集成抗ESD二极管的SOI LIGBT/LDMOS器件结构及其制作方法

为探索与国内VLSI制造工艺兼容的新型SOI LIGBT/LDMOS器件与PIC的设计理论和工艺实现方法,首次提出含有抗ESD二极管的集成SOI LIGBT/LDMOS器件截面结构和版图结构,并根据器件结构给出了阻性负载时器件的大信号等效电路.探讨了该结构器件的VLSI工艺实现方法,设计了工艺流程.讨论了设计抗ESD二极管相关参数所需考虑的主要因素,并给出了结构实现的工艺控制要求.

器件结构对聚合物太阳能电池内部光电强分布的影响

针对以电子给体聚(3-己基噻吩)(P3HT)和电子受体6,6-苯基-C61-丁酸甲酯(PCBM)共混薄膜为活性层的本体异质结聚合物太阳能电池,根据光学干涉效应和转移矩阵方法建立了非相干光吸收理论模型,研究了电极修饰层、活性层和阴极的厚度对电池内部光电场分布和活性层内部光电场强度的影响.结果表明:各功能层厚度对电池内部光电场分布和活性层光电场强度具有不同程度的影响,其中活性层和电极修饰层厚度的影响较大,而阴极厚度的影响较小;引入合适厚度的电极修饰层有利于增加活性层内部的光电场强度,提高太阳能电池的能量转换效率,改善器件的光伏性能.

有机LED器件结构对其内部电场和电荷分布的影响

利用高电场作用下载流子的Fowler-Nordheim(F-N)隧穿理论,建立了双层结构有机发光二极管(LED)器件载流子的动力学方程,通过计算机模拟,研究了稳态条件下势垒参数、外加电压、阳极区和阴极区的厚度等因素对器件内部电场和电荷分布的影响.结果表明:有机LED内部阴极区与阳极区的电场分布、内界面两侧积累的载流子面密度跟势垒高低、膜层厚薄以及外加电压大小密切相关,各功能层之间的能级匹配和厚度匹配对于器件结构优化和性能改善具有重要作用.

器件结构与有机ELD发光效率和寿命

描述了有机 EL器件结构设计与其效率和寿命的关系 ,混合型结构的有机 ELD的效率和寿命要比传统异质结构器件高得多。采用阳极 buffer layer(如 Cu Pc)、阴极 buffer layer(如 Li F)以及向 HTL(空穴传输层 )中的染料掺杂也会明显提高效率并增加寿命。比较了不同阴极接触模式 ,如 Al:Li/Alq3 ,Al/Li F/Alq3 ,Al/Li F:Alq3 /Alq3 及 Al/Li:Alq3 /Alq3 等对器件效率及寿命影响差异。结果表明 ,无论哪种阴极接触模式都会提高器件的效率及寿命 ;而对阳极 buffer layer或引入染料掺杂模式 ,均可以控制或调整空穴的注入 ,阴极 buffer layer是为了增加电子注入 ,两者目的都是为了防止或减少在发光分子 (如 Alq3 )中被称之为“空穴阳离子”(如 [Alq3 ]+ )的不稳定剂的产生。

RTD的器件结构及制造工艺——共振隧穿器件讲座(6)

介绍RTD器件几种主要器件结构及每种器件结构的优、缺点和应用前景,并介绍了RTD通用制造工艺和工艺中的关键问题。

新型应变SGOI/SOI/MOSFET器件结构及物理模型分析

SOI技术和应变硅技术的广泛应用和融合大大提升了新型应变硅器件的发展，通过对新型应变器件结构及物理模型的深入分析和研究，有效改善了传统MOSFET器件因结构尺寸小的限制。同时，沟道掺杂工程在晶体器件中的广泛引入，使得新型应变SolMOSFET器件得到了飞速的发展，在未来的社会发展中有着广泛的应用前景。

