超导场效应器件的统一小信号传输线模型

本文提出了超导场效应器件的统一小信号模型。建立这个模型的出发点是基于用有源分布的超导传输线对超导场效应器件的超导沟道区动态导纳进行模拟，经逐次沟道近似，得到了既适用于超导表面场效器件（ＭＯＳｕＦＥＴｓ）又适用于超导ＰＮ结型或肖特基结型场效应器件（ＪＳｕＦＥＴｓ）或（ＭＥＳｕＦＥＴｓ）的统一小信号模型。

超导场效应器件的统一Y参数和小信号等效电路

本文基于超导场效应的小信号传输线模型的电流电压方程，建立了各种电路组态的本征的统一Ｙ参数和小信号等效电路，提出了频变电阻、频变电感和频变电容的概念，为研究各类超导场效应器件和电路的高频特性和动力学提供了有力的基础．

新型双注入结型场效应器件

本文提出一种新型双注入结型场效应晶体管（BJFET）器件构思，并说明其工作原理。这种器件兼有双极型器件和结型场效应器件的特点，即有两种载流子参与导电，导电能力受电压控制，具有较大的电流容量和输入电阻。

场效应器件表面修饰对DNA测试性能影响的研究

对比甲醇-盐酸混合物及硫酸处理对场效应器件(Field-effect device,FED)电化学测试性能的影响。实验结果表明,FED表面经过两种方式处理,其电化学阻抗测试特性发生变化,表现在阻抗的虚部值(用Zq表示)随加在FED器件与参比电极之间的电压的变化特性(用Zq-V曲线表示)发生改变。经过硫酸处理的器件的Zq-V曲线相对于未处理器件有微小偏移;而甲醇-盐酸体系处理后曲线在耗尽层区的斜率有所下降,表明这种处理对器件测试性能有负向的影响。经硅烷化固定在表面的氨基采用荧光标记,荧光测试结果表明,两种表面处理方式对硅烷化效果影响不大。进一步通过共价连接在硅烷化FED表面引入探针DNA分子,制备基于FED的DNA传感器。与目标DNA分子杂交反应后,实验表明,硫酸处理的测试结果要好于甲醇-盐酸的处理方法。

离子敏感场效应器件研究的进展

离子敏感场效应器件研究的进展牛蒙年（中国科学院上海冶金所）丁辛芳，童勤义（东南大学）０引言离子敏感场效应器件自问世至今已有二十多年，目前已能成功地对二十多种离子进行传感，而且形成多种对生物信号敏感的场效应结构传感器，如ＢｉｏＦＥＴ、ＥＮＦＥＴ、ＩＭＦ...

基于场效应器件的外场催化调控研究

在多相催化中，固体表面的催化性质本质上是由其电子结构特别是价电子结构决定的。例如不同元素或化合物具有各不相同的本征电子性质，因此在催化性能上表现出巨大的差异。而对于特定的固体材料，其电子结构调变可以通过改变组分、形貌、晶相、尺寸等方式实现。

VDMOS功率场效应器件的设计与研制

VDMOS功率场效应器件是八十年代迅速发展起来的新型功率器件,由于它比双极型功率器件具有许多优良性能:如高输入阻抗、低驱动电流、开关速度快、工作频率高、具有负的电流温度系数、热稳定性好,安全工作区大,没有二次击穿及高度线性的跨导等,已广泛地应用于各种电子设备中,如高速开关电路、开关电源、不间断电源、高功率放大电路、高保真音响电路、射频功放电路、电力转换电路、电机变频调速、电机驱动、固体继电器、控制电路与功率负载之间的接口电路等。

栅极的不同施加位置对有机分子场效应器件电输运性质的影响

采用第一性原理的密度泛函理论和非平衡格林函数方法,我们研究了有机分子场效应器件中栅极电压的不同施加位置对体系电输运性质的影响.结果发现,当栅极的尺寸大小不能对整个分子体系作用时,对于相同大小的栅极电压值,施加位置越靠近两侧源、漏电极所引起的分子能级的偏移越明显,相反,施加位置越接近分子中心,对分子能级的影响越小.这一结论对有机分子场效应器件的生产和制作提供一定的理论指导.

化学量传感器 第四讲 离子敏场效应器件及其应用 十三离子敏场效应晶体管的应用(一)

随着ISFET研究的深入,与之相应的分析测试技术和测量仪器也在不断地更新和完善,这对提高测量的可靠性和分析精度起着重要的作用。本节予以介绍。 (一)仪器放大器型ISFET分析测量仪 其电路示于图12-1中。放大器A_1、A_2和A_3构成仪器放大器。

有机场效应器件研究再破弯折稳定性世界新纪录

在中国科学院、科技部、国家自然科学基金委相关基金的支持下，中科院化学所的相关研究人员成功地将有机场效应晶体管的柔性指标——弯折曲率半径又降低了一个数量级，达到5mm，刷新了有机场效应器件的弯折稳定性的纪录。在此之前，通过采用超薄塑料衬底以及其它技术手段，有机场效应晶体管的最小弯曲曲率半径已经降低到100mm。

高T_c超导薄膜/砷化镓场效应器件混合微波振荡器的研制

研制了一种高T_c超导薄膜/砷化镓场效应器件混合的微波振荡器,整个电路采用微带电路形式,制备在一片10mm×15mm的YBa_2Cu_3O_(7-δ)超导薄膜上。该振荡器采用共源和栅结串联反馈电路结构,以GaAs MESFET(NE72084)为负阻元件,利用高品质因数的超导微带谐振器作为稳频元件。通过提高谐振器的品质因数和调节它与MESFET的耦合强度,降低了振荡器的相位噪声。相位噪声在偏离载频(10.6GHz)为10kHz时达到-87dBc/Hz。

