本体聚合PMMA基复合介质膜的储能特性研究

目前有机薄膜电容器中的介质材料多为线性电介质,这类聚合物的介电常数通常较低,造成电容器储能密度普遍偏低,而新型高储能聚合物介质材料一般又存在介质损耗高的问题。聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)与高储能含氟聚合物的相容性较好,常被用来改善后者的力学和击穿性能,但市售的PMMA存在本征介质损耗过高的问题。为了降低PMMA的介质损耗,本文用甲基丙烯酸甲酯(MMA)与苯乙烯(St)合成MMA-St共聚物(MS),将不同比例的MS掺入本体聚合的PMMA中形成复合体系,并研究复合体系的介电特性、储能特性及绝缘特性。结果表明:该复合体系可以显著降低PMMA的介质损耗,相较于PMMA更适合作为高储能聚合物的改性材料。其中复合10%MS的介质膜在5 500 kV/cm电场下获得了5 J/cm^(3)的放电能量密度,充放电效率达到83%。

Ta_2O_5介质膜和Ta_2O_5-SiO双层介质膜绝缘特性的实验研究

本文介绍了采用直流磁控反应溅射沉积的Ta_2O_5介质膜及由用同样方法沉积的Ta_2O_5膜和电阻式蒸发沉积的SiO膜组成的双层介质膜的绝缘特性。

一维光子晶体与光学多层介质膜

本文阐述了一维光子晶体和光子禁带的概念，对比了一维光子晶体与光学多层介质膜在结构和特性方面的联系和差别，运用薄膜光学的理论和方法讨论了多层介质膜的高反射带与光子禁带和膜系结构参量的关系.

Ta_2O_5介质膜性能对液体钽电容器性能的影响

叙述了钽电解电容器阳极Ta2O5介质膜的形成过程,分析了电解液闪火与氧化膜击穿的微观过程。利用扫描电子显微镜(SEM)分析了阳极氧化后及产品失效后阳极钽芯表面介质膜的微观结构,并对液钽电容器失效机理进行了探讨。结果表明,介质膜内杂质或缺陷处O2-放电产生的电子发射是电解液闪火和氧化膜击穿的前驱点;在高电场或高温度的作用下,介质膜的场致晶化和热致晶化是液体钽电解电容器失效的主要模式。

PECVD生长氮化硅介质膜的工艺研究

对PECVD生长氮化硅介质膜的工艺条件进行了实验研究 ,获得了生长氮化硅介质膜的最佳工艺条件 ,制作出了高质量的氮化硅介质膜。对样品进行了湿法腐蚀和超声实验 ,在显微镜下观察无膜脱落现象发生。阐述了几种工艺参数对介质膜生长的影响。

介质膜光栅槽形无损检测方法的研究

为了从理论上探究介质膜基底光刻胶光栅掩模槽形的检测方法,对此种光栅掩模建立了以C方法为理论基础的衍射效率理论计算的数学模型,并将从实际光栅掩模的SEM照片得出的光栅槽形参数带入到该模型中,得到了一系列-1级衍射光的光谱分布曲线,这些曲线的变化趋势与一定光栅槽形相对应,提出了通过测量衍射光的光谱分布曲线判断光栅槽形的无损检测方法。分析表明,该方法在光栅槽形的检测过程中,可以较为有效地判断光刻胶是否到底,而这一点在掩模的制作工艺中至关重要。

单发大口径光束下介质膜损伤阈值测试

针对传统的激光诱导损伤阈值测试中存在的耗时问题,提出了一种利用单发次、大口径光束的介质膜损伤阈值的快速测定方法。该方法以图像处理为基础,通过坐标变换和栅格压缩,建立了样品辐照区域内损伤分布与光斑强度分布之间的精确对应关系。基于对大口径光斑辐照区域内损伤信息的快速提取和统计方法,通过单次激光辐照,获取了待测区域的损伤阈值。根据此方法搭建了单发大口径光束损伤阈值测试平台,并对HfO2/SiO2高反射膜损伤阈值进行了单发次测定的验证。

多层介质膜光谱调制反射镜的反应离子束刻蚀误差容限

在千焦拍瓦高功率放大系统设计中,激光脉冲的时空和光谱整形技术一直受到人们的广泛关注。利用反应离子束刻蚀等微纳超精细加工而成的多层电介质结构反射镜可在高功率条件下实现啁啾脉冲的光谱整形。在光谱整形介质结构反射镜的设计与制造中,需要根据要求的反射率来合理提出反应离子束刻蚀误差容限指标。推导出反应离子束刻蚀误差容限的解析表达式。针对神光Ⅱ千焦拍瓦高功率放大系统设计中提出的多层介质光谱调制反射镜,分析了调制结构反射镜各层加工的容许误差,确定了反应离子束刻蚀误差容限指标。研究表明:刻蚀高折射率介质的加工误差容限为35 nm;刻蚀低折射率介质的加工误差容限为62 nm。此外,还从使用需要和加工难易的角度,对刻蚀方案进行了讨论。就加工难易程度而言,优选反应离子束刻蚀方案,且采用刻蚀并残留低折射率介质的方案更容易实现。

利用介质膜高反镜实现“猫眼”目标有效隐身

针对激光主动探测系统的主要工作波长为1 064nm,提出了一种利用介质膜高反镜实现"猫眼"目标隐身的方案。利用单波长介质膜高反镜的反射率特性,将介质膜高反镜与"猫眼"目标光轴以一定角度装配,推导了加载介质膜高反镜的理想"猫眼"目标回波功率模型,并给出了典型算例。通过实验方法分析了介质膜高反镜的反射率特性,修正了45°激光入射角的平均反射率值。典型"猫眼"目标的外场实验表明,在有限"牺牲"成像质量的前提下,介质膜高反镜可大大降低"猫眼"目标的"猫眼"效应,实现光电装备的有效隐身。

