(Zn_(1-x)Mg_x)TiO_3微波陶瓷系统介电性能的研究

对 (Zn1-xMgx)TiO3 系统的微观结构和介电性能进行了研究。通过添加一定量的MgO稳定ZnTiO3 六方钛铁矿结构 ,有效抑制了ZnTiO3 分解为Zn2 TiO4 和TiO2 。同时 ,通过调整x值 (x =0 .1～ 0 .4) ,可以获得介电性能优良的微波瓷料。当x=0 .3～ 0 .3 5时 ,在 10 6 0℃烧结 ,其品质因数Q0 >2 0 0 0 0 ( 6 .5GHz) ,谐振频率温度系数τf≈ + 2× 10 - 6 /℃ ,介电常数ε =18～ 2 2。通过研究发现热处理可以改变系统微观形貌 ,其品质因数Q0 与热处理温度关系密切 ,当保温时间均为 2h时 ,随着热处理温度的升高 ,Q0 从 2 3 83 3 .93相应升高到 475 84.0 0。

ZnO-MoO_3添加(Zr_(0.8)Sn_(0.2))TiO_4微波陶瓷的介电性能

微波电路的小型化、集成化和高可靠性对微波陶瓷提出了特殊的要求.作者在(Zr0.8Sn0.2)TiO4主相系统中,单一添加ZnO或复合添加ZnO MoO,考察了不同含量的上述改性添加剂对Zr0.8Sn0.2TiO4陶瓷显微结构和微波介电性能的影响.主相合成条件为1100℃下3h;粉碎、成型后样品在1240℃～1400℃下3h烧成.在1GHz下用谐振腔法测量了材料的介电常数和Qf值,并在1M下测量了频率温度系数τf.采用SEM对样品进行形貌观察及能谱分析,并进行了XRD表征.研究结果表明,单独添加少量的ZnO(1%)可以降低烧结温度,但Qf值较低,与复合添加样品的显微结构相比晶粒不均匀.复合添加MoO3(0.25%)和ZnO(1%)的(Zr0.8Sn0.2)TiO4陶瓷Qf值由49430GHz提高到61210GHz,同时介电常数εr和谐振频率温度系数τf基本保持不变.

微波陶瓷凝胶注模成型工艺研究

研究了微波陶瓷凝胶注模成型工艺,包括浆料制备,成型工艺及用微波介质陶瓷制备成介质柱谐振器,观察了介质陶瓷的微观形貌,用Hakki-coleman开式腔圆柱介质谐振法对其性能参数进行测量,并与用干压成型工艺制备的样品进行比较分析,得出用凝胶注模法用于制备微波陶瓷(Ba6-3x(Sm1-yNdy)8+2xTi18O54),与干压法制备的样品有相当的介电常数,而无载品质因数值略高,且样品致密、缺陷少,组分更为均匀。

V_2O_5的引入方式对锂铌钛微波陶瓷性能的影响

研究了Li_(1+x-y)Nb_(1-x-3y)Ti_(x+4y)微波介质陶瓷以V_2O_5作为烧结助剂的烧结机理,V_2O_5不同的引入方式对材料主晶相预合成度、钒在粉体中的分散性能、烧结性能和微波性能的温度稳定性等的影响。研究表明,该体系属于液相烧结,对V_2O_5进行热处理有利于提高预合成度,有利于制备均匀的陶瓷粉料,有利于提高烧结性能和微波性能的稳定性。

高品质因素MgTiO_3-SrTiO_3系微波陶瓷介电性能的研究

以分析纯MgO、TiO2、SrCO3为原料,采用固相法制备了(1-x)MgTiO3-xSrTiO3(x=0～0.065)系列微波介质陶瓷材料,研究了添加SrTiO3后,体系的晶相组成、显微结构、微波介电性能之间的变化规律。研究表明,随着SrTiO3添加量的增加,陶瓷的体积密度、介电常数εr、谐振频率温度系数τf都呈增加趋势,但无载品质因素与谐振频率的乘积Q×f的值随添加量的增加呈下降趋势。当x=0.035时,陶瓷可在1380℃保温2 h烧结,此时陶瓷获得近零的频率温度系数:τf=-2.8×10-6/℃、高的品质因素:Q×f=16714 GHz、介电常数:εr=21.5。

