基于有源智能反射面反射单元分组的反射调制系统

为克服智能反射面(IRS)辅助通信系统的“双重路径损耗”,进一步提升系统的可靠性和频谱效率,该文提出一种基于有源IRS反射单元分组的反射调制(RM)系统方案,利用有源反射单元分组的数量来传输额外信息。然后基于矩母函数推导了最大似然检测算法下基站发射符号与有源反射单元分组数量的平均成对错误概率,获取到系统的理论比特错误概率(BEP)上界以及可达速率。仿真结果验证了理论推导的准确性,同时表明所提方案具有更优的误码性能和频谱效率。

多晶氧化钨薄膜的制备及其红外反射调制性能研究

通过工艺参数的优化,采用直流反应溅射工艺成功地制备了具有良好的电化学循环稳定性的多晶氧化钨薄膜.Raman散射光谱研究表明:随着锂离子和电子的共同注入,多晶薄膜中的W6+逐渐被还原为W5+.红外反射测试表明:电子注入薄膜后,成为自由载流子,使得氧化钨薄膜表现出一定的金属特性,具有一定的红外反射调制能力.采用该工艺制备的WO3/ITO/Glass结构的发射率可在0.261～0.589的范围内可逆调节.

反射调制通用超高频射频识别系统测试平台

该文对超高频射频识别系统的反射调制机制进行研究,提出一种基于反射调制技术识别的测试平台方案.该平台可对调制、编码和防碰撞机制进行编程修改的通用性测试.文中分别对标签端和处理部分的供电、信号检波、反射负载进行了设计和阻抗匹配计算,设计并实现了读卡器端和基带处理部分的射频端.理论分析和实验验证表明,该测试平台适合于不同协议的射频识别和低速无线通讯系统的试验.

应用音频信号光反射调制技术的激光传输系统开发

本篇文章通过研究音频信号的光反射调制的激光传输系统,为了研究要采用了激光反射系统和接受系统分立设计的思想。通过研究发现能够加大系统的便利性和实用性,还能给检测到的音频信号进行加强,还增加了音频信号的清晰度。现在常用的激光测振的技术有很多,包括:激光多普勒参考光测振技术、全息干涉法等。

双控石墨烯超材料太赫兹调制器的双频反射特性（英文）

设计了双控太赫兹超材料调制器,并研究了其在太赫兹频段内两个频率处的反射特性。该调制器由开口环谐振器及其底部的"三明治"结构组成,"三明治"结构从上到下依次为石墨烯层、聚酰亚胺层和金层,其中开口谐振器的开口处填充硅。该结构可以通过电、光两种方式调制,即分别对调制器中的石墨烯施加低电压,对硅施加弱光照。结果显示:反射谱在频率0.806THz、1.869THz出现两个共振反射谷,在满足低激励的条件下,增强两种激励均能改变共振反射谷的反射强度。两个共振处的反射调制方向表现出先反向、后同向的特点,其临界点对应的石墨烯费米能级和硅电导率分别为13.489meV、970.54S/m。文章对同时施加两种激励的情况进行了详细研究,结果表明:同时施加两种激励的调制特性并非单独施加激励的数值叠加,电、光两种调制方式相互独立。在调制过程中,调制器出现的最大调制深度为99.74%。

空间热梯度辅助的热调制反射光谱

给出一种新的通过空间热梯度辅助的热调制反射光谱方法，其关键是在空间光谱方法基础上加一热场梯度，无需对材料进行通常空间调制方法的特殊处理．将该方法应用于典型半导体材料ＧａＡｓ，清晰地观察到ＧａＡｓ材料的带间跃迁Ｅ０和其它诸如Ｅ０＋Δ０、Ｅ１、Ｅ１＋Δ１的高能带跃迁．

高组分稀磁半导体Cd_(1 -x)Mn_xTe/CdTe超晶格的光调制反射谱研究

报道用分子束外延 (MEB)技术生长的x =0 4 ,0 8的高组分稀磁半导体Cd1-xMnxTe/CdTe超晶格的光调制反射谱在室温和液氮下的实验结果 .观测到 11H ,2 2H ,33H和 11L等激子跃迁结构 ,计及子能级的量子限定效应和晶格失配导致的应力效应 ,对子能级结构进行了计算 ,除x =0 8样品的 33H能量计算值与实验值有较大偏差外 ,实验结果与理论符合得很好 .还与光致发光谱实验结果进行了比较 .

