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注入光敏器件是一种新型的光电探测器
被引量:
7
1
作者
何民才
黄启俊
+1 位作者
龙理
陈畅生
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1995年第4期356-364,共9页
注入光敏器件的理论是建立在公认的pn结光伏公式基础上的,有着可靠根据。严格的理论分析和实验证明抽取受光结的注入电流是可行的。注入光敏三极管与普通光敏三极管比较中可以看出它们之间有许多不同之处并显示出注入光敏器件的优良...
注入光敏器件的理论是建立在公认的pn结光伏公式基础上的,有着可靠根据。严格的理论分析和实验证明抽取受光结的注入电流是可行的。注入光敏三极管与普通光敏三极管比较中可以看出它们之间有许多不同之处并显示出注入光敏器件的优良性能。
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关键词
光
电探测器
注入
光敏器件
光敏器件
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职称材料
四论注入光敏器件的物理基础
被引量:
4
2
作者
何民才
黄启俊
乐望民
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第4期263-270,共8页
叙述了从现象的发现到理论分析,然后用实验进行验证,最后利用这个现象研制成注入光敏器件的全过程,从而证明注入光敏器件有牢靠的物理基础。文中还分析了文献[1~5、10]中的几个主要不同论点及欠妥的讨论方法。
关键词
光
电
器件
光敏器件
注入
光敏器件
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职称材料
注入光敏器件耦合系数的讨论
被引量:
3
3
作者
何民才
黄启俊
陈炳若
《传感技术学报》
CAS
CSCD
1990年第1期37-40,共4页
本文提出了间接耦合这个新概念,在此基础上找到了间接耦合的具体形式——注入光敏器件.文中对耦合系数进行了详细讨论.实验证实,注入光敏器件的信噪比高于普通光敏器件约两个数量级,显示出它的实用可能性.
关键词
间接耦合
注入电流
注入
光敏器件
耦合系数
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职称材料
能用于微弱光探测的硅光敏器件
被引量:
3
4
作者
张君和
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1992年第1期51-55,共5页
讨论了光电二极管工作于零偏压模式,制作能探测微弱光的光电晶体管和达林顿光电晶体管,提高了第一级光电二极管的光暗电流比值和晶体管在小电流下的放大倍数 h_(FE)。
关键词
光敏器件
光
探测器
光
晶体管
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职称材料
光敏器件的γ辐照损伤
5
作者
李世清
张能立
《核技术》
CAS
CSCD
北大核心
1992年第12期728-730,共3页
研究了光敏二极管和三极管经反应堆γ辐照后(辐照剂量为10~4、10~5 和10~6Gy(Si))引起的损伤。结果表明,γ辐照使光敏器件的光电流 I_p、电流放大倍数β和光电响应时间t减小,暗电流I_d增加,结电容C基本不变。被辐照器件放置180d 后,又经...
研究了光敏二极管和三极管经反应堆γ辐照后(辐照剂量为10~4、10~5 和10~6Gy(Si))引起的损伤。结果表明,γ辐照使光敏器件的光电流 I_p、电流放大倍数β和光电响应时间t减小,暗电流I_d增加,结电容C基本不变。被辐照器件放置180d 后,又经180℃温度退火72h,所测光电参数并未得到复原。这说明γ辐照除造成瞬时损伤外,还会引起部分永久性损伤。
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关键词
光敏器件
放射损伤
Γ辐射
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职称材料
注入光敏器件工作原理的模拟与分析
6
作者
杜树成
席丽霞
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2000年第6期435-438,共4页
通过数值求解双极半导体器件的基本方程 ,研究了载流子在注入光敏器件内部的运动 ,得到了器件内部载流子的运动图像。在此基础上阐明了该种器件的工作原理。
关键词
光
电探测器
注入
光敏器件
模拟
半导体
器件
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职称材料
注入光敏器件与MOS场效应结构比较
7
作者
何民才
黄启俊
王海军
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2000年第6期439-441,445,共4页
通过理论分析和实验证明了注入光敏器件并不是一种MOS场效应结构 。
关键词
光
探测器
注入
光敏器件
MOS场效应结构
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职称材料
光敏器件及其应用
8
作者
王文生
《电气时代》
1989年第11期9-10,共2页
光敏器件是一种应用范围相当广的敏感元件。光是既有波动性又有微粒性的一种物质。光的粒子性表现在光电效应上,当一个光子射入到半导体中时,可将它的能量转移给电子,电子吸收了光子的能量,脱离原子核的束缚而参加导电过程,如果该过程...
