平均价电子数与掺杂Y_1Ba_2Cu_3O_(7-δ)体系超导电性的关系

文中尝试引进平均价电子数对掺杂Y1Ba2Cu3O7-δ(YBCO)体系超导电性进行分析。结果表明,掺杂YB-CO体系的平均价电子数Zv与转变温度Tc、临界电流密度Jc之间有较好高斯分布规律。因此,提出用平均价电子数作为提高掺杂YBCO体系超导电性的一个新依据。这对今后制备出具有更高Tc、Jc的掺杂YBCO超导氧化物有很好的指导意义。

掺杂二硼化镁体系超导电性与平均价电子数的关系

用平均价电子数作为掺杂二硼化镁超导电性的一个判断标准,对二硼化镁超导体及掺杂二硼化镁超导体系平均电子数进行研究.结果表明,二硼化镁体系超导材料的平均价电子数值在Tc-Zv图中集中分布在2.61附近.

平均价电子数与掺杂铁基砷化物超导电性关系

文中提出一个计算掺杂铁基砷化物平均价电子数的方法,研究了掺杂铁基砷化物平均价电子数Zv和转变温度Tc之间的关系,发现他们之间有一定的规律性,由此,提出用平均价电子数作为提高掺杂铁基砷化物超导电性的一个新依据。

平均价电子数与掺杂MgB2体系临界电流密度的关系

研究了掺杂二硼化镁超导体系的平均价电子数与临界电流密度之间的关系,发现它们之间有较好的规律性。由此,提出用平均价电子数作为提高掺杂二硼化镁超导体临界电流密度的一个新依据,对今后二硼化镁超导电性的改善有很好的指导意义。

平均价电子数和平均主量子数的定义及其QSPR研究

给出了描述化学键结合强弱程度的键参数X,用X研究了典型离子化合物的晶格焓和部分典型共价键的键能,结果表明X适用于一般的化学键型。同时,定义了平均价电子数■i、平均主量子数■i,通过对过渡元素QSPR研究,■i、■i对复杂原子的描写优于价电子数Zi和主量子数ni。

高T_c氧化物超导电性与平均价电子数关系

自Villars等人首先尝试用黄金坐标对高Ｔc（氧化物超导体的临界温度）超导电性进行分析以来，此法一直为研究人员所重视，本文亦用此法对近百种高Ｔc氧化物超导体进行分析，得出高Ｔc氧化物超导电性的又一新的经验判据：一切高Ｔc氧化物超导体其平均价电子数都在3．9至6．6之间，其值不在此范围内的氧化物都不具有高Ｔc超导电性。

Al-Zn合金GP区的价电子结构及界面能

运用固体经验电子理论计算Al-Zn合金GP区的价电子结构,并运用其价电子结构的信息计算其与母相的界面能。结果表明,由于GP区晶胞最强键上的共价电子数远比纯Al晶胞最强键共价电子数多,Al原子极易与Zn原子形成共价键,所以在Al-Zn合金中即使以最快速度淬火,也能在淬火过程中形成GP区,且合金硬度在GP区开始形成时就稳步上升,而于中间相形成前达到最大值。运用EET理论计算界面能是简便且行之有效的方法。

例谈价层电子对数的计算及其应用

一、价层电子对数的计算方法价层电子对数的计算公式为:中心原子的价层电子对数=σ键电子对数+孤电子对数=σ键电子对数+1/2(a-xb)。其中,σ键电子对数可由分子式(或离子符号)确定,a为中心原子的价电子数(当为阳离子时,a为中心原子的价电子数减去离子的电荷数;当为阴离子时,a为中心原子的价电子数加上离子的电荷数),x为与中心原子结合的原子数。

用于镧系元素理化性质相关性研究的新的键参数拓扑指数

根据镧系元素的原子序数Z、价电子数N、离子半径r提出了一个新的键参数拓扑指数HZ,并将HZ、镧系元素相对分子质量Mr共同与其11种理化性质进行关联,其结果显示了满意的线性相关性.

