某电源模块厚膜电阻硫化机理及防护对策

针对本单位某型电子产品内主板的电源模块上的厚膜电阻首次出现硫化的问题,开展了行业现状调研,研究了厚膜电阻硫化机理,分析了电源模块上厚膜电阻硫化的原因。从器件选型、设计优化、工艺改进三个方面提出了提升电源模块抗硫化能力的防护措施。重点论述了涂覆三防漆的改善措施,且经工艺验证可行,能够起到提升电源模块防硫化能力的作用。

某电路模块厚膜电阻硫化故障分析及预防措施

通过某电子产品自检异常问题的排故处理,研究了片式厚膜电阻被硅橡胶覆盖后硫化失效问题,发现电阻硫化的主要原因是端电极被硅橡胶覆盖,硅橡胶的多孔结构易吸附周围环境中的硫元素,高浓度的硫化气体通过端电极金属镀层与包覆层间的缝隙进入电阻内部,与银电极发生硫化腐蚀,导致产品故障。针对该问题,提出了改进工艺使硅橡胶避开电阻端电极,以及选用防硫化电阻、涂覆更抗硫化的三防漆和灌封胶等预防措施,以有效提高该类电子产品的抗硫化能力。

厚膜电阻的研究现状及发展趋势

首先描述了厚膜电阻的基本结构,介绍了制作厚膜电阻的各种材料,然后详细地阐述了厚膜电阻的制备工艺,探讨了厚膜电阻的导电机理和近年来的发展趋势。

钌系厚膜电阻重烧变化特性的研究

采用高温熔融-水淬法制备玻璃相,固相法制备导电相Bi2Ru2O7、CaRuO3和BaRuO3,水浴溶解法制备有机载体,配制成电阻浆料后印制成电阻,经烘干、烧结后测算其重烧变化率。研究了玻璃组成中硼硅比例B2O3/SiO2、混合玻璃粉比例以及导电相对重烧变化率的影响。提出了改善电阻重烧变化率的几种办法。制备出的几种电阻浆料重烧变化率较小,可满足使用要求。

烧结温度对厚膜电阻的影响研究

以钌系R-2200厚膜电阻浆料作为研究对象,探讨了烧结温度、保温时间和升温速率工艺因素对其阻值及电阻温度系数(TCR)的影响。利用导电机理模型和液相烧结模型,说明了烧结工艺对钌系厚膜电阻性能的影响。实验数据与SEM表明:厚膜浆料烧结温度在875℃时,结构均匀且致密性好;烧结温度过低时,结构不稳定,功能相没有形成导电网络;而烧结温度过高时,RuO2晶粒异常长大,导电链断裂,势垒升高。

用激光微细熔覆法直写电阻浆料制备厚膜电阻

介绍了一种激光微细熔覆法直写电阻浆料制备厚膜电阻的新技术,并利用该技术在陶瓷基板上制备出厚膜电阻。文章中展示了部分实验结果,并分析了其附着机理。由于激光微细熔覆直写电阻技术具有无需掩模、图形由计算机控制、分辨率高、柔性化制造程度高等优点,显示该技术在电子工业中将具有广阔的应用前景。

BaPbO_3/Ag复合体系大功率厚膜电阻浆料的研究

提出以BaPbO3/Ag复合体系作为功能相制备低成本大功率厚膜电阻浆料的思想,研究Ag含量、峰值烧结温度对厚膜电阻电性能和热稳定性的影响,并从导电机理方面对实验结果进行了分析讨论。

钉基厚膜电阻中钽钌酸铅颗粒尺寸效应的研究

本文研究了钌基厚膜电阻导电相图钌酸铅(Pb_2(Ta_x,Ru_(2-x))O_σ+σ)(δ=0.1)颗粒尺寸对其阻值和电阻温度系数(TCR)的影响。发现适当控制颗粒度大小,可获得具有稳定阻值和TCR的厚膜电阻。

厚膜电阻浆料有机载体的改进

厚膜电阻浆料有机载体的改进李同泉（昆明贵金属研究所昆明６５０２２１）ＩｍｐｒｏｖｅｍｅｎｔｏｆＯｒｇａｎｉｃＣａｒｉｅｒｆｏｒＴｈｉｃｋ－ｆｉｌｍＬｉＴｏｎｇｑｕａｎ（ＫｕｎｍｉｎｇＮｏｂｌｅＭｅｔａｌＩｎｓｔｉｔｕｔｅ，Ｋｕｎｍｉｎｇ，６５０２２１...

