本文针对不同结构、尺寸的石墨烯场效应晶体管(graphene field effect transistors,GFET)开展了基于10 keV-X射线的总剂量效应研究.结果表明,随累积剂量的增大,不同结构GFET的狄拉克电压V_(Dirac)和载流子迁移率μ不断退化;相比于背栅型...本文针对不同结构、尺寸的石墨烯场效应晶体管(graphene field effect transistors,GFET)开展了基于10 keV-X射线的总剂量效应研究.结果表明,随累积剂量的增大,不同结构GFET的狄拉克电压V_(Dirac)和载流子迁移率μ不断退化;相比于背栅型GFET,顶栅型GFET的辐射损伤更加严重;尺寸对GFET器件的总剂量效应决定于器件结构;200μm×200μm尺寸的顶栅型GFET损伤最严重,而背栅型GFET是50μm×50μm尺寸的器件损伤最严重.研究表明:对于顶栅型GFET,辐照过程中在栅氧层中形成的氧化物陷阱电荷的积累是V_(Dirac)和μ降低的主要原因.背栅型GFET不仅受到辐射在栅氧化层中产生的陷阱电荷的影响,还受到石墨烯表面的氧吸附的影响.在此基础上,结合TCAD仿真工具实现了顶栅器件氧化层中辐射产生的氧化物陷阱电荷对器件辐射响应规律的仿真.相关研究结果对于石墨烯器件的抗辐照加固研究具有重大意义.展开更多
为丰富馒头营养和品种,向面团中加入马铃薯全粉,分析马铃薯全粉基本成分及物化特性,探究马铃薯全粉剂量效应对混粉、面团特性,以及馒头品质影响的研究。结果表明,马铃薯全粉中主要成分为淀粉,含量约为67.07%;马铃薯全粉的持水性、吸水...为丰富馒头营养和品种,向面团中加入马铃薯全粉,分析马铃薯全粉基本成分及物化特性,探究马铃薯全粉剂量效应对混粉、面团特性,以及馒头品质影响的研究。结果表明,马铃薯全粉中主要成分为淀粉,含量约为67.07%;马铃薯全粉的持水性、吸水膨胀性分别为3.57 g/g、2.49 m L/g;马铃薯全粉的粘度为12.71 m^2/s,与面粉混合可以增强面团的物化特性。马铃薯全粉的添加使得面团粉质特性变差,揉混特性变好,添加量为8%~15%时,面团糊化特性和拉伸特性较好;随着马铃薯全粉添加量的增加,马铃薯馒头表皮、内瓤白度降低;马铃薯全粉添加量为5%~8%时,馒头比容、硬度、胶着性和咀嚼性较大,感官评分高。综上所述,为提高面团特性,马铃薯全粉的建议添加量为8%~15%;为改善馒头品质,马铃薯全粉的建议添加量为5%~8%。展开更多
文摘本文针对不同结构、尺寸的石墨烯场效应晶体管(graphene field effect transistors,GFET)开展了基于10 keV-X射线的总剂量效应研究.结果表明,随累积剂量的增大,不同结构GFET的狄拉克电压V_(Dirac)和载流子迁移率μ不断退化;相比于背栅型GFET,顶栅型GFET的辐射损伤更加严重;尺寸对GFET器件的总剂量效应决定于器件结构;200μm×200μm尺寸的顶栅型GFET损伤最严重,而背栅型GFET是50μm×50μm尺寸的器件损伤最严重.研究表明:对于顶栅型GFET,辐照过程中在栅氧层中形成的氧化物陷阱电荷的积累是V_(Dirac)和μ降低的主要原因.背栅型GFET不仅受到辐射在栅氧化层中产生的陷阱电荷的影响,还受到石墨烯表面的氧吸附的影响.在此基础上,结合TCAD仿真工具实现了顶栅器件氧化层中辐射产生的氧化物陷阱电荷对器件辐射响应规律的仿真.相关研究结果对于石墨烯器件的抗辐照加固研究具有重大意义.
文摘为丰富馒头营养和品种,向面团中加入马铃薯全粉,分析马铃薯全粉基本成分及物化特性,探究马铃薯全粉剂量效应对混粉、面团特性,以及馒头品质影响的研究。结果表明,马铃薯全粉中主要成分为淀粉,含量约为67.07%;马铃薯全粉的持水性、吸水膨胀性分别为3.57 g/g、2.49 m L/g;马铃薯全粉的粘度为12.71 m^2/s,与面粉混合可以增强面团的物化特性。马铃薯全粉的添加使得面团粉质特性变差,揉混特性变好,添加量为8%~15%时,面团糊化特性和拉伸特性较好;随着马铃薯全粉添加量的增加,马铃薯馒头表皮、内瓤白度降低;马铃薯全粉添加量为5%~8%时,馒头比容、硬度、胶着性和咀嚼性较大,感官评分高。综上所述,为提高面团特性,马铃薯全粉的建议添加量为8%~15%;为改善馒头品质,马铃薯全粉的建议添加量为5%~8%。