纳米银烧结GaN射频功率芯片研究

为了解决纳米银浆无压烧结GaN射频功率芯片时,高长宽比管芯出现的两端烧结不良问题,利用红外热像仪和扫描电镜等分析手段研究烧结过程,对纳米银浆的烧结机制进行了深入研究,对比多款烧结银浆的烧结效果,提出了半烧结银的工艺方案,成功解决了高长宽比芯片两端烧结不良的问题,实现了纳米银浆在GaN射频功率芯片无压烧结方面的工艺突破,以期在GaN高功率射频工程化应用中得到广泛推广。

一种改善IMD3的高线性射频功率放大器

基于2μm砷化镓异质结双极型晶体管(GaAs HBT)工艺成功设计出了一款工作在2.4 GHz的高线性、高效率的射频功率放大器(RF PA)。针对非线性因素三阶交调失真(IMD3)对电路造成的影响,采用了一种两级功放电路结构,通过对两级偏置中的旁路电路进行调节,得到了两个反相可互消的三阶交调分量,有效地改善了功放非线性指标IMD3的值。对芯片进行测试,所得结果表明:在连续单音信号测试下,功放输出的1 dB压缩点功率(P1dB)为33.3 dBm,功率附加效率(PAE)为58%@33.3 dBm,增益为30.8 dB。在音距为1 MHz的双音信号测试下,三阶交调失真低于-50 dBc@20 dBm,最大三阶输出截断点(OIP3)为47 dBm@23.8 dBm。

广播发射系统中射频功率放大器功率提升关键技术研究

射频功率放大器在广播发射系统中扮演着至关重要的角色,其性能直接影响信号传输的质量和覆盖范围。为提高系统的传输效率并扩大其覆盖范围,射频功率放大器的功率提升成为研究的焦点之一。文章旨在探索射频功率放大器功率提升的关键技术,通过实验对比不同技术方案的输出功率、效率、非线性失真等各项指标,明确新技术方案在提高系统性能方面的显著优势,为广播发射系统的进一步优化提供重要参考。

射频功率放大器的线性化方法研究

射频功率放大器的线性化的方法关键技术在于在现代无线通信系统中的实现射频功率放大器的线性化,不断提升的通信频率和带宽,射频功率放大器所遭遇的非线性失真问题这些问题对系统性能的影响日益显著,针对射频功率放大器的本研究探讨的主题包括多种线性化技术,在内的技术手段包括预失真、后失真与反馈控制,比较分析被进行涉及一系列方法,制订了为各类应用场景设计的优化方案,研究者们指出,采用线性化技术需要合适的选择与组合射频功率放大器的线性性能可通过采用此方法显著提升,进而优化整个无线通信系统的性能。

全固态中波发射机射频功率放大器原理与维护

本文对全固态中波发射机射频功率放大器进行了深入研究,概述全固态中波发射机的基本工作原理,分析射频功率放大器的设计要点和优化方法、常见故障的诊断与排除方法,阐述该领域目前的研究进展,并针对当前存在的主要问题与挑战,比如高温效应、射频干扰与抗干扰性、尺寸和重量等进行详细分析。在此基础上,提出了全固态中波发射机射频功率放大器的未来发展方向和建议,以期为该领域的研究和应用提供参考和借鉴。

刻蚀设备中射频功率全态输出技术的研究

随着半导体工艺的快速发展,刻蚀设备在微电子制造领域扮演着至关重要的角色。总之,射频功率合成技术是刻蚀设备中射频功率全态输出技术的关键组成部分,射频功率全态输出技术作为刻蚀设备中的核心技术之一,对于提高刻蚀精度、效率和稳定性具有重要意义。本文旨在对刻蚀设备中射频功率全态输出技术进行深入研究,分析其工作原理、关键技术及应用现状。

NNBI射频功率源输出功率控制系统设计

设计了一种改进型射频功率源输出功率控制系统,解决了现有射频功率源使用中存在的输出功率稳定性与控制精度不足等问题,预期将应用于中国聚变工程实验堆(China Fusion Engineering Test Reactor,CFETR)负离子源中性束系统(Negative Ion Based Neutral Beam Injection System,NNBI)。采用ARM+CPLD双核设计的软、硬件分离控制结构,保障输出功率控制算法运行效率;采用数字化信号控制方法,实现输出功率的高精度控制;通过精确采样射频功率源实际输出功率和闭环功率控制方法设计,实现输出功率的高稳定性控制。对射频功率源样机进行输出功率控制系统模拟负载测试,结果表明:在额定输出功率为50 kW时,输出功率的控制精度高于0.1%、稳定性波动小于0.5%、人机交互软件功能完善。该方案预期可以搭配阻抗匹配网络满足CFETR NNBI射频功率源对输出功率控制的性能要求。