光敏器件是一种应用范围相当广的敏感元件。光是既有波动性又有微粒性的一种物质。光的粒子性表现在光电效应上,当一个光子射入到半导体中时,可将它的能量转移给电子,电子吸收了光子的能量,脱离原子核的束缚而参加导电过程,如果该过程只发生在半导体的内部,则称之为内光电效应;若该过程发生在半导体的外部,则称之为外光电效应。1.内光电效应。它包括两种现象:光电导效应及光生伏特效应。在室温条件下,半导体的导带只有一部分被电子占据着。当有足够能量的光子照射到半导体上时,满带中的电子吸收了光子能量。
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关键词
光敏器件
光
敏
电阻
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职称材料
n-GaN肖特基势垒光敏器件的电子辐照效应
被引量:
3
9
作者
刘畅
王鸥
+2 位作者
袁菁
钟志亲
龚敏
《光散射学报》
2005年第2期159-163,共5页
本文主要研究了n型GaN肖特基紫外光敏器件(包括GaN肖特基势垒紫外探测器,GaN肖特基二极管)的电子辐照效应和失效机理,以及辐照后二极管对不同波长光的光敏特性的变化。从实验中观测到,随着辐照注量的不断增加,GaN光敏器件的击穿电压明...
本文主要研究了n型GaN肖特基紫外光敏器件(包括GaN肖特基势垒紫外探测器,GaN肖特基二极管)的电子辐照效应和失效机理,以及辐照后二极管对不同波长光的光敏特性的变化。从实验中观测到,随着辐照注量的不断增加,GaN光敏器件的击穿电压明显减小,反向漏电流逐渐增大。证实了辐照后Au/GaN间产生的界面态是引起GaN肖特基势垒光敏器件辐照失效的原因。另外,在研究辐照效应对GaN肖特基二管光敏特性的影响时观测到,经过一定剂量的辐照后,GaN肖特基二管能探测到380nm的紫外光和可见光,而在辐照以前,它是探测不到的。这说明辐照效应将导致肖特基势垒光敏器件对较长波长的吸收,使得UV探测器中可见光成分的背景噪声增加。
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关键词
GaN
光敏器件
电子辐照
紫外探测器
肖特基二极管
辐照失效
金属/半导体界面
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职称材料
光敏器件及粘度自动测量仪
被引量:
1
10
作者
马跃廷
《仪表技术与传感器》
CSCD
北大核心
1995年第2期28-30,共3页
本文阐述了光敏器件在非电量测量中的重要作用.介绍了利用光敏器件并配以其他电子技术研制成的粘度自动测试仪.该仪器测量精度较乌氏粘度计提高近一个数量级.文中给出了测量结果和应用实例.
关键词
光敏器件
光
电转换
粘度自动测试仪
粘度计
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职称材料
注入光敏器件的探讨
被引量:
5
11
作者
石仲斌
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1997年第4期278-283,共6页
对注入光敏器件进行了分析,所得结果与注入光敏器件理论和器件设计的期望目标是相反的,并对产生这种结果的原因进行了讨论。认为开路受光大pn结并没有改善器件光电探测的灵敏度和探测率,其原因是开路pn结“注入电流”被抽取...
