二维不可压粘性两相流瑞利-泰勒不稳定性的临界磁场

讨论了两层互不相溶的不可压粘性流体和无磁扩散的磁流体组成的系统的RT不稳定性问题.在拉格朗日坐标系下利用流映射重写了磁场中的洛伦兹力;通过在稳态解附近做线性化,得到线性方程组;为了研究流体稳定性,利用法向模式解,将问题转换成特征值问题;因为流体具有粘性,用修正的变分法解特征值问题,得到了二维情形下垂直磁场使系统致稳的临界磁场和临界频率;当所给磁场大于临界磁场时,系统稳定;当所给磁场小于临界磁场时,在低频时,系统仍然稳定,但高频时,系统不稳定.

两带超导体LaNiC_2上临界磁场的理论分析

非中心对称超导体LaNiC_2是传统BCS超导体还是能隙存在节点又或是两带超导体,目前仍然存在争议.基于此,文章用两带Ginzburg-Landau理论分析了超导体LaNiC_2的上临界磁场随温度的变化关系,计算结果与实验结果在整个温度区间内符合得很好,说明LaNiC_2是两带超导体,和陈健等人的观点一致.文章还分析了两个不同能带对上临界磁场的影响,发现相对较小的相干长度对LaNiC_2的上临界磁场影响较大.

二维D-中心临界磁场值的超球坐标方法研究

用超球坐标数值计算近似方法解二维D-中心在磁场中的薛定锷方程,得到了基态能,计算了低激发态的束缚能同时得到了低激发态由非束缚态变为束缚态的临界磁场值.讨论了二维D-中心的光跃迁和量子阱中的D-中心等问题.计算结果与现有的理论和实验数据进行了比较.

微波辐照下DSC系统的临界磁场

在ＧＬ理论基础上，考虑Ｊｏｓｅｐｈｓｏｎ电流，给出ＤＳＣ系统在微波辐照下的Ｇｉｂｂｓ函数，并得出临界磁场与绝缘层的厚度。

理想第Ⅱ类超导体的临界磁场(英文)

根据金兹堡 -朗道理论 ,详细地阐述了理想第Ⅱ类超导体的临界磁场 .结果表明上、下临界场均由穿透深度λ和相干长度

超导薄膜临界磁场的非线性非局域效应研究

在处理薄膜中的超导现象的理论时,London理论、Pippard理论和GL理论都有其局限性,因为这些理论都不能完全解释超导电性的本质。根据对超导薄膜临界磁场普遍适用的公式,结合实验测得的超导薄膜临界磁场在理论上应该具有非线性、非局域性的特点;分析了影响超导电性的各种要素,得出了London理论、Pippard理论下修正后的临界磁场的表达式;分析了GL理论下波函数分别为球面波和正弦波时临界磁场分布情况。

斜框型磁流体发电机中临界磁场的研究应用

磁流体发电是一种高效、低污染的发电技术,相对于其他发电方式,磁流体发电具有输出功率大、结构紧凑的优点,在短时、高功率电源领域运用有着不可替代的性能优势。认为斜框型磁流体发电机中的电流在一定磁场范围内会产生饱和,并就这一问题首次提出了临界磁场理论并推导出临界磁场的方程式。临界磁场的提出,是在研究磁流体发电机的通道性能问题上提出了新的思路,有利于超导磁体在磁流体发电机上应用问题的研究。

高临界磁场RE_2Co_(17)磁体的制备工艺

选用适宜的原材料,调整Sm与Cu、Zr的比例,以得到合理的配方成分,并对高临界磁场(Hk)RE2Co17型钐钴磁体的制备工艺以及各工艺获得的磁性能进行了对比。结果表明,Sm含量对高Hk的RE2Co17型钐钴磁体的磁感应强度(Br)有明显的影响。Sm含量增加,Br呈下降趋势;Sm与Cu、Zr的合理配比能提高磁体的综合性能;830～860℃的时效时间对矫顽力贡献较大,但会降低磁体的Hk;Sm含量较高的磁体,其Br和HcJ随使用温度的升高下降得较少,即温度系数更好,磁体耐高温特性更好。

量子尺寸效应对垂直上临界磁场存在显著影响

在12月9目的《物理评论快报》（Physical Review Letters95，247005（2005））上，中国科学院物理所赵忠贤院士等人的一个研究成果被公布，继去年首次发现量子尺寸效应对超导临界温度（Tc）调制作用后，研究小组进一步发现了量子尺寸效应对垂直上临界磁场（Hc2⊥）的显著影响。

磁通涡旋线的临界磁场

将计算所得的涡旋磁通自由能F[1]进行求导,得到a,b,x之间的关系式.由此,只要知道电荷数、粒子质量,利用图解法即可求出α,β的值.再利用1/h=λ(λ是穿透深度),将λ进行代换,最终得出λ与h,ξ与η,x与κ间的关系.对于单位磁通线BV=BS=Φ=0则可计算出高κ近似下的第一临界磁场Hc1,并进一步求出hc1.

