氧化锌可见区发光机制

探究与缺陷相关的氧化锌可见区发光机制对获得高效激子发光和实现紫外激光有重要的意义,也是该领域研究的基本问题之一。本文用X射线衍射、X射线光电子能谱、电子顺磁共振和光致发光谱研究了ZnO∶Mn纳米薄膜的结构和发光性质,证明了氧空位或缺陷分布于纳米晶表面,提出了可见发光中心是Vo 和[Vo ,electron]或[Vo ,twoelectrons]复合体的发光模型。

高Al组分AlGaN多量子阱结构材料发光机制探讨

紫外LED的发光功率和效率还远不能令人们满意,波长短于300 nm的深紫外LED的发光效率普遍较低。厘清高Al组分Al Ga N多量子阱结构的发光机制将有利于探索改善深紫外LED的发光效率的新途径、新方法。为此,本文通过金属有机气相外延技术外延生长了表面平整、界面清晰可辨且陡峭的高Al组分AlGa N多量子阱结构材料,并对其进行变温光致发光谱测试,结合数值计算,深入探讨了Al Ga N量子阱的发光机制。研究表明,量子阱中具有很强的局域化效应,其发光和局域激子的跳跃息息相关,而发光的猝灭则与局域激子的解局域以及位错引起的非辐射复合有关。

ZnS∶Zn,Pb宽带蓝色发光和发光机制

用固相反应法制备了一系列ZnS∶Zn,Pb荧光粉。改变不同的灼烧温度和激活剂的掺杂量,通过对灼烧后荧光粉进行光谱分析,我们发现Pb2+在ZnS基质中的发光与制备条件有关:灼烧温度为800～950℃时,能得到Pb2+在ZnS基质中的蓝色发光。测量了其光致发射光谱、激发光谱,以及灼烧后荧光粉的成分。研究了阴极射线下ZnS∶Zn,Pb荧光粉的相对发光亮度与荧光粉电压的关系,ZnS∶Zn,Pb的相对亮度比ZnS∶Ag,Cl的高,比ZnS∶Zn更高。研究了发光衰减时间与温度的关系,得到了ZnS∶Zn,Pb的蓝色发光可能来源于Pb2+的D波段发射的结论。并对其发光机制进行了一些探讨。这种新型蓝粉可应用于VFD和FED等低压显示屏。

多孔硅的光致发光机制

人们已经提出了许多解释多孔硅发光的理论模型 ,每个模型都可以针对某些实验现象做出合理的解释 ,而对其他的实验结果就可能无法解释甚至相悖 ,因此多孔硅的发光机制至今仍是需要进一步研究和解决的问题。通过改变阳极氧化的条件 ,制得了一系列样品 ,其光致发光谱主要有四个峰。随着制备条件的改变 ,各个峰位的变化不大 ,但峰值强度比的变化比较大。随着自然氧化时间的延长 ,各个峰位的变化很小 ,有红移也有蓝移 ,有的则基本不变 ;而峰值强度的减弱幅度较大 ,但对应于各个峰位幅度的减弱是均衡的。分析实验现象产生的原因 ,认为多孔硅的发光是多种发光机制共同作用的结果 ;多孔硅纳米量子线的一定尺寸分布 ,不仅使光致发光谱存在一定的带宽 ,而且也是产生多峰现象的原因之一 ;

多孔硅的微结构和发光机制探讨

阐述了多孔硅微结构及主要发光机制,并讨论了微结构研究与发光机制研究中存在的问题,并提出改进制备及后处理工艺,纯化表面成分及状态。

LPCVD自组织生长Si纳米量子点的发光机制分析

采用低压化学气相沉积 (LPCVD)方法 ,通过纯SiH4气体的表面热分解反应 ,在SiO2 表面上自组织生长了半球状Si纳米量子点 ,在室温条件下实验研究了其光致发光 (PL)特性 ,考察了PL效率与峰值能量随Si纳米量子点尺寸的变化关系。结果指出 ,当Si纳米量子点高度hc<5nm时 ,其PL效率基本保持不变。而当hc>5nm时 ,PL效率则急剧下降。同时 ,PL峰值能量随hc 的减少而增大 ,并与 (l/hc) 2 成正比依赖关系。如当hc 从 5 5nm减小至 0 8nm时 ,其峰值能量从 1 2 8eV增加到 1 4 3eV ,出现了约 0 15eV的谱峰蓝移。我们用量子限制效应

