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基于慢波基片集成波导的小型化移相功分器
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作者 黄文 詹中杰 陈肖 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第5期1562-1569,共8页
针对移相器和功分器的功能融合设计,提出了一种基于慢波基片集成波导(Slow-Wave Substrate Integrated Waveguide,SW-SIW)的小型化移相功分器,两个输出分支等长带宽,可实现30°相移量.其中一个输出分支通过基片集成波导(Substrate I... 针对移相器和功分器的功能融合设计,提出了一种基于慢波基片集成波导(Slow-Wave Substrate Integrated Waveguide,SW-SIW)的小型化移相功分器,两个输出分支等长带宽,可实现30°相移量.其中一个输出分支通过基片集成波导(Substrate Integrated Waveguide,SIW)实现,而另一个输出分支将互补开口谐振环(Complementary SplitRing Resonator,CSRR)加载在上层金属表面,代替传统SIW连续的金属表面,该CSRR由经典CSRR结构演变而来,同时为了降低由CSRR加载所造成的相位上的不稳定,在CSRR内部添加金属化通孔,实现SW-SIW,使得截止频率和相速度降低.测试结果表明,移相功分器在9.0~11.8 GHz频带范围内反射系数|S11|小于-10 d B,相对工作带宽为26.9%,插入损耗小于1.3 d B.两个输出端口的相位差稳定在30°±3°,幅度差小于1.4 d B,实现了等功率分配.所设计的移相功分器具有较小的尺寸和低制造成本,适合应用在相控阵天线中. 展开更多
关键词 移相功分器 基片集成波导 慢波基片集成波导 小型化 互补开口谐振环
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金属钼圆基片平面研磨及其表面创成机理研究
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作者 阎秋生 陈缘靓 +2 位作者 夏江南 雒梓源 汪涛 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第12期181-192,共12页
目的实现金属钼圆基片高效平坦化加工,获得超光滑表面。方法采用游离磨料对钼圆基片进行平面研磨加工,研究磨料种类及研磨盘转速、研磨压力、研磨时间等工艺参数对研磨效果的影响规律,通过材料去除率(MRR)与表面粗糙度(Ra)的建模分析,... 目的实现金属钼圆基片高效平坦化加工,获得超光滑表面。方法采用游离磨料对钼圆基片进行平面研磨加工,研究磨料种类及研磨盘转速、研磨压力、研磨时间等工艺参数对研磨效果的影响规律,通过材料去除率(MRR)与表面粗糙度(Ra)的建模分析,对比钼材与高硬脆和高塑性材料,揭示其研磨工艺特性、探究其表面创成机理。结果钼圆基片材料去除快慢和表面形貌受各因素作用的综合影响。CeO_(2)磨料适合钼圆基片的研磨加工,材料去除方式为二体、三体摩擦塑性去除;在研磨过程中,MRR随研磨盘转速、研磨压力的递增而先增大后减小,在研磨盘转速为60 r/min、研磨压力为0.026 MPa条件下MRR达到最大;除磨料因素外,其他工艺因素对表面粗糙度的影响较小;MRR和Ra随加工时间的延长而趋于稳定;使用粒径W1 CeO_(2)磨料在研磨盘转速为60 r/min、研磨压力为0.026 MPa下研磨40 min后,表面粗糙度Ra由46 nm降至9.53 nm,MRR达1.16 mg/min。结论采用游离磨料研磨方法在优化工艺条件下可以有效降低表面粗糙度,获得良好表面。 展开更多
关键词 钼圆基片 研磨 工艺参数 材料去除率 表面粗糙度 加工机理
