动力学方法,基于32个原子的超原胞模型,计算了ZnO中各种L i相关缺陷的有关几何和电子结构。通过不同模型的计算分析表明,ZnO中L i杂质在间隙位上的总能比替位Zn格位的能量更低,但却形成施主能级。进一步通过... 采用第一性原理量子力学分子动力学方法,基于32个原子的超原胞模型,计算了ZnO中各种L i相关缺陷的有关几何和电子结构。通过不同模型的计算分析表明,ZnO中L i杂质在间隙位上的总能比替位Zn格位的能量更低,但却形成施主能级。进一步通过构造L i替Zn位L iZn与不同本征缺陷所构成的复合体结构,并对模拟计算的结果进行分析比较得出,O反位OZn可与L iZn形成比L i间隙位更稳定的复合体,可高溶解度地稳定存在于ZnO中,并在禁带中产生受主能级,是较好的p型导电性候选缺陷。 展开更多
关键词 zno 本征缺陷 Li掺杂 第一性原理计算
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ZnO膜制备及性能研究 被引量:4
12
作者 殷顺湖 王民权 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第2期60-62,65,共4页
首次用超声喷雾法制备ZnO膜,研究了溶液组成等对成膜速度的影响,探讨了Al离子掺杂等因素对膜电性能的影响关系。
关键词 超声喷雾法 铝离子掺杂 氧化锌膜 薄膜
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Li、Mg掺杂ZnO薄膜PL特性研究 被引量:3
13
作者 朱兴文 李英伟 +2 位作者 李勇强 陆液 夏义本 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2006年第6期690-691,695,共3页
采用溶胶-凝胶法在玻璃基片上制备了Li、Mg掺杂的ZnO薄膜,研究了薄膜的光致发光(PL)性能。结果表明,由氧缺位引起的深能级发光峰(450~470nm)的强度随Li和Mg掺杂量的增加而下降。Mg的添加会使薄膜的带边发射(NBE)增强,而Li的... 采用溶胶-凝胶法在玻璃基片上制备了Li、Mg掺杂的ZnO薄膜,研究了薄膜的光致发光(PL)性能。结果表明,由氧缺位引起的深能级发光峰(450~470nm)的强度随Li和Mg掺杂量的增加而下降。Mg的添加会使薄膜的带边发射(NBE)增强,而Li的掺杂抑制了NBE峰,同时引发403nm的Li杂质能级峰,该能级位于价带顶0.29eV处。 展开更多
关键词 zno薄膜 溶胶-凝胶(Sol-Gel)法 掺杂 光致发光(PL)谱
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Na^+掺杂ZnO薄膜的结构和电学性能 被引量:2
14
作者 李英伟 林春芳 +1 位作者 周晓 朱兴文 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2007年第8期15-18,48,共5页
以醋酸锌为溶质、碳酸钠为钠源,采用溶胶-凝胶法在Si〈100〉衬底上制备了钠掺杂ZnO薄膜,掺杂浓度分别为0,0.018,0.036,0.045,0.063和0.09 mol/L。研究了钠掺杂后ZnO晶胞尺寸和表面形貌的变化规律,用霍尔效应仪测试了试样的载流子浓度及... 以醋酸锌为溶质、碳酸钠为钠源,采用溶胶-凝胶法在Si〈100〉衬底上制备了钠掺杂ZnO薄膜,掺杂浓度分别为0,0.018,0.036,0.045,0.063和0.09 mol/L。研究了钠掺杂后ZnO晶胞尺寸和表面形貌的变化规律,用霍尔效应仪测试了试样的载流子浓度及导电类型,分析了材料的拉曼光谱与试样内部缺陷浓度的关系。结果表明:Na+离子可进入ZnO晶格取代Zn2+,导致晶胞变大,同时ZnO薄膜由n-型转变为p-型导电;当Na+掺杂浓度达0.045 mol/L时,其电阻率为75.7Ω.cm,空穴浓度2.955×1017/cm3。 展开更多
关键词 zno薄膜 Na^+掺杂 p-型导电 溶胶-凝胶法
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CuO掺杂对ZnO-Bi_2O_3-Sb_2O_3-Co_2O_3-MnO_2-Cr_2O_3压敏陶瓷电子密度及电性能的影响 被引量:1
15