对注入光敏器件进行了分析,所得结果与注入光敏器件理论和器件设计的期望目标是相反的,并对产生这种结果的原因进行了讨论。认为开路受光大pn结并没有改善器件光电探测的灵敏度和探测率,其原因是开路pn结“注入电流”被抽取的机理难以实现。
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关键词
注入
光敏器件
间接耦合
光
电探测器
微
光
探测器
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职称材料
光敏器件
被引量:
5
12
作者
周兴华
《电子世界》
1999年第12期53-54,共2页
光敏器件包括光敏电阻、光敏二极管及光敏三极管等。光敏器件可以用来以可见光或红外光的形式控制报警器、测试仪、自动开关、继电器等多种装置或执行机构。因此光敏器件在自动化技术中起着极其重要的作用。 光敏电阻受光照后,其阻值会...
光敏器件包括光敏电阻、光敏二极管及光敏三极管等。光敏器件可以用来以可见光或红外光的形式控制报警器、测试仪、自动开关、继电器等多种装置或执行机构。因此光敏器件在自动化技术中起着极其重要的作用。 光敏电阻受光照后,其阻值会变小。光敏电阻的符号如图1所示,用来制作光敏电阻的典型材料有硫化镉(CdS)及硒化镉(CdSe)两种。光敏电阻的CdS或CdSe沉积膜面积越大,其受光照后的阻值变化也越大,故通常将沉积膜做成“弓”字形,以增大其面积。光敏电阻工作时的响应速度较慢,如CdSe光敏电阻的响应时间约为10ms,CdS的响应时间约为100ms。因此,光敏电阻通常都工作于直流或低频状态下。
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关键词
光敏器件
光
控电路
光
敏
电阻
光
敏
二极管
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职称材料
对“四论注入光敏器件的物理基础”一文的商榷
被引量:
1
13
作者
石仲斌
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第6期441-445,共5页
利用受光PN 结伏安特性方程,分别对受光PN 结的光电流输出、注入电流输出和零电流输出三种情况进行了讨论,进一步对注入光敏器件的物理基础进行探讨,并对一些实验问题进行讨论。
关键词
光
敏
三极管
注入
光敏器件
光
电二极管
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职称材料
光敏器件在冲床安全监测中的应用实例
14
作者
鲁兵
杨楚民
《光电技术》
1998年第4期75-76,共2页
本文介绍了一个利用光敏器件监测冲床冲庆的装置,该装置能方便地添加到冲床及其数控系统,线路简单,容易实现。
关键词
光敏器件
冲床
钣金冲压加工
安全监测
应用
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职称材料
典型硅光敏器件特性的综合评述
被引量:
2
15
作者
张君和
《上海半导体》
1991年第1期34-40,共7页
关键词
硅
光敏器件
光
电二极管
光
电三极管
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职称材料
简介几种各具特色的硅光敏器件
被引量:
1
16
作者
许正磊
《电子世界》
2019年第5期195-196,共2页
光敏器件是敏感器件中的重要类型,在光学测量、光纤通信、光探测、自动控制、仪器仪表、AI智能等科学技术和工业生产领域有十分广泛的应用。而硅光敏器件则是目前使用最广泛的光敏器件。近几年来,我国半导体硅光敏器件的研制与生产又有...
光敏器件是敏感器件中的重要类型,在光学测量、光纤通信、光探测、自动控制、仪器仪表、AI智能等科学技术和工业生产领域有十分广泛的应用。而硅光敏器件则是目前使用最广泛的光敏器件。近几年来,我国半导体硅光敏器件的研制与生产又有了多方面的进展。这些进展不仅表现在器件性能的提高和器件功能的扩展。而且表现在新型原理的提出与实施。
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关键词
光敏器件
半导体硅
工业生产
敏
感
器件
光
学测量
光
纤通信
自动控制
仪器仪表
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职称材料
广谱的聚合物/富勒烯光敏器件
17
《现代化工》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第12期94-94,共1页
由有机聚合物PDDTF和富勒烯衍生物组成的混合物形成了一种具有宽响应范围的光检测器。这是一种有前途的新型聚合物光检测器,它展示出从紫外到近红外全范围内检测光子前所未有的能力。光敏器件在当今的技术中被广泛作为工具,用于遥感...