四层过渡金属夹心化合物的电子构型

本文利用共点稠合型硼烷的拓扑结构规则和EHMO量子化学计算方法,讨论了四层过渡金属夹心化合物的电子构型,以及它与几何结构之间的关系,用于解释实际化合物的电子构型.继而,对四层、三层和双层夹心化合物的电子构型与几何结构之间的关系进行了比较和讨论.

浅析等电子体的判断与应用

一、等电子体的概念 原子总数相同、价电子数相同的分子或离子互称为等电子体。具有相同原子总数和价电子数的分子或离子具有相似的化学键（相似的结构）特征，这一原理又称为等电子原理。

价层电子对互斥理论的应用

一、判断共价分子立体结构判断共价分子立体结构一般方法如下：1．首先确定中心原子的价层电子对数。

TiC价电子结构及其性质分析

利用固体与分子经验电子理论对TiC价电子结构进行了计算. 结果表明, 温度升高时, TiC的共价电子数增加, 表明TiC具有良好的热稳定性; TiC晶体中的共价电子数与其硬度和脆性之间存在密切联系. 根据晶格电子数可以定性地说明不同结构晶体之间的脆性差别. 利用“键加强因子”?可在一定程度上定性地说明不同结构晶体硬度的相对大小.

点价δ~v的改造及其对A_nB_m型过渡元素化合物Δ_fH_m的相关性研究

定义了有效价电子数Ｚ′ｉ，引入了成键电子数ｍｉ，并对分子中原子点价δｖ重新定义为δｉ，用δｖ和δｉ构成的分子结构参数Ｘｖ和Ｘ对３３个ＡｎＢｍ型过渡元素卤化物标准生成焓的相关性研究表明，相关系数分别为０．９０９９，０．９４００。在δｉ中如用价电子数Ｚｉ代替Ｚ′ｉ，则相关系数仅为０．９２３５。

苄基哌嗪衍生物的量子化学计算和^(13)C NMR化学位移相关性研究

报道了9种新合成的苄基哌嗪衍生物的13C NMR化学位移数据,在B3LYP/6-31g(d)水平上全优化计算了其量子化学结构参数.探讨了取代基对13C NMR化学位移的影响.回归分析及显著性检验表明,根据原子的价电子数和电荷,能够很好地解释化学位移与取代基之间的变化规律,且能够较好地考虑共轭效应的影响.

原子簇化合物的结构规则

近年来,国外关于原子簇化合物的研究,诸如合成、性能、结构与结构规律的探讨等极为活跃。我国科学工作者在这方面也做了不少的研究工作。这里仅对结构规则的探讨,作些介绍。其中包括两个方面,一是硼烷和碳硼烷的结构规则,二是金属原子簇化合物的结构规则。一、硼烷和碳硼烷硼烷就是硼氢化合物。五十年代由于高能燃料的研究,合成了许多硼氢化合物,在研究它的性能的同时。

论有限分子的极性及其判断

该文认为,对于ABn型有限分子的极性,可根据n值与中心原子A的价电子数相同或为其一半来判断该分子是否有极性,该法准确可靠,简单且易于掌握。

复杂结构簇合物的新稠合规则

提出了计算复杂结构族合物价电子数 (NVE)的公式 ,并提出了应用该公式的几条规则 .同时 。

气态AB_n型分子标准生成焓的分子拓扑研究

基于元素的电负性,最高主量子数,d价电子数,p价电子数和元素的氧化态,定义了一种原子点价公式,构建了零价项分子连接性指数0x和一阶项分子连接性1X.它们与115种气态ABn型分子标准生成焓-△fHm的线性回归方程为:-△fHm=726.44391x-392.2495 r=0.9794-△fHm=762.76611x-15.97970x-386.7822 r=0.9872结果表明,1X和0X具有良好的结构选择性和性质相关性,可用于预测其它气态ABn型分子的标准生成焓.