作者 陈真英 聂鹏 +4 位作者 莫玉学 孙小香 熊超 黄宇阳 邓文 《广西大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2014年第2期431-435,共5页
为研究CuO掺杂对ZnO基压敏陶瓷中的电子密度和电性能的影响,以固相反应法制备了CuO掺杂的ZnO-Bi2O3-Sb2O3-Co2O3-MnO2-Cr2O3基压敏陶瓷,测量了其正电子湮没寿命谱及电性能,结果表明,随着CuO含量的增加,ZnO基压敏陶瓷基体(晶粒内部)和晶... 为研究CuO掺杂对ZnO基压敏陶瓷中的电子密度和电性能的影响,以固相反应法制备了CuO掺杂的ZnO-Bi2O3-Sb2O3-Co2O3-MnO2-Cr2O3基压敏陶瓷,测量了其正电子湮没寿命谱及电性能,结果表明,随着CuO含量的增加,ZnO基压敏陶瓷基体(晶粒内部)和晶界缺陷态的自由电子密度降低,导致其压敏电压V1mA和漏电流IL升高,非线性系数)减小。CuO含量为1.0%的ZnO基压敏电阻可用于220 V交流电路的过压保护。 展开更多
关键词 zno基压敏电阻 CuO掺杂 缺陷 电子密度 电性能
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钛的复合掺杂对ZnO压敏电阻器性能的影响 被引量:2
16
作者 李慧峰 许毓春 +3 位作者 王礼琼 王士良 王琼 高四喜 《功能材料》 EI CAS CSCD 1995年第1期28-31,共4页
本文研究了钛以不同的复合物加入时,对ZnO压敏电阻器电性能的影响。实验在明,不同的复合物掺杂对ZnO压敏电阻器电性能影响规律不同,当钛的复合物在压敏电阻器烧结过程中有利于钛溶于晶界处的富铋液相中时,则有利于晶粒的生长。
关键词 性能 复合掺杂 压敏电阻器 氧化锌
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氧化铟对ZnO压敏陶瓷压敏特性及微观结构的影响 被引量:2
17
作者 陈建勋 赵瑞荣 +1 位作者 秦毅红 蒋汉瀛 《陶瓷工程》 1997年第5期3-6,12,共5页
用粘度为0.1~0.3mm的氧化锌粉末为原料,制得了氧化锌压敏陶瓷片,研究了In_2O_3掺杂对其压敏特性和微观结构的影响、结果表明:这种氧化锌粉末具有很高的烧结活性,适合作低压压敏电阻器。当烧结温度一定(1240℃)时。阀值电压Vc随... 用粘度为0.1~0.3mm的氧化锌粉末为原料,制得了氧化锌压敏陶瓷片,研究了In_2O_3掺杂对其压敏特性和微观结构的影响、结果表明:这种氧化锌粉末具有很高的烧结活性,适合作低压压敏电阻器。当烧结温度一定(1240℃)时。阀值电压Vc随着In_2O_3含量的增高而增加,其原自是由于In_2O_3含量的增加,在高温时烧结体内In_2O_3的分解量增加,从而使烧结体中的孔隙率增加。导电性降低。 展开更多
关键词 氧化锌 压敏陶瓷 掺杂 微观结构 陶瓷半导体
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Structure and Dielectric Properties of ZnO and Nb_2O_5 Doped BaO-TiO_2 System Microwave Ceramics
18
作者 陈力颖 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》 SCIE EI CAS 2008年第5期647-651,共5页
The microwave dielectric properties and microstructure of BaTi4.3ZnyO9.6+y +0.02 mol% SnO2+0.01 mol% MnCO3+x mol% Nb2O5(x=0-0.05, y=0-0.08) system ceramics were studied as a function of the amount of ZnO and Nb2... The microwave dielectric properties and microstructure of BaTi4.3ZnyO9.6+y +0.02 mol% SnO2+0.01 mol% MnCO3+x mol% Nb2O5(x=0-0.05, y=0-0.08) system ceramics were studied