添加SrO或SnO_2对Ba_(4.5)(Nd_(0.84),Bi_(0.16))_9Ti_(18)O_(54)微波陶瓷介电性能的影响

对Ba4.5(Nd0 .84,Bi0 .1 6 ) 9Ti1 8O54 (BNBT)系微波陶瓷进行了组成改性的研究。添加不同量的SrO或SnO2 于主相材料中 ,分别替代Ba或者Ti,合成条件为 110 0℃下保温 3h ,粉碎、成型后 ,在 12 70℃下保温 3h烧成。在 10GHz下用谐振腔法测量了材料的介电常数εr和机械品质因数Q ,在 2 0～ 90℃范围测量了频率温度系数τf。结果表明 :Sr,Bi复合掺杂能够使BNBT材料保持较高的介电常数 ,同时Qf值 (机械品质因数Q与测量频率之积 )由 5 899GHz上升到 92 5 9GHz,而少量的SnO2

B位离子共沉-煅烧法制备Ba(Mg_(1/3)Ta_(2/3))O_3微波陶瓷材料

采用钽镁共沉淀法制备ＭｇＴａ２Ｏ６粉体，然后与ＢａＣＯ３粉体混合制备Ｂａ（Ｍｇ１／３Ｔａ２／３）Ｏ３（简称ＢＭＴ）微波陶瓷材料．成功地解决了ＴａＣｌ５溶解问题．对钽镁共沉条件和粉体热分解工艺与粉体的平均粒径和钽镁比例关系；ＢＭＴ陶瓷制备工艺与材料的微观结构和微波性能关系进行了研究．制备的ＭｇＴａ２Ｏ６晶相粉体平均粒径为０．３μｍ，最大与最小粒径比为５．制备的ＢＭＴ陶瓷几乎不含ＢａＴａ２Ｏ６等杂相，无载Ｑ值可达５４００（１０ＧＨｚ下）

微波陶瓷用钛酸锌的研究进展

综述了对近年来引起国内外广泛关注的微波陶瓷用钛酸锌的制备工艺和改性途径,分析了各种制备方法以及改性途径的发展现状、优势及不足,指出单独使用某种方法或某种改性途径都未能获得既有优异性能又能进行低温烧结的陶瓷,认为必须综合各种制备方法和改性途径才能获得优异性能的微波陶瓷用钛酸锌。

微波陶瓷材料的自动校准测量

介绍了短路型平行板法测量微波陶瓷介质谐振器的原理、平行板法自动测量系统的硬件组成、自动化校准测试程序的流程图以及友好直观的测试界面;为提高测试数据的可靠性和精确性,该系统特别增添具有自动搜索判别正确谐振峰的功能,并采用2种不同的方法对平行金属板电导率进行标定,不仅完善系统的自动化测量程度,而且提高微波陶瓷材料的测试可靠性和精确性,可实现精确、自动地测量微波陶瓷材料的介电性能参数。

BaO-TiO_2-Nd_2O_3微波陶瓷材料介电性能的改善研究

研究了影响BaO -TiO2 -Nd2 O3微波陶瓷材料介电性能的机理 ,通过用Pb和Bi对BaO -TiO2 -Nd2 O3微波介质材料进行掺杂改性 ,得到了一种工艺稳定 ,品质因素Q值高 ,τf(谐振频率温度系数 )低 ,烧结温度较低 (12 70℃ )的微波陶瓷材料。该材料可用于制作介质滤波器及分米波通信设备用的小型。

分米波用微波陶瓷的研制

研究了用于分米波 (30 0～ 2 0 0 0MHz)介质谐振器、滤波器的微波陶瓷材料的配方和制备工艺。采用XRD对这种材料进行了物相分析 ,测定了其主要性能。利用该种材料制成了介质滤波器及分米波通信设备用的小型、轻量的片式元器件。

ZST微波陶瓷在介质振荡器上的应用研究

用传统固相法制备ZST(氧化锆-氧化锡-氧化钛)系微波陶瓷,研究了ZST系微波陶瓷的组成对介电性能的影响。通过X-射线衍射(XRD)和HP8714ET网络分析仪对其晶体结构和微波介电性能进行研究,实验结果表明:少量掺Bi2O3的ZST系陶瓷材料可把烧结温度降低至1 260℃,微波介电性能较好;掺入量大于2%(质量分数)时,ZST系微波陶瓷在晶界偏析形成了Bi2Ti2O7新相,微波性能下降。用微波介电性能较好的ZST系陶瓷制成的介质振荡器进行测试,其电性能满足设计要求。

微波陶瓷制备工艺对其性能影响研究进展

详细地总结了粉末的初始状态、烧结工艺与方法、烧结助剂等因素对材料介电性能影响的研究进展。比较了 sol-gel 法、水热法、微乳液法与传统制粉方法的优缺点,介绍了微波烧结与常规烧结的特点,并评述了烧结助剂复合添加的研究进展。最后指出了在微波陶瓷制备过程中面临的问题及今后的发展方向。

