泵浦光调制对Ce∶KNSBN光折变晶体全息存储质量的改善

实验研究了泵浦光斩波、斩波占空比、斩波频率对两波耦合过程及光扇噪声的影响 ,结果说明斩波调制抑制了光扇噪声 。

低噪音光折变体全息存储

光折变全息存储中，透过晶体的散射光会影响再现象的信噪比，本文基于两波耦合理论，对光折变存储中的散射噪音随光斑尺寸的变化作了简化计算和分析，结果表明减小辐照在晶体上的光斑尺寸能降低散射噪音，提高衍射效率和信噪比，采用球面参考波小光斑尺寸入射，在KNSBN光折变晶体中存储了傅里叶全息图，并得到了低噪音的再现象．

体全息存储技术

体全息存储技术以其存储密度和数据读出率高及相关内容寻址等特点而具有广阔的应用前景。但体全息存储技术要同其它已经成熟的技术竞争 ,以在存储市场上占有一席之地 ,就必须注重发挥自己的优势。另外体全息存储技术要实现商品化 ,还有两个重要的问题需要解决。一是以较低的价格实现激光、空间光调制器和探测器阵列的对准。其次是要寻找合适的存储材料。对体全息存储来说寻找合适的存储材料仍是一个尚待解决的问题 ,至今还没有一种材料具有性能。

掺杂LiNbO_3晶体的生长缺陷与其体全息存储性能的研究

本文叙述了利用侵蚀法研究掺杂L iNbO3的晶体缺陷,并讨论了晶体缺陷的形成机理以及其与体全息存储性能的关系。通过实验发现了常温下侵蚀铌酸锂晶体的规律,并利用侵蚀法观测到铌酸锂晶体样品表面呈三角锥状的位错侵蚀坑。测量了晶体样品的散射噪声,从中找出了晶体缺陷与存储图像质量关系。并发现掺Zn的Fe:L iNbO3晶体其晶体缺陷减少,晶体体全息存储性能有了明显提高。

IP网络存储技术在体全息存储中的应用

传统的存储系统主要有两个限制,一是传统的存储技术基于二维面存储技术,这种存储手段已逐步接近其物理极限而很难满足对存储系统更大更快的要求。目前正在迅速发展的一种三维存储技术,印体全息存储,它具有存储密度大、高的数据传输速率和快的读出时间等优点。二是Internet技术的发展,要求存储系统能够方便和灵活地进行网络互联。IP网络存储技术可以满足这一新的市场需求。本文结合体全息和IP网络存储两个关键存储技术,以最先进的网络处理器为硬件核心,来完成体全息存储系统的通讯接口的系统设计。

体全息存储系统中的相关识别

本文通过图像处理方法实现了体全息相关峰的定位与识别。对输入图像采用预处理及区域相关算法,具有简化系统的机械结构、有利于小型化设计及相关峰具有较高稳定性等特点。其实验结果表明该方法具有较高的识别精度,可达到满意的实验效果。

体全息存储分维复用串扰噪声分析

基于耦合波理论并引入波矢簇的概念 ,对体全息存储分维复用的串扰噪声进行了分析。在改变参考光俯仰及偏转角度条件下对全息图的读出图像进行了模拟计算 ,给出了实验结果 ,计算得到了二维串扰强度分布。理论及实验证明 ,在改变读出参考光俯仰角的情况下 ,谱面全息图呈现水平带状读出 。

体全息存储中二维交错编码技术的研究及实现

为了克服和纠正体全息存储系统中大量的随机错误和突发错误 ,数据在按“页面”为单位存入系统时 ,通常采用纠错编码、交错和调制相结合的编码方式来进行信息组页 文中提出了一种二维交错技术用于克服数据“页面”存在的突发错误 ,以提高纠错编码的纠错能力 ,并通过FPGA实现了块交错RS(2 5 5 ,2 2 3)编码码字在数据“页面”

二芳烯材料在重复擦写体全息存储中的应用研究

二芳烯材料是一种性能优异的光致色变材料,具有很好的抗疲劳性能,一般能重复擦写上万次,而不损失其性能。通过体全息光栅记录实验、角度复用体全息存储实验、重复擦写及强光记弱光读等实验,对二芳烯材料在重复擦写体全息存储中的应用进行了系统研究。由于二芳烯材料具有很高的折射率调制度(Δn=1.15×10-3)、可多次重复擦写、强光记弱光读的准非易失等性能,在可重复擦写的体全息存储中具有广阔的应用前景。

体全息存储记录通道噪声模型的研究与设计

体全息存储系统具有存储容量大、数据传输率快、存储时间短以及能快速进行图像或图形匹配和内容相关寻址操作的潜力,极有可能成为下一代大容量数据存储方法。但是体全息存储记录通道中复杂的噪声来源一直是妨碍体全息存储技术实用化的主要问题之一。本文将分析体全息存储通道中存在的各种噪声来源.并提出记录通道噪声的物理模型,为设计噪声的抑制方法奠定理论基础。