监测预警Mesh通信系统的宽带射频功率放大器设计

为解决基于Mesh技术的实时监测预警系统中单频无线监测终端易被外部干扰而无法使用的问题,设计了一种可应用于无线监测的1.0~1.5 GHz的宽带射频功率放大器.该宽带射频功率放大器由驱动放大器和末级放大器构成.采用单载连续波和20 MHz的64QAM宽带数字射频信号测试该射频功率放大器的性能,得到:增益大于20 dB,末级放大器输出(P1dB)大于43 dBm,射频信号峰均比(PAR)大于6 dB,邻信道功率比(ACPR)小于-34 d Bc@37 d Bm,直流功耗小于40 W,第2~4次谐波小于-50 dBc.测试结果表明,该宽带射频功率放大器达到了设计要求.

半导体技术发展趋势探究——以射频功率放大器为例

在分析射频功率放大器(RF PA)的半导体材料、芯片研究现状基础上,总结了半导体技术的发展趋势。通过对半导体材料的特性和PA芯片的性能指标进行分析,发现三代半导体材料皆有优缺点,可根据需要将其分别应用在不同场景,实现共同进步、协调发展。随着PA芯片面积逐渐减小、频率不断增大,对第三代半导体材料和硅基合成材料功放的研究将是未来的热点。为了进一步加快PA的研究进程,通过文献调研总结了半导体技术的5个发展趋势,为RF PA的性能提升和技术发展提供了重要参考,可为我国突破国外厂商壁垒,进一步提升在电子信息、芯片研发领域的核心竞争力奠定一定基础。

DX-200中波发射机射频功率放大器工作原理

数字化调幅发射机由音频信号+直流信号+72 kHz超音频三角波产生复合信号,经过模/数(A/D)转换,变化成12 bit的数字化信号,经过调制编码板编码后去控制224个射频放大器通断,产生调幅波。DX系列发射机的设计是积木化的,各种型号发射机的不同之处在于射频功率放大器模块的总数和单块模块的输出功率不同,从而可以产生出不同的功率等级。基于此,以DX-200数字化中波发射机为例,介绍射频功率放大器的工作原理。对于其他功率等级的发射机,可以举一反三。

DAM 10kW中波发射机射频功率放大器的原理和维护

DAM中波发射机是一款采用数字技术进行调幅的发射机,DM-10型发射机共用了52块射频功率放大器模块。本文以陕西广播通讯设备厂生产的AM103S-2型发射机为例,介绍了中波广播发射机射频功率放大器的工作原理和电路分析方法,同时也举例说明了在维修过程遇到的若干问题及解决办法,为同行业在维修时提供参考。

5G通信系统中的射频功率放大器设计与性能优化研究

本文对5G通信系统中的射频功率放大器设计与性能优化进行研究。首先,概述了5G通信系统的基本原理和要求,并介绍了射频功率放大器在5G系统中的作用和功能。接着,讲解了射频功率放大器的工作原理、常见类别及其特点,以及关键参数和性能指标的解释和定义。然后,提供了射频功率放大器设计的流程和步骤,并讨论了设计中的常见挑战和解决方案,以及模拟和数字技术在设计中的应用。进一步,介绍了提高功率放大器效率、线性度和抑制非线性失真的技术。此外,通过具体案例研究,展示了基于GaN器件的射频功率放大器设计、高效率功率放大器设计和具有宽频带特性的射频功率放大器设计。最后,总结了研究的主要内容,并展望了未来射频功率放大器设计与优化的发展方向。

总投资6亿!嘉兴新增一氮化镓射频功率芯片先导线项目

据嘉兴经济技术开发区官微消息,日前,博康(嘉兴)半导体氮化锡射频功率芯片先导线项目开工仪式在嘉兴经开区城南街道工业园区隆重举行。项目瞄准第三代半导体新材料领域,将为卡脖子难题提供更多解决方案。