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基片集成波导馈电的毫米波雷达阵列天线
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作者 任宇辉 白海灵 +2 位作者 赵朗晗 崔锋 伍捍东 《微波学报》 CSCD 北大核心 2024年第5期9-14,共6页
为了满足毫米波雷达的应用需求,本文设计了一款工作于24 GHz的毫米波雷达阵列天线。该天线由八个1×8单元的微带串馈直线阵列组成平面阵列,每一个线阵采用中心馈电的形式,解决了传统串馈阵列波束偏离阵列法线的问题。同时,利用基片... 为了满足毫米波雷达的应用需求,本文设计了一款工作于24 GHz的毫米波雷达阵列天线。该天线由八个1×8单元的微带串馈直线阵列组成平面阵列,每一个线阵采用中心馈电的形式,解决了传统串馈阵列波束偏离阵列法线的问题。同时,利用基片集成波导设计了低损耗的馈电网络,且将馈电网络和辐射贴片排布为两层,大大减小了天线的平面尺寸。此外,本设计中还利用泰勒综合法优化设计了阵列单元的宽度和功分器的分配比例,从而同时优化了天线E面和H面的旁瓣电平。测试结果表明,天线在23.7 GHz~24.2 GHz的频带内|S11|<-10 dB,相对带宽约为2.1%,最大增益为21.1 dB。天线在电场面旁瓣电平小于-20 dB,磁场面小于-23 dB,整体效率约为69%。 展开更多
关键词 毫米波雷达天线 串联馈电阵列 基片集成波导
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X波段Si基片集成脊波导MEMS环行器
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作者 汪蔚 李志东 +2 位作者 田松杰 高纬钊 刘博达 《微纳电子技术》 CAS 2024年第4期156-161,共6页
基于波导传输理论设计并制备了一款Si基片集成脊波导(RSIW)微电子机械系统(MEMS)环行器,该环形器以高阻硅作为衬底材料,采用高精度三维MEMS加工工艺制备而成。通过在基片集成波导(SIW)结构中添加脊梁结构,形成RSIW传输结构,使传输主模T... 基于波导传输理论设计并制备了一款Si基片集成脊波导(RSIW)微电子机械系统(MEMS)环行器,该环形器以高阻硅作为衬底材料,采用高精度三维MEMS加工工艺制备而成。通过在基片集成波导(SIW)结构中添加脊梁结构,形成RSIW传输结构,使传输主模TE10模的截止频率比矩形波导TE10模的低,从而实现相同频率下更小的器件尺寸。同时,通过电磁仿真软件对射频匹配和磁场分布进行了精确的建模仿真,完成了Si基片集成脊波导MEMS环行器的仿真设计。制备了尺寸为6 mm×6 mm的环行器样品并进行了测试,结果验证了仿真设计的准确性,其工作频率为8~12 GHz,回波损耗大于20 dB,隔离度大于18 dB,插入损耗小于0.5 dB。实现优良微波特性的同时,相比于常规的SIW结构环行器尺寸缩小了20%左右。 展开更多
关键词 微电子机械系统(MEMS) 环行器 基片集成脊波导(RSIW) 高阻硅 脊梁结构
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基于基片集成波导加载开口环的介电测量传感器 被引量:1
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作者 赵文强 武鑫磊 +3 位作者 景辉辉 陆畅 张斌珍 段俊萍 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2024年第1期107-110,共4页
