光谱及太阳电池各参数与填充因子之关系

以单指数太阳电池模型为基础,引入Lambert's W函数,给出太阳电池I-V的显函数关系。分析了不同光源的光谱差异对填充因子FF的影响,并将其转化为光强P对填充因子FF的影响。同时利用该显函数关系,就太阳电池各个参数对填充因子FF的影响进行了理论计算与分析,并与实验结果相比较。

提高CCD图像传感器填充因子的微透镜阵列的研究

为了提高可见光CCD图像传感器的探测灵敏度,提出了516×516元石英微透镜阵列的设计方法,并简要介绍了其制作工艺。测量结果表明,所制作的微透镜阵列有优良的表面轮廓、较好的几何尺寸均匀性和光学性能,大幅度地提高了CCD图像传感器的填充因子。

填充因子对K-V分布束晕-混沌控制效果的影响

系统地研究了周期磁聚焦束流传输网络中填充因子对强流离子加速器K-V分布束晕-混沌控制效果的影响.通过数值模拟,确定了束晕-混沌控制效果较好的填充因子的取值范围为0.75～0.99,从而把以往填充因子只凭经验取个别值的研究扩大到可在一个较大的范围取值.另外,还发现了填充因子取值为0.59～0.67时束截面上离子数密度分布由均匀分布变为沿径向出现一峰状分布现象,从而为离子束应用提供了新的参考.

填充因子对激光组束远场功率分布的影响

根据Collins积分公式对激光组束后的远场分布进行了理论分析和模拟计算,着重讨论了参与组束激光的填充因子对组束后的远场分布的影响。

加速器束晕控制中填充因子对束半径的影响

运用PIC多粒子模拟程序,采用延迟反馈控制器,通过数值模拟,研究了K-V分布束束晕-混沌控制中填充因子对离子束最大半径的影响.通过绘制最大半径随填充因子变化的曲线图,分析曲线图的特点,得到了对最大半径控制效果最好的区域,同时验证了呼吸模型的正确性.

Fresnel数对光束填充因子的影响

本文利用快速汉克尔变换算法研究了高功率激光束在自空间传输过程中形成低频调制对光束质量的影响 ,指出了衍射调制深度跟光束宽度及传输距离等参数之间的变化关系 .这种关系给出了如何选择传输参数以减少不利的低频调制的参考方法 .

太阳电池填充因子随日照强度变化的理论分析与计算

根据太阳电池直流模型和最大功率点数学条件,推出短路电流、开路电压、最大功率点电流和电压以及填充因子随日照强度变化的数学关系式;并选取2个电池分别计算出在不同日照强度下上述电池参数随日照强度的变化率。验证了短路电流和最大功率点电流是近似跟日照强度成正比,开路电压和最大功率点电压是近似跟日照强度的自然对数成正比。并提出了填充因子随日照强度的变化关系不具有简单的函数形式,而对不同的太阳电池其变化关系也迥异。最后用Multisim的模拟结果检验了理论分析计算的正确性。

SnO_2／p接触特性对a－Si太阳电池填充因子的影响

用ＰＥＣＶＤ方法制备出高电导率（～０．２ｓｃｍ－１）、宽带隙（～２．２ｅＶ）的Ｐ型微晶化硅碳合金（ｐ－μｃ－ＳｉＣ：Ｈ）薄膜材料。利用ｐ－μＣ－ＳｉＣ：Ｈ／ｐ－ａ－Ｓｉ：Ｈ复合结构做ａ－Ｓｉ太阳电池的窗口材料，明显改善了ＳｎＯ２／ｐ之间的接触特性，从而使１０ｃｍ×１０ｃｍ单结集成型电池的填充因子从０．７０以下提高到０．７２。

强流加速器束晕控制中填充因子对束粒子密度的影响

运用PIC多粒子模拟程序,采用延迟反馈控制法,研究了离子束在运行过程中粒子分布情况.通过分析比较,得到了对束晕进行有效控制后的粒子分布规律,为强流加速器的应用提供了有用的参考.

一种具有高填充因子吸收层和低失调低噪声读出电路的红外探测系统(英文)

使用红外探测器及读出电路,研制成功非制冷红外探测系统.探测器用二极管作为温度传感器,使其与集成电路工艺相兼容.采用了新的器件结构,使得填充因子从20%提高到80%.器件的微机械结构面积为35μm×35μm.读出电路的失调电压为3μV.探测器的输出噪声为2μV.探测器的电压响应率为7 894.7 V/W,黑体探测率D*为1.56×109cmHz1/2/W,噪声等效温差为330 mK,响应时间为27 ms.