器件结构对Al0．3Ga0．7N Schottky探测器性能的影响

在利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法生长的Al0.3Ga0.7N材料上制备了平面和台面结构的肖特基探测器。I-V和光谱响应测试结果表明:台面结构器件的反向漏电流大于平面结构器件的反向漏电流,它们的势垒高度分别为0.71 eV和0.90 eV,理想因子分别为1.12和1.02;峰值响应率分别为0.07 A/W和0.005 A/W,台面结构器件的响应光谱曲线在响应波段比较平坦,而平面结构器件的光谱响应是一条随着波长的减小而降低的曲线。这些现象可能主要是由于台面结构的欧姆接触电阻及串联电阻相对较小和离子束刻蚀对台面结构所带来的损伤所致。

FinFET器件结构发展综述

随着集成电路技术日新月异的发展,器件尺寸不断缩小,当场效应晶体管沟道缩短至22 nm以后,传统平面场效应晶体管不再满足发展的需求。FinFET是一种新型的三维器件,由于良好的性能目前被广泛研究应用。主要介绍了FinFET器件的基础结构以及基础工艺流程,以及在基础结构上所发展起来的一些改良后的FinFET器件结构。最后结合实际对未来FinFET器件结构的发展寄予展望。

器件结构对Al0．3Ga0．7N Schottky探测器性能的影响

在利用金属有机化学气相（MOCVD）方法生长的Al0．3Ga0．7N材料上制备了平面和台面结构的肖特基探测器。Ⅰ—Ⅴ和光谱响应测试结果表明：台面结构器件的反向漏电流大于平面结构器件的反向漏电流，它们的势垒高度分别为0．71eV和0．90eV，理想因子分别为1．12和1．02；峰值响应率分别为0．07A／W和0．005A／W，台面结构器件的响应光谱曲线在响应波段比较平坦，而平面结构器件的光谱响应是一条随着波长的减小而减低的曲线。产生这些现象可能主要是由于台面结构的欧姆接触电阻及串联电阻相对较小和离子束刻蚀对台面结构所带来的损伤所致。

ULSI的新器件结构和工艺研究

本项目属于超大规模集成电路基础科学与技术研究领域，主要研究了适用于系统芯片（SoC）的纳米尺度CMOS集成电路以及大微电子集成系统（SoG）新器件结构和童艺技术。本项目以科技源头创新为宗旨，以形成具有我国自主知识产权的集成电路核心技术为最终目标，在国际上率先提出了多种新型的集成电路器件结构和相关的制作技术，并从理论和实验两方面验证了所提出的思想的可行性和实用性。主要内容有：提出并在工艺上首次实现了可分离平面双栅的自对准技术并在实验和理论上研究了其在高速低功耗集成电路上的应用潜力；

东芝新器件结构问世,可显著提高SiC MOSFET的性能

目前碳化硅(SiC)被广泛视为下一代功率器件的材料,因为它比硅的电压更高,损耗更低。然而,虽然碳化硅器件具有很大的发展前景,但该类器件的产品可靠性一直备受争议,这也使其使用情况和市场增长受到了阻碍。其中一个重要问题是当电流流过位于功率MOSFET源极和漏极之间的PN二极管[1]时,晶体缺陷会扩大,这会增加导通电阻并降低器件可靠性。

优化栅的VDMOS器件结构及特性简析

垂直双扩散MOSFET（VDMOSl由于具有独特的高输入阻抗、低驱动功率、高开关速度（多子导电器件）、优越的频率特性及低噪声等特点，在功率集成电路及系统中已经得到十分广泛的应用，主要应用于电机调速、逆变器、开关电源、电子开关、高保真音响、汽车电器和电子镇流器等多个领域。作为开关器件的它为电子设备提供所需电源与电机设备驱动。

一种新的半导体材料和器件结构:COS

国际半导体技术发展进程表预期器件的特征尺寸不久将减小到 0 1μm以下 ,SiO2 作为MOS器件栅介质遇到不可克服的困难 .人们在寻找新的栅介质材料时 ,提出了一种新的结构 ,称为半导体上的晶态氧化物 (COS) .最近 ,COS被用作Si衬底上生长GaAs的过渡层 ,成为半导体材料和器件发展中一项新的突破 .