基于微扰理论,提出了一种在基片集成波导(SIW)结构上加载椭圆形开口环的小型化介电常数测量传感器。在传感器表面刻蚀椭圆开口环,增加电流路径的同时,降低工作频率,实现器件的小型化。在中心区域挖有通孔,当放入具有不同介电常数的待测... 基于微扰理论,提出了一种在基片集成波导(SIW)结构上加载椭圆形开口环的小型化介电常数测量传感器。在传感器表面刻蚀椭圆开口环,增加电流路径的同时,降低工作频率,实现器件的小型化。在中心区域挖有通孔,当放入具有不同介电常数的待测物体时,传感器的S参数会发生改变。通过仿真软件对传感器进行分析,介电常数实部从1至10变化,频率的相对偏移达到32.4%。测量结果表明:传感器对介电常数的测量误差小于3%,具有很好的测量效果。 展开更多
关键词 微扰理论 基片集成波导 介电常数 小型化
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基于基片集成波导的Ka波段毫米波缝隙天线设计 被引量:2
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作者 崔露露 李静 +2 位作者 伍悍东 白彦平 郑祥功 《微波学报》 CSCD 北大核心 2024年第3期12-16,共5页
本文总结了由基片集成波导(SIW)设计缝隙天线的一般方法,并设计了一款8×8 SIW缝隙天线阵列。该天线主要由SIW馈电网络、缝隙阵列和微带线至SIW转换器三部分构成。利用泰勒分布函数控制阵列的馈电幅度以及缝隙的偏置距离,从而有效... 本文总结了由基片集成波导(SIW)设计缝隙天线的一般方法,并设计了一款8×8 SIW缝隙天线阵列。该天线主要由SIW馈电网络、缝隙阵列和微带线至SIW转换器三部分构成。利用泰勒分布函数控制阵列的馈电幅度以及缝隙的偏置距离,从而有效地控制了阵列在方位面和俯仰面的旁瓣电平。实验结果表明,该天线在33.30 GHz~36.54 GHz的频带范围内S 11幅值小于-10 dB,相对带宽为9.3%。天线最大增益为18.56 dB,H面副瓣电平小于-20 dB,E面副瓣电平小于-18 dB。该天线剖面低,易于共形,在机载、弹载等场景中有较好的应用前景。 展开更多
关键词 基片集成波导 泰勒分布 缝隙阵列天线
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单晶SiC基片干式摩擦化学机械抛光初探
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作者 薛明普 肖文 +2 位作者 李宗唐 王占奎 苏建修 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2024年第1期101-108,共8页
针对碳化硅(SiC)基片在抛光过程中效率低、费用高、环境污染大等问题,提出了一种在干式状态下对SiC基片进行摩擦化学机械抛光的方法(dry tribochemical mechanical polishing,DTCMP)。探究不同工艺参数(磨料种类、磨粒粒径、磨粒含量、... 针对碳化硅(SiC)基片在抛光过程中效率低、费用高、环境污染大等问题,提出了一种在干式状态下对SiC基片进行摩擦化学机械抛光的方法(dry tribochemical mechanical polishing,DTCMP)。探究不同工艺参数(磨料种类、磨粒粒径、磨粒含量、抛光盘转速、抛光载荷、固相氧化剂含量)对单晶SiC基片抛光效率和表面质量的影响规律。研究结果表明:金刚石磨粒更适合SiC的摩擦化学机械抛光;当磨粒粒径为W1,磨粒质量为4 g,抛光盘转速为70r/min,抛光载荷为20.685 k Pa,固相氧化剂过碳酸钠添加量为10g时,其为最优工艺参数。采用最优工艺参数对表面粗糙度约为20nm的单晶6H-SiC基片进行干式抛光加工,最终获得表面粗糙度R_(a)为3.214 nm。DTCMP方法抛光SiC基片比水基抛光法热量损失少,所产生的界面温度更高,反应所需的活化能更低,可以实现SiC基片的绿色、高效和高质量抛光。 展开更多
关键词 SiC基片 干式摩擦化学机械抛光 材料去除率 表面粗糙度
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三维雕刻法制备定向结构Si_(3)N_(4)/Al电子封装基片研究
8