填充因子对微扫描系统成像质量影响分析

填充因子是探测器阵列设计的一个重要参数,因此有必要研究填充因子对微扫描系统成像质量的影响。以2×2微扫描方式为例,在详细分析微扫描技术能够减少由探测器欠采样造成的混淆效应的基础上,仿真了不同填充因子下的输出图像,引进结构相似度(SSIM)的评价指标,从图像质量评价的角度对仿真图像进行定量分析。仿真结果表明填充因子的增大能够减少混淆效应,提高成像质量。指出探测器填充因子的增大虽然能提高成像质量,但是对成像质量的影响是有限的,对图像的改善程度不大,并不是影响像质的主要因素,这对微扫描成像系统的设计提供了理论和应用参考。

数字投影中填充因子对相位测量影响分析

提出了数字投影的填充因子对相位测量的误差分析。在结构光三维测量中,数字投影容易改变条纹周期和产生准确的相移,因而到了越来越广泛的应用。然而相比传统的机械模拟投影方式,数字投影采用了抽样方式,且由于其自身结构的限制,填充因子不能做到100%,必然对相位测量有影响。针对填充因子对相位测量的误差,还没有人进行充分研究。对填充因子引起误差原因进行分析,并给出其数学描述,从而建立了理论依据,还进一步提出了离焦减少误差的方法,并给出了其数学表达。最后通过模拟实验的方法,对理论进行了验证,实验结果证明了填充因子减少将增大测量误差,离焦法可以减少相位测量误差。

780nm波段低填充因子半导体激光器列阵的光束质量研究

为了获得高功率高光束质量激光输出,设计并制备了一种780nm波段5发光单元列阵器件,其采用10μm宽窄条形波导,各发光单元中心间距为100μm,填充因子仅为10%。在准连续注入电流由1.2A增加到2.5A条件下,该器件的输出光束侧向光学参量积由0.666mm·mrad增加至0.782mm·mrad。注入电流为2.5A时,该器件实现了单边准连续506mW的高光束质量激光输出。

太阳电池填充因子与串联电阻的线性关系

太阳电池的串联电阻对其填充因子有显著的影响。填充因子与串联电阻的线性关系可以从I-V方程数值分析得到。由开路电压、短路电路和填充因子,可以估算串联电阻。

运载火箭整流罩内声场填充因子研究

本文阐述了填充效应的定义及研究的必要性;根据声学基本理论,推导了整流罩内声场的理论填充因子;根据某型号运载火箭实际整流罩,设计加工了缩尺寸模拟整流罩及三种有效载荷模拟星,运用SEA和FE-SEA混合方法,数值计算得到仿真填充因子;开展了整流罩噪声试验,测量不同填充状态内声场的分布,处理得到试验填充因子,对比理论结果与仿真结果,验证总结了填充效应的一般规律。

太阳电池填充因子与并联电阻的指数关系

太阳电池的并联电阻对其填充因子有显著的影响。忽略串联电阻,从太阳电池的I-V特性方程出发,采用Matlab数值分析方法,得到填充因子与并联电阻之间服从指数关系。

填充因子的变化对束半径影响的模拟研究

研究了在以对数函数控制器进行束晕控制的条件下,填充因子的变化对强流离子加速器中初始分布为K-V分布的离子束半径的影响,通过将其与延迟反馈控制器下所得的结果进行比较,发现在相当大的填充因子取值范围内,使用对数函数控制器时,束半径的变化比使用延迟反馈控制器时小,而且在以离子数比为控制变量的对数函数控制下,束最大半径和均方根半径也没有像使用延迟反馈控制器那样有明显的峰值或波谷出现。

填充因子对同质铁磁膜中本征激发的影响

采用改进的界面重参数方法,讨论了周期边界条件下同质双层铁磁膜中自旋波本征激发问题.当保持系统的总厚度N不变,调节填充因子f=NA/N时,发现系统的所有本征激发能均会受到影响,其中f=1/2时的奇数支模的激发能最低,偶数支模的激发能最高.声学型界面模存在不受填充因子影响,而光学型界面模在填充因子f=1/2时最易存在.

芳胺类染料敏化太阳能电池填充因子的全息定量构效关系研究

根据对65种芳胺类染料的研究,建立了染料敏化太阳能电池填充因子(FF)的全息定量构效关系(HQSAR)模型。模型参数fragment distinction、fragment size和holograms length分别选择为“A,B,C,H,DA”、“4~7”和“307”时可建立最佳HQSAR模型。采用外部测试集验证和留一交叉验证两种方法对所建立模型进行了验证,外部测试集验证中的RMSRE和RMSEP分别为6.09和0.04,留一交叉验证中的RMSRE和RMSECV分别为2.73和0.02。两种验证结果表明建立的HQSAR模型预测能力良好。此外,通过所得HQSAR模型的分子贡献图可知,芳胺环上长烷基链和咔唑基团的存在会使FF值有降低的趋势。

二次丝印对硅电池填充因子和转换效率的影响

考虑到在印刷过程中存在栅线展宽效应,通过理论与实验分析一次印刷和二次叠印过程中栅线展宽对栅极线宽和线高的限制和导致电池片的电极电阻和填充因子的变化,建立栅极电阻和填充因子理论模型。研究表明,丝网二次叠印电池片的填充因子比丝网一次印刷的填充因子小1%,但其短路电流密度比一次印刷高0.33 mA/cm2,开路电压比一次印刷高1.1 mV,最终晶体硅太阳电池片的转换效率比一次印刷提高0.391%。提出采用设计印刷线宽消除因叠印栅线展宽而产生的填充因子减小,以获得更高的硅太阳电池转换效率,并建立实际印刷线宽半经验模型。