巨磁电阻材料的研究与应用

介绍了一种新型的磁性功能材料———巨磁电阻材料 ,综述了其研究进展情况。并就它在巨磁电阻传感器、高密度磁记录读出磁头、巨磁电阻随机存储器以及自旋晶体管等磁电子元器件上的应用进行了论述。

SmSrMnO巨磁电阻材料晶格不稳定性研究

对Ｓｍ ２／３Ｓｒ１／３ ＭｎＯ３＋ δ巨磁电阻材料样品在７７ Ｋ 至室温范围进行了正电子寿命谱和多普勒展宽谱测量．结果显示，正电子平均寿命τｍ 随着温度的降低在２００～１５０ Ｋ 温区出现与晶格结构不稳定有关的反常下降， 这一过程发生在磁有序起始温度之前；而伴随着绝缘体－金属型转变（１１５ Ｋ），多普勒展宽谱参数Ｓ明显增加，表明了电子的离域化．

纳米巨磁电阻材料的电化学制备及其应用

巨磁电阻材料大多采用物理法制备．与溅射法、分子束外延等方法相比,电化学法具有设备简单、成本低廉、低温操作、过程可控等优势,是制备巨磁电阻材料的良好途径．为此,针对国内外巨磁电阻材料的研究状况,结合多年来本研究室在该领域的研究工作,介绍了一维纳米多层线、二维纳米金属多层膜、自旋阀和颗粒膜等巨磁电阻材料的电化学制备方法、表征及磁电阻性能．简述了巨磁电阻材料在超高灵敏度微型传感器、巨磁电阻磁盘、读出磁头、磁随机存储器和磁电子器件等方面的应用,并对发展前景和研究方向进行了展望．

巨磁电阻材料与信息存储及其对化学的挑战

介绍了巨磁电阻材料在信息存储中用于硬盘驱动器读出磁头的巨大应用前景，讨论了当今采用化学方法制备和研究这类材料的进展及存在的问题。

巨磁电阻材料La_(0.7)Ba_(0.3)Fe_xMn_(1-x)O_3的研究

采用溶胶-凝胶工艺制备了La0.7Ba0.3FexMn1-xO3化合物．研究了Fe掺杂对La－Ba－Mn－O体系的磁性、导电性和磁电阻效应的影响．

巨磁电阻材料及其在电子元器件上的应用

介绍了一种新型的磁性功能材料——巨磁电阻薄膜材料，并就它在巨磁电阻传感器、高密度磁记录读磁头以及巨磁电阻随机存储器等电子元器件上的应用作了一些论述。

巨磁电阻材料磁电阻测量方法研究

介绍了利用 ZDY型自动磁场成型机、电脑化 X Y记录仪、计算机、HSZ 1数字磁强计等仪器测量巨磁电阻材料磁电阻的方法 。

巨磁电阻材料及应用

介绍了什么是巨磁电阻效应,以及由此获得的一种新型功能材料—巨磁电阻材料;巨磁电阻材料的不同类型,描述了其特性;此外还介绍了用于计算机硬磁盘驱动器的巨磁电阻磁头和巨磁电阻随机存储器的最新应用和开发,指出巨磁电阻材料在传感器等方面的应用也令人瞩目,有着广阔的市场前景.

巨磁电阻材料研究进展

综述了巨磁电阻材料的研究进展,总结了巨磁电阻材料各类体系的研究方法和研究特点,分析了其发展方向与研究趋势。

巨磁电阻材料La_(0.85)MnO_3的低频内耗和电磁性能

用低频扭摆法在多功能内耗仪上测量了自掺杂巨磁电阻材料La0.85MnO3的温度内耗谱。结果表明内耗峰位不随频率的变化而变化,但峰高和频率成反比且对应的内耗峰处模量有明显变化,这说明对应的内耗峰处的变化是由某种相变引起的。内耗、电阻及磁化率曲线的对应关系,说明该材料出现了顺磁-铁磁转变和半导体-金属转变,所伴随的结构变化导致了内耗峰的出现。