作者 欧毅 殷海荣 +4 位作者 白建光 黄瑞 梁利东 刘雷 宋海龙 《陕西科技大学学报》 北大核心 2024年第6期119-125,共7页
本文以三维雕刻法和铝合金穿孔熔渗工艺制备了定向结构Si_(3)N_(4)/Al电子封装基片,研究了不同定向孔直径对基片轴向导热系数和径向热膨胀系数的影响.微观形貌分析表明Si_(3)N_(4)陶瓷的烧结是主要包括聚团颗粒之间形成粘结和聚团颗粒... 本文以三维雕刻法和铝合金穿孔熔渗工艺制备了定向结构Si_(3)N_(4)/Al电子封装基片,研究了不同定向孔直径对基片轴向导热系数和径向热膨胀系数的影响.微观形貌分析表明Si_(3)N_(4)陶瓷的烧结是主要包括聚团颗粒之间形成粘结和聚团颗粒内部生成β-Si_(3)N_(4)的过程,聚团颗粒尺寸是影响Si_(3)N_(4)陶瓷性能的主要因素.轴向热导率随着气孔尺寸增加呈增加趋势;气孔尺寸为0.8 mm时,Si_(3)N_(4)/Al电子封装基片导热系数随着温度增加呈减小趋势,最高达到107.1 W·m^(-1)·k^(-1),径向热膨胀系数变化不大. 展开更多
关键词 三维雕刻法 定向结构Si_(3)N_(4)/Al电子封装基片 轴向导热系数 径向热膨胀系数
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基于波导倏逝耦合的硅基片上量子点激光器的仿真设计
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作者 肖茗月 何希文 +3 位作者 周琛 马德岳 李儒新 周治平 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2024年第11期102-111,共10页
针对目前硅基光电子芯片缺失片上光源这一问题,设计了一种基于波导倏逝耦合的硅基片上量子点激光器。整体结构基于绝缘体上硅(Silicon on Insulator,SOI)平台引入倏逝波耦合结构来完成量子点增益芯片和波导间的耦合,利用布拉格光栅形成... 针对目前硅基光电子芯片缺失片上光源这一问题,设计了一种基于波导倏逝耦合的硅基片上量子点激光器。整体结构基于绝缘体上硅(Silicon on Insulator,SOI)平台引入倏逝波耦合结构来完成量子点增益芯片和波导间的耦合,利用布拉格光栅形成激光腔体来完成光放大和波长选择功能。通过Lumerical仿真软件对O波段硅基片上光源的锥形(taper)耦合器结构和布拉格光栅结构进行了优化。结果表明,长142μm的锥形耦合器具有最高的耦合效率;长于30μm的锥形光斑塑形波导可以使光束以更低损耗在片上传输;优化后的布拉格光栅在波导两端的长度为110μm和240μm,分别实现了40%和90%的反射率。两段布拉格光栅形成谐振腔,放大并选择出1.31μm波长。文中设计显著提高了硅基片上光源整体的发光效率并降低了成本,实现了超过98%的耦合效率,且与CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)工艺兼容。相关研究结果可为后续工艺设计和实验验证提供数据支持。 展开更多
关键词 硅基光电子学 基片上光源 倏逝波耦合 布拉格光栅
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X波段MEMS硅腔折叠基片集成波导环行器芯片
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作者 高纬钊 杨拥军 +2 位作者 汪蔚 翟晓飞 周嘉 《微纳电子技术》 CAS 2024年第3期120-125,共6页