由有机聚合物PDDTF和富勒烯衍生物组成的混合物形成了一种具有宽响应范围的光检测器。这是一种有前途的新型聚合物光检测器,它展示出从紫外到近红外全范围内检测光子前所未有的能力。光敏器件在当今的技术中被广泛作为工具,用于遥感、监视和和环境监测领域。
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关键词
有机聚合物
光敏器件
富勒烯
广谱
光
检测器
生物组成
环境监测
混合物
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职称材料
第六讲 半导体光敏器件及其应用
18
作者
陈华山
刘永强
《电世界》
1994年第6期32-35,共4页
半导体光敏器件是传感器件中的重要组成部分。当前人们广泛使用的光敏器件,主要用于可见光及红外光的接收及光电转换的自动控制仪器、触发器、特征识别、速度指示器、自动计数、自动报警以及编码器等方面。光敏器件在本讲座第一部分第...
半导体光敏器件是传感器件中的重要组成部分。当前人们广泛使用的光敏器件,主要用于可见光及红外光的接收及光电转换的自动控制仪器、触发器、特征识别、速度指示器、自动计数、自动报警以及编码器等方面。光敏器件在本讲座第一部分第六讲《信号接收电路(一)》中已有所涉及,现作为专题进行较为详尽的介绍。
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关键词
半导体
光敏器件
应用
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职称材料
基本光敏器件的光控电路分析
被引量:
4
19
作者
李加升
《益阳职业技术学院学报》
2006年第1期58-59,共2页
本文对光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管等常见的几种器件及其相关的应用电路进行了简单分析。
关键词
光敏器件
光
探电路
分析
原文传递
一种光敏电阻特性测量实验系统
被引量:
1
20
作者
闫羞玥
丁浩轩
黄佳豪
《中国科技信息》
2023年第19期120-125,共6页
光敏电阻是一种基于内光电效应制成的半导体光敏器件。在没有光照的暗环境下,光敏电阻中载流子浓度低,处于高阻态;随着光照增强,半导体中的电子空穴对增多,光敏电阻的阻值逐渐减小。它具有体积小、寿命长、成本低、灵敏度高、稳定性好...
光敏电阻是一种基于内光电效应制成的半导体光敏器件。在没有光照的暗环境下,光敏电阻中载流子浓度低,处于高阻态;随着光照增强,半导体中的电子空穴对增多,光敏电阻的阻值逐渐减小。它具有体积小、寿命长、成本低、灵敏度高、稳定性好、光谱范围宽、工作电流大等优点,在自动控制等各个领域中得到了广泛的应用并已经深入我们的生活。加强对光敏电阻各项特性的理解和掌握对我们未来使用相关的器件或利用光敏电阻设计产品有着很重要的意义。
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关键词
光
敏
电阻
光敏器件
电子空穴对
内
光
电效应
光
谱范围
特性测量
载流子浓度
自动控制
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职称材料
题名
注入光敏器件是一种新型的光电探测器
被引量:
7
1
作者
何民才
黄启俊
龙理
陈畅生
机构
武汉大学物理系
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1995年第4期356-364,共9页
文摘
注入光敏器件的理论是建立在公认的pn结光伏公式基础上的,有着可靠根据。严格的理论分析和实验证明抽取受光结的注入电流是可行的。注入光敏三极管与普通光敏三极管比较中可以看出它们之间有许多不同之处并显示出注入光敏器件的优良性能。
关键词
光
电探测器
注入
光敏器件
光敏器件
Keywords
Photodetector Injection Photosensor Photosensor
分类号
TN36 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
四论注入光敏器件的物理基础
被引量:
4
2
作者
何民才
黄启俊
乐望民
机构
武汉大学
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第4期263-270,共8页
文摘
叙述了从现象的发现到理论分析,然后用实验进行验证,最后利用这个现象研制成注入光敏器件的全过程,从而证明注入光敏器件有牢靠的物理基础。文中还分析了文献[1~5、10]中的几个主要不同论点及欠妥的讨论方法。
关键词
光
电
器件
光敏器件
注入
光敏器件
Keywords
Photodetector,Photosensor,Sensitivity
分类号
TN36 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
注入光敏器件耦合系数的讨论
被引量:
3
3
作者
何民才
黄启俊
陈炳若
机构
武汉大学
出处
《传感技术学报》
CAS
CSCD
1990年第1期37-40,共4页
文摘
本文提出了间接耦合这个新概念,在此基础上找到了间接耦合的具体形式——注入光敏器件.文中对耦合系数进行了详细讨论.实验证实,注入光敏器件的信噪比高于普通光敏器件约两个数量级,显示出它的实用可能性.
