化学气相沉积法制备ZnS中“彩色”来源和可见光散射控制研究

针对化学气相沉积法制备ZnS材料颜色变化、可见光散射等问题,采用自主开发的ZnS沉积系统,通过调整沉积工艺条件Zn/S比、沉积温度等相关条件,开展一系列从低温到高温、富Zn到富S的生长沉积试验。研究结果表明:制备的ZnS呈现灰色(富Zn、较低温)→浅白色(富S、较高温)的变化规律,颜色偏红的ZnS透过性能更好;沉积温度过高,ZnS生长快,晶体中微孔和六方相结构ZnS会增多,造成光的散射增加,影响材料的透过性能。

用化学气相沉积(CVD)法制备硫化锌(ZnS)体块材料中晶体缺陷和生长工艺的研究

本文报道了用化学气相沉积 (CVD)法制备高质量红外光学体块材料硫化锌 (ZnS)的制备工艺 ,研究了晶体缺陷对其光学性能的影响。XRD ,XEM及IR表明 ,采用优化的沉积工艺和热等静压后处理 ,减少晶体中杂质、微孔、六方结构ZnS及Zn H键的形成 ,使生长的CVDZnS具有高的红外透过率 。

化学气相沉积法合成ZnS纳米球

以碳纳米管层作为空间限制反应的模板 ,采用化学气相沉积法 (CVD)生长ZnS纳米球 .透射电子显微镜 (TEM)和X射线衍射 (XRD)实验结果显示出其生成物为 β ZnS纳米球 ,直径为70nm左右 ,具有颗粒均匀、纯度高、产率大、成本低、适于批量化生产等特点 .

化学气相沉积法ZnS块材料的生长

本文用化学气相沉积法制备了ZnS薄膜和块材料；观察了ZnS在具有不同表面粗糙度的石墨和石英基体上的成核和长大行为；研究了沉积温度、H2S和Zn蒸汽流量对ZnS生长速率的影响规律．

化学气相沉积法制备ZnS块材料的相结构

用化学气相沉积法制备了红外晶体ＺｎＳ块材料；分别用ＸＲＤ和ＴＥＭ分析了所沉积ＺｎＳ的相结构，并用ＩＲ测试了其红外透过率。结果表明：在沉积温度为５５０～７００℃，Ｈ２Ｓ／Ｚｎ摩尔流量比为０．５～２０的条件下所沉积ＺｎＳ的相结构主要为闪锌矿结构；随着沉积温度的升高和Ｈ２Ｓ／Ｚｎ摩尔流量比的增大，ＺｎＳ中有纤锌矿结构出现且其含量增多，导致了ＺｎＳ红外透过率的降低。

化学气相沉积制备ZnS块材料均匀性的研究

以硫化氢气体与锌为原料，通过化学气相沉积制备了ＺｎＳ块材料。分析了ＺｎＳ的沉积过程机理，研究了沉积参数如沉积温度、沉积区压力和硫化氢、锌蒸汽、载气氩气流量对ＺｎＳ厚度均匀性的影响规律，提出了改善ＺｎＳ厚度均匀性、抑制沉积表面球状物生长的途径。

以ZnS为源用化学气相沉积法在硅衬底上生长ZnO纳米颗粒

首次以ZnS为源 ,采用化学气相沉积法在抛光的Si单晶片衬底上生长晶态的ZnO纳米颗粒 ,其形貌、尺寸和密度都与气体流量、衬底温度、生长时间以及有无催化剂等生长条件密切相关 .在没有Au催化的条件下 ,ZnO颗粒呈圆形颗粒 ,直径多在 30 2 0 0nm之间 ,密度为 10 4— 10 9cm-2 ;有Au催化的条件下 ,ZnO纳米颗粒呈六边形 ,平均尺寸明显变小 ,在 10 10 0cm之间 ,而密度显著提高 ,为 10 8— 10 10 cm-2 .所制备的纳米ZnO颗粒在 4 97nm和