通信系统向小型化、高性能、集成化的快速发展对射频组件的体积和电性能提出了苛刻的要求。设计了一种X波段硅腔折叠基片集成波导(FSIW)环行器芯片。当基片集成波导(SIW)工作于主模时,将中央的对称面等效为虚拟磁壁,沿着窄边对电磁场进... 通信系统向小型化、高性能、集成化的快速发展对射频组件的体积和电性能提出了苛刻的要求。设计了一种X波段硅腔折叠基片集成波导(FSIW)环行器芯片。当基片集成波导(SIW)工作于主模时,将中央的对称面等效为虚拟磁壁,沿着窄边对电磁场进行多次折叠,形成FSIW。以该技术作为设计思路,提高空间利用率,实现了FSIW整体结构的小型化。将FSIW的优势融入环行器中心结设计,使设计的环行器芯片具有高功率容量、低插入损耗、体积小、质量轻的优点。基于微电子机械系统(MEMS)工艺,以高阻硅为衬底材料,制备了该硅腔FSIW环行器芯片,芯片整体尺寸为6.5 mm×6 mm×2.5 mm,工作频率为8.5~11.5 GHz,回波损耗>18.5 dB,带内插入损耗<0.4 dB,隔离度>20 dB。 展开更多
关键词 微电子机械系统(MEMS) 折叠基片集成波导(FSIW) 环行器 射频组件 小型化 硅腔
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基于横向耦合和正交耦合的基片集成波导超宽阻带滤波功分器
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作者 范晨晖 刘晓贤 +1 位作者 刘诺 朱樟明 《集成电路与嵌入式系统》 2024年第2期50-56,共7页
基片集成波导滤波功分器在通信系统中的应用逐渐广泛。与传统波导谐振器相同,基片集成波导谐振器含有多个传输模式,导致基片集成波导滤波器的宽阻带特性很难实现。本文设计了一种由电激励实现的超宽阻带基片集成波导滤波功分器。具体地... 基片集成波导滤波功分器在通信系统中的应用逐渐广泛。与传统波导谐振器相同,基片集成波导谐振器含有多个传输模式,导致基片集成波导滤波器的宽阻带特性很难实现。本文设计了一种由电激励实现的超宽阻带基片集成波导滤波功分器。具体地,提出了一种基于电磁交替耦合拓扑的四阶基片集成波导滤波功分器,具有电输入和电输出端口。横向耦合通过谐振腔侧边开窗实现磁耦合,纵向耦合通过在相邻两腔之间的耦合窗口中蚀刻S槽线实现电耦合。通过正交传输路径可以抑制多个高阶模式,仿真和测量结果表明,阻带带宽分别大于9f 0和3.1f 0范围,该中心频率为35.5 GHz的滤波功分器的带外抑制效果优于-20 dB。上述方法经实物验证,试验结果与仿真结果吻合。 展开更多
关键词 基片集成波导滤波功分器 宽阻带 横向耦合 正交耦合 电磁混合耦合
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Si和316L基片上TiN薄膜微观结构和应力的对比分析
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作者 赵升升 程毓 +1 位作者 张小波 常正凯 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第3期278-285,共8页
目的 比较Si和316L基片上TiN薄膜的微观结构和应力,分析基片材料和基片初始曲率对薄膜应力的影响。方法 采用电弧离子镀技术在Si基片和316L基片上制备了TiN薄膜,实测了薄膜应力,通过XRD、SEM、TEM等方法对薄膜的微观结构进行了分析。运... 目的 比较Si和316L基片上TiN薄膜的微观结构和应力,分析基片材料和基片初始曲率对薄膜应力的影响。方法 采用电弧离子镀技术在Si基片和316L基片上制备了TiN薄膜,实测了薄膜应力,通过XRD、SEM、TEM等方法对薄膜的微观结构进行了分析。运用有限元分析技术,以结构力学为原理,分别对不同初始曲率的Si基片和316L基片上的薄膜应力测试进行了计算和校正应用。结果 相同工艺条件下,316L基片上TiN薄膜的应力比Si基片上的大。TiN薄膜应力随偏压的增大而增大。薄膜生长至近表面都形成了柱状晶结构,316L基片与TiN薄膜的膜基界面处出现较多的半共格生长结构,而Si基片的膜基界面结合以纳米晶混合为主。基片的初始曲率半径会导致薄膜应力测试产生误差,初始半径越小,引起的误差越大。结论 偏压作用下,316L基片上薄膜会产生更大的压应力。316L与TiN薄膜的膜基界面结合更好,有利于其承受更高的薄膜应力。316L基片的初始曲率半径显著小于Si基片,由此引起的薄膜应力测试误差较大,有必要对316L基片上的薄膜应力测试结果进行校正。 展开更多
