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Si基热氧化Si_(1-x-y)Ge_xC_y薄膜的室温光致发光特性 被引量:2
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作者 程雪梅 郑有炓 +5 位作者 刘夏冰 臧岚 朱顺明 韩平 罗志云 江若琏 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第7期677-681,共5页
采用等离子体增强化学气相淀积 ( PECVD)法在 Si( 1 0 0 )衬底上淀积一层厚度约为1 70 nm的富 Ge高 C含量的 Si1- x- y Gex Cy 薄膜 ,然后将其分别在 80 0℃和 1 1 0 0℃下湿氧氧化2 0 min.在室温下观测到强烈的光致发光 .室温下的光致... 采用等离子体增强化学气相淀积 ( PECVD)法在 Si( 1 0 0 )衬底上淀积一层厚度约为1 70 nm的富 Ge高 C含量的 Si1- x- y Gex Cy 薄膜 ,然后将其分别在 80 0℃和 1 1 0 0℃下湿氧氧化2 0 min.在室温下观测到强烈的光致发光 .室温下的光致发光谱 ( PL谱 )测量显示 ,80 0℃下氧化后的样品在 370 nm和 396nm附近有两个光致发光带 ,1 1 0 0℃下氧化后的样品只在 396nm附近有一个光致发光带 .396nm附近的发光带可归之于由氧化薄膜中的缺陷 O- Si- O ( Si02 )或 O- Ge-O( Ge02 )引起的 ,而 370 nm附近的发光带与薄膜中 Ge- 展开更多
关键词 薄膜 室温光致发光 SI基 SIGEC
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a-SiN_x∶H薄膜的室温光致发光 被引量:2
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作者 岳瑞峰 王燕 +4 位作者 李国华 廖显伯 王永谦 刁宏伟 孔光临 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2000年第6期390-393,共4页
研究了a SiNx∶H薄膜中不同氮含量样品的室温光致发光。当x≥ 0 .5时 ,在室温下观察到了较强的室温荧光 ,而且随氮含量增加 ,发光峰能量与强度不断增加。首次发现在富硅 (x≤ 1.3)样品中存在两种荧光机制 ,其临界值位于x =0 .8。当x≤ 0... 研究了a SiNx∶H薄膜中不同氮含量样品的室温光致发光。当x≥ 0 .5时 ,在室温下观察到了较强的室温荧光 ,而且随氮含量增加 ,发光峰能量与强度不断增加。首次发现在富硅 (x≤ 1.3)样品中存在两种荧光机制 ,其临界值位于x =0 .8。当x≤ 0 .8时 ,样品表现为与a Si∶H类似的荧光特性及温度特性 ;当x >0 .8时 ,荧光强度和峰位均有大的增加 ,归一化后的低温和室温的荧光谱几乎完全重合。最后 ,采用量子限制模型并结合渗流理论解释了实验现象。 展开更多
关键词 a-SiNx∶H薄膜 渗流理论 量子限制 室温光致发光
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衬底温度对N-Al共掺杂ZnO薄膜形貌及光致发光性能的影响 被引量:1
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作者 钟爱华 谭劲 +3 位作者 陈圣昌 包鲁明 艾飞 李飞 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期1008-1011,共4页
采用超声喷雾热解法在不同衬底温度条件下沉积了N-Al共掺杂ZnO薄膜,衬底为普通硅酸盐玻璃。利用X射线衍射仪、原子力显微镜和荧光光谱仪表征了样品的晶体结构、形貌及室温光致发光性能。结果表明,ZnO颗粒尺寸随着衬底温度的升高而逐渐增... 采用超声喷雾热解法在不同衬底温度条件下沉积了N-Al共掺杂ZnO薄膜,衬底为普通硅酸盐玻璃。利用X射线衍射仪、原子力显微镜和荧光光谱仪表征了样品的晶体结构、形貌及室温光致发光性能。结果表明,ZnO颗粒尺寸随着衬底温度的升高而逐渐增大;低温下沉积的样品发光光谱中缺陷发射光占主导,随着衬底温度的升高这些缺陷发射光强度逐渐减弱,当温度升高到450℃时只有紫外发射光。缺陷发射光强度的减弱意味着薄膜缺陷浓度减小、晶体趋于完整,同时反映出施主型缺陷浓度随衬底温度的升高而逐渐减小,这对减弱ZnO薄膜p型掺杂时Vo或Zni等施主缺陷的自补偿效应很有意义。 展开更多
关键词 超声喷雾热解法 衬底温度 形貌 室温光致发光
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快速热退火对高应变InGaAs/GaAs量子阱的影响 被引量:2
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作者 苗振华 徐应强 +3 位作者 张石勇 吴东海 赵欢 牛智川 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第9期1749-1752,共4页
用固态分子束外延技术生长了高应变In0.45Ga0.55As/GaAs量子阱材料.研究了快速热退火对高应变InGaAs/GaAs量子阱材料光学性质的影响.本文采用假设InGaAs/GaAs量子阱中的InGa原子扩散为误差函数扩散并解任意形状量子阱的薛定谔方程的方法... 用固态分子束外延技术生长了高应变In0.45Ga0.55As/GaAs量子阱材料.研究了快速热退火对高应变InGaAs/GaAs量子阱材料光学性质的影响.本文采用假设InGaAs/GaAs量子阱中的InGa原子扩散为误差函数扩散并解任意形状量子阱的薛定谔方程的方法,对不同退火温度下InGaAs/GaAs量子阱室温光致发光峰值波长拟合,得到了In原子在高应变InGaAs/GaAs量子阱中的扩散系数以及扩散激活能(0.88eV). 展开更多
关键词 分子束外延 高应变In0.45Ga0.55As/GaAs量子阱 快速热退火 室温光致发光
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高RF功率制备的ZnO:Li薄膜性能研究
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作者 朱兴文 李勇强 +2 位作者 陆液 李英伟 夏义本 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2006年第5期575-577,共3页