一种新型NTC厚膜电阻的制备及电性能研究

以新型BaCoⅡ 0.05CoⅢ0.1Bi0.85O3材料为基体,以CuO为烧结助剂,在790、800、810℃烧结4h制备了NTC厚膜电阻。借助XRD、SEM和阻温特性测试仪,研究了CuO含量对电阻相组成、微观结构及电性能的影响。结果表明：烧结温度为800℃的NTC厚膜电阻主要物相为具有复合立方钙钛矿结构的BaCoⅡ0.05CoⅢ0.1Bi0.85O3,并有少量Bi2O3剩余;该组电阻表面颗粒均匀细小,致密性随CuO含量的增加而趋于增加。对烧结温度为790℃的电阻来说,其室温电阻R25和B25/85随CuO含量的增加而逐渐降低;该电阻的R25、B25/85及活化能Ea分别为0.98-13.40kΩ、931-1855K和0.08-0.16eV。

高性能钌系低阻值厚膜电阻浆料的研究

通过在钌系电阻浆料配方中加入多种金属及金属氧化物粉末的大量实验，推出了制备高性能钌系低阻值（≤１０Ω／□）厚膜电阻浆料的方法。

MCM-C基板上的多层互连及厚膜电阻的可靠性研究

重点研究了MCM-C基板中多层互连和厚膜电阻的可靠性.试验采用温度应力和电应力的双应力加速寿命试验.试验发现,温度小于180℃时互连失效在MCM-C基板失效中占主要地位,膜电阻失效相对互连失效可忽略不计.在温度高于180℃时膜电阻失效将起较大作用,即膜电阻比互连温度加速系数要大.重点计算了膜电阻和互连寿命分布及加速系数.

TiB_2掺杂对316L不锈钢厚膜电阻抗氧化性能的影响

目的厚膜电阻在电热膜方面的应用越来越广,而对于多孔陶瓷基体表面的厚膜电阻抗氧化性能的研究尚不多见。方法通过恒温氧化实验研究了TiB_2掺杂对不锈钢厚膜电阻在400、500、600、700℃下抗氧化性能的影响,采用XRD、SEM和EDS等方法分析了未掺杂及TiB_2掺杂两种厚膜电阻的相组成和显微组织。结果两种厚膜电阻的氧化动力学曲线均符合类抛物线模型,即(Δw)n=kt。在400℃下,两种厚膜电阻的指数n均为4,掺杂TiB_2电阻膜的氧化速率常数K1为1955.8 g4/(m8·h),而未掺杂TiB_2电阻膜的氧化速率常数K2为4694.9 g4/(m8·h),这是由于掺杂TiB_2厚膜电阻的致密度较高,使得厚膜电阻的抗氧化性能得以提高。高于500℃时,两种厚膜电阻的指数n均为2,掺杂TiB_2厚膜电阻的氧化速率常数大于未掺杂厚膜电阻。这是由于TiB_2氧化致使膜层内部出现间隙,膜层内部氧化严重(氧化产物主要为TiO_2、B_2O_3、Fe_2O_3以及(Fe_(0.6)Cr_(0.4))_2O_3),厚膜电阻抗氧化性能降低。结论不锈钢厚膜电阻中掺杂TiB_2可在400℃下提高膜层的抗氧化性能,而在500℃以上的高温环境下却有损于膜层的抗氧化性能。