关键词 基片弯曲法 应力测试 残余应力 基片初始曲率 基片材料
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基于基片集成波导的紧凑型宽带隔离滤波功率分配器
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作者 周静 李进阳 《电子制作》 2024年第22期13-15,共3页
为了更好地满足无线通信系统对高隔离度的需求,提出了一种基于衬底集成波导(SIW)的紧凑型宽带隔离滤波功率分配器,该结构通过矩形腔、叉指电容以及贴片电阻组成。利用叉指电容和贴片电阻设计高隔离度的隔离网络,通过利用SIW矩形腔的TE10... 为了更好地满足无线通信系统对高隔离度的需求,提出了一种基于衬底集成波导(SIW)的紧凑型宽带隔离滤波功率分配器,该结构通过矩形腔、叉指电容以及贴片电阻组成。利用叉指电容和贴片电阻设计高隔离度的隔离网络,通过利用SIW矩形腔的TE101与TE201谐振模式实现了两阶滤波响应,并通过调整输出端口的馈线位置来实现良好的带外抑制效果。同时,在不增加结构体积的前提下,引入隔离网络,实现了输出端口的高隔离度。最终设计了一款中心频率(0 f)为4.1 GHz,相对带宽(FBW)为12.7%,插入损耗(IL)为3.53 dB,回波损耗(RL)小于-14.5 dB,输出端口间的隔离小于-22.2dB以及带外抑制为2.170 f的功率分配器,仿真结果和实测结果基本吻合。 展开更多
关键词 基片集成波导 滤波功率分配器 宽带隔离 宽阻带 隔离网络
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陶瓷基片用氮化硅粉体专利现状
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作者 周伟 李菲 《中国科技信息》 2024年第4期23-25,共3页
本文通过深入挖掘专利数据,重点分析了陶瓷基片用氮化硅粉体的国内外专利申请分布、重点申请人、重要制备工艺、具体的改进方向以及达到的技术功效,并进一步阐明了氮化硅粉体制备四种制备方法的工艺特点以及潜在的改进方向,为我国企业... 本文通过深入挖掘专利数据,重点分析了陶瓷基片用氮化硅粉体的国内外专利申请分布、重点申请人、重要制备工艺、具体的改进方向以及达到的技术功效,并进一步阐明了氮化硅粉体制备四种制备方法的工艺特点以及潜在的改进方向,为我国企业破除国外的专利壁垒和技术封锁、加速国产化替代给出了相关建议和参考。 展开更多
关键词 陶瓷基片 氮化硅粉体 国产化替代 重点申请人 专利数据 技术功效 专利壁垒 改进方向
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AlN陶瓷基片的流延法制备及性能研究
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作者 谭会会 于志强 +3 位作者 李海青 臧向荣 闫明 赵云鹏 《真空电子技术》 2024年第4期68-71,75,共5页
采用流延法制备AlN陶瓷基片,使用无水乙醇为溶剂,避免了酮类、苯类混合溶剂对人体和环境的危害;同时以磷酸三乙酯为分散剂、以聚乙烯醇缩丁醛为粘结剂、以邻苯二甲酸丁卞酯为塑化剂,并在氮氢混合气氛下高温烧结。对比研究了进口AlN粉体... 采用流延法制备AlN陶瓷基片,使用无水乙醇为溶剂,避免了酮类、苯类混合溶剂对人体和环境的危害;同时以磷酸三乙酯为分散剂、以聚乙烯醇缩丁醛为粘结剂、以邻苯二甲酸丁卞酯为塑化剂,并在氮氢混合气氛下高温烧结。对比研究了进口AlN粉体和国产AlN粉体在相同条件下制备的陶瓷基片的性能,结果表明:采用两种粉体制备成的陶瓷基片性能指标基本相当;采用进口粉体制备的基片最佳烧结温度在1830℃,密度达到3.327 g/cm^(3),热导率达到179.0 W/m·K,三点抗弯强度达到374.9 MPa。采用国产AlN粉制备的基片,其最佳烧结温度在1820~1825℃,密度达到3.320 g/cm^(3),热导率达到174.8 W/m·K,三点抗弯强度达到423.1 MPa。 展开更多