有机量子阱结构发光器件的研究进展

有机电致发光器件自从C.W.Tang等发表了高效、高亮度双层结构器件以来,因其工艺简单、成本低、直流低压驱动,并且可制成大面积的平板显示而成为当前显示器件研究的热点[1-4]。Forrest等人提出的有机多层量子阱结构的概念应用到了有机电致发光器件(OLEDs)中,进而提高了有机电致发光器件的性能,引起了学者们的研究热情。文章将这种结构器件的研究情况给予综述,从结构的应用、工作原理、优缺点和应用前景方面予以展望。

一种结构调整后的DSOI器件

提出一种改进的 DSOI结构 ,在保留 DSOI解决浮体效应和散热问题的基础上 ,能提高电路速度和驱动能力等器件性能 .采用不完全除去沟道下绝缘层的办法 ,使 DSOI器件的结构更接近 SOI.采用准二维器件模拟器MEDICI对结构进行模拟 ,结果证明这种改进后的结构使器件具有更优越的性能 .

基于UV-LIGA技术制造微结构器件试验研究

试验研究了UV-LIGA各工艺环节(包括前后烘、曝光、显影、去胶、电铸等)对金属基片上制造金属微结构器件质量的影响,并组合优化了操作条件和工艺参数。试验结果表明:采用优化后的UV-LIGA工艺条件,制造出的金属微结构器件(如微齿轮、微流道)轮廓清晰,表面质量好,无明显缺陷,与基底结合良好。

毫米波GaN基HEMT器件材料结构发展的研究

由于GaN材料的高的饱和电子速度和击穿场强,GaN基HEMT已经成为实现毫米波器件的重要选择。回顾了GaN基HEMT器件材料结构的发展历程,就目前GaN基毫米波HEMT器件设计应用存在的短沟道效应和源漏间较大的导通电阻两个主要问题进行了机理分析,并对GaN基HEMT器件的毫米波应用未来发展方向进行了分析。同时从GaN基HEMT器件材料结构设计入手对解决方案进行了探讨性研究。针对面向毫米波应用的GaN基HEMT材料结构,为有效的抑制短沟道效应,可以采用栅凹槽结构加背势垒结构、采用InAlN等新材料,可以有效降低源漏导通电阻。

功能结构器件的离散-堆积制造方法

功能结构器件的加工过程要求实现多种材料组分的梯度分布和内部微结构的构造。通用的自顶而下、整体控制局部的制造方法有着很大的局限性。快速成形技术提出了离散 -堆积的降维制造思想 ,在直写技术的辅助下 ,可以通过对材料的微单元操作 ,实现功能结构器件的堆积制造。

直接型卤素钙钛矿X射线探测器结构设计研究进展

X射线探测技术在医疗诊断、安防检测和科学研究等领域有着广泛的应用,直接型X射线探测器拥有更高的理论探测效率、空间和能量分辨率,受到了国内外的广泛关注。钙钛矿材料因其X射线衰减系数大、体电阻率高、光学带隙合适以及易大面积制造等优势,成为直接型X射线探测器的理想材料。随着对探测性能的需求的不断提高,合理的器件结构设计显得尤为重要。本文从电极工程和能带工程两个方面出发,综述了有关直接型钙钛矿X射线探测器器件结构设计的最新进展。最后,我们对这些研究进展进行了总结,并对未来的发展进行了展望。我们希望这篇综述能为研究者们提供参考和启发。

纺织结构柔性器件与智能服装

可穿戴技术的发展是电子产业与服装产业结合的产物.影响可穿戴产品发展的主要技术瓶颈为基于纺织结构的柔性穿戴器件研发滞后,从而造成可穿戴产品的功能单一、用户体验差以及价格昂贵.本文综述分析了影响可穿戴技术发展的瓶颈以及可穿戴产品的发展趋势,并通过案例指出基于纺织结构柔性穿戴器件的发展方向.