关键词
间接耦合
注入电流
注入
光敏器件
耦合系数
Keywords
indirect-coupling injection-current injeection-photosensor coupling coefficient
分类号
TP212-55 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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职称材料
题名
能用于微弱光探测的硅光敏器件
被引量:
3
4
作者
张君和
机构
武汉大学物理系
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1992年第1期51-55,共5页
文摘
讨论了光电二极管工作于零偏压模式,制作能探测微弱光的光电晶体管和达林顿光电晶体管,提高了第一级光电二极管的光暗电流比值和晶体管在小电流下的放大倍数 h_(FE)。
关键词
光敏器件
光
探测器
光
晶体管
Keywords
Photosensitive Device
Optical Detector
Phototransistor
分类号
TN36 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
光敏器件的γ辐照损伤
5
作者
李世清
张能立
机构
武汉大学
出处
《核技术》
CAS
CSCD
北大核心
1992年第12期728-730,共3页
文摘
研究了光敏二极管和三极管经反应堆γ辐照后(辐照剂量为10~4、10~5 和10~6Gy(Si))引起的损伤。结果表明,γ辐照使光敏器件的光电流 I_p、电流放大倍数β和光电响应时间t减小,暗电流I_d增加,结电容C基本不变。被辐照器件放置180d 后,又经180℃温度退火72h,所测光电参数并未得到复原。这说明γ辐照除造成瞬时损伤外,还会引起部分永久性损伤。
关键词
光敏器件
放射损伤
Γ辐射
Keywords
Photo - devices Irradiation damage Photo - ionization Displacement effect
分类号
TN36 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
注入光敏器件工作原理的模拟与分析
6
作者
杜树成
席丽霞
机构
北京师范大学低能核物理研究所
北京邮电大学理学院
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2000年第6期435-438,共4页
文摘
通过数值求解双极半导体器件的基本方程 ,研究了载流子在注入光敏器件内部的运动 ,得到了器件内部载流子的运动图像。在此基础上阐明了该种器件的工作原理。
关键词
光
电探测器
注入
光敏器件
模拟
半导体
器件
Keywords
photodetectors
injection photodetectors
simulation
分类号
TN364 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
注入光敏器件与MOS场效应结构比较
7
作者
何民才
黄启俊
王海军
机构
武汉大学物理系
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2000年第6期439-441,445,共4页
文摘
通过理论分析和实验证明了注入光敏器件并不是一种MOS场效应结构 。
关键词
光
探测器
注入
光敏器件
MOS场效应结构
Keywords
photodetector
injection photodetector
MOS field effect struet(
分类号
TN364 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
光敏器件及其应用
8
作者
王文生
机构
天津大学电子系
出处
《电气时代》
1989年第11期9-10,共2页
文摘
光敏器件是一种应用范围相当广的敏感元件。光是既有波动性又有微粒性的一种物质。光的粒子性表现在光电效应上,当一个光子射入到半导体中时,可将它的能量转移给电子,电子吸收了光子的能量,脱离原子核的束缚而参加导电过程,如果该过程只发生在半导体的内部,则称之为内光电效应;若该过程发生在半导体的外部,则称之为外光电效应。1.内光电效应。它包括两种现象:光电导效应及光生伏特效应。在室温条件下,半导体的导带只有一部分被电子占据着。当有足够能量的光子照射到半导体上时,满带中的电子吸收了光子能量。
关键词
光敏器件
光
敏
电阻
分类号