关键词 AlN基片 流延 气氛烧结 性能表征
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(Zr,Ti)O_(4)基微波薄膜介质基片制备关键工艺研究
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作者 江俊俊 康建宏 +2 位作者 汪小玲 刘杨琼 赵杨军 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第S01期42-46,共5页
素坯成型工艺对微波陶瓷材料在微波薄膜介质基片产品中的工程化应用具有关键影响。目前关于(Zr,Ti)O_(4)主晶相系统微波介质陶瓷材料的研究主要集中在降低(Zr,Ti)O_(4)陶瓷烧结温度、掺杂改性优化其介电性能、Q×f值(品质因数与频... 素坯成型工艺对微波陶瓷材料在微波薄膜介质基片产品中的工程化应用具有关键影响。目前关于(Zr,Ti)O_(4)主晶相系统微波介质陶瓷材料的研究主要集中在降低(Zr,Ti)O_(4)陶瓷烧结温度、掺杂改性优化其介电性能、Q×f值(品质因数与频率的乘积)等配方优化方面。本文以(Zr,Ti)-O4基微波陶瓷材料为原材料,通过研究中介微波薄膜介质基片关键成型工艺对其物相结构、微观形貌和介电性能的影响,发现不同素坯成型工艺方式对(Zr,Ti)O_(4)基陶瓷的致密度、介质损耗值、Q×f值等影响显著。采用方式四进行薄膜介质基片的制备,获得的(Zr,Ti)O_(4)基薄膜介质基片致密度较高,气孔率低,陶瓷材料的介质损耗低至1.1×10^(-4),15 GHz下Q×f值高达50000。本文通过对不同素坯成型方式的研究,以期为(Zr,Ti)O_(4)基微波陶瓷材料薄膜介质基片的工程化应用提供理论支撑。 展开更多
关键词 (Zr Ti)O_(4) 薄膜介质基片 工程化应用 微波陶瓷材料 成型工艺 介电性能
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采用基片集成波导技术的毫米波MEMS环行器
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作者 董建利 李志东 +1 位作者 翟晓飞 周嘉 《微纳电子技术》 CAS 2024年第6期131-137,共7页
设计并制备了一款毫米波的微机电系统(MEMS)环行器。该毫米波MEMS环行器芯片采用高阻硅作为衬底,利用基片集成波导(SIW)技术,基于硅基MEMS工艺,采用低损耗金属化技术,实现了硅通孔金属化的制备。采用三维电磁仿真软件进行模拟,设计了该... 设计并制备了一款毫米波的微机电系统(MEMS)环行器。该毫米波MEMS环行器芯片采用高阻硅作为衬底,利用基片集成波导(SIW)技术,基于硅基MEMS工艺,采用低损耗金属化技术,实现了硅通孔金属化的制备。采用三维电磁仿真软件进行模拟,设计了该毫米波MEMS环行器的结构以及SIW与微带线的过渡匹配,并在此基础上优化设计了一套通用的制备毫米波MEMS环行器的工艺流程。并对制备的毫米波MEMS环行器进行了性能测试。结果表明,该环行器的频率范围为24~28 GHz,频带内插入损耗≤0.5 dB,隔离度≥17 dB,尺寸仅为5 mm×5 mm×2.5 mm,能够满足大部分应用需求。 展开更多
关键词 微机电系统(MEMS) 环行器 毫米波 基片集成波导(SIW) 高阻硅
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小型化八边形基片集成波导背腔缝隙天线
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作者 刘阳 束锋 宋来鹏 《太赫兹科学与电子信息学报》 2024年第1期68-74,共7页
