低偏振相关损耗聚合物光波导(英文)

表征了新合成的热光聚合物bisphenol A-aldehyde resin(BPA-resin)的独特性质。并且利用光刻和反应离子刻蚀技术(RIE)制备成功BPA-resin聚合物的单模条波导.实验结果表明,对于TE和TM偏振,该聚合物波导在1.31μm和1.55μm波长下分别有低达0.43 dB/cm和0.51 dB/cm的传播损耗.在上述波长下,波导的低偏振相关损耗(PDL)小于0.1 dB/cm.因此,是制备可调热光器件的良好导波模快.

两偏振态测量偏振相关损耗

基于具有偏振相关损耗和双折射的密勒矩阵洛伦兹变化特性,提出了一种测量偏振相关损耗的新方法.证实了测量偏振相关损耗取决于密勒矩阵的第一列元素.提出了一种实用的测量方法.新方法对于偏振相关损耗的测量只需要两个输入偏振态,因此具有测量速度快和测量误差小的优点,实验的测量结果证实了该方法的可靠性.

斜入射滤光片的偏振相关损耗抑制技术

多腔窄带薄膜滤光片在倾斜入射时由于偏振光的中心波长会出现分离,会导致其偏振相关损耗迅速增加,严重影响光通信系统的性能。从理论上分析了斜入射时产生偏振相关损耗的原因,并提出了通过优化膜系的方法有效的实现了偏振光中心波长的对准,有效的降低了其通带内的偏振相关损耗。同时还提出了使用偏振分束器的方法,对单偏振光进行调制,在整个透射带内都实现了对偏振相关损耗的抑制。实验结果表明,两种消偏方式都能将窄带滤光片斜入射时的偏振相关损耗减小至0.2dB内,根据实际需要可以应用于不同的场合。

低偏振相关损耗全息光栅波分复用器的设计

对基于掺杂铌酸锂材料的体光栅波分复用器主要结构和光栅记录参量提出了一种优化设计方法.采用严格耦合波理论,对两种偏振不同入射角和不同记录晶体厚度下的器件关键性能参量,如插入损耗和偏振相关损耗等进行了优化.数值结果证明采用优化设计的晶体厚度和光栅记录时的入射角,在获得相当低的偏振相关损耗的同时,也能够获得较低的插入损耗,实现了综合性能优化的波分复用器设计.实验结果证明用优化设计的参量能有效降低波分复用器件的插入损耗和偏振相关损耗.

弯曲多模光纤偏振相关损耗的研究

介绍了偏振相关损耗(PDL)的概念,重点分析了弯曲可以减少多模光纤中传导模数量和产生感生双折射的原理,说明弯曲可以改变多模光纤的输出偏振态,进而影响多模光纤的PDL。给出了测量多模光纤PDL的方法,并通过实验得出结论,弯曲直径越小,多模光纤中的偏振相关损耗越大。

基于布拉格光纤光栅偏振相关损耗的高敏感应力传感器

主要利用布拉格光纤光栅(FBG)的传感特性来实现横向应力测量,不同于通常利用反射波长解调的方法,而是利用有效FBG反射偏振相关损耗(RPDLeff)相关特性的变化来实现对横向压力的测量.根据耦合模理论,建立了RPDLeff横向压力传感的理论模型,数值模拟显示RPDLeff很适合用来制作灵敏的横向压力传感器.并在不同横向压力的情况下进行实验,发现可以通过观察RPDLeff的主峰高度和宽度变化来实现对横向压力的解调,在0到50 N有效RPDLeff主峰高度随压力的增加发生明显的变化,当大于50 N时,RPDLeff主峰宽度随压力的增加发生明显的展宽.实验和数值模拟结果一致表明,RPDLeff对横向压力的作用非常敏感,更适合实现横向压力的测量.

应力对M-Z型InP/InGaAsP-EAM偏振相关损耗的影响

采用Agilent81910A光子全参量测试仪,首次实验研究了InP/In1-xGaxAs1-yPy-MQW(Multiple-Quantum-Well,MQW)材料与衬底间因应力而产生的M-Z型光调制器的PDL影响以及由此引起的由差分群时延(DifferentialGroupDelay,DGD)表征的偏振模色散(PolarizationModeDispersion,PMD)·研究结果表明,半导体MQW光调制器的PDL与DGD是一致的·因此在半导体光器件的制作过程中,应尽可能地减小衬底与波导芯层之间的因残存应力的存在造成对光器件的高速性能的不利影响·

低偏振相关损耗多重体光栅CWDM设计(英文)

多重体全息光栅可当作一种粗波分复用器使用.用严格耦合波分析算法对多重体全息光栅的衍射效率进行理论分析,计算并分析光栅厚度及布拉格角度对该复用器的偏振相关损耗的影响.数值结果表明,通过优化光栅厚度和布拉格角度,在无明显增加附加损耗的前提下,可获得一种低偏振相关损耗的复用器.实验制作了一个波长间隔为20nm的8通道粗波分复用器,其测量结果与模拟计算结果吻合.

线性啁啾光纤光栅的反射偏振相关损耗特性研究

运用耦合模理论和传输矩阵分析法推出了反射光的偏振相关损耗,并模拟了在不同双折射值下反射偏振相关损耗随波长变化曲线.随着双折射量的变化,光栅反射光的偏振相关损耗在反射谱的带边处能明显的体现出来,尤其是在带边比较陡峭时.光栅的偏振相关损耗随双折射量的增加迅速增大,随着双折射的变化其PDL的左右峰值呈线性变化,PDL的最大值的两峰之间的间距不发生改变.表明双折射值对啁啾光栅的偏振相关损耗的影响非常显著.实验结果与理论模拟基本吻合.