双核Au(Ⅰ)配合物[Y^+]_2[Au(i-mnt)]_2(Y^+=[n-Bu_4N]+,K^+,[Ph_4As]^+)发光机制的从头计算研究

用从头算方法研究 [Au( i-mnt) ]2 - 2 ( i-mnt=i-marononitriledithiolate)的电子吸收和磷光发射性质 ,利用MP2和 CIS方法分别优化了 [Au( i-mnt) ]2 - 2 基态和激发态几何结构 .计算的基态 Au( )— Au( )键长为0 .2 82 5 nm,表明 Au( )之间存在弱吸引作用 .采用 SCRF方法中 IPCM模型模拟配合物在乙氰溶液中的行为 ,计算得到的最大吸收波长为 31 5 .5 nm,指认 X1 Ag→ A1 Au 来源于 i-mnt配体内电荷转移跃迁 .在 4 36 .2 nm处得到具有 B3 Au→ 1 Ag 跃迁的磷光发射 ,指认为 i-mnt配体内电荷转移和金属到配体电荷转移跃迁 ,与5 0 0 nm乙氰溶液的发射相对应 ,为金属修饰的有机配体发光机制 .

绿色荧光蛋白的结构、发光机制及其应用研究

源自水母的绿色荧光蛋白作为生物标记物有其独特优点 .近年来的研究揭示了其结构、发光特性和发光机制 。

纳米硅/氧化硅体系光致发光机制

实际研究的多孔硅几乎都是氧化程度不同的氧化多孔硅,它与另一大类硅基发光材料纳米硅镶嵌氧化硅有相似的结构和发光特徵.两者都是由大量为氧化硅所包裹的纳米硅组成,可统称为纳米硅/氧化硅体系.它是当前研究最多并被普遍认为很有希望的硅基发光材料体系.本文主要讨论纳米硅/氧化硅体系光致发光的机制,文中扼要介绍了我自己所在的研究小组近十几年来的一些相关研究工作.

双核铂配合物Pt_2(CN)_4(CNC_4H_9)_4的发光机制及Pt…Pt间相互作用的从头计算研究

利用从头算 MP2方法优化了 Pt( CN) 2 ( CNCH3 ) 2 ,Pt( CN) 2 ( CNCH3 ) 2 -( NCCH3 ) 2 .[Pt( CN) 2 ·( CNCH3 ) 2 ]2 的基态几何结构 ;利用单激发的组态相互作用方法 ( CIS)计算了固态和乙氰溶液中标题化合物的发射光谱 ,并对激发态的几何结构进行了优化 .结果表明 :基态时 ,Pt… NCCH3 之间的距离较大( 0 .4 0 6nm) ,说明溶剂分子与 Pt原子之间存在较小的范德华作用 ;而激发态时 ,Pt… NCCH3 之间的距离减小 ( 0 .2 57nm) ,说明此时 Pt… NCCH3 之间相互作用较强 ,由于这种作用使乙氰溶液中该物质的发光性质与不考虑溶剂效应时相比差异较大 .其发射光谱不在可见光谱区 .固态时 ,此化合物为直线链状结构 .MP2计算得到 :基态时 [Pt( CN) 2 ( CNCH3 ) 2 ]2 中 Pt… Pt之间的距离为 0 .3 3 9nm ,电荷布居为 0 .0 3 2 .说明 Pt… Pt间有一定的成键性质 ,这种相互作用促使形成二聚体 ,并影响其固态的发光性质 .