as a function of the amount of ZnO and Nb2O5 doped. Addition of (y=0-0.05) ZnO and (x=0-0.025) Nb2O5 enhanced the reactivity and decreased the sintering temperature effectively. It also increased the dielectric constant ε r and quality factor Q(=1/tan 8) of the system due to the substitution of Ti^4+ ions with incorporating Zn^2+and Nb^5+ ions, which was analyzed by the reaction ZnO+Nb2O5+ 3 TiTxTi →ZnTi+ 2NbTi+3TiO2. When the system doped with (y=0.05) ZnO and (x=0.025) Nb205 were sintered at 1 160 ℃ for 6 h, the εr. Qf0 value and rfwere 36.5, 42 000 GHz, and+1.8 ppm/℃, respectively, at 5 GHz. 展开更多
关键词 CERAMICS microwave dielectric properties zno dopant Nb2O5 dopant
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掺杂浓度对Al-F共掺杂ZnO透明导电薄膜性能的影响 被引量:3
19
作者 吕珺 周丽萍 +2 位作者 汪冬梅 吴玉程 郑治祥 《材料热处理学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期31-35,共5页
通过溶胶-凝胶法制备了不同Al-F掺杂浓度的ZnO薄膜,研究了薄膜的晶体结构、表面形貌、电阻率和透光性随着掺杂浓度的变化情况。结果表明:制备的ZnO∶F∶Al薄膜具有高度的C轴择优取向性,薄膜表面平整、晶粒均匀致密。当Al3+和F-的掺杂浓... 通过溶胶-凝胶法制备了不同Al-F掺杂浓度的ZnO薄膜,研究了薄膜的晶体结构、表面形貌、电阻率和透光性随着掺杂浓度的变化情况。结果表明:制备的ZnO∶F∶Al薄膜具有高度的C轴择优取向性,薄膜表面平整、晶粒均匀致密。当Al3+和F-的掺杂浓度皆为0.75at%时,薄膜的平均晶粒尺寸最大为43.8nm;导电性能最好,电阻率可低至1.02×10-2Ω.cm;在可见光范围内薄膜的平均透过率超过90%,吸收边出现明显的蓝移现象。 展开更多
关键词 zno薄膜 溶胶-凝胶 Al-F共掺杂 掺杂浓度 光电性能
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高RF功率制备的ZnO:Li薄膜性能研究
20
作者 朱兴文 李勇强 +2 位作者 陆液 李英伟 夏义本 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2006年第5期575-577,共3页
实验采用射频(RF)磁控溅射法在高射频功率(550 W)下制备了Zn0.9Li0.1O薄膜,探讨了薄膜的光学性能,并与低溅射功率制备的薄膜性能进行了比较。结果表明,高功率下溅射的薄膜晶粒均匀细小,表面平整致密,在可见光波长范围内,透过率达80%。... 实验采用射频(RF)磁控溅射法在高射频功率(550 W)下制备了Zn0.9Li0.1O薄膜,探讨了薄膜的光学性能,并与低溅射功率制备的薄膜性能进行了比较。结果表明,高功率下溅射的薄膜晶粒均匀细小,表面平整致密,在可见光波长范围内,透过率达80%。该薄膜的光学带隙约3.29 eV,明显低于低功率溅射的薄膜(3.44 eV)。其室温光致发光(PL)谱结果显示,最强峰是由Li杂质能级引起的399 nm峰,热处理后,370 nm的带间发光峰增强,而低功率制备的薄膜其PL谱与纯ZnO材料的特征谱相似。 展开更多
关键词 zno薄膜 磁控溅射法 Li掺杂 高射频(RF)功率 室温光致发光(PL)谱
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