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基于光抽运技术的铯原子双共振光谱特性分析实验 被引量:1
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作者 贾利芳 《菏泽学院学报》 2020年第5期36-40,共5页
目前针对铯原子双共振光谱特性的分析精度较差,且观测结果没有统一标准,导致铯原子双共振光谱特性分析结果不准确,为此提出基于光抽运技术的铯原子双共振光谱特性分析实验.改进Cs原子管,利用激光器产生溅射光源和激发光源,形成双共振光... 目前针对铯原子双共振光谱特性的分析精度较差,且观测结果没有统一标准,导致铯原子双共振光谱特性分析结果不准确,为此提出基于光抽运技术的铯原子双共振光谱特性分析实验.改进Cs原子管,利用激光器产生溅射光源和激发光源,形成双共振光束,基于光抽运技术,调整激光束偏振特性,激发Cs管原子束发射光谱,并对光抽运双共振光谱进行模拟,分析其光谱特性.实验结果表明,铯原子光谱谱线强度发生变化,相比双共振和平行光栅光谱,光谱谱线在时间演化和空间分布等方面,强度都有所增强.光抽运技术将Cs原子束的冲击波偏振控制在一定范围内,获得了中间激发态与更高激发态的跃迁谱线,增强了光谱谱线强度,使铯原子光谱具备了窄线宽、高信噪比的特性. 展开更多
关键词 光抽运技术 铯原子 双共振 谱特性 谱线强度
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法国量子光学派奠基人布罗塞尔 被引量:1
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作者 袁永康 《国外科技动态》 2003年第6期30-31,共2页
关键词 法国 量子 吉恩·布罗塞尔 光抽运技术 卡斯特勒布鲁塞尔实验室
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Cd_(0.96)Zn_(0.04)Te光致载流子动力学特性的太赫兹光谱研究
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作者 李高芳 廖宇奥 +6 位作者 崔昊杨 黄晨光 王晨 马国宏 周炜 黄志明 褚君浩 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第3期225-234,共10页
采用光抽运-太赫兹探测技术研究Cd_(0.96)Zn_(0.04)Te的载流子弛豫和瞬:态电导率特性.在中心波长800 nm的飞秒抽运光激发下,Cd_(0.96)Zn_(0.04)Te的载流子弛豫过程用单指数函数进行了拟合,其载流子弛豫时间长达几个纳秒,且在一定光激发... 采用光抽运-太赫兹探测技术研究Cd_(0.96)Zn_(0.04)Te的载流子弛豫和瞬:态电导率特性.在中心波长800 nm的飞秒抽运光激发下,Cd_(0.96)Zn_(0.04)Te的载流子弛豫过程用单指数函数进行了拟合,其载流子弛豫时间长达几个纳秒,且在一定光激发载流子浓度范围内随光激发载流子浓度的增大而减小,这与电子-空穴对的辐射复合有关.在低.光激发载流子浓度(4.51×10^(16)—1.81×10^(17)cm^(-3))下,Cd_(0.96)Zn_(0.04)Te的太赫兹(terahertz,THz)瞬态透射变化率不随光激发载流子浓度增大而变化,主要是由于陷阱填充效应造成的载流子损失与光激发新增的载流子数量近似.随着光激发载流子浓度继续增大(1.81×10^(17)—1.44×10^(18)cm^(-3)),THz瞬态透射变化率随光激发载流子浓度的增大而线性增大,是由于缺陷逐渐被填满,陷阱填充效应造成的载流子损失与光激发新增的载流子数量相比可忽略不计.在光激发载流子浓度为1.44×10^(18)—2.17×10^(18)cm^(-3)时,Cd_(0.96)Zn_(0.04)Te对800 nm抽运光的吸收达到饱和,THz瞬态透射变化率不再随光激发载流子浓度增大而变化.不同光激发载流子浓度下Cd_(0.96)Zn_(0.04)Te在THz波段的瞬态电导率用Drude-Smith模型进行了很好的拟合.此研究为碲锌镉探测器的设计和制备提供重要数据支撑和理论依据. 展开更多
关键词 抽运-太赫兹探测技术 载流子动力学 瞬态电导率 碲锌镉
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用于血管性皮肤病治疗的固体激光技术概述 被引量:2
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作者 田玉冰 檀慧明 +3 位作者 崔锦江 王帆 施燕博 董宁宁 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2012年第3期24-33,共10页
激光疗法是治疗血管性皮肤病最为便捷和可靠的方案。介绍了激光治疗血管性皮肤病的选择吸收原理及氧合血红蛋白的吸收峰位置,从而确定了激光波长的选择依据,阐述了418、542、577nm波段医用全固体激光器的相关技术及发展现状,重点阐述了... 激光疗法是治疗血管性皮肤病最为便捷和可靠的方案。介绍了激光治疗血管性皮肤病的选择吸收原理及氧合血红蛋白的吸收峰位置,从而确定了激光波长的选择依据,阐述了418、542、577nm波段医用全固体激光器的相关技术及发展现状,重点阐述了医用577nm波段的5种激光技术:倍频、和频、受激拉曼散射(SRS)、光参量振荡器(OPO)及光抽运半导体(OPS)技术。指出了各种技术的优缺点及其医用前景。在和频技术中,提出了将薄片结构与端抽运结构相结合的新型医用578nm黄光激光器的设计方案。 展开更多
关键词 全固态激 氧合血红蛋白 和频 倍频 抽运半导体技术
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