化学气相沉积法制备ZnSe微球

采用化学气相沉积方法,以NiSe2为前驱体,制备出尺寸均匀、分散度好的ZnSe微球。通过XRD、EDS和FESEM对产物的结构、成分和形貌进行了测试与表征。结果表明：所得ZnSe微球为立方闪锌矿结构,直径在800~1000 nm之间,具有近于理想的化学计量比。变温光致发光谱研究表明,ZnSe微球在550~640 nm处存在与Zn空位及杂质能级相关的发光峰。

化学气相沉积(CVD)工艺对ZnS力学性能影响的研究

介绍了化学气相沉积法(CVD)制备ZnS过程中,CVD工艺对材料相关力学性能的影响和控制方法。通过X射线衍射分析、扫描电镜和金相显微镜等手段研究了不同工艺下制备的ZnS样品材料的内部结构和缺陷,提出了ZnS生长过程中晶粒尺寸和材料缺陷的控制方法。研究结果表明,设计合理的喷嘴结构,营造稳定的CVD生长环境,提高CVDZnS毛坯一致性,抑制材料缺陷形成,有助于提升ZnS材料力学相关性能。

化学气相沉积ZnS块材料的均匀性

本文以Ｈ２Ｓ与Ｚｎ为原料，通过化学气相沉积制备了ＺｎＳ块材料。分析了ＺｎＳ的沉积过程机理，研究了沉积参数如沉积温度、沉积区压力和Ｈ２Ｓ、Ｚｎ蒸汽、载气Ａｒ流量对ＺｎＳ厚度均匀性的影响规律，提出了改善ＺｎＳ厚度均匀性、抑制沉积表面球状物生长的途径。

低压化学气相沉积法制备ZnSe多晶及其性能研究

以单质 Zn,Se 和 H2为原料,采用低压化学气相沉积方法在温度为 630℃～750℃,压力为 300 Pa～1 000 Pa条件下制备出了性能优异的 ZnSe 多晶材料。性能测试表明,制备出的 CVD ZnSe 多晶材料在 0.55 μm^22 μm, 及 8 μm^14 μm 波段的平均透过率超过 70% (1 mm 厚),在 3.39 μm 处的应力双折射为 54 nm/cm。其光学透过性能与美国采用Zn 和 H2Se 气体为原料制备出的 CVD ZnSe 多晶非常接近。

化学气相沉积ZnS、ZnSe研究进展

化学气相沉积(CVD)ZnS、ZnSe具有较高的红外透过率及良好的光学、力学性能,是红外军用探测系统首选的红外光学材料。大尺寸、高均匀性ZnS、ZnSe材料的制备是未来研究的重要课题。本文介绍了CVD的原理及在沉积过程中存在的主要问题,阐述了高性能红外材料必备的光学性能,综述和分析了CVD ZnS、CVD ZnSe的研究进展,以及这两种材料主要缺陷形成机理与工艺控制研究。旨在改进生产工艺参数,为批量化制备高性能ZnS、ZnSe材料提供理论参考,以满足其在军事领域上的应用。

热丝化学气相沉积法制备单晶金刚石的试验研究

热丝化学气相沉积法沉积区域可达12英寸(30.48 cm),其具备大批量生产单晶金刚石的潜力。采用尺寸为3 mm×3 mm×1 mm,(100)取向的单晶金刚石为基体,利用热丝化学气相沉积法以甲烷和氢气为前驱体,同时通入少量氮气进行同质外延生长。结果表明,在热丝温度为2200℃、碳源浓度为4%、腔体气压为4 kPa的条件下,单晶金刚石以3.41μm/h的速度生长,表面无多晶、破口、孔洞等缺陷;外延层X射线衍射光谱在(400)面处峰值的半高宽为0.11°,低于基体的半高宽0.16°,证明外延层具有较高的晶体质量;氮气的引入可以提升单晶金刚石的生长速度,同时降低外延层的晶体质量,较高的氮气浓度还会使得单晶金刚石的生长模式转为岛状生长。

ZnS晶体的化学气相沉积生长

本文报道了用化学气相沉积(CVD)法生长ZnS透明多晶体的实验结果,对生长的晶体的物理化学性能进行了测试,讨论了化学气相沉积工艺中影响ZnS晶体质量的因素。结果表明:选用固体硫作原料,用化学气相沉积方法,可以沉积出透明ZnS多晶体;它的透过性能极其优异,在6.2μm处无吸收峰,在中、长波红外透过率可达70%以上。