不同偏压下Zn_(1-x)Cd_xSe-ZnSe超晶格室温电调制反射谱研究

首次研究了在室温和不同直流偏压下 Zn1-x Cdx Se -Zn Se超晶格结构的电调制反射谱 ( ER)的变化。当器件处于弱场范围时 ,随着电场的增加 ,ER谱的信号幅度增加 ,而线型不变 ;在强场区 ,随着电场的增加 ,ER谱的线型发生变化 ,激子跃迁能量红移 ,继续增加反向偏压出现来自于 1 c-2 hh的禁戒跃迁 ,且其强度随反向偏压的增加迅速增加。不同偏压下组合超晶格结构的 ER谱研究表明 ,势垒高度较低的超晶格结构中的激子较易受到电场的调制。

衰减全反射电光调制器的实验研究

研究事件空间中完整力学系统在群的无限小变换下的形式不变性,给出不变性的定义和判据.研究形式不变性导致守恒量的条件以及守恒量的形式.举例说明结果的应用.

组合离子注入导致非对称耦合双量子阱界面混合效应光调制反射光谱

用分子束外延系统 (MBE)生长了 Ga As/ Al Ga As非对称耦合双量子阱 (ACDQW) ,用组合离子注入的方法 ,在同一块衬底上获得了不同注入离子 As+ 、 H+ 和不同注入剂量的 Ga As/ Al Ga As非对称耦合双量子阱单元 ,在未经快速热退火的条件下 ,于常温下测量了光调制反射光谱 ,发现各单元的子带间跃迁能量最大变化范围可达80 me V .

多层介质膜光谱调制反射镜的反应离子束刻蚀误差容限

在千焦拍瓦高功率放大系统设计中,激光脉冲的时空和光谱整形技术一直受到人们的广泛关注。利用反应离子束刻蚀等微纳超精细加工而成的多层电介质结构反射镜可在高功率条件下实现啁啾脉冲的光谱整形。在光谱整形介质结构反射镜的设计与制造中,需要根据要求的反射率来合理提出反应离子束刻蚀误差容限指标。推导出反应离子束刻蚀误差容限的解析表达式。针对神光Ⅱ千焦拍瓦高功率放大系统设计中提出的多层介质光谱调制反射镜,分析了调制结构反射镜各层加工的容许误差,确定了反应离子束刻蚀误差容限指标。研究表明:刻蚀高折射率介质的加工误差容限为35 nm;刻蚀低折射率介质的加工误差容限为62 nm。此外,还从使用需要和加工难易的角度,对刻蚀方案进行了讨论。就加工难易程度而言,优选反应离子束刻蚀方案,且采用刻蚀并残留低折射率介质的方案更容易实现。

MOCVD生长GaN膜的光调制反射谱研究

采用光调制反射光谱（PR）研究了（0001）晶向蓝宝石村底上MOCVD方法生长的单晶六角GaN薄膜的室温光学性质。测得六角GaN薄膜的禁带宽度为3．400eV，对PR谱的调制机理进行了分析，发现信号来自缺陷作用下的表面电场调制。光吸收增和光反射谱的测量，得到3．39eV的光学吸收边和3．3eV的反射峰，证实了光调制反射光谱的结果。