TN36 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
n-GaN肖特基势垒光敏器件的电子辐照效应
被引量:
3
9
作者
刘畅
王鸥
袁菁
钟志亲
龚敏
机构
四川大学物理科学与技术学院微电子学系
出处
《光散射学报》
2005年第2期159-163,共5页
文摘
本文主要研究了n型GaN肖特基紫外光敏器件(包括GaN肖特基势垒紫外探测器,GaN肖特基二极管)的电子辐照效应和失效机理,以及辐照后二极管对不同波长光的光敏特性的变化。从实验中观测到,随着辐照注量的不断增加,GaN光敏器件的击穿电压明显减小,反向漏电流逐渐增大。证实了辐照后Au/GaN间产生的界面态是引起GaN肖特基势垒光敏器件辐照失效的原因。另外,在研究辐照效应对GaN肖特基二管光敏特性的影响时观测到,经过一定剂量的辐照后,GaN肖特基二管能探测到380nm的紫外光和可见光,而在辐照以前,它是探测不到的。这说明辐照效应将导致肖特基势垒光敏器件对较长波长的吸收,使得UV探测器中可见光成分的背景噪声增加。
关键词
GaN
光敏器件
电子辐照
紫外探测器
肖特基二极管
辐照失效
金属/半导体界面
Keywords
GaN photosensitive devices
Electron irradiation
UV detector
Schottky barrier diode
Irradiation damage
Semiconductor-mental interfaces
分类号
O472.3 [理学—半导体物理]
下载PDF
职称材料
题名
光敏器件及粘度自动测量仪
被引量:
1
10
作者
马跃廷
机构
中国科学院长春应用化学研究所
出处
《仪表技术与传感器》
CSCD
北大核心
1995年第2期28-30,共3页
文摘
本文阐述了光敏器件在非电量测量中的重要作用.介绍了利用光敏器件并配以其他电子技术研制成的粘度自动测试仪.该仪器测量精度较乌氏粘度计提高近一个数量级.文中给出了测量结果和应用实例.
关键词
光敏器件
光
电转换
粘度自动测试仪
粘度计
Keywords
Photosensitive device O-E Conversion Automatical viscometer
分类号
TN379 [电子电信—物理电子学]
TQ056.4 [化学工程]
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职称材料
题名
注入光敏器件的探讨
被引量:
5
11
作者
石仲斌
机构
中国舰船研究院微电子中心
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1997年第4期278-283,共6页
文摘
对注入光敏器件进行了分析,所得结果与注入光敏器件理论和器件设计的期望目标是相反的,并对产生这种结果的原因进行了讨论。认为开路受光大pn结并没有改善器件光电探测的灵敏度和探测率,其原因是开路pn结“注入电流”被抽取的机理难以实现。
关键词
注入
光敏器件
间接耦合
光
电探测器
微
光
探测器
分类号
TN389 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
光敏器件
被引量:
5
12
作者
周兴华
出处
《电子世界》
1999年第12期53-54,共2页
文摘
光敏器件包括光敏电阻、光敏二极管及光敏三极管等。光敏器件可以用来以可见光或红外光的形式控制报警器、测试仪、自动开关、继电器等多种装置或执行机构。因此光敏器件在自动化技术中起着极其重要的作用。 光敏电阻受光照后,其阻值会变小。光敏电阻的符号如图1所示,用来制作光敏电阻的典型材料有硫化镉(CdS)及硒化镉(CdSe)两种。光敏电阻的CdS或CdSe沉积膜面积越大,其受光照后的阻值变化也越大,故通常将沉积膜做成“弓”字形,以增大其面积。光敏电阻工作时的响应速度较慢,如CdSe光敏电阻的响应时间约为10ms,CdS的响应时间约为100ms。因此,光敏电阻通常都工作于直流或低频状态下。
关键词
光敏器件
光
控电路
光
敏
电阻
光
敏
二极管
分类号
TN36 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
对“四论注入光敏器件的物理基础”一文的商榷
被引量:
1
13
作者
石仲斌
机构
中国舰船研究院微电子技术研究中心
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第6期441-445,共5页
文摘
利用受光PN 结伏安特性方程,分别对受光PN 结的光电流输出、注入电流输出和零电流输出三种情况进行了讨论,进一步对注入光敏器件的物理基础进行探讨,并对一些实验问题进行讨论。