巨磁电阻材料及其在汽车传感技术中的应用

巨磁电阻材料是20世纪90年代新开发的一种功能材料。由于它与传统的各向异性磁电阻材料相比具有很高的磁场灵敏度等优点,关于它的研发在国际上倍受重视。巨磁电阻材料过去主要用于制作计算机硬盘读头,目前正向着更广泛的应用领域扩展。巨磁电阻(GMR)传感器元件由于灵敏度高、热稳定性好、成本低等优点而完全可取代霍尔及磁阻(AMR)元件,从而广泛应用在信息、电机、电子电力、能源管理、汽车、磁信息读写及工业自动控制等领域。在汽车传感技术上的应用是巨磁电阻材料的一个重要应用领域。

用自组合仪器测量巨磁电阻材料的电阻

介绍了利用ZDY型自动磁场成型机、电脑化X Y记录仪、计算机、HSZ 1数字磁强计等仪器测量巨磁电阻材料磁电阻的方法 。

纳米巨磁电阻材料

纳米磁性材料在当今信息技术领域中已日益显示出其重要性。主要原因之一在于这种材料的器件因产生巨磁电阻效应而发挥出巨大的经济效益和社会效益。

巨磁电阻材料

磁性金属和合金一般都有磁电阻现象，所谓磁电阻是指在一定磁场下电阻改变的现象，人们把这种现象称为磁电阻，所谓磁电阻就是指在一定的磁场下电阻急剧减小，一般减少的幅度比通过磁性金属与合金材料的磁电阻数值约10余倍.

巨磁电阻材料及其在电子元器件上的应用

随着时代的发展和科技的进步,电子学所产生的作用越来越大,其与各学科的联系也逐渐紧密起来。因此也出现了许多相关的学科诸如超导电子学等。目前基于电子相关理论有产生了一个新的学科即磁电子学科。一九八八年法国多位学者第一次发现自旋极化输运过程相关的百分比占到五十以上的巨磁电阻(GM R)在Fe/Cr多层磁性超晶格内之后,使得整个学科又有了一个新的跨越性发展。而巨磁电阻的发现,在整个人类社会都有着极其重要的作用,无论是在电子相关技术领域还是物理学相关技术范围内,都产生着重要的影响。目前人类根据这样的原理,已经逐渐开始研发和设计相关概念的新兴电子设备器件,为整个世界的发展做出了重要贡献。

Sol-gel法制备La_(1-x)Sr_xMnO_3巨磁电阻薄膜材料

利用ｓｏｌ－ｇｅｌ法在单晶硅Ｓｉ（１００）衬底上，制备了钙钛矿Ｌａ１－ｘＳｒｘＭｎＯ３（ＬＳＭＯ）低织构纳米晶薄膜．考察了制备条件对ＬＳＭＯ成相、晶粒的粒度和表面形貌的影响，研究了其磁特性和磁电阻性能．结果表明，Ｌａ０．７Ｓｒ０．３ＭｎＯ３薄膜磁电阻效应在相当宽的温度范围内不随温度改变，在６Ｔ磁场中室温下磁电阻比ＭＲ值可达－３０％

巨磁电阻材料La_(0.9)Sr_(0.1)MnO_3与半导体Si组成的二极管的整流特性

掺杂锰氧化物La0 .9Sr0 .1 MnO3薄膜被直接沉积在n型硅基片上 ,构成p -n结 .这种p -n结在很宽的温度范围内都有很好的整流特性 .研究结果表明 ,这种p- n结的结电阻对低磁场敏感 ,在 3× 10 - 2 T的磁场下 ,磁电阻可达 70 % .磁电阻的正负依赖于温度 .磁电阻的大小可通过加在p- n结上的电压调节 .

巨磁电阻材料及其研究进展

论述了最近几年巨磁电阻材料的研究进展，主要就钙钛矿、烧绿石和尖晶石等结构的磁电阻材料的机理、制备方法以及超磁电阻现象、室温低磁场问题进行了评述。

超巨磁电阻材料Pr_(2/3)Sr_(1/3)MnO_3薄膜输运性质的研究

对 1 f噪声缺口的超巨磁电阻Pr2 3Sr1 3MnO3薄膜样品从 10K到室温的热电势值进行了测量 ,热电势为负值 ,低温下随温度线性变化 ,表现为金属扩散热电势 ,在 15 0K开始急剧减小 ,过渡到与温度T成反比的变化关系 ,与小极化子模型相符 .结合在电阻极大温度附近对电阻和 1 f噪声行为的讨论 ,对于发生在电阻极大温度附近的相变过程 。