三代像增强器的高速选通控制设计

针对水下成像等主动探测应用的需要,设计了一种能够使三代微光像增强高速选通工作的控制电路。应用串联雪崩管电路原理,设计了一种适应三代光阴极的高速选通的控制装置,通过分析和试验,实现了选通控制电路的参数匹配,产生一个-800 V左右、频率125 Hz的选通脉冲,使三代像增强器光阴极能够在3.3、4.9和15.2 ns宽度的脉冲下高速选通工作;测试该选通的三代像增强器极限分辨率,结果表明其极限分辨率在各选通脉冲宽度下基本一致,与不选通时的极限分辨率相差不超过3.8%。

三代像增强器用微通道板的改进与发展

简要说明了三代像增强器的特点,分析了微通道板的离子反馈形成机理,给出有效抑制离子反馈对光阴极造成伤害的2种方法,即一种是减少和清除微通道板的吸附气体,另一种是阻止反馈离子反馈到光阴极上。介绍了国外最新的三代像增强器,以及使用优化改进的高性能微通道板显著减薄甚至彻底去除微通道板离子反馈膜的方法,该方法能维持砷化镓光阴极足够长的工作寿命,还介绍了最新发展的体导电微通道板和硅微通道板。指出高可靠性无膜选通砷化镓像增强器技术的实现,不仅需要微通道板在抑制离子反馈方面取得突破,还需要砷化镓光阴极在耐受离子反馈能力上进一步提高,同时还要结合和拓展选通电源的应用。

三代像增强器透射式GaAs阴极光电发射稳定性研究

为了解决三代像增强器管内阴极灵敏度下降问题,用质谱计对激活工艺过程进行质量检测,并确定了激活工艺参数,通过对阴极原子级洁净表面获得和激活铯、氧提纯工艺参数优化研究,对制备的透射式GaAs阴极光电发射稳定性进行在线试验,结果表明:在10-9 Pa真空环境中,优化工艺激活的光电阴灵敏度(1 500μA/lm)稳定,而且500h不下降,铟封到管内的阴极灵敏度下降与真空度降低和有害气体污染有关。

无膜微通道板第三代像增强器的可行性及技术途径探究

砷化镓光阴极的量子效率大大优于超二代多碱光阴极,但由于微通道板(MCP)输入面上的离子阻挡膜的存在,第三代像增强器,即使是薄膜第三代像增强器,相比于同时期技术水平的超二代像增强器,在标准测试条件下的信噪比和分辨力等参数上并无明显优势。通过引入MCP噪声因子的概念,对像增强器光阴极量子效率的有效利用率进行了评价。强调了实现无膜MCP第三代像增强器的必要性,并指明了目前的无膜MCP第三代像增强器开发中所存在的问题,对改善MCP耐电子清刷除气能力及进一步地减少MCP中的有害物种含量的有效方法进行了研究,进而明确了实现高可靠性高性能无膜MCP第三代像增强器的可行性和有效技术途径。

三代微光像增强器分辨力计算理论模型

分辨力和传递函数MTF是微光像增强器的2个重要参数。长期以来,人们对于三代微光像增强器阴极发出的电子初能量分布没有统一的认识,从而没有一个公认的分辨力和MTF计算模型。通过理论分析和假设,给出一定条件下一个分辨力计算模型。把实际测得的第一近贴距、第二近贴距、阴极电压和荧光屏电压等数值代入分辨力计算模型中,可以得到分辨力理论值。经与实际测量值进行比对,发现二者偏差值在12.3%以内,此理论模型基本符合实际需求。该分析方法和所得结果有一定实用价值,可作为设计三代微光像增强器的技术参考。

积分光荧光测试在三代微光像增强器光阴极制作中的应用

本文基于半导体材料积分光荧光测试的原理 ,叙述在三代微光像增强器光阴极组件制作工艺过程中光荧光强度的变化规律及其测试结果 ,对其作出理论解释 ,并且说明如何依此规律对工艺过程进行监控。

ITT公司为美国特种部队提供第三代像增强器

近日,ITT公司获得了一份价值1140万美元的合同,为美国特种作战司令部现有的夜视眼镜提供第三代薄膜式"顶峰(Pinnacle)"像增强器。

三代微光像增强摄像系统选通成像系统研究

提出一种能够高速选通工作的三代微光像增强摄像系统(ICCD)。采用三代像增强器,设计了光阴极选通控制电路,使ICCD系统能够高速选通成像;通过分析、比较,设计了双高斯复杂化结构的中继镜头耦合方案,获得了高透过率、高调制传递函数(MTF)的图像耦合性能。采用数字CCD、数字图像采集卡及其集成的图像处理硬件,编写了相关处理软件,使ICCD系统的图像能够快速呈现。结果表明:设计的三代选通ICCD具有3.3ns选通门宽,空间分辨力达到600TVL。

