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反冲原子对低速离子轰击Si表面时电子发射产额的影响 被引量:3
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作者 王建国 徐忠锋 +4 位作者 赵永涛 王瑜玉 李德慧 赵迪 肖国青 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第11期7803-7807,共5页
在兰州重离子加速器国家实验室电子回旋共振离子源高电荷态原子物理实验平台上,用低能(0.75keV/u≤EP/MP≤10.5keV/u,即3.8×105m/s≤vP≤1.42×106m/s)He2+,O2+和Ne2+离子束正入射到自清洁Si表面时二次电子发射产额的实验结果... 在兰州重离子加速器国家实验室电子回旋共振离子源高电荷态原子物理实验平台上,用低能(0.75keV/u≤EP/MP≤10.5keV/u,即3.8×105m/s≤vP≤1.42×106m/s)He2+,O2+和Ne2+离子束正入射到自清洁Si表面时二次电子发射产额的实验结果.结果表明电子发射产额γ近似正比于入射离子动能EP/MP.在相同动能下,γ(O)>γ(Ne)>γ(He),对于原子序数ZP比较大的O2+和Ne2+离子,ZP大者反而γ小,这与较高入射能量时的结果截然不同.通过计算不同入射能量下入射离子的阻止能损S,发现反冲原子对激发二次电子的作用随入射离子能量的降低显著增大,这正是导致在较低能量范围内二次电子发射产额与较高入射能量时存在差异的主要原因. 展开更多
关键词 低速高电荷态离子 电子发射 反冲原子 阻止能损
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^(201)Pb经电子俘获衰变的反冲子体^(201)Tl氧化态的研究
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作者 李太华 刘正浩 +2 位作者 孙兆祥 金昱泰 刘伯里 《北京师范大学学报(自然科学版)》 CAS 1988年第4期81-83,共3页
描述了母体^(201)Pb原子在不同介质和化学环境,经电子俘获衰变后生成的反冲子体^(201)T1原子的化学价态。结果表明,^(201)Pb在所选择的化学环境中衰变生成的子体^(201)T1主要以^(201)T1^+态存在。
关键词 201Pb 电子俘获 反冲原子 201Tl 氧化态
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质子和中子在硅中位移损伤等效性计算 被引量:5
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作者 王园明 郭晓强 +10 位作者 罗尹虹 陈伟 王燕萍 郭红霞 张凤祁 张科营 王忠明 丁李利 闫逸华 赵雯 肖尧 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第7期1803-1806,共4页
基于蒙特卡罗软件Geant4,探讨质子与硅的库仑散射和核反应及中子与硅的核反应产生反冲原子沉积非电离能量的过程,建立质子和中子在硅中的非电离能量阻止本领计算方法。在此方法中,描述了原子间库仑散射的物理过程,模拟带电粒子与晶格原... 基于蒙特卡罗软件Geant4,探讨质子与硅的库仑散射和核反应及中子与硅的核反应产生反冲原子沉积非电离能量的过程,建立质子和中子在硅中的非电离能量阻止本领计算方法。在此方法中,描述了原子间库仑散射的物理过程,模拟带电粒子与晶格原子之间的屏蔽库仑散射。计算得到不同能量质子和中子在硅中因库仑散射和核反应产生反冲原子的非电离能量沉积及阻止本领的等效性,计算结果与中子ASTM标准及文献计算得到的质子数据符合很好。 展开更多
关键词 中子 质子 反冲原子 非电离能量阻止本领
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GEANT4SPE质子屏蔽和半导体材料辐射效应模拟 被引量:2
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作者 路伟 王同权 +2 位作者 王尚武 陈达毅 王兴功 《计算物理》 EI CSCD 北大核心 2009年第4期591-596,共6页
利用蒙特卡罗软件GEANT4模拟太阳宇宙射线中能量为1 MeV^10 GeV质子对航天飞行器的影响,透射质子对半导体材料的损伤效应,计算外壳铝层对质子能谱的屏蔽效应.模拟结果表明,质子在介质中的线性能量转移、射程等和参考数据吻合较好;沿质... 利用蒙特卡罗软件GEANT4模拟太阳宇宙射线中能量为1 MeV^10 GeV质子对航天飞行器的影响,透射质子对半导体材料的损伤效应,计算外壳铝层对质子能谱的屏蔽效应.模拟结果表明,质子在介质中的线性能量转移、射程等和参考数据吻合较好;沿质子轨迹纵向能量沉积出现Bragg峰,且非弹性作用是影响能量沉积Bragg曲线的重要因素;对于半导体Si材料,反冲原子主要分布在质子轨迹线周围,并沿轨迹线横向‘扩散’,浓度降低;Al层屏蔽使入射质子能谱硬化,当Al层厚度超过10 mm时,厚度增加对屏蔽效果的改善不明显,反而次级粒子辐射增强效应变大. 展开更多
关键词 GEANT4 线性能量转移 射程 反冲原子
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基于Geant4模拟质子在半导体Si材料中的NIEL值 被引量:8
