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抛物线型衬底InGaN/GaN发光二极管的模拟研究 被引量：7
1
作者 夏长生 李志锋 +2 位作者 王茺 陈效双 陆卫 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期100-104,共5页
针对发射到衬底中的光子,提出了一种具有抛物线型衬底结构的InGaN/GaN发光二极管,并对平面衬底和抛物线型衬底InGaN/GaN发光二极管的光子运动轨迹、发射功率角度分布和外量子效率进行了模拟计算.结果表明相对于平面衬底发光二极管,抛物... 针对发射到衬底中的光子,提出了一种具有抛物线型衬底结构的InGaN/GaN发光二极管,并对平面衬底和抛物线型衬底InGaN/GaN发光二极管的光子运动轨迹、发射功率角度分布和外量子效率进行了模拟计算.结果表明相对于平面衬底发光二极管,抛物线型衬底发光二极管可以充分利用发射到衬底中的光子,使其正向光子发射功率增加12.6倍,外量子效率提高1.22倍,同时具有发射准平行光的功能. 展开更多
关键词 InGaN/GaN发光二极管 光子运动轨迹 外量子效率
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