化学气相沉积法制备ZnSe多晶材料的缺陷研究

本文介绍了ZnSe晶体的制备方法及其重要应用背景,系统地总结了化学气相沉积法(CVD)制备ZnSe过程中产生的各类缺陷,包括云雾、孔洞和微裂纹、夹杂、分层和胞状物。采用SEM、体视显微镜、金相显微镜、傅里叶光谱仪等方法对缺陷进行了表征。结合国内外文献和检测结果,对各类缺陷可能的产生机理及抑制方法进行了阐述与分析。

用化学气相沉积法制备红外体块晶体ZnS(英文)

本文报道了采用化学气相沉积法制备红外ZnS体块晶体的工艺及其性能。并用傅立叶红外光谱仪测试了材料的红外性能 ,研究了晶体缺陷对材料红外透过率的影响。结果表明 :通过优化生长工艺 ,使反应室的压力在 5 0 0～ 10 0 0Pa之间变化 ,沉积温度控制在 5 5 0～ 6 5 0℃之间 ,可以制备出厚度均匀 ,红外透过率 (3- 5 μm和 8～ 12 μm)在70 %以上 ,尺寸达 2 5 0mm× 2 5 0mm× 15mm高质量的ZnS体块晶体。

化学气相沉积法制备ZnO纳米结构薄膜及其SERS活性研究

Zinc oxide nanostructure thin films were prepared on quartz slides via chemical vapour deposition(CVD). Various nanostructures such as nanorod, nanowires and surface-rough nanocubes, could be obtained under carefully tuning experimental conditions. The surface-enhanced Raman scattering(SERS) character of these films was investigated by using 4-mercaptopyridine(4-MPY) as the probing molecule.

中温化学气相沉积(MTCVD)工艺技术及超级涂层材料的研究

采用MT CVD工艺技术 ,用CH3 CN等含有C/N原子团的有机化合物 ,在 70 0～ 90 0℃沉积组织致密、层间结合强度好、柱状结晶的超级TiCN涂层。研究了沉积温度、压力、不同气体流量等工艺参数对TiCN涂层组织结构及性能的影响规律 ;分析了超级涂层材料设计机理和结构 ,给出了在经过改造的高温化学气相沉积 (HT CVD)设备上应用HT CVD和MT

气溶胶辅助化学气相沉积制备Al掺杂ZnO透明导电薄膜

采用气溶胶辅助化学气相沉积(AACVD)法在玻璃衬底上制备了Al掺杂ZnO(AZO)薄膜.研究了Al掺杂(2at%～8at%)对ZnO薄膜结构及光电性能的影响.利用XRD、SEM、EDAX、紫外可见分光光度计等手段对样品进行测试.结果表明,制备的所有AZO薄膜均具有纤锌矿结构,不具有沿c轴方向的择优取向,XRD图谱中未观察出Al的相关分相.在可见光范围内,AZO薄膜的平均透过率大于72%,光学禁带宽度随Al掺杂量的增加而变窄.同时根据四探针技术所得的数据得知:Al的掺杂导致薄膜方块电阻的变化,随着Al掺杂量的增加,方块电阻有明显变小的现象,掺杂6at%Al的AZO薄膜具有最低方块电阻(18Ω/□).

氧分压对化学气相沉积法合成ZnO纳米结构形貌的影响

本文利用化学气相沉积(CVD)法在镀有Au(10 nm)膜的单晶Si(100)上制备了ZnO薄膜,并研究了不同的氧分压对ZnO形貌的影响。借助扫描电镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和透射电子显微镜(TEM)对样品的形貌、结晶质量和晶体生长取向进行了表征。结果表明:当O2分压较小的时候,O2只能与Zn团簇的某些界面发生反应并逐渐结晶生成层状的ZnO微米团簇。当O2分压较大的时候,ZnO通过二次生长形成由微米柱阵列和表面无序纳米线构成的分层复合结构,并且表面纳米线的密度随着氧分压的增加而增加。高分辨透射电镜(HRTEM)和选取电子衍射(SAED)分析表明,单根纳米线是沿[001]方向生长的ZnO单晶。