基于STM32的偏振相关损耗测量系统设计

设计了一种基于ST公司Cortex-M4内核的ARM系列产品STM32F407ZG偏振相关损耗测量系统,包括系统设计理论、软硬件设计结构及实现方法。光通过偏振控制器调整偏振态,通过待测物后送往后续的光电转换模块,经放大过滤到达A/D采集模块,最后送往主控单元M4进行处理完成测量。

微环光开关的偏振相关损耗研究（英文）

提出一种可同时支持横电模和横磁模传输的微环光开关设计方法,可用于构建波长平面内的偏振无关交换芯片.为了实现微环光开关的偏振无关传输,横电模和横磁模应工作在同一谐振波长且在该波长处有相同的群折射率,据此采用MODE Solutions优化基于硅绝缘体波导结构的微环参数,建立Interconnect芯片仿真模型,考察微环光开关芯片的透射特性和传输特性.经过优化设计,微环光开关的偏振相关损耗低至0.13dB,光脉冲传输时延为42.5ps.研究表明,当微环长度偏离优化值约5nm时,偏振相关损耗就会增加到1dB,其中热光效应可以用来弥补工艺偏差,温度每变化1 K,则可弥补2.2nm的环长偏差.

偏振模色散模拟器的统计特性与偏振相关损耗的关系研究

分析研究了偏振模色散模拟器的统计特性与偏振相关损耗的关系.结果表明,当模拟器的偏振相关损耗比较小时,偏振模色散模拟器的群时延差的统计分布几乎不偏离迈克斯韦分布,但是两个主偏振态已不再垂直;随着偏振相关损耗的增大,两个主偏振态夹角的分布范围也越来越大.偏振相关损耗对模拟器两个主偏振态夹角分布的影响比对其群时延差的统计分布的影响来得严重.

偏振相关损耗对偏振模色散的影响分析

偏振模色散和偏振相关损耗的综合影响会引起不规则的色散现象,这一点不能通过原始的琼斯矩阵本征分析方法(JME)得到,为了分析偏振相关损耗对偏振模色散特征矩阵的影响,必须对JME方法进行适当的修正.理论分析和数值模拟表明,存在PDL的情况下,偏振模色散相关矩阵的特征值不再为实数,实部和虚步分别具有不同的物理意义,必须加以修正以得到真实的偏振模色散。

红外波段高效率低偏振相关损耗光栅的设计

衍射效率高、偏振相关损耗低的衍射光栅是集成波分复用/解复用器件的一种核心元件,在光通信中具有很重要的应用价值。通过利用严格的耦合波理论计算光栅衍射效率的方法,分别编制出了计算TE波和TM波的衍射效率程序。通过改变光栅的面形来进行计算,最终得到了衍射效率高和偏振相关损耗小的光栅面形。

基于偏振相关损耗测量磁场的高精度方法

为提高测量精度,提出了一种利用光纤光栅测量磁场的方法。依据磁场与光纤光栅偏振相关损耗成正比的理论,运用正交共轭反射镜来消除线性双折射,以Muller矩阵为基本方法,设计磁场测量原理图。数值仿真表明,通过正交共轭反射镜可以大幅度减少测量过程中的线性双折射,从而提高磁场的测量精度。

熔锥型宽带耦合器偏振相关损耗研究

研究了熔锥型宽带耦合器的偏振相关损耗(PDL),发现构成宽带耦合器的两熔融光纤结构上的不对称是导致其PDL不能为0的根本原因。通过对宽带耦合器结构的优化设计,报道了目前PDL最低的宽带耦合器:1310nm窗口PDL≤0.05dB;1550nm窗口PDL≤0.07dB。

偏振相关损耗和PMD共同作用对群时延带来的影响

本文利用琼斯矩阵对偏振模散(PMD)、偏振相关损耗(PDL)以及偏振相关增益(PDC)在光纤通信系统中的联合作用下差分群时延的性质进行了研究。提出了PDL和PDG对系统影响的等效性,研究了PDL和PMD级联的模型,比较了PDL和PDG 对系统影响的大小,并用数值模拟验证了理论的正确性。

局部横向压力下光纤布拉格光栅的偏振相关损耗特性研究

对均匀光纤Bragg光栅(FBG)在局部横向作用力下透射信号的偏振相关损耗(PDL)特性进行了详细的理论分析和研究.建立了利用PDL实现横向应变传感的理论模型并采用传输矩阵法进行了数值模拟.分析表明,当FBG局部横向受力时,最大谐振峰随横向作用力大小呈周期变化,并且受力位置越接近FBG的中点,PDL光谱中的旁瓣越少,谐振峰的峰值越大.随着光栅受压长度的增大,最大谐振峰从长波长向短波长移动.

外界条件对FBG反射偏振相关损耗特性的影响

利用光纤光栅反射偏振相关损耗对外力场信息的变化进行监测,提高了测量性能,并研究了光纤布拉格光栅(FBG)反射偏振相关损耗(RPDL)随外界条件的变化。运用耦合模理论得出外界条件变化量与反射偏振相关损耗间的关系式,并模拟了温度、应力、压力的改变对反射偏振相关损耗谱线的影响。仿真结果表明:光纤光栅反射光的偏振相关损耗对外界温度、应力的变化不敏感,但却明显地依赖外界压力的变化。

线性啁啾光纤光栅受轴向应力对偏振相关损耗特性的影响

深入研究了线性啁啾光纤光栅受到轴向应力时的偏振相关损耗(PDL)特性,并对不同轴向应力下的偏振相关损耗特性进行了大量实验研究,实验表明偏振相关损耗特性对轴向应力的响应非常敏感,压力变化使峰的移动比较明显,从而可以利用PDL的特性对外场信息进行灵敏的检测.