金属-砷化镓界面的电调制反射光谱与Franz-Keldysh效应研究

通过调制光谱这种基础的光学方法来研究Au-GaAs,Al-GaAs,Ni-GaAs的金属半导体界面的一些电学性质,并且加以比较,其中包括电场、费米能级扎钉和界面态密度等情况。这些界面是通过在SIN+GaAs样品上沉积金属(Au,Al,Ni)生长成的。通过观察电反射谱来研究金属GaAs的界面电场和费米能级扎钉的情况,然后通过傅里叶变换这些所取得的电反射谱来分析这些材料的界面性质。通过测量氦氖激光器诱导产生的光电压和激光器光强之间的关系来得到这些材料的界面态密度情况,从而进行进一步的研究。

Ⅱ-Ⅵ族稀磁半导体Cd_(1-x)Mn_xTe/Cd_(1-y)Mn_yTe超晶格的光调制反射谱的研究

本文报道用分子束外延（ＭＢＥ）技术生长的Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ／Ｃｄ１－ｙＭｎｙＴｅ超晶格样品在８０Ｋ下的光调制反射谱实验结果。观测到１１Ｈ、２２Ｈ、３３Ｈ和１１Ｌ等激子跃迁结构。计及晶格失配导致的应力效应，对子能级结构进行了理论计算。实验结果与理论计算符合较好。

In_（0．2）Ga_（0．8）As／GaAs应变多量子阱结构的光调制反射和热调制反射谱的研究

对Ｉｎ（０．２）Ｇａ（０．８）Ａｓ／ＧａＡｓ应变多量子阱在７７Ｋ下的光调制反射谱（ＰＲ）和热调制反射谱（ＴＲ）进行了实验研究．对ＰＲ结果的线形拟合指认了应变多量子阱中子能级的跃迁，并与理论计算结果作了比较．实验对比确认ＰＲ中１１Ｈ、１３Ｈ等跃迁结构为非耦合态、具有电场调制机构的一阶微商性质．而１１Ｌ、３１Ｈ、２２Ｈ等跃迁结构为阶间耦合态，对这些隧穿耦合的低场调制产生三阶微商特性．

GaAs/AlGaAs异质结的微波调制反射谱(英文)

基于搭建的微波调制反射谱测量系统(MMRS),确定了GaAs/AlGaAs异质结构中价带空穴到二维电子系统(2DES)电子基态(GS)的跃迁.微波调制反射谱与温度的依赖关系表明,随着测量温度的升高,能带带隙发生了蓝移现象;而其与磁场的依赖关系表明,随着测量磁场的增大,能带带隙则发生了红移现象;它们均与GaAs/AlGaAs异质结构中价带空穴的带填充效应有关.基于Kramers-Kronig关系的理论模拟给出了和实验测量相似的结果.

微机在光调制反射谱实验中的应用

介绍了计算机在光调制反射谱实验中的应用。在自动控制系统中使用ＧＰＩＢ接口连接锁相放大器和直流万用表，用８２５５和８２５３芯片控制单色仪的步进电机。软件采用Ｗｉｎｄｏｗｓ图形界面，极大地提高了易用性。实验结果显示，自动控制系统精度高并且使用方便 。

光调制反射光谱实验研究

通过室温下GaAs的PR谱与ER谱的比较,对PR谱的机理及线型分析作了有益的讨论,结果表明,PR谱具有电场调制的本质,可以用电场调制理论中的“三点法”来确定各临界点参量.

一种反射式强度调制型光纤传感器的设计与实现

本文介绍了一种结构简单、易于实现的反射式强度调制型光纤传感器.它是根据光纤端面与被测物体之间所构成的反射接收关系制作而成的.文中给出了平面反射式强度调制型光纤传感器所依据的理论公式,采用L-M非线性拟合算法,使用制作的传感器采集数据并对光纤传感器各参量进行了标定.目前用这种方法制作的光纤传感器已经成功应用于教学实验.

调制光反射（MPR）技术用于弱信号检测

当一束周期性调制的泵浦光入射到被测样品表面上时，样品吸收光能，在样品内部形成热波，导致样品表面温度的周期 变化，使样品表面的光学反射率也发生周期性的变化。