AlGaInP/GaAs HBT发射结空间电荷区复合电流的研究

本文采用深能级瞬态谱（DLTS）方法直接对Al0.3Ga0.22In0.48P／GaAs异质结双极型晶体管（HBT）的发射结（N－P+结）进行了测试，得到了N型AlGaInP发射区中的深能级的位置、俘获截面以及缺陷浓度．利用这些数据通过单一能级复合的Shockley－Read-Hall公式，计算了发射结空间电荷区（SCR）中的复合电流，探讨了深能级中心对HBT器件特性的影响．本文的理论分析方法可为研制高性能HBT器件所需的材料质量提高提供参考依据．

多晶硅膜原位掺杂制备浅发射结的研究

本文对ＰＥＣＶＤ法淀积原位掺杂多晶硅膜并制备浅发射结进行了实验研究，调查了Ｂ＿２Ｈ＿６／ＳｉＨ＿４比率以及淀积、退火温度等对掺杂多晶硅膜电阻率以及浅发射结形成的影响。结果表明，在３５０～４００℃的较低温度先淀积原位掺杂非晶膜，再１０００℃退火使其相变为掺杂多晶膜的工艺，不但能方便地获得所要求的发射区掺杂量和浅发射结结深，而且还能同时获得满足制备欧姆接触电极要求的低电阻多晶硅膜。

晶体三极管的发射结反偏 集电结正偏

在模拟电子技术的课程中,都会提到晶体三极管的偏置问题.一般也必然会涉及两个问题,即偏置的种类和偏置的作用.这里只谈谈偏置的种类,教科书上都会提到三种偏置方式:发射结正偏、集电结反偏,三极管处于放大状态;发射结正偏、集电结正偏,三极管处于饱和状态;发射结反偏、集电结反偏,三极管处于截止状态.对于发射结反偏、集电结正偏,三极管处于什么状态,一般没有提及.下面以仅NPN管为例讨论一下这种情况(对于PNP管有相同的结论):

测试发射结压降——检修和调试电路的有用手段

测试三极管发射结压降对判断管子工作状态是否正常及管子是否损坏是很有用的．

晶体管发射结正向电容的测量及分析

晶体管发射结电容对晶体管的频率特性有很重要的影响 ,正确测量发射结正向偏压电容仍是很重要的课题。文中提出用交流测量和直流测量结合来测量晶体管发射结的正向偏压电容 ,分析了晶体管发射结正向电容随偏压的变化。文中还对大圆片测试图形中的晶体管进行了测试 ,估算了晶体管的正向渡越时间的范围 ,并得到晶体管发射结中等正向偏压以下的势垒电容。

高方阻密栅电池发射结方阻的优化

主要介绍了晶体硅太阳电池光电转换效率的工艺优化,特别是对高发射结方阻方面,以及后道工序中如何使之适应高方阻工艺。在高方阻方面主要采用了深结高方阻,这主要是从工艺稳定性方面考虑。通过一系列工艺的优化及大量实验,获得了高达635 mV的开路电压,5.817 A的短路电流,均值18.67%的电池效率。

具有N^+-i-P型发射结的AlGaAs/GaAs HBT的漏电特性

在研制超高电流增益AlGaAs/GaAs HBT的基础上,对有N^+-i-P型发射结的HBT的漏电特性做了实验研究,研制出的HBT具有较好的小电流特性.还分析了N^+i-p型结构的特点及HBT外基区表面漏电的产生机理.

IGBT的寄生晶闸管发射结分流电阻

为了设计具有最小寄生晶闸管发射结分流电阻Ｒｐ的大电流ＩＧＢＴ，针对圆形、方形、条形等发射极图形设计．建立了Ｒｐ的计算公式模型，并据此讨论了在各种图形设计中的Ｒｐ与ｐ阱高浓度深层扩散的结深和表面杂质的关系，以及图形及其尺寸对Ｒｐ大小的影响．

低频管发射结的检波性能

低频管发射结的检波性能高维生，孙鹏勇，郭风义（阜新矿业学院）通过对低频管的理论分析与实验的验证，提出采用低频管的发射结对载波振幅调制信号进行解调的方法，可简化接收电路，提高电路的可靠性，这对研制煤矿井下接收设备具有一定参考价值。１引言我们在研究工作中...