关键词
光
敏
三极管
注入
光敏器件
光
电二极管
Keywords
phototransistor
injection photosensitive device
photodiode
分类号
TN361 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
光敏器件在冲床安全监测中的应用实例
14
作者
鲁兵
杨楚民
机构
华中理工大学
出处
《光电技术》
1998年第4期75-76,共2页
文摘
本文介绍了一个利用光敏器件监测冲床冲庆的装置,该装置能方便地添加到冲床及其数控系统,线路简单,容易实现。
关键词
光敏器件
冲床
钣金冲压加工
安全监测
应用
分类号
TG385.9 [金属学及工艺—金属压力加工]
TN379 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
典型硅光敏器件特性的综合评述
被引量:
2
15
作者
张君和
出处
《上海半导体》
1991年第1期34-40,共7页
关键词
硅
光敏器件
光
电二极管
光
电三极管
分类号
TN364 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
简介几种各具特色的硅光敏器件
被引量:
1
16
作者
许正磊
机构
黑龙江人民广播电台八一一台
出处
《电子世界》
2019年第5期195-196,共2页
文摘
光敏器件是敏感器件中的重要类型,在光学测量、光纤通信、光探测、自动控制、仪器仪表、AI智能等科学技术和工业生产领域有十分广泛的应用。而硅光敏器件则是目前使用最广泛的光敏器件。近几年来,我国半导体硅光敏器件的研制与生产又有了多方面的进展。这些进展不仅表现在器件性能的提高和器件功能的扩展。而且表现在新型原理的提出与实施。
关键词
光敏器件
半导体硅
工业生产
敏
感
器件
光
学测量
光
纤通信
自动控制
仪器仪表
分类号
TN36 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
广谱的聚合物/富勒烯光敏器件
17
出处
《现代化工》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第12期94-94,共1页
文摘
由有机聚合物PDDTF和富勒烯衍生物组成的混合物形成了一种具有宽响应范围的光检测器。这是一种有前途的新型聚合物光检测器,它展示出从紫外到近红外全范围内检测光子前所未有的能力。光敏器件在当今的技术中被广泛作为工具,用于遥感、监视和和环境监测领域。
关键词
有机聚合物
光敏器件
富勒烯
广谱
光
检测器
生物组成
环境监测
混合物
分类号
TN252 [电子电信—物理电子学]
TN36 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
第六讲 半导体光敏器件及其应用
18
作者
陈华山
刘永强
出处
《电世界》
1994年第6期32-35,共4页
文摘
半导体光敏器件是传感器件中的重要组成部分。当前人们广泛使用的光敏器件,主要用于可见光及红外光的接收及光电转换的自动控制仪器、触发器、特征识别、速度指示器、自动计数、自动报警以及编码器等方面。光敏器件在本讲座第一部分第六讲《信号接收电路(一)》中已有所涉及,现作为专题进行较为详尽的介绍。
关键词
半导体
光敏器件
应用
分类号
TN379 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
基本光敏器件的光控电路分析
被引量:
4
19
作者
李加升
机构
益阳职业技术学院
出处
《益阳职业技术学院学报》
2006年第1期58-59,共2页
文摘
本文对光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管等常见的几种器件及其相关的应用电路进行了简单分析。
关键词
光敏器件
光
探电路
分析
分类号
TN361 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
一种光敏电阻特性测量实验系统
被引量:
1
20
作者
闫羞玥
丁浩轩
黄佳豪
机构
哈尔滨工程大学
出处
《中国科技信息》
2023年第19期120-125,共6页
文摘
光敏电阻是一种基于内光电效应制成的半导体光敏器件。在没有光照的暗环境下,光敏电阻中载流子浓度低,处于高阻态;随着光照增强,半导体中的电子空穴对增多,光敏电阻的阻值逐渐减小。它具有体积小、寿命长、成本低、灵敏度高、稳定性好、光谱范围宽、工作电流大等优点,在自动控制等各个领域中得到了广泛的应用并已经深入我们的生活。加强对光敏电阻各项特性的理解和掌握对我们未来使用相关的器件或利用光敏电阻设计产品有着很重要的意义。