新型微波陶瓷AgNb_(1-x)Ta_xO_3的研究

对微波陶瓷系统AgNb1-xTaxO3进行了深入的研究。结果表明适当的玻璃相加入有助于改善本系统的烧结性能,并有效抑制本系统在空气中烧结是时的分解现象。研究表明,玻璃相的加入控制在2%时能获得介电性能良好的微波陶瓷材料。

低温共烧片式微波陶瓷介质谐振器

作者利用低温烧结Bi基高介电常数微波介质陶瓷,采用LTCC工艺技术实现片式多层微波谐振器.采用基于集总参数LC结构实现的片式多层微波谐振器Q值比较小,在1GHz时仅29.基于平面带状线实现的片式多层微波谐振器,采用间隙耦合电容结构实现和外电路的耦合,通过间隙耦合电容在同一层实现输入端和谐振单元,结构简单,工艺误差小.谐振器在1.8GHz时Q值比达225.作者还讨论了耦合间隙和引线长度对谐振器性能的影响.

烧结温度对Li_2(Mg_(1/2)Zn_(1/2))SiO_4系微波陶瓷介电性能的影响

采用传统固相合成法制备了Li_2(Mg_(1/2)Zn_(1/2))SiO_4微波介质陶瓷,并系统研究了该陶瓷的相成分、微观形貌、微波介电性能与烧结温度之间的影响关系。XRD结果表明:在1100~1180℃温度烧结,该体系的主晶相均为Li_2(Mg_(0.8)Zn_(0.2))SiO_4,但同时也伴随有少量的MgSiO_3第二相。SEM结果表明:随着烧结温度的升高,样品的晶粒尺寸不断增加,尤其是当烧结温度为1180℃时,有些大晶粒出现了开裂现象,这会在一定程度上降低样品的品质因数(Q·f)。因此,对于微波介电性能,随着烧结温度的增加,Li_2(Mg_(1/2)Zn_(1/2))SiO_4陶瓷的Q·f值呈先增后减趋势,而相对介电常数(ε|_r)的数值较为稳定;此外,该体系谐振频率温度系数(τ_f)随烧结温度的增加逐渐向正值方向移动。当在1160℃烧结4 h时,Li_2(Mg_(1/2)Zn_(1/2))SiO_4陶瓷可获得最佳的微波介电性能:ε_r=6.09,Q·f=21 616 GHz(f=11.62GHz)和τ_f=–64.34×10^(–6)/℃。

透微波陶瓷材料的研究现状

综述了透微波陶瓷材料的研究概况 ,分析了材料设计的基本原则 ,对二氧化硅、氧化硅、氮化硼及磷酸盐等透微波陶瓷材料体系进行了较全面的论述 ,并简要介绍了透微波陶瓷材料的制备工艺 ,最后展望了陶瓷天线罩材料的发展趋势。

Ba_2Ti_9O_(20)微波陶瓷在贴片式介质滤波器上的应用研究

用传统固相法制备了Ba2Ti9O20微波陶瓷,研究了Ba2Ti9O20微波陶瓷的组成对介电性能的影响,通过XRD和HP8714ET网络分析仪对其晶体结构和微波介电性能进行了研究,实验结果表明:少量掺MnCO3和ZrO2的Ba2Ti9O20陶瓷材料可把烧结温度降低到1260℃,微波介电性能较好;当ZrO2的加入量为0.1wt%且MnCO3加入量为0.15wt%时,其介电性能最佳的致密化烧结温度为1280℃,可以得到:ε=37;tanδ=3×10-4;τc=-28×10-6/℃。用Ba2Ti9O20陶瓷制成的贴片式介质滤波器测试,其电性能满足设计要求。

高频、高QMTZ系统微波陶瓷的研究

用一般的电子陶瓷工艺制备ＭｇＯ－ ＴｉＯ２ － ＺｎＯ（ ＭＴＺ） 系统陶瓷。ＸＲＤ 分析表明主晶相是ＭｇＴｉＯ３ ，还有少量ＺｎＴｉＯ３ 等物质。对预烧工艺进行了ＤＴＡ，ＴＧＡ 实验。分析了组分对系统介电性能的影响，ＭＴＺ 系统陶瓷材料具有高频高Ｑ 等优点。

微波陶瓷的研究现状及发展趋势

微波陶瓷作为具有极好介电性能的功能陶瓷材料,已广泛应用于微波通信、卫星通信、移动通信、电子对抗、机载及电子对抗设备中,并且极大地促进了相关领域的发展。综述了微波陶瓷各类体系的研究现状和发展趋势,展望了微波陶瓷的应用前景。