SnO_2TiO_2复合半导体纳米薄膜的研究进展

本文概述了SnO2TiO2复合半导体纳米薄膜的发展历史和研究现状,对比分析了“混合”、“核壳”和“叠层”3种复合薄膜的结构和性能特点,着重论述了叠层结构的SnO2/TiO2复合薄膜的光电化学和光催化特性。结合作者的研究工作,探讨了SnO2/TiO2双层复合薄膜上下层厚度对其光催化活性的影响,指出复合薄膜光催化活性的提高可归因于电子从TiO2向SnO2的迁移。最后对SnO2/TiO2复合薄膜的局限性和发展潜势做一简要分析,强调了该复合薄膜本身的应用特点。

纳米半导体复合薄膜的非线性光学性质及其在激光器中的应用

采用射频磁控溅射技术制备了Ge掺二氧化硅(Ge-SiO2)和Ge,Al共掺二氧化硅(Ge/Al-SiO2)两种复合薄膜,并进行了热退火处理形成了纳米Ge镶嵌结构。通过紫外-可见吸收谱测量,确定了两种薄膜中纳米Ge的光学带隙,并采用皮秒激光Z-扫描技术研究了薄膜的非线性光学性质。测试结果显示,在1 064nm激发下得到的Ge-SiO2和Ge/Al-SiO2薄膜的非线性吸收系数分别为-1.23×10-7 m/V和4.35×10-8 m/W,前者为饱和吸收,而后者为双光子吸收。把两种薄膜作为可饱和吸收体均可实现1.06μm激光的被动调Q和被动锁模运转。与Ge-SiO2薄膜比较,采用Ge/Al-SiO2薄膜可以获得较窄的调Q脉冲和锁模脉冲。最后,理论分析和实验比较了两种薄膜实现被动调Q和锁模的机理。

复合型栅氧化层薄膜双栅MOSFET研究

通过对硅膜中最低电位点电位的修正,得到复合型栅氧化层薄膜双栅MOSFET亚阈值电流模型以及阈值电压模型。利用MEDICI软件,针对薄膜双栅MOSFET,对四种复合型栅氧化层结构DIDG MOSFET(Dual insulator double gate MOSFET)进行了仿真。通过仿真可知:在复合型结构中,随着介电常数差值的增大,薄膜双栅器件的短沟道效应和热载流子效应得到更有效的抑制,同时击穿特性也得到改善。此外在亚阈值区中,亚阈值斜率也可以通过栅氧化层设计进行优化,复合型结构器件的亚阈值斜率更小,性能更优越。

Influence of Poly（methyl metacrylate） Addition on Resistive Switching Performance of P3HT/P（VDF-TrFE） Blend Films

Organic semiconducting/ferroelectric blend films attracted much attention due to their electrical bistability and rectification properties and thereof the potential in resistive memory devices. Blend films were usually deposited from solution, during which phase separation oc- curred, resulting in discrete semiconducting phase whose electrical property was modulated by surrounding ferroelectric phase. However, phase separation resulted in rough surface and thus large leakage current. To further improve electrical properties of such blend films, poly（methyl metacrylate） （PMMA） was introduced as additive into P3HT/P（VDF-TrFE） semiconducting/ferroelectric blend films in this work. It indicated that small amount of PMMA addition could effectively enhance the electrical stability to both large electrical stress and electrical fatigue and further improve retention performance. Overmuch PMMA addition tended to result in the loss of resistive switching property. A model on the configuration of three components was also put forward to well understand our experimental observations.

Ag-BaO薄膜在电场作用下的可见——近红外波段光学吸收特性

对超额Ba激活的Ag BaO复合薄膜在外加垂直表面电场作用下的光学吸收特性进行了测量 .结果显示 ,薄膜在可见—近红外光波段存在两个吸收峰 ,其中近红外光区的吸收峰强度随垂直表面电场的作用而降低 .理论分析表明 ,可见光区的主吸收峰源于埋藏在BaO半导体中的Ag超微粒子的表面等离激元共振吸收 ;近红外光区的次吸收峰则由BaO半导体基质中杂质能级的光吸收引起 ,杂质能级的产生与超额Ba在BaO晶体中造成的氧缺位有关 .在外加垂直表面电场作用下 ,BaO基质中的杂质发生电离 ,并导致杂质能级上束缚电子浓度减小 。

s偏振激光斜入射诱导类“叶脉”状自组织条纹结构(特邀)

在金属铂和非晶硅构成的复合薄膜上,观察到了在斜入射条件下由s偏振激光诱导产生的、具有氧化周期性结构的、远离中轴线且外侧结构倾斜的周期性结构。首先,稳态照射下产生的条纹结构呈叶脉状,既不平行也不垂直于激光偏振方向;其次,动态扫描时产生的结构取向单一且与扫描方向有关;最后,结构周期随着入射角的增大而减小。这几个现象均与通常的激光烧蚀周期性结构不同。这些发现为调控激光诱导自组织提供了更多可能性。