多重结构的体全息存储傅里叶变换光学系统设计

分析了体全息存储傅里叶变换光学系统的设计要求和光学参量的确定。采用多重结构方法对傅里叶变换镜头的正向和逆向光路同时进行了优化,可实现对两对物像共扼位置控制像差。给出了前后组焦距分别为44mm和40mm的达到衍射受限要求的4片型球面全息存储光学系统的设计结果。

体全息存储技术的研究

体全息存储因其存储容量大,传输速率快,寻址时间短等诸多优点成为下一代存储器发展的主要方向之一.本文主要从控制系统和编码技术等方面对体全息存储技术进行了研究,所用的存储材料为单掺铁系列铌酸锂晶体.采用了一套实用的体全息存储控制系统.分析并比较了几种不同的编码方案,得出了适合全息存储系统的最佳编码方案.搭建了一套完整的存储光路.详细研究了模拟图像的存储和编码格图的存储,并对存储光路中的噪声进行了分析.

用于体全息存储系统的纠错编码及数据交错技术

体全息存储系统具有存储容量大、数据传输率高、存取时间短和可快速进行图像匹配及内容相关寻址操作等特点 .但要成为特性优良的通用型信息存储系统 ,就必须以可接受的误码率同时满足这些性能指标 (计算机外存储器的基本要求是使用户误码率低于 10 - 12 ) .如此 ,仅靠光学设计不是高性价比方法 .设计恰当的纠错编码和数据交错技术可以减轻对原始误码率的要求 ,缓解对系统设计、部件质量等方面的要求 ,在不牺牲其它系统目标的情况下 ,使 10 - 5的原始误码率达到 10 - 12的最终误码率水平 .

光路几何配置对体全息存储角度复用度的影响

利用耦合波理论对体全息存储角度复用方式的基本原理进行了讨论,分析了对称写入、非对称写入及邻面写入等不同光路几何配置对角度复用度的影响。考虑存储介质临界角的限制,推导出最大角度复用度的计算公式。理论分析及数值模拟表明:非对称入射光路比对称入射光路更有利于提高系统的角度复用度;邻面入射光路的角度复用度最高且与参考光入射角改变量成正比,邻面入射光路是最佳的角度复用存储光路。

使用民用CCD对体全息存储图像分辨率的研究

全息存储图像重构所达到的分辨率是评价存储器性能的重要指标。本文利用民用CCD和图像处理技术对不同全息图直径和衍射光功率下的重构图像分辨率进行了定量的研究。发现实际存储时采用3mm的全息图直径较为合适，并在此基础上估算了角度复用所能达到的最大存储密度。

反射式体全息存储角度复用新方案

基于体全息的反射式记录原理,设计并搭建了不同于传统透射式光路的紧凑型反射式体全息存储光路,提出一种新的采用双透镜共焦方法实现数据存储的角度复用方案.通过此系统实现了单点2000幅图像的连续存储.实验结果表明,反射式光路可以增大全息图的衍射率进而提高存储图像的质量;而双透镜共焦方案易实现且便于控制,可以实现图像的连续存储和高准确度复用;同时减少了光学系统的复杂度,并把复用维度从一维扩展到了水平和垂直二维方向,提高了存储的密度.

基于多物光的体全息存储技术

三维体全息存储具有容量大、带宽高、可靠性高及内容寻址等优点.为了挖掘体全息存储的性能,人们使用各种各样的复用技术.不同于通过增加记录图像数目来提高记录密度的各种现有复用技术,从提高记录每幅图像的数据量出发,提出了一种多物光体全息存储技术,以提高存储容量和存储带宽,发挥体全息存储的优势.从理论上分析推导出双物光体全息存储技术的正确性条件,并通过一个双物光体全息存储系统的例子验证和表现多物光体全息存储技术的价值.最后,分析了多物光体全息存储技术与现有体全息复用技术的不同,讨论了多物光体全息存储技术提高体全息存储性能的本质.

体全息存储文件系统的设计

分析了体全息存储的有关特点,对支持体全息存储的文件系统进行了研究和设计。阐述了文件存储的整体结构、存储编址方式、物理存储块的分配、页面的缓冲及数据一致性等方面的设计方案,并在体全息存储高速通道的基础上开发了文件系统的原型系统,经过仿真运行,效果较好。

一个体全息存储高速数据通道的设计

为了实现新一代存储技术—体全息存储技术在千兆网中的具体运用,本文介绍了一个体全息存储高速数据通道的硬件与软件的体系结构,阐述了在嵌入式操作系统VxWorks上的编写PCI设备驱动程序的原理和方法,并给出了我们在Intel IxP1200评估系统上关于体全息存储高速数据通道的设计与实现。

基于莫尔条纹实现体全息存储系统的准确寻址

利用光栅莫尔条纹实现角度多重体全息存储系统中精密移动平台的位移检测,有效地削弱该系统寻址的系统误差,提高了全息存储系统的数据读出的准确性。实验中在F_3:LiNbO_3晶体中存储了300幅全息图,各幅全息光栅振幅不仅均匀性好,而且振幅相对较大。