LTCC及其在三维微波集成电路中的应用

介绍了用于三维微波集成电路(3D-MIC)的新技术LTCC(低温共烧陶瓷)的物理性能及主要特点;阐述了LTCC的制作工艺;重点讨论了基于LTCC的三维微波集成电路和内埋无源元件技术。

微波集成电路的发展趋势

回顾了第一代波导立体电路、第二代微波混合集成电路和第三代微波单片集成电路与多芯片组件的发展,介绍了第四代片上系统、系统级封装和封装级系统,对比总结了各自的关键技术、特点和应用,并对微波集成电路今后的发展趋势做出展望。

宽带低噪声放大器单片微波集成电路

从行波放大器设计理论出发，研制了一款基于低噪声GaAs赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺设计的2～20GHz单片微波集成电路（MMIC）宽带低噪声放大器。该款放大器由九级电路构成。为了进一步提高放大器的增益，采用了一个共源场效应管和一个共栅场效应管级联的拓扑结构，每级放大器采用自偏压技术实现单电源供电。测试结果表明，本款低噪声放大器在外加＋5V工作电压下，能够在2～20GHz频率内实现小信号增益大于16dB，增益平坦度小于士0．5dB，输出P-1dB大于14dBm，噪声系数典型值为2．5dB，输入和输出回波损耗均小于-15dB，工作电流仅为63mA，低噪声放大器芯片面积为3．1mm×1．3mm。

微波集成电路技术—回顾与展望

半个多世纪来 ,微波电路技术经历了从分立电路、两维微波集成电路、三维微波集成电路等阶段。在回顾这一发展历程后 ,介绍多层微波集成电路和三维微波集成电路。阐述其产生背景、关键技术及发展方向。文中将涉及微加工技术以及从直流至射频的多芯片全集成新概念。瞻望二十一世纪前景。

不对称槽线及其在三维微波集成电路中的应用

介绍了不对称槽线的特性,分析了以不对称槽线构建的复合环、支线定向耦合器、平衡功率分配器、多层滤波器、多信道功率分配器等组件的性能。这些组件体积小、重量轻、频带宽、电压驻波系数小,并且大多数可应用于毫米波段,是三维微波集成电路中的重要组成部分。研究表明不对称槽线具有优良的特性。

开口波导法无损测量微波集成电路基片复介电常数

提出一种测量微波集成电路基片复介电常数的新方法。通过测量贴于开口矩形波导外的介质基片的反射系数，可计算得基片的介电常数和损耗角。经过理论分析，给出求解复介电常数的计算公式和优化算法。对一些基片的复介电常数进行了实际测量，结果表明该测量方法运算量小，精度高，且具有设备简单，不需对样品进行特殊加工或破坏样品等优点。

三维微波集成电路的发展

近几年来，三维微波集成电路的研制在各方面均取得了一定的进展，作为新一代体积更小的微波集成电路，必将随着信息时代的发展，在移动通信、卫星直播电视等装置中获得广泛应用。本文综述三维微波集成电路近几年来的发展。

基于多分辨率的时域方法在微波集成电路中的应用

将基于多分辨率分析的时域方法（ＭＲＴＤ）用于微波集成电路中多层介质导体互连线的时域电磁场分析，推导了基于ＭＲＴＤ的一阶Ｍｕｒ＇ｓ吸收边界条件的差分格式，进而采用理想匹配层（ＰＭＬ）技术形成吸收边界，使适用范围从原来的封闭系统推广到开放系统．用此方法对微波集成电路互连线进行了分析，结果与传统ＦＤＴＤ比较一致．由于ＭＲＴＤ方法的色散特性较好，则可用比ＦＤＴＤ少得多的网格数来模拟电磁结构。

微波集成电路(MIC)中Au/NiCr/Ta多层金属膜粗糙化机理的AFM研究

Au/NiCr/Ta多层金属膜通过磁控溅射沉积在Si(111)基片上。XRD分析其晶体取向 ,SEM观察薄膜断面形貌 ,AFM研究薄膜表面粗糙度。结果表明薄膜表面粗糙度与沉积温度有关 ,随着沉积温度 10 0℃→ 2 5 0℃的改变 ,薄膜表面发生从粗糙→光滑→粗糙的变化过程。