选择性发射结太阳电池技术

选择性发射结技术是实现高效晶体硅太阳电池的主要技术之一。介绍了选择性发射结的基本原理和优点,并对各种选择性发射结太阳电池技术进行归类、对每个类型的特点进行分析。另外还介绍选择性发射结太阳电池技术在国内光伏企业中的产业化情况。

功率晶体管发射结注入电流密度分布

本文考虑了基极电流在基区电阻上产生的压降对加于发射结上正向电压的影响后，得到发射结电流密度分布的一个公式。它能化为Hauser公式，并得到了Hauser公式中参变量Z的解析表示式。对本文公式的展开式取近似，又能得到Fletcher公式，并由此可得知Fletcher公式的近似性——较适合于电流很大且离发射区边缘很近的地方。

晶体管发射结软击穿对多谐振荡器的影响

本文通过对多谐振荡器软击穿(即瞬时击穿)现象的观察与分析,提出并由实验予以证明在晶体管的基极接一保护二极管,能有效地稳定振荡频率和延长管子的寿命。

兼具高电流增益和高击穿性能的电荷等离子体双极晶体管

为了兼顾高电流增益β和发射极开路集电结的高击穿电压V_(CBO)与基极开路集电极-发射极间的高击穿电压V_(CEO),有效提升电荷等离子体双极晶体管(bipolar charge plasma transistor,BCPT)的高压大电流处理能力,利用SILVACO TCAD建立了npn型BCPT的器件模型。考虑到双极晶体管的击穿电压主要取决于集电区掺杂浓度,首先研究了集电极金属对BCPT性能的影响。分析表明,BCPT集电区的电子浓度强烈依赖于电极金属的功函数,当采用功函数较大的铝(Al)作为集电极金属时,由于减小了金属-半导体接触的功函数差,降低了集电区中诱导产生的电子等离子体浓度,从而有效降低了集电结空间电荷区峰值电场强度,减小了峰值电子温度以及峰值电子碰撞电离率,因此,达到改善击穿电压V_(CBO)和V_(CEO)的目的。然而,集电区电子浓度的减小会引起基区Kirk效应,增大基区复合,降低β。为此,进一步提出了一种采用衬底偏压结构的BCPT,通过在发射区和基区下方引入正衬底偏压,调制发射区和基区有效载流子浓度,达到提高发射结注入效率、增大β的目的。结果表明:与仅采用锆(Zr)作为集电极金属的BCPT相比,该器件的峰值电流增益改善了21.69%,击穿电压V_(CBO)和V_(CEO)分别改善了12.78%和56.41%,从而有效扩展了BCPT的高功率应用范围。

n沟VDMOSFET单粒子烧毁的二维数值模拟

应用半导体器件二维模拟软件Medici对功率MOSFET器件单粒子烧毁SEB(Single EventBurnout)效应开展了理论模拟研究。理论模拟与以往的实验结果比较吻合,证明采取的物理模型的正确性。得到了SEB灵敏度与载流子浓度、基区宽度和发射结掺杂浓度等参数的变化关系,提出了改善SEB的几种加固措施。该模型对于评估器件SEB效应提供了理论方法。

非晶硅/晶体硅(a-Si/c-Si)异质结

通过对非晶硅/晶体硅(a-Si/c-Si)异质结能带不连续、发射结掺杂以及界面态密度进行分析,研究它们对a-Si/c-Si异质结的界面特性,以及a-Si(N+)/c-Si(P)结构电池性能的影响.研究发现,能带不连续以及a-Si发射结高掺杂有利于实现界面复合机制由以悬挂键复合主导的复合机制向由少数载流子复合占主导的SRH(Shockly-Read-Hall)复合机制转变,有效降低界面复合速率.AFORS-HET软件模拟显示:在c-Si(P)衬底掺杂浓度为1.6×1016cm-3时,a-Si(N+)发射结掺杂浓度大于1.5×1020cm-3是获得高电池效率的必要条件;与短路电流密度相比,开路电压受a-Si/c-Si界面态密度影响更明显.

CMOS集成温度传感器电路设计及仿真

根据集成温度传感器的原理,利用晶体三极管发射结作为敏感元件,设计出集成温度传感器电路。根据电路中的器件及其连接关系,得到了该电路的网表文件。基于SPICE软件的仿真实验结果表明,该传感器的电压和电流的温度灵敏度分别为3.15mV/℃、0.61μA/℃,且线性度较好。

关于三极管三种工作状态的分析

在模拟电子技术学习过程中,三极管三种工作状态的分析判定常常困扰同学们。本文通过对三种工作状态的分析,阐述了判定三种工作状态的求解思路,目的在于提高理论知识,加深对三极管三种工作状态的理解。

电子技术教学法浅谈

除了教师对所教内容的熟练程度、表达能力外，讲课方法对教学质量影响很大，本文介绍了学习优秀教师的长处，在作者的教学实践中行之有效的几种教学方法。

三极管在电路中工作状态的判断

在模拟电子技术学习过程中,三极管工作在放大状态还是饱和、截止状态,如何判断,对于学生来说是一个难点。本文根据三极管三种工作状态所要满足的条件,通过比较三个电极的对地电位,给出了判定三极管工作状态的方法。