钌系厚膜电阻器阻值受烧结温度影响机理的探讨

本文介绍了钌系厚膜电阻器阻值受烧结温度影响机理的实验的研究。用ＡＦＭ、ＳＥＭ和ＡＥＳ分析了经不同峰值温度烧成的厚膜电阻体、电阻体与陶瓷衬底和电阻体与电极界面的结构和成份。研究表明，不同峰值温度烧成的厚膜电阻器，由于微观结构的不同，其阻值存在着较大的差异。当峰值烧结温度较低时，形成的电阻体结构不致密、不均匀，导电颗粒之间和电阻体与电极之间的接触电阻大，厚膜电阻器呈现大的阻值。当烧结峰值温度较高时，导电链中导电颗粒直接接触的几率下降，厚膜电阻器的阻值也会比典型峰值温度烧成的高。

钌酸铋、铱酸铋厚膜电阻材料

当配比Bi_2Ru_2O_7/玻璃从15/85变化到70/30,850℃烧结后,方阻从1.60MQ/□变到6.28Ω/□,TCR从-60ppm/℃变到200ppm/℃。当配比Bi_2Ir_2O_7/玻璃从20/80变到70/30,780℃烧结,方阻从1.1MΩ/□变到77.9Ω/□,TCR从-274ppm/℃变到269ppm/℃。高温(950℃)煅烧制得的Bi_2Ru_2O_7、Bi_2Ir_2O_7与低温(600℃、700℃)制得的相比,方阻高,TCR较负,前者宜作高电阻膜,后者宜作低电阻膜。掺入Al_2O_3、SiO_2使方阻增大,而TCR和噪声良好,TiO_2使TCR较负。Au粉使方阻急降,但改善TCR。Pt粉对方阻和TCR无明显影响。Bi_2O_3或MnO_2使TCR由正值偏向负值方向。150℃、1000小时热存放后,Bi_2Ru_2O_7低阻变化较大,高阻变化率为±1％;Bi_2Ir_2O_7阻值变化率小于0.8％。Bi_2Ir_2O_7与Bi_2Ru_2O_7相比,噪声低,TCR略大。

RuO_2厚膜电阻体的阻值与TCR的关系

ＲｕＯ_２厚膜电阻体方阻Ｒ_ｓ、基片的热膨胀系数ａ_（ｓｕｂ）与ＲｕＯ_２厚膜电阻体的电阻温度系数ＴＣＲ间有一定的关系，讨论了从电阻体的Ｒ_ｓ计算其ＴＣＲ之方法。

MCM-C中厚膜电阻的寿命分布及退化规律的研究

重点研究了MCM—C基板的可靠性,包括厚膜电阻、基板布线以及互连通孔。试验采取加温度应力与电应力的双应力加速寿命试验。试验中发现,厚膜电阻的退化先于基本布线和互连通孔,故厚膜电阻的退化在MCM—C基板可靠性中起主要的作用;重点讨论了厚膜电阻在热电应力下的失效规律及寿命分布,试验结果表明厚膜电阻的寿命分布服从威布尔分布。

厚膜电阻导电机理的探讨

以钯-银电阻(Pd-Ag玻璃系)材料为研究对象,分析了厚膜电阻常见的4种导电机理,为我们理解厚膜电阻的导电过程提供了帮助。

印制电路板内埋薄膜电阻和聚合厚膜电阻的可靠性初步评估

多层印制板内埋无源元件,可以节省有源元件安装面积,减小印制板尺寸,提高设备功能、提升安全性,并降低制造成本。由于制作完成后内埋式无源元件不可替换,元件是否拥有长期稳定性和可靠性是制造商最关心的方面。文章给出了内埋NiP薄膜电阻和聚合厚膜电阻持续作业的可靠性测试结果,讨论了无铅焊接模拟和温度循环测试(-40℃^+85℃)的温度对阻值的影响。

复合无机粘结剂对钌酸铋/银基厚膜电阻性能影响

采用钙铝硅玻璃和硼硅酸铅玻璃组成的复合体系作为无机粘结剂制备厚膜电阻浆料,研究复合无机粘结剂对厚膜电阻各性能的影响。结果表明,二组元在复合体系中体积分数的改变影响钌酸铅“过渡层”的存在状态和无机粘结剂中晶相和玻璃相的比例,使厚膜电阻的方阻和电阻温度系数随之变化,当二组元体积分数均为50%时,制备的电阻膜性能稳定,重烧变化率为2.7%。