实验采用射频(RF)磁控溅射法在高射频功率(550 W)下制备了Zn0.9Li0.1O薄膜,探讨了薄膜的光学性能,并与低溅射功率制备的薄膜性能进行了比较。结果表明,高功率下溅射的薄膜晶粒均匀细小,表面平整致密,在可见光波长范围内,透过率达80%。... 实验采用射频(RF)磁控溅射法在高射频功率(550 W)下制备了Zn0.9Li0.1O薄膜,探讨了薄膜的光学性能,并与低溅射功率制备的薄膜性能进行了比较。结果表明,高功率下溅射的薄膜晶粒均匀细小,表面平整致密,在可见光波长范围内,透过率达80%。该薄膜的光学带隙约3.29 eV,明显低于低功率溅射的薄膜(3.44 eV)。其室温光致发光(PL)谱结果显示,最强峰是由Li杂质能级引起的399 nm峰,热处理后,370 nm的带间发光峰增强,而低功率制备的薄膜其PL谱与纯ZnO材料的特征谱相似。 展开更多
关键词 ZNO薄膜 磁控溅射法 Li掺杂 高射频(RF)功率 室温光致发光(PL)谱
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Ru(Ⅱ)联吡啶配合物的合成及其光学性质的研究 被引量:1
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作者 孙英杰 钟菁 +3 位作者 代奕灵 张燕 黄晴菲 王启卫 《合成化学》 CAS 2022年第1期8-14,共7页
以2,2′-联吡啶为原料,合成了Ru(Ⅱ)联吡啶配合物,其结构经^(1)H NMR,^(13)C NMR和MALDI-TOF表征。测试并分析了化合物的紫外吸收、室温(298 K)光致发光和低温(77 K)光致发光性能。结果表明:配合物的紫外吸收性能优于Ru(bpy)3(PF 6)2;... 以2,2′-联吡啶为原料,合成了Ru(Ⅱ)联吡啶配合物,其结构经^(1)H NMR,^(13)C NMR和MALDI-TOF表征。测试并分析了化合物的紫外吸收、室温(298 K)光致发光和低温(77 K)光致发光性能。结果表明:配合物的紫外吸收性能优于Ru(bpy)3(PF 6)2;发射波长位于654,676,680,689 nm处,说明引入不同的取代基团,能够有效调控配合物的发射波长。 展开更多
关键词 联吡啶 Ru(Ⅱ)配合物 紫外吸收 室温光致发光 低温光致发光 合成
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薄膜光学理论与膜系设计
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《中国光学》 EI CAS 2003年第2期52-58,共7页
O484.4 2003021190稀土Nd,Ce掺杂硅基薄膜光致发光特征=Photoluminescenceproperties in Nd,Ce-implanted Si-based films[刊,中]/元美玲(南昌大学物理系.江西,南昌(330047)),刘南生…//发光学报.—2002,23(3).—291-295 测量了Nd,Ce稀... O484.4 2003021190稀土Nd,Ce掺杂硅基薄膜光致发光特征=Photoluminescenceproperties in Nd,Ce-implanted Si-based films[刊,中]/元美玲(南昌大学物理系.江西,南昌(330047)),刘南生…//发光学报.—2002,23(3).—291-295 测量了Nd,Ce稀土离子注入Si基晶片,在不同离子注入剂量、不同退火条件下的室温光致发光(PL)谱,结果表明它们均具有蓝、紫发光峰,且发光稳定。在一定范围内发光效率随掺杂浓度的增加而增大,随退火条件的不同而改变。运用原子力显微镜(AFM)对样品的表面形貌进行了观察,结果显示,样品表面颗粒大小。 展开更多
关键词 薄膜结构 室温光致发光 发光 红外吸收光谱分析 退火温度 国家重点实验室 表面形貌 半导体 共聚物 掺杂浓度
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Opto-electrical characteristics of the Mg doped nonpoplar (11-20) GaN on R-plane sapphire
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作者 Wei-Chih Lai Wei-Yu Yen +2 位作者 Li-Chi. Peng Jinn-Kong Sheu Yu-Ping Hsu 《材料科学与工程(中英文版)》 2009年第10期47-50,共4页
关键词 镁掺杂 氮化镓 蓝宝石 光电特性 室温光致发光 退火温度 峰值波长 能量转移
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基于离子注入技术的ZnMnO半导体材料的制备及光谱表征 被引量:3
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作者 钟红梅 陈效双 +5 位作者 王金斌 夏长生 王少伟 李志锋 徐文兰 陆卫 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期2073-2077,共5页
通过离子注入技术制备了ZnMnO半导体材料,研究离子注入剂量与退火对材料光谱性质的影响.Raman光谱研究发现,575cm-1处声子模展宽是由高剂量Mn注入引起的缺陷所致,退火样品528cm-1振动模来自Mn相关的杂质振动.室温光致发光谱表明,退火对... 通过离子注入技术制备了ZnMnO半导体材料,研究离子注入剂量与退火对材料光谱性质的影响.Raman光谱研究发现,575cm-1处声子模展宽是由高剂量Mn注入引起的缺陷所致,退火样品528cm-1振动模来自Mn相关的杂质振动.室温光致发光谱表明,退火对高剂量注入样品的可见发光带有增强作用. 展开更多
关键词 ZnMnO 离子注入 RAMAN光谱 室温光致发光
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Influence of the cobalt concentration on optical and magnetic properties of zinc oxide
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作者 WANG LiWei,ZHANG FuJun,XU Zheng,ZHAO SuLing & LU LiFang Institute of Optoelectronics Technology,Beijing Jiaotong University Key Laboratory of Luminescence and Optical Information (Beijing Jiaotong University),Ministry of Education,Beijing 100044,China 《Chinese Science Bulletin》 SCIE EI CAS 2010年第10期897-901,共5页