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作者 路伟 王同权 +1 位作者 王兴功 刘雪林 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第7期529-531,共3页
利用蒙特卡洛软件GEANT4模拟了质子对半导体Si材料的位移损伤效应的能量损失。根据反冲原子的能量,引入反冲原子能量Lindhard-Robinson-Akkerman分离函数,模拟结果表明10 MeV-1 GeV能量范围内的质子位移能量损失值和Jun、Summers等结果... 利用蒙特卡洛软件GEANT4模拟了质子对半导体Si材料的位移损伤效应的能量损失。根据反冲原子的能量,引入反冲原子能量Lindhard-Robinson-Akkerman分离函数,模拟结果表明10 MeV-1 GeV能量范围内的质子位移能量损失值和Jun、Summers等结果吻合较好。 展开更多
关键词 GEANT4 蒙特卡罗 反冲原子 位移能量损失
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Quantum Recoil Effects of Spontaneous Emission on Disentanglement
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作者 郑丽 杨垂平 +1 位作者 王雅红 郑泰玉 《Communications in Theoretical Physics》 SCIE CAS CSCD 2011年第4期560-564,共5页
By taking into account spatial degrees of freedom of atoms, we study the internal-state disentanglement dynamics of two atoms interacting with a vacuum multi-mode noise field. We show that the complete internal-state ... By taking into account spatial degrees of freedom of atoms, we study the internal-state disentanglement dynamics of two atoms interacting with a vacuum multi-mode noise field. We show that the complete internal-state disentanglement of the two atoms, caused due to the atomic spontaneous emission can be achieved in a finite time. 展开更多
关键词 quantum back-action spontaneous emission DISENTANGLEMENT entanglement sudden death
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近玻尔速度Ne^(2+)离子穿过碳膜引起的电子发射
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作者 虞洋 赵永涛 +8 位作者 王瑜玉 王兴 程锐 周贤明 李永峰 刘世东 雷瑜 孙渊博 曾利霞 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第15期433-438,共6页
本文测量了入射能为2—25keV/u的Ne2+离子穿过不同厚度碳膜诱导的前向、后向(分别对应出射表面和入射表面)电子发射产额.实验中通过改变炮弹离子的能量,系统的研究了势能沉积、电子能损以及反冲原子对前向、后向电子发射产额的贡献.结... 本文测量了入射能为2—25keV/u的Ne2+离子穿过不同厚度碳膜诱导的前向、后向(分别对应出射表面和入射表面)电子发射产额.实验中通过改变炮弹离子的能量,系统的研究了势能沉积、电子能损以及反冲原子对前向、后向电子发射产额的贡献.结果表明,离子的势能沉积只对后向电子发射有贡献,前向、后向电子发射产额分别与Ne2+离子在薄膜出射、入射表面的电子能损近似成正比关系,其中电子能损很低(对应于离子能量很低)的时候,反冲原子对电子发射的贡献不能忽略. 展开更多
关键词 近玻尔速度 电子发射 电子能损 反冲原子
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物种灭绝又添新说
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《中学物理教学参考》 1996年第8期44-45,共2页
物种灭绝又添新说现在,欧洲核研究中心的西班牙天体物理学家胡安·科利亚尔又提出了一种新的假说,他认为恒星坍缩而产生的大量高能宇宙中微子,可能对地球生命构成了巨大的危险,其严重程度远远超出人们的预想.中微子是一种无质... 物种灭绝又添新说现在,欧洲核研究中心的西班牙天体物理学家胡安·科利亚尔又提出了一种新的假说,他认为恒星坍缩而产生的大量高能宇宙中微子,可能对地球生命构成了巨大的危险,其严重程度远远超出人们的预想.中微子是一种无质量、不带电荷的亚原子粒子,以光速运行.... 展开更多
关键词 物种灭绝 宇宙中微子 恒星坍缩 天体物理学家 超新星爆炸 原子粒子 反冲原子 弹射体 遗传物质 迅速释放
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