PECVD法低温形成SiO_xN_y介质膜的俄歇电子能谱和红外吸收光谱分析

采用俄歇电子能谱和红外吸收光谱分析PECVD法低温形成SiOxNy薄介质膜的微观组分及其与制膜工艺间关系,通过椭圆偏振技术测试该薄膜的物理光学性能。

用介质膜特性矩阵设计反射型1/4波片

利用介质膜特性矩阵和涅耳公式对反射型 1/ 4波片的主要参数进行计算 。

多孔氧化铝介质膜的光功能特性

采用 X射线衍射、扫描电镜 (SEM)和光谱分析等测试技术 ,研究了多孔氧化铝介质膜的组成、结构以及光功能特性。结果表明 :多孔氧化铝介质膜在红外波段具有良好的光透过特性 ,而沉积金属微粒的多孔介质膜在可见光波范围有特殊的光吸收特性 ,在近红外光波范围具有一定的偏光特性。

PI/CAB复合介质膜湿敏元件敏感特性研究

本文提出一种新型电容式复合介质膜湿敏元件 ,它的介质膜是将线性输出、温度特性取向不同的两类感湿介质膜 ( PI,CAB)互补复合而成 .对比试验表明 ,复合介质膜湿敏元件具有优异的线性输出 ,并对温度系数。

多层介质膜光栅用高反射镜的严格耦合波分析(英文)

基于严格耦合波和增强透射矩阵的方法,提出了一种数值稳定的求解多层介质膜光学特性的机理模型.利用该模型计算了多层介质膜光栅用高反射镜的优化设计膜系.使用电子束热蒸发方式制备的多层介质膜光谱特性和理论设计的结果符合得很好,该严格耦合波模型是分析介质膜光学特性有效的稳定的数值求解方法.

不同介质膜的InP MIS结构界面陷阱的研究

对经 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)生长的不同介质膜 InPMIS结构样品的界而陷阶进行了研究.样品介质膜的生长是在特定实验条件下进行.分别利用C-V(Capacitance-Voltage)和 DLTS(Deep Level Transient Spectroscopy)技术进行研究.结果表明,在介质膜和InP之间InP 一侧有若干界面陷阱存在,获得了与界面陷阱有关的深能级参数.这些陷阱的来源可能是:(1)介质膜淀积过程中InP表面部分P原子挥发造成的P空位;(2)InP衬底材料中的原生缺陷;(3)介质膜淀积过程中等离子体引进的有关辐照损伤.

多层介质膜MIM薄膜二极管的I-V特性研究

制备了一种用于有源矩阵液晶显示的具有对称结构、较好 I-V特性对称性和较高电流通断比的 MIM薄膜二极管。采用了基于反应溅射的多层膜工艺制备其 Ta2 O5绝缘层。采用原子力显微镜 (AFM)对 Ta2 O5膜进行了表面分析 ,并对 MIM薄膜二极管的 I-V特性进行了测试。AFM分析结果表明 ,电子束蒸发 /反应溅射 /电子束蒸发法工艺制备的绝缘膜表面平整 ,膜层较致密 ;I-V特性测试结果显示 ,MIM-TFD的电流通断比约为 1 0 5,I-V特性曲线的非线性系数为 1 0 ,左右阈值电压分别为 6.3 V和 5 .8V,具有良好的对称性。该

基于遗传算法的Low-E膜系中透明介质膜层均匀性在线分析

本文针对离线Low-E镀膜玻璃生产控制过程中对厚度均匀性的需求,提出依据在线测试膜层膜面反射光谱数据,建立柯西光学模型利用遗传算法分析膜层厚度均匀性的方法。采用的在线光谱测量装置安装于镀膜设备产品出口端,在镀膜玻璃宽度方向可以测量24个位置的380~780nm波长范围。研究表明在分析过程利用各点平均光谱由遗传算法分析获得膜层折射率及平均厚度,针对性地建立膜层材料在特定厚度范围内的颜色与厚度关系,在保证分析结果正确性的同时提高了数据分析效率。

DLTS技术研究富氮SiO_xN_y薄介质膜的电学特性

采用深能级瞬态谱技术 （ＤＬＴＳ）， 测试了等离子体增强化学汽相淀积 （ＰＥＣＶＤ） 法低温制备的富氮的ＳｉＯｘＮｙ 栅介质膜的电学特性（界面态密度、俘获截面随禁带中能量的变化关系），结果表明，采用合适的ＰＥＣＶＤ低温工艺淀积ＳｉＯｘＮｙ

利用介质膜特性矩阵讨论介质膜的增透条件

利用介质膜特型矩阵系统讨论了设计增透型介质膜的条件。本文主要从介质膜反射和透射的角度出发 ,利用反射率和透射率的关系 ,运用数学方法详细地讨论了实现介质膜增透的条件。以此理论为依据 ,可对不同介质材料或多层介质薄膜进行分析设计。

具有优良绝缘性能的Ta_2O_5介质膜

介绍了一种具有优良绝缘性能的Ｔａ２Ｏ５ 介质膜，它由溅射／ 阳极氧化二步法工艺制备而成．用原子力显微镜（ＡＦＭ） 对Ｔａ２Ｏ５ 膜进行了表面形貌分析，对它的电特性进行了测试，并与溅射Ｔａ２Ｏ５ 膜和阳极氧化Ｔａ２Ｏ５ 膜进行了比较．结果表明：溅射／阳极氧化Ｔａ２Ｏ５ 膜的漏电流比溅射Ｔａ２Ｏ５ 膜和阳极氧化Ｔａ２Ｏ５ 膜分别减少了３ ～４ 和１～２ 个数量级，击穿场强也远高于后２ 种膜．