关键词
光
敏
电阻
光敏器件
电子空穴对
内
光
电效应
光
谱范围
特性测量
载流子浓度
自动控制
分类号
TN304.91 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
注入光敏器件是一种新型的光电探测器
何民才
黄启俊
龙理
陈畅生
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1995
7
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职称材料
2
四论注入光敏器件的物理基础
何民才
黄启俊
乐望民
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1998
4
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职称材料
3
注入光敏器件耦合系数的讨论
何民才
黄启俊
陈炳若
《传感技术学报》
CAS
CSCD
1990
3
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职称材料
4
能用于微弱光探测的硅光敏器件
张君和
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1992
3
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职称材料
5
光敏器件的γ辐照损伤
李世清
张能立
《核技术》
CAS
CSCD
北大核心
1992
0
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职称材料
6
注入光敏器件工作原理的模拟与分析
杜树成
席丽霞
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2000
0
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职称材料
7
注入光敏器件与MOS场效应结构比较
何民才
黄启俊
王海军
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2000
0
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职称材料
8
光敏器件及其应用
王文生
《电气时代》
1989
0
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职称材料
9
n-GaN肖特基势垒光敏器件的电子辐照效应
刘畅
王鸥
袁菁
钟志亲
龚敏
《光散射学报》
2005
3
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职称材料
10
光敏器件及粘度自动测量仪
马跃廷
《仪表技术与传感器》
CSCD
北大核心
1995
1
下载PDF
职称材料
11
注入光敏器件的探讨
石仲斌
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1997
5
下载PDF
职称材料
12
光敏器件
周兴华
《电子世界》
1999
5
下载PDF
职称材料
13
对“四论注入光敏器件的物理基础”一文的商榷
石仲斌
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1999
1
下载PDF
职称材料
14
光敏器件在冲床安全监测中的应用实例
鲁兵
杨楚民
《光电技术》
1998
0
下载PDF
职称材料
15
典型硅光敏器件特性的综合评述
张君和
《上海半导体》
1991
2
下载PDF
职称材料
16
简介几种各具特色的硅光敏器件
许正磊
《电子世界》
2019
1
下载PDF
职称材料
17
广谱的聚合物/富勒烯光敏器件
《现代化工》
CAS
CSCD
北大核心
2009
0
下载PDF
职称材料
18
第六讲 半导体光敏器件及其应用
陈华山
刘永强
《电世界》
1994
0
下载PDF
职称材料
19
基本光敏器件的光控电路分析
李加升
《益阳职业技术学院学报》
2006
4
原文传递
20
一种光敏电阻特性测量实验系统
闫羞玥
丁浩轩
黄佳豪
《中国科技信息》
2023
1
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