提出一款新颖的W波段八边形基片集成波导(SIW)背腔缝隙天线。相较传统的缝隙天线,具有体积小、易加工、Q值高、成本低等优点,且易于成阵。通过调节天线背腔缝隙的长度、宽度,以及SIW腔体的尺寸优化天线的辐射特性,通过电磁仿真软件HFSS... 提出一款新颖的W波段八边形基片集成波导(SIW)背腔缝隙天线。相较传统的缝隙天线,具有体积小、易加工、Q值高、成本低等优点,且易于成阵。通过调节天线背腔缝隙的长度、宽度,以及SIW腔体的尺寸优化天线的辐射特性,通过电磁仿真软件HFSS对模型进行仿真优化,确定了天线的最优结构。仿真实验结果表明,所设计的天线相对带宽约4.5%,方向性优良,中心频率点谐振深度<-31 dB,天线最大增益达到5 dBi,满足设计要求,验证了设计的正确性。所设计的SIW背腔缝隙天线拓宽了数字通信的可用频谱,是一种新的尝试,可为以后的研究提供新的参考思路。 展开更多
关键词 小型化 基片集成波导 W波段电磁波 宽带 缝隙天线
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集成宽带折叠半模基片集成波导带通滤波器 被引量:12
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作者 翟国华 洪伟 +1 位作者 吴柯 韦婧 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期825-829,共5页
本文提出并设计了一种新型的折叠半模基片集成波导(Folded Half-Mode Substrate Integrated Waveguide:FHMSIW)宽带带通滤波器,并给出了FHMSIW上层金属层槽缝式和中间金属层槽缝式宽带滤波器的仿真和测试结果.相对于半模基片集成波导(Ha... 本文提出并设计了一种新型的折叠半模基片集成波导(Folded Half-Mode Substrate Integrated Waveguide:FHMSIW)宽带带通滤波器,并给出了FHMSIW上层金属层槽缝式和中间金属层槽缝式宽带滤波器的仿真和测试结果.相对于半模基片集成波导(Half-Mode Substrate Integrated Waveguide:HMSIW)槽缝式滤波器,由双层PCB制作的FHMSIW槽缝式滤波器的尺寸减小了约一半.同时测试结果和仿真结果表明该宽带滤波器具有损耗小、带外抑制好等特性. 展开更多
关键词 折叠半模基片集成波导 半模基片集成波导 带通滤波器
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AlN陶瓷基片专利技术分析
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作者 钟玉姣 曹苏恬 温馨 《中国科技信息》 2024年第4期20-22,共3页
随着第三代半导体的崛起和发展,半导体功率器件集成度和功率密度明显提高,电子封装系统的散热问题已成为影响其性能和寿命的关键。陶瓷基片因兼具高耐热性、高热导率、高可靠性、低的热失配率、好的绝缘性能和高频特性,被认为是最有前... 随着第三代半导体的崛起和发展,半导体功率器件集成度和功率密度明显提高,电子封装系统的散热问题已成为影响其性能和寿命的关键。陶瓷基片因兼具高耐热性、高热导率、高可靠性、低的热失配率、好的绝缘性能和高频特性,被认为是最有前途的封装材料,近年来得以快速发展。AlN陶瓷因具有高热导率、低介电常数、与Si相匹配的热膨胀系数以及良好的绝缘性等优点成为电路基片材料的最佳选择之一。本文通过对半导体功率器件用AlN陶瓷基片的国内外专利进行分析,得到AlN陶瓷基片技术的国内外发展状况及发展方向,供相关领域技术人员参考。相关中文专利数据来源为中国专利全文数据库(CNTXT),外文专利数据来源为外国专利全文中文翻译数据库(ENTXTC),检索数据截至2023年8月。 展开更多
关键词 ALN陶瓷 高热导率 高耐热性 陶瓷基片 热膨胀系数 专利全文 低介电常数 封装材料
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