微波集成电路基片复介电常数快速宽频带测试技术

本文提出了一种微波集成电路基片复介电常敛测试技术,其测试频率范围为1～20CHz,εJ的测试范围为2～25,tanδ的测试范围为3×10^(-4)～1×10^(-2),可以测试各种柔性和刚性的介质基片材料,则试ε′_r的不确定度优于±1％,tanδ的不确定度约为±10％。该测试技术实现了无损和自动化测量,测试电路简单,测试速度快,尤其适用于介质基片的批量和在线检测。

多层微波集成电路中微带线层间互连仿真

针对多层微波集成电路设计的微带线层间互连问题,介绍了垂直通孔互连、垂直带条互连和层耦合过渡互连三种高性能的互连方法,并且采用三维电磁仿真软件HFSS对这三种互连结构进行了建模和仿真。仿真结果表明,垂直通孔互连和垂直带条互连在0.1~25 GHz的频宽范围内,回波损耗S11<-20 d B,插入损耗S21>-1 d B,互连性能优良,而层耦合过渡互连在20~68 GHz内回波损耗S11<-20 d B,插入损耗S21>-1 d B,具有在毫米波频段实现互连的潜力。

微波集成电路特定长度并联传输线的滤波特性

本文分析了两种特定长度并联传输线的滤波特性．由它们可构成性能良好的低通滤波器和宽带带通滤波器．它们结构简单，适用于 Ｍ Ｉ Ｃ（ 微波集成电路）

硅衬底微波集成电路

硅衬底微波集成电路具有诱人的发展前景。本文阐述了硅材料用作微波集成电路衬底的优点 ,分析了硅衬底微波传输线、无源元件以及锗硅异质结双极晶体管 (Si Ge HBT)的电性能 ,介绍了目前国内外硅衬底微波集成电路研究的进展 ,并对数字电路与

小型化混合微波集成电路制造技术

介绍了小型化混合微波集成电路（ＭＨＭＩＣ）的制造工艺，列举了研制的几种典型的小型化混合微波集成电路（ＭＨＭＩＣ）。与传统的混合微波集成电路（ＨＭＩＣ）相比，ＭＨＭＩＣ具有体积小、重量轻、组装密度高、可靠性高、设计和调试灵活方便等显著优点。

单片微波集成电路T/R组件

本文简要地评述了相控阵用单片微波集成电路发射/接收(T/R)组件的特点及发展概况,讨论了单片微波集成电路T/R组件的电路、封装、测试和成本,最后,给出了几个单片微波集成电路T/R组件的实例。

微波集成电路盒的密封方法

本文简要介绍微波集成电路盒体的密封方法，包括盒体上馈电绝缘子的密封，连接器的密封以及盖板的密封。从密封方式讲：有胶接密封、衬垫密封、焊接密封及激光熔接密封等。

供混合微波集成电路用的直流偏压电路的研究

使用现有的微波电路CAD软件,对几种微带直流偏压电路进行了优化设计,并用HP8510网络分析仪测试了所设计的这几种偏压电路的性能.结果表明,经过优化设计,这几种偏压电路的工作带宽均可达到倍频程以上.

SOLR校准分析柔性微波集成电路的不连续性

去嵌入传输线技术是微波集成电路不连续性分析的常用方法。用该方法分析形变柔性衬底上的不连续性时,由于馈线为非均匀传输线,激励源端口不连续引起的寄生效应会影响不连续性特性,导致分析不准确。文中提出采用SOLR(short-open-load-reciprocal)校准技术分析不连续性。将不连续性作为校准中的被测件,激励端寄生效应和馈线作为误差项,通过理想电壁、理想磁壁、理想匹配层和不连续性自身构建短路、开路、负载和可逆通路校准,从而消除误差项对不连续性分析的影响。对柱面微带和弯曲微带上不连续性的分析结果表明,该方法可有效消除激励端口的寄生效应影响。

薄膜微波集成电路图形电镀技术

论述了薄膜微波集成电路中一种新的电路制作技术——图形电镀技术的工艺及其在生产中的应用.并就应用中出现的一些问题及其解决方法作了进一步的探讨.运用该技术,我们制作出了膜厚>4μm,线宽和间距为10μm的导体图形以及VCO、移相器、放大器等许多超宽带微波器件.

单片微波集成电路的技术进展

根据从１９９６年国际微波会议和微波与毫米波单片集成电路会议上了解的情况。