射频功率测量在通信系统中的应用分析

随着现代通信技术的高速发展,通信系统工作中射频功率测量的重要性逐渐地凸显出来,在现有通信系统的工作服务中被广泛的使用。在通信系统发射机以及接收机的设计规划中,功率测量的精准性对于整个设计而言,都有着较为直观的影响。为此本文综合通信系统发射机的工作效能,明确通信系统中射频功率测量的工作主要模式,通过分析射频开关的矩阵结构形式以及开关工作的状态,明确射频功率测量工作模式的构建,以此加快通信系统的升级转型,为今后的通信系统工作分析提供一定的参考意见。

4H-SiC射频功率MESFET大信号直流I-V特性解析模型

根据 4H - Si C高饱和电子漂移速度和常温下杂质不完全离化的特点 ,对适用于 Si和 Ga As MESFET的直流I- V特性理论进行了分析与修正 .采用高场下载流子速度饱和理论 ,以双曲正切函数作为表征 I- V特性的函数关系 ,建立了室温条件下 4H - Si C射频功率 MESFET直流 I- V特性的准解析模型 ,适于描述短沟道微波段 4H- Si CMESFET的大信号非线性特性 ,计算结果与实验数据有很好的一致性 .同时与 MEDICI模拟器的模拟结果也进行了比较 .

中国散裂中子源直线射频功率源系统的研制

中国散裂中子源加速器质子束流加速能量为1.6GeV,重复频率为25 Hz,撞击固体金属靶产生散射中子,一期工程的打靶束流功率为100kW。直线加速器的设计束流流强为15 mA,输出能量为81MeV。射频加速和聚束系统包括一台射频四极场加速器、中能束流传输线的两个聚束器、四节漂移管直线加速器加速腔和直线-环束流传输线的一个散束器,与之相对应,共有8个单元在线运行的射频功率源为其提供所需的射频功率。目前,直线射频功率源系统预研项目已全部完成,各项性能参数均已达到设计指标,当前正处在批产安装调试阶段。

基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺的高线性射频功率放大器

采用0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计应用于无线局域网(WLAN)802.11b/g 2.4GHz频段的Class AB射频功率放大器。该放大器采用两级放大结构,具有带温度补偿的线性化偏置电路。仿真结果显示:电路的输入匹配S11小于-13 dB,输出匹配S22小-于20 dB,功率增益达27.3 dB,输出1 dB压缩点为23 dBm,最大功率附加效率(PAE)为21.3%;实现了匹配电路、放大电路和偏置电路的片上全集成,芯片面积为1 148μm×1 140μm。

射频功率晶体管内匹配技术中键合线的建模仿真与参数提取

金属键合线互连是射频大功率晶体管内匹配技术中的关键手段。键合线的直径、长度、拱高和并列键合线间距等物理参量,均对器件性能有很大影响。采用三维电磁仿真软件EMDS和射频电路设计软件ADS对金属键合线互连进行了建模仿真和射频等效参数提取,分析了等效参数与键合线各物理参量之间的关系,针对具体的关系特点及内匹配技术中键合线的选取,给出了相应的优化设计措施。

射频功率对a-C:F薄膜沉积速率和结构的影响

用射频等离子体增强型化学气相沉积法制备了a-C:F薄膜,并研究了射频功率对a-C:F薄膜沉积速率和结构的影响.用椭偏仪测量了薄膜的厚度,并用红外谱(FITR)结合Raman谱研究了其结构的变化.结果表明:薄膜沉积速率在10～14 nm/min之间,主要含有CFx和C=C键.随射频功率的升高,沉积速率先增大后减小,CF3的含量迅速减小,CF和CF2的含量略有增加,薄膜中r(F/C)呈下降的趋势.在较高功率下沉积的薄膜中出现了由sp2和sp3混合微晶结构.

射频功率和衬底温度对碳化锗膜中sp3杂化碳原子的影响

利用磁控溅射方法以CH4和Ar的混合放电气体溅射单晶Ge靶制备碳化锗(Ge1-xCx)薄膜,通过XPS、Raman和Nanoindentation等表征手段系统地研究了射频功率和衬底温度对所获薄膜成分、键合结构及力学性质的影响。研究发现:射频功率和衬底温度的增加均能提高膜中的Ge含量,这分别归因于Ge溅射产额的增加以及含碳基团在衬底上脱附作用的增强。Ge含量的增加促进了sp2C-C键转变为sp3Ge-C键,进而显著提高了膜中sp3杂化碳原子的相对含量并改善了Ge1-xCx薄膜的硬度。这些结果表明:提高射频功率和衬底温度是制备富含sp3C的硬质碳化锗薄膜的有效途径。