半导体激光测距仪用双脉冲电路设计

针对采用单脉冲便携式激光测距机难以测量中远距离的缺点,设计出用于半导体激光测距仪的大电流双脉冲驱动电路,利用二值化高速数据采集方法实现了测距功能。应用该电路制作的便携式测距原型机,在无合作目标的情况下,整机系统测量距离达1750 m,命中率高达95%以上。经过测试表明,双脉冲测距电路具有功耗低、测量距离远、命中率高、测试方便等特点,具有实际使用价值。

晶闸管双脉冲触发电路的改进

通过对常规双脉冲触发电路所产生的脉冲波形顶部倾斜现象的分析 ,提出了对该电路的改进措施。在研制低频矿热炉电源的过程中 ,通过现场应用 ,获得了较满意的结果 。

RC缓冲电路对GaN E-HEMTs开关电压振荡影响分析

相对于传统硅(Si)器件,氮化镓(GaN)功率器件有着更优越的性能,包括更高的开关频率和功率密度及更低的开关损耗等特点。由于高速的开关特性,器件的寄生电容与线路中的寄生电感会发生谐振,从而导致器件两端电压发生过冲和振荡的现象。此处利用一种双脉冲测试电路,对GaN器件的开关过程进行建模分析,设计合理的缓冲电路有效抑制电压过冲和振荡的问题。最后利用GS66504B GaN E-高电子迁移晶体管(HEMTs)评估板,对缓冲电路设计参数进行实验研究并修正,实验结果验证了缓冲电路方案的有效性。

IGBT模块的双脉冲测试分析

阐述一种使用双脉冲实验测试功率模块中IGBT性能时遇到的问题,解决方法,包括双脉冲电路原理、双脉冲实验器件的电压和电流特性。

4.5kV高压快恢复二极管的Spice子电路设计

阐述基于4.5kV高压快恢复二极管,采用集总电荷法搭建了高压快恢复二极管的等效子电路,探讨LTSpice仿真软件进行测试仿真,通过双脉冲电路对模型参数进行调整,使得到的子模型能够完整地描述高压快恢复二极管的特性。通过与常温与高温实测波形进行比对,证实Spice子电路对描述二极管器件特性的可行性,提出的子电路模型,对于高压快恢复二极管的系统仿真和器件结构仿真,具有参考价值。

寄生参数对SiC MOSFET开关特性的影响

为了研究高开关速度下寄生参数对SiC MOSFET开关特性的影响,以双脉冲测试电路为平台,借助于LTspice软件,探讨了栅极寄生电阻RG、寄生电感以及寄生电容对SiC MOSFET开通和关断时间,开通和关断损耗,电压和电流尖峰的影响。结果表明:RG对寄生振铃有抑制作用,但需要以增大开关时间和开关损耗为代价;源极电感LS具有负反馈作用,其对寄生振铃的抑制也是以增大开关时间和开关损耗为代价;漏极电感LD和栅极电感LG的增加都会使电流和电压尖峰增大,LD的作用较LG明显;漏源极电容CDS是产生电压和电流尖峰的主要因素;栅漏极电容CGD的大小决定了漏源极电压uDS的变化速率;栅源极电容CGS主要决定了器件的开关延时时间和漏极电流的变化速率,对寄生振铃影响不大。