用两带Ginzburg-Landau理论分析两带超导体Lu_2Fe_3Si_5的表面临界磁场

用两带Ginzburg-Landau(GL)理论分析了Lu2Fe3Si5的表面临界磁场,当超导体的表面与任一主晶面重合,且外磁场平行于超导体的表面时,比值Hc3/Hc2(HC2是Lu2Fe3Si5的上临界磁场)强烈依赖于温度.当超导体的表面是bc平面,且外磁场平行于超导体的表面时,Hc3/Hc2不仅依赖于温度,还依赖于磁场方向.而对于单带超导体,这一比值是一常数.

超导材料NbS_2上临界磁场的理论分析

根据两带Ginzburg-Landau理论计算了层状超导材料NbS2的上临界磁场,以及上临界磁场各向异性参数随温度的变化情况,并将NbS_2与MgB_2,NbSe_2上临界磁场的各向异性进行比较.所得计算结果与已有实验数据符合得很好,充分说明了NbS_2的超导电性具有两能隙特征.NbS_2上临界磁场各向异性参数在5.0 K附近逐渐变小,这与MgB_2和NbSe_2有相似之处.但NbS2的上临界磁场各向异性参数大约为7.3,明显大于MgB_2和NbSe_2.计算结果还表明,NbS_2较大能隙所对应能带的有效质量比约为54,另一能带的有效质量基本为各向同性.

计算顺磁-铁磁相变临界磁场的一种方法

利用线性自旋波方法并结合Hellmann-Feynman定理引入一种计算量子磁性系统临界磁场的方法.计算两种特殊模型的临界磁场,并将理论结果与数值结果进行比较,理论值与数值结果高度吻合,验证了理论方法的准确性.

超薄铅薄膜垂直上临界磁场的量子尺寸效应

中科院物理所北京凝聚态物理国家实验室（筹）薛其坤和贾金锋研究小组于2004年成功在Si衬底上制备出了具有原子级平整度的铅薄膜；并实现了对其厚度的单原子层精确控制。他们并与该室赵忠贤等合作，研究发现，由于量子效应铅薄膜的超导临界转变温度随厚度具有奇偶原子层振荡现象。在此基础上，他们进一步发现，铅薄膜的垂直上临界磁场（Hc2⊥）随厚度也具有奇偶原子层振荡现象。

外加磁场下真空沿面闪络特性数值模拟

以单粒子模型和带电粒子运动方程为基础,采用蒙特卡罗方法,编写了真空沿面闪络过程计算程序,研究了外加磁场对真空沿面闪络过程的影响,主要是对二次电子发射及电子束的雪崩运动的影响。研究表明:外加磁场的存在,改变了绝缘体表面电子的运动,进而影响到绝缘体表面电荷的分布,从而在宏观上对绝缘体的耐受电压产生影响;外磁场抑制真空沿面闪络的效果与磁场的空间分布有关,磁场加在阴极附近时产生的效果优于加在阳极附近。

用于ITER的NbTi超导股线临界电流测试方法

介绍了一种用于ITER的NbTi超导股线在不同温度下临界电流测试的方法和装置。该装置包括一孔径为70mm、最高磁场高达16T的背景磁体以及变温杜瓦等系统。对NbTi超导线变温测试设计了二元电流引线。用该系统得到了其NbTi超导股线在不同磁场不同温度下的临界电流,用"Luca"定标律拟合了测试结果,并对测试结果进行了分析。

磁场对双轴分子液晶的影响

在分子场近似下，研究分子双轴性对向列相液晶在各向同性相最低过冷温度的影响，以及对临界磁场的影响。当外加磁场大干临界磁场时，不发生向列相－各向同性相相变。理论结果表明，通过考虑分子双轴性，最低过冷温度Ｔ与相变温度Ｔｃ的比值向实验值靠近。随着分子双轴性的增加，临界磁场很快下降。

强磁场凝固的MnCoSi基磁致伸缩材料

MnCoSi合金在磁场驱动的反铁磁相到铁磁相的变磁性相变过程中伴随着较大的晶格畸变,预示着这类合金是潜在的磁致伸缩材料.通过掺杂少量Ni元素将MnCoSi基合金的三相点调节到290K,同时降低变磁性相变的临界磁场.利用强磁场凝固制备出取向并且致密的Mn0.98Ni0.02CoSi合金块材.观察到室温附近低场可逆的各向异性大磁致伸缩效应,尤其在300K时2T磁场作用下的磁致伸缩达到0.19%.该研究为拓宽磁相变合金以及强磁场的应用领域提供了实验依据.

关于YBa_(2)Cu_(3)O_(7)材料的超导临界温度

根据ＢＣＳ理论。利用临界磁场Ｈｃ（０），试导出ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７的一种Ｔｃ表式。

37.8T、20mm内径、20ms脉冲时间的脉冲磁场

一、引言多次运行的高脉冲磁场发生器有Bitter线圈、单匝线圈和多匝绕组线圈三种类型。研究超导材料的临界磁场时,除了要求场值高之外,由于励磁效应还要求脉冲上升时间足够长。虽然Bitter线圈和单匝线圈可以达到近百特斯拉或更高的场值,但它们的脉冲时间都很短,例如75T的Bitter线圈〔1〕是120μs;250T、160T。