A series of Co-doped ZnO thin films have been prepared by direct current reactive magnetron sputtering on glass substrates.The structural characterization by means of X-ray diffraction (XRD) and scanning electron micr... A series of Co-doped ZnO thin films have been prepared by direct current reactive magnetron sputtering on glass substrates.The structural characterization by means of X-ray diffraction (XRD) and scanning electron microscopy (SEM) gave no evidence of second phase formation.The qualitative composition and chemical state were characterized by energy dispersive X-ray spectroscopy (EDS) and X-ray photoelectronic spectrometry (XPS),respectively.The results confirmed that Co was incorporated as Co3+,occupying the Zn2+ sites in ZnO's wurtzite structure.The luminescence properties of the films were investigated by room temperature photoluminescence,and the optical properties were studied by optical transmittance.The magnetic analysis was carried out at room temperature and at 50 K by Quantum Design MPMS (SQUID) XL.The results showed that all the Co-doped ZnO thin films prepared by direct current magnetron sputtering were not ferromagnetic above 50 K. 展开更多
关键词 氧化锌 钴氧化物 磁性 直流反应磁控溅射 X射线光电子能谱 室温光致发光 扫描电子显微镜 纤锌矿结构
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晶体与微声材料
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《电子科技文摘》 2003年第9期11-11,共1页
Y2002-63199-2249 0319403从长石伟晶岩中静电分离白云母=Electrostatic sepa-ration of muscovite mica from feldspathic pegmatites[会,英]/Iuga,A.& Cuglesan,I.//2001 IEEE IndustryApplications Conference.Vol,4 of 4.—2249... Y2002-63199-2249 0319403从长石伟晶岩中静电分离白云母=Electrostatic sepa-ration of muscovite mica from feldspathic pegmatites[会,英]/Iuga,A.& Cuglesan,I.//2001 IEEE IndustryApplications Conference.Vol,4 of 4.—2249~2255(ME) 展开更多
关键词 微声材料 静电分离 光子晶体光纤 纳米晶体 白云母 室温光致发光 发光学报 导光 半导体光电 磁极化子
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Visible photoluminescence from ZnO/diamond-like carbon thin films 被引量:3
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作者 张立春 李清山 +1 位作者 董艳锋 马自侠 《Optoelectronics Letters》 EI 2012年第2期113-116,共4页
ZnO/diamond-like carbon (DLC) thin films are deposited by pulsed laser deposition (PLD) on Si (111) wafer. Visible room-temperature photoluminescence (PL) is observed from ZnO/DLC thin films by fluorescence spectropho... ZnO/diamond-like carbon (DLC) thin films are deposited by pulsed laser deposition (PLD) on Si (111) wafer. Visible room-temperature photoluminescence (PL) is observed from ZnO/DLC thin films by fluorescence spectrophotometer. The Gaussian curve fitting of PL spectra reveals that the broadband visible emission contains three components with λ=508 nm, 554 nm and 698 nm. The origin and possible mechanism of the visible PL are discussed, and they can be attributed to the PL recombination of ZnO and DLC thin films. 展开更多
关键词 Pulsed laser deposition Silicon wafers Zinc oxide
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