有机EL和LED与无机EL和LED发光机制的异同

比较了有机EL和LED与无机EL和LED的主要差异。 有机EL属于电注入发光， 无机EL属于高场激发下的碰撞离化机制， 而且有机LED和无机LED的激发和发光机制也不同。 无机半导体中往往存在着局域载流子， 而有机LED必须从电极注入， 在未注入载流子之前， 它们是绝缘体。 不能简单地用无机LED中的p-n结理论来解释有机LED的发光现象。

球形Y_2O_2S∶Yb,Ho上转换粒子的合成及其尺寸相关的发光机制研究

采用改进的均匀沉淀法结合固-气硫化工艺制备了一系列Y2O2S∶Yb,Ho上转换粒子.利用X射线晶体衍射(XRD)和透射电子显微镜(TEM)对粒子的结构和形貌进行了表征,并通过上转换发光光谱(UCL)和红外光谱(FTIR)研究了粒子的上转换发光性质.XRD和TEM结果表明,所制备的样品均为单一的六方相结构,且所有粒子均呈单分散和尺寸均一的球形,其尺寸分别为40,80和200nm.根据发光强度和激发功率间的对数关系曲线发现,随着粒子尺寸的降低,蓝光发射由三光子吸收过程转变为双光子吸收过程;而绿光和红光发射虽然一直保持双光子吸收过程,但其对数曲线斜率均随粒子尺寸的降低而逐渐增大.对该材料的粒子尺寸与上转换发光机制的关系进行了讨论.

硅的阳极氧化研究──多孔硅的制备及其发光机制

评介了阳极氧化方法制备多孔硅（ＰｏｒｏｕｓＳｉｌｉｃｏｎ）的工艺，讨论了多孔硅的形貌及发光机制。

[Au(PH3)]^＋修饰的芳香基炔基配合物发光机制的从头计算研究

用从头计算法研究H3PAuC≡CPh(a),H3PAu(C≡C-1,4-C6H4)Ph(b)和H3PAu(C≡C-1,4-C6H4)C≡CPh(c)3种Au(Ⅰ)配合物的磷光发光性质,使用MP2和CIS方法分别优化配合物的基态和激发态的几何结构.计算结果表明,激发态的电子跃迁减弱了Au与配体的成键作用.由计算得出3种Au(Ⅰ)配合物的最低能量磷光发射光谱分别为530,610和615nm,皆由A3A′→1A′产生,属于Au(6p)→C(2p)的电荷转移(MLCT)修饰下的pπ*(C≡C,■)→pπ(C≡C,■)跃迁本质,并伴有Au(6p)→Au(5d)的金属中心电荷转移(MCCT)性质.随着分子增长,其激发态轨道中Au的p轨道成分减少,相应的最低能量磷光发射的波长红移.

富纳米硅氮化硅薄膜光致发光机制

对于富纳米硅氮化硅薄膜的光致发光,其电子-空穴对存在3类光激发-光发射过程.通过对富纳米硅氮化硅薄膜光致发光模型的数值模拟对比分析,提出富纳米硅氮化硅薄膜光致发光是量子限制模型和能隙态模型发光机制共同作用的结果.利用得到的结论,讨论一些已报道的富纳米硅氮化硅薄膜光致发光实验结果.

AlInGaN合金的发光机制研究

用变温光致发光谱和时间分辨光谱研究了AIlnGaN合金的发光机制。实验结果表明,发光强度随时间并不是呈指数衰减关系,而可以用伸展指数哀减函数来描述,表明材料中存在明显的无序。形成这种无序的原因是In组分不均产生的微结构(如量子点)。伸展指数衰减函数中弥散指数β不仅不随温度变化,在250K也不随辐射能量变化,表明载流子的弥散过程由局域态之间的跳跃所主导。进一步实验表明局域态在250K时仍然表现出零维特性。

多孔硅的能带与发光机制的研究与分析

在光致发光技术对多孔硅光学性质研究的基础上讨论了与多孔硅的微观结构有关的多孔硅的能带结构,用能量赝势法模拟计算出多孔硅的能带间隙.

纳米硅的光致发光机制

10多年来,人们对纳米硅的制备方法、微结构特征以及发光机制等方面进行了深入的研究和探讨。重点对不同制备条件及后期处理条件下的纳米硅的发光机制做了评述和总结,并对目前研究状况中存在的问题及发展前景进行了分析。

声致发光气泡中原子碰撞发光机制

文章导出一种由两个中性的惰性气体原子之间的碰撞引起的电四极辐射几率。对于热平衡的惰性气体系统 ,推导出由碰撞引起的总辐射能量的公式 (单位体积 ,在给定波长的每单位波长 )。考虑到气体的吸收和周围环境水的折射 ,用此公式拟合纯氙和纯氪的单气泡声致发光的实验光谱 ,拟合温度大约为 5 ,0 0 0k ,结果令人满意。