深亚微米工艺趋势与电子设计自动化技术

深亚微米工艺的日趋成熟为电子设计自动化（ＥＤＡ）提供了空前广阔的空间，也使之面临许多崭新的课题，其中，最引人注目的是快速电路模拟技术和互连问题，本文综述了这些领域的最新成就，并提出了ＥＤＡ领域中若干亟待解决的课题。

深亚微米工艺CMOS Gilbert混频器噪声分析

深入研究了深亚微米工艺下的CMOS Gilbert混频器噪声产生机理,提出了深亚微米工艺下的混频器噪声系数性能解析模型.基于0.25μm标准CMOS工艺的Gilbert混频器仿真结果表明,该预测的噪声系数理论值与仿真结果相差最大为1.5 dB,相对误差最大为12.5%.

深亚微米工艺下SoC多点温度低功耗测试调度方法

在深亚微米技术实现的片上系统中,为了解决由于制程变异引起的温度不确定性,提出了一种多点温度测量的SoC低功耗测试调度方法。该方法采取在芯片中内建多个温度传感器,通过内建的温度传感器来感应温度,在SoC的核心部位进行多点采集,取温度的最高值反馈到控制系统,进行温度的调节控制。在测试过程中,在温度、功耗和总线带宽都满足条件的情况下进行调度,避免出现由制程变异引起的芯片局部过热的现象。在ITC’02基准电路上的实验结果表明,与文献[2]比较,该方法在保证芯片热安全的同时,使CPU使用时间平均多减少10.33%,使测试应用时间平均多减少11.14%。

超深亚微米工艺时代集成电路设计领域所面临的技术挑战

集成电路工艺加工能力的不断提高给设计工作带来了多方面需要解决的问题。本文主要探讨目前在集成电路设计领域各个方面的设计技术挑战和研究热点问题。

深亚微米工艺下互连线的串扰建模

深亚微米工艺下互连串扰问题成为IC设计中的"瓶颈"。在充分考虑互连线的电容耦合效应和电感耦合效应的前提下,提出了一种有效估算互连串扰噪声的方法。实验数据表明,该方法能有效估算各种工艺下的互连串扰,并能应用于不均匀互连线的情况,在效率和精度上达到了较好的折中。

亚微米工艺设计规则的探讨及其意义

本文主要对亚微米工艺设计规则进行探讨 ,旨在促进设计公司与Fab厂家之间信息反馈 ,共同努力并顺利进入亚微米和深亚微米领域。

苏州国芯32位RISC核通过华虹NEC 0．25微米工艺验证

华虹NEC与苏州国芯科技有限公司宣布，苏州国芯科技有限公司的32位RISC CPU CS320内核，日前在华虹NEC的0．25微米标准工艺验证通过。标志着用户可以直接采用CS320内核设计基于华虹NEC 0．25μm工艺的SoC产品。

ST TCG1．2可信平台采用0．15微米工艺

继推出符合TCG（可信计算组）TPM1．2规范的可信平台模块（TPM）后，意法半导体又推出了个采用该公司先进的0．15微米CMOS EEPROM制造工艺的新模块。新产品ST29NP18是在取得巨大成功的上代ST19WP18TPM的基础上改进而成的，制造技术采用了能够给PC制造商带来更多成本效益的0．15微米制造工艺。

MIPS 科技提供采用深亚微米工艺的硅验证高保真音频IP

MIPS科技公司宣布，其采用多种深亚微米工艺和经过代工厂硅验证的96dB音频IP编解码器已获得TSMC90nm和特许半导体（Charterde Semiconductor）130nm多个工艺的硅验证。

EDA产业面临深亚微米工艺技术的挑战

EDA技术是在一定的工艺技术基础上,和一定的设计方法相适应发展起来的。工艺技术水平提高了,EDA技术必须要适应这种状况,跟上工艺技术发展的步伐。1995年深亚微米工艺(0.35μm)开始进入大生产阶段;预计1998年0.25μm工艺亦将进入量产阶段。据专家预测,到2000年销售的IC中按销售额计算,0.8μm以上的产品约占7％,0.5～0.8μm约占45％;0.35～0.5μm的约占42％;0.35μm以下的约占6％。 EDA技术是和一定的设计方法相适应,

MIPS科技提供采用深亚微米工艺的硅验证高保真音频IP

MIPS科技公司近日宣布，其采用多种深亚微米工艺和经过代工厂硅验证的96dB音频IP编解码器已获得TSMC90nm和特许半导体130nm多个工艺的硅验证。这将是全球首款真正获得深亚微米工艺硅验证超过96dB的高保真、超低功耗和小面积的音频IP。SoC设计人员可利用该IP显著降低具有音频功能的新一代消费电子设备的风险，

灿芯半导体研发出基于中芯国际0．11微米和0.13微米工艺的USB2．0OTGPHY

灿芯半导体（上海）有限公司（以下简称“灿芯半导体”）日前宣布基于中芯国际集成电路制造有限公司（简称“中芯国际”）的0．11微米和0．13微米工艺平台成功开发了USB2．0物理层设计（PHY），该设计为采用USB2．0的器件提供了尺寸更小、性能更好以及更经济的解决方案。

华大九天与华润上华联合发布0.5／0．35微米工艺制程PDK

北京华大九天软件有限公司与华润微电子有限公司旗下华润上华科技有限公司联合发布了基于华大九天新一代IC设计平台Aether的0.5/0.35微米Mixed-Signal工艺流程PDK。

华润上华发布多款新型BCD及0．13微米工艺平台

华润上华近日发布其新近开发完成的BCD工艺平台，同时由其持有19％股权的8英寸生产线也推出多款新型BCD和0．13微米工艺平台，以满足客户在离线电源、LED照明驱动等AC—DC转换电路，高电压、高效能及高集成度等应用市场的需求。