高温超导场效应晶体管的动态导纳模拟

本文基于我们建立的超导场效应器件的统一小信号理论，引进了动态导纳参数．对高温超导场效应晶体管的低频电流电压特性进行了数值模拟．分别对推广的二流体模型中正常电流和超导电流在一定的条件下随栅电压、漏电压、温度和频率的变化进行了分析．给出了一种高温超导场效应器件低频特性新的研究方法．

碳纳米管场效应型DMMP气敏传感器研究

基于单壁碳纳米管(SWCNT)的场效应气体传感器由于具有传感性能好、体积小、室温操作和加偏压自我解吸附等优良性能,有着广泛的应用前景。利用单壁碳纳米管自组装技术在SiO2/Si基底上制备均匀分布的SWCNT薄膜,将其作为沟道制作了具有灵敏开关特性的场效应晶体管(FET),该FET器件的开关比达到105。将此FET器件作为气体传感芯片用于甲基膦酸二甲酯(DMMP)气体分子的检测。结果显示,当通入DMMP气体时,器件的阈值电压向负栅电压方向移动。当DMMP体积分数为5×10-6,栅压为-10 V时,器件的灵敏度达到32%,响应时间为300 s。在15 V的栅压下器件能够很快地实现气体解吸附。

国产MOS场效应晶体管阈值电压不稳定性的初步探讨

本文阐述了引起 MOS 场效应晶体管阈值电压不稳定性的几种主要因素,介绍国外对 p 沟 MOS 晶体管所做的加速试验的结果。对国产 MOS 晶体管的阈值电压进行了 BT 试验。同一类型的管子在不同应力下观察到类似的现象。作图表示阈值电压漂移的平均值随应力时间的变化,从而确定漂移机构。

宽温区（27～300℃）MOS器件高温特性的模拟

本文在研究ＭＯＳ器件高温特性的基础上，介绍了高温区器件模拟的特殊考虑及宽温区ＭＯＳ器件高温特性的模拟。经实测结果验证，基于ＭＩＮＩＭＯＳ４．０基本算法的高温ＭＯＳ器件模拟软件可模拟２７～３００℃宽温区ＭＯＳ器件的高温特性，而且模拟和实测结果基本相符。

纳米MOS器件中的超浅结和相关离子掺杂新技术的发展

MOS器件特征尺寸进入纳米领域时如何形成超浅结是一个重要的挑战。文中讨论了纳米 MOS器件对超浅结离子束掺杂技术的特殊要求以及发展超浅结的主要途径 ,介绍了目前超浅结离子掺杂新技术的最新发展 ,并对其前景进行了展望。

用于制作场效应晶体管的砷化镓的电解腐蚀及电子迁移率

本文介绍了n型砷化镓的电解腐蚀技术,此工艺用来制作场效应晶体管管芯片,可把较厚的并且不均匀的材料腐蚀成均匀的外延薄层。用这种方法制备的薄外延层样品的霍耳效应测量表明,对于减薄到2100埃厚的外延层,其迁移率与砷化镓材料体迁移率的理论值相同。对复盖有阳极氧化物的外延层进行霍耳效应测量表明,氧化层界面俘获的电荷密度是3.9×10^(11)电子/厘米~2,比外延层生长后的表面电荷密度值大。

砷化镓场效应晶体管直流参数的图解设计和迭代渐近分析

对于短栅砷化镓场效应晶体管结构,泊松方程和载流子连续方程的二维数值解已被用来予言器件的性能。但是,还没有提出一种可用来设计场效应晶体管的普遍承认的简化方法。在本文中,介绍了一种简化的设计技术和一种迭代渐近的器件分析方法,它们适用于栅长小至1微米的砷化镓场效应晶体管。通过简单地对1微米栅的场效应晶体管的一些适当的曲线进行换算,这种设计技术可以确定任意栅尺寸的器件的漏饱和电流和饱和跨导。还给出了一些曲线,它们表示了任意几何形状的场效应晶体管的有效跨导与本征跨导之间的关系。迭代渐近分析方法可用于确定制造器件用的外延层的掺杂浓度N_D及其厚度α。通过简单地测量在零栅压和夹断电压时的漏电流和跨导,提出了一种方法,它允许以一种独立的方式确定上述参数。与通常简单测量夹断电压(只给出N_D·α~2乘积的变化)的方法相反,这种方法提供了一种在整个片子上测绘N_D和α的途径。

砷化镓场效应晶体管的噪声性能

一、引言砷化镓肖特基势垒场效应晶体管是在X波段和更高频率上显示线性功率放大性能的第一个三端固体器件。它的独特的信号处理能力和低噪声特性已为许多工作者所证明。例如,在10千兆赫时,其噪声系数接近3分贝的已有报导,而理论上预计的还低一些。目前,从低的C波段往上,砷化镓场效应晶体管已在低噪声放大器中被采用。就这点而论,它很出色地弥补了硅双极晶体管仍然只能控制C波段以下的微波波段的状况,然而,现在正用具有缓冲层的场效应晶体管来实现降低噪声,双极晶体管的这一独特频率范围不会继续存在多久。

用硫注入砷化镓制作的微波场效应晶体管

据了解,西德慕尼黑西门子公司的W·Kellner等人1975年8月在美国华盛顿举行的《国际电子器件会议》上作了“用硫注入砷化镓制作的微波场效应晶体管”的报告。该报告的摘要如下:对于制备砷化镓肖特基势垒栅场效应晶体管（MESFET）所需的均匀的n型掺杂层来说,硫离子注入半绝缘砷化镓已显示出它是一种有吸引力的可与气相外延抉择的方法。开始用与资料相似的实验条件(150千电子伏。