微波混合集成电路的三维集成设计研究

介绍了一种可实现微波混合集成电路三维集成的设计方法。该方法在陶瓷基板上采用薄膜混合集成工艺制作多层薄膜电路结构,利用球栅阵列连接实现多个基板的三维集成互联组装。该设计可使混合集成电路的集成度进一步提高,并可改善安装方式和调试难度。同时对三维集成设计方式和应用特点进行了分析和研究,为小型化混合集成电路应用提供了有效的解决方案。

超导温度下微波混合集成电路工艺可靠性初探

为研制可靠的高温超导微波组件设计了可靠性试验,研究了高温超导微波组件常用的微波混合集成电路工艺,如锡铅钎焊、共晶焊接和金丝焊接等在超导温度下的可靠性。结果表明:在经历温度循环、机械冲击、变频振动和恒定加速度试验后,所研究的工艺能满足GJB548B—2005的相关要求,其中锡铅钎焊的试样可以通过1×10–9Pa.m3/s的泄漏率要求,设计的环境试验对80Au-20Sn共晶焊接性能无显著影响。

微波混合集成电路的ESD设计

主要介绍了微波混合集成电路ESD设计的一些探索工作,对两种不同功能和形式的混合集成电路的抗静电能力和电路中的薄弱部位进行了研究和分析。依据实验摸底结果并结合电路的自身特点,有针对性地进行ESD保护电路设计,既有效提高了电路的抗静电能力,又保证电路的微波电性能不受较大的影响。试验结果表明,运用这种电路后,使得HE393B宽带放大器防静电能力从300 V提高到1 500 V,HE010电压产生器达到800 V。

发展氮化镓集成电路的考虑

介绍了氮化镓微电子器件的优势和现状。提出将GaNHEMT作为微波器件用于混合微波集成电路(MIC)和微波单片集成电路(MMIC),在射频输出功率、器件优值等方面,均具有明显优点,并列举了成功的例子。为了加快发展MMIC,必须解决好几个关键问题,即提高材料质量和尺寸,完善制造工艺,克服器件电流下降、增益过早饱和与射频输出功率退化等现象。

X波段微波低噪声混合集成接收前端

介绍了低噪声GaAsFET用作单脉冲跟踪雷达前端放大时的持点、系统构成以及低噪声放大器和镜像抑制混频器的设计方法和制作。测试结果性能满意，在近1GHZ频率范围内系统总噪声系数小于2．5dB，放大器增益大于20dB，混频器镜像抑制度大于20dB，三路放大器之间幅度不平衡小于0．8dB，相位不平衡小于7°。该混合集成微波前端已成功地用于某型火控雷达，对海面上低空小目标进行跟踪。

混合集成技术前景广阔

混合集成技术经过三十多年的发展,已成为微电子技术的两大重要组成部分之一。混合集成电路(HIC)与半导体集成电路相比具有独自的特点,不仅可弥补半导体集成电路的不足,而且能充分发挥半导体集成电路高集成度、高速等特点,成为实现电子系统小型化、高性能化、多功能化、

印制电路与集成电路

Y98-61460-102 9915098自动矢量伏特表的单片核心=A monolithic core for anautomotive vector voltmeter[会,英]/Fruett,F.& Fil-ho.C A.R.//1998 IEEE 2nd International CaracasConference on Devices,Circuits and Systems.—102～105(YG)

共晶烧结技术的实验研究

随着微波混合集成电路向着高性能、高可靠、小型化、高均一性及低成本方向的发展,对芯片焊接工艺提出了越来越高的要求。本文对几种共晶烧结方法进行了实验比较,讨论了各种方法的适用范围,影响质量的因素并对实验结果进行了简单的讨论。

脉冲大功率放大器的研究

介绍了一种小型脉冲大功率模块。该模块采用二层腔体结构 ,很好地解决了体积、散热以及功率损耗等关键技术问题 ,在 S波段范围内 ,输出功率大于 3 6 0瓦。此放大器采用微波混合集成电路 ,钎焊组装结构 ,二次稳压电源。放大器具有体积小、可靠性高。

AlGaN/GaN HEMTs Power Amplifier MIC with Power Combining at C-Band

A power amplifier MIC with power combining based on AlGaN/GaN HEMTs was fabricated and measured. The amplifier consists of four 10 × 120μm transistors. A Wilkinson splitters and combining were used to divide and combine the power. By biasing the amplifier at VDS = 40V, IDS = 0.9A, a maximum CW output power of 41.4dBm with a maximum power added efficiency （PAE） of 32.54% and a power combine efficiency of 69% was achieved at 5.4GHz.

新型大功率小型化陶瓷宽边耦合3dB电桥设计

提出并实现一种基于薄膜工艺的陶瓷P波段大功率小型化3d B宽边耦合电桥:利用薄膜光刻工艺和混合微波集成电路(HMIC),采用螺旋形的宽边耦合结构,设计制作了一款陶瓷大功率小型化低插损的3d B电桥。陶瓷螺旋形宽边结构有助于实现3d B电桥的小型化和低插损。利用微波仿真软件,设计了该P波段大功率3d B电桥。最终尺寸仅为10mm×6mm×0.8mm。经测试验证,该电桥在400MHz-480MHz范围内实现3d B紧耦合,插损(IL)<0.15d B,驻波比(VSWR)<1.3:1,该3d B电桥可承受功率超过2000W、占空比为15%的脉冲功率冲击。

一种超宽带数字移相器设计方法

基于矢量合成理论,采用混合微波集成电路技术,提出了一种超宽带数字移相器的设计方法.该方法通过调节两路正交信号的幅度合成得到第一象限内不同幅相的矢量,采用三级级联的结构实现对输入信号的360°移相.运用此方法设计制作了一款超高频、超宽带6位数字移相器.该移相器在相对带宽57%的工作频带内,相位均方根误差小于3.8°,幅度不平衡度小于3.0dB,当应用在宽工作带宽、窄瞬时信号带宽的相控阵天线时,通过划分频带分段修正使幅度不平衡度降低到2.5dB以下,同时减小相位均方根误差至3.0°以下,满足某型相控阵天线的需求.

共晶烧结技术的实验研究

本文研究了共晶微波混合集成电路的烧结工艺。通过实验得到共晶成分、温度、保温时间等条件对烧结的影响,并在此基础上得到最佳工艺条件,经实验结果表明,该工艺能够有效地控制共晶材料的烧结形貌和烧结质量。本文从实验上对共晶烧结技术进行了探讨,为实际生产提供参考依据,同时对微波混合集成电路的研制也具有重要的意义。

各向异性介质基片上厚金属鳍线特性的研究

本文分析了各向异性介质基片上考虑金属鳍厚度的单侧鳍线和耦合侧鳍线的特性。应用横向等效传输线分析法推导出求解传播常数的矩阵方程,最后结合Galerkin′s方程算出了几组传播常数色散特性曲线。

美国的几种微电子工艺设备

美国的几种微电子工艺设备①ＯＡＩ公司的Ｊ５０００型高分辨率掩膜对准曝光系统．该设各可以应用的主要场合如下：砷化镓场效应器件，薄膜混合集成电路，微波混合集成电路，声表面波器件，薄膜磁头器件，多层布线厚膜电路及高密度组装印制板．其光刻分辨率为０．５μｍ。...