三代微光像增强器光阴极保护方法研究

本文主要研究三代微光像增强器光阴极保护。通过对三代微光像增强器性能分析,确定高照度下影响像增强器光阴极性能的主要因素,并分析了常规直流高压电源阴极保护电路,给出自动门控电源两种阴极保护电路设计思路。实际测量了基于常规直流高压电源的三代像增强器工作状态,自动门控电源两种阴极保护电路实际工作状态,验证了阴极保护电路设计。最后对研究课题进行了总结并确定了自动门控电源光阴极保护电路形式。

基于国产三代微光ICCD探测器的三维激光成像雷达

针对高分辨、高帧频激光三维视频成像问题,基于国产三代微光像增强器,采用线性增益调制单ICCD成像方法,建立激光发射功率和成像距离的数学模型、测距模型。考虑激光光源功率波动、脉宽误差、同能量脉冲误差因素,对三维成像测距误差进行分析,得出远距离高精度三维成像的解决措施。开展单ICCD增益调制激光三维成像雷达工程样机研制,并进行外场成像试验,结果表明该激光三维成像雷达具有25 Hz帧频、720×576高分辨率,220米外测距精度优于0.01 m,实现对目标的三维成像,验证了分析与措施的有效性。

国外微光夜视装备发展分析

微光夜视装备水平在很大程度上决定着部队在夜间的作战能力。在现代战争中,国外军事强国为了实现夜间“单向透明”到“独享黑夜”的飞跃提升,近年来都在大力发展微光夜视装备。本文回顾了国外微光夜视装备发展历程与技术进步,重点对近年来美国、俄罗斯、法国这3个国家微光夜视装备发展现状进行了梳理,探讨了微光夜视装备研发中的具体投入、技术创新路径以及实际应用情况,通过比较分析各国在微光夜视装备技术上的发展经验,对我国微光夜视装备发展有所借鉴和启示。分析可见,微光夜视技术在提升夜间作战能力和安全保障方面具有重要意义,在军事领域具有重要作用。

真空残气对GaAs阴极发射性能的影响

针对三代微光像增强器的GaAs阴极灵敏度下降,分析真空残气对阴极发射性能的影响。实验结果表明,有害气体是造成阴极灵敏度下降的主要因素。

GaAs/GaAlAs透射式光电阴极的分辨力特性分析

从简化的二维扩散方程出发，推导ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ透射式阴极的调制传递函数表达式，计算２μｍ厚ＧａＡｓ阴极层的ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ透射阴极的理论分辨力特性曲线，并讨论它与若干参数的关系。

光放大、控制与器件

TN144 2004064395 微光像增强器的进展及分代方法=Image intensifier’s progress and division of generations[刊,中]/金伟其(北京理工大学信息科学技术学院光电工程系.北京(100081)),刘广荣…∥光学技术.—2004,30(4).—460-463,466 介绍了微光像增强器的主要性能指标及其对系统成像的影响。分析了像增强器按技术分代和按性能水平分代的方法。针对欧洲的超二代以及美国的三代/超三代像增强器的主要技术指标,说明了按性能分代的合理性。结果表明。

砷化镓负电子亲合势光电阴极激活灵敏度在线检测与分析

模拟光电阴极灵敏度测试仪对 Ga As阴极激活光源进行校准 ,并对透、反射阴极光电流比值对灵敏度的影响进行了讨论 ,实验结果证明 。

形形色色的轻武器瞄准装置——微光瞄准镜(四)

第三代和第四代微光瞄准镜 第三代像增强器 20世纪70年代中期,美国人在研制新的高性能光电阴极方面取得突破,80年代初研制出采用负电子亲和势砷化镓光电阴极的第三代像增强器。90年代初,采用第三代像增强器的AN/PVS-7地面部队夜视眼镜和AN/AVS-6飞行员夜视眼镜开始装备美军。此后西方发达国家的军队也开始陆续装备第三代微光夜视器材。目前西方发达国家的军队大都同时装备第二代和第三代微光观瞄器材。