手征性侧链液晶高分子取向结构的研究

用偏光显微镜，红外二色性和Ｘ射线衍射研究了一种手征性侧链液晶高分子的相态织构和弛豫行为．偏光显微镜观察这种侧链液晶高分子冻结取向液晶态薄膜时，可观察到与剪切方向垂直的明暗相间的条带织构．红外二向色性的结果表明，取向态中侧链上的介晶基元倾向于与剪切方向垂直排列．取向和非取向膜的Ｘ射线衍射揭示了该侧链液晶高分子具有反铁电性液晶的两套反相螺旋结构．取向薄膜在液晶态的弛豫行为表明，取向作用能促进侧链高分子近晶相层状结构的生长，而且介晶基元的取向在弛豫过程中能保持下来．

以手征性联萘为模板合成一种新的螺旋环芳分子

基于2,2'-二取代的联萘衍生物在手性构型上高度稳定的特点,分别从光学活性的(R)-和(S)-2,2'-二乙炔基-1,1'-联萘结构模板出发,通过Sonogashira偶连反应导入苄基砜,然后用二异丙基氨基锂(LDA)处理制得的联萘二砜成功地合成了一种新的螺旋环芳分子——对映异构体(R,P)-3和(S,M)-3.MS,IR,1H和13CNMR以及元素分析表征了这些化合物.镜象特征的圆二色(CD)谱和比旋光度[α]D的测定结果清楚地反映了它们的对映异构关系.

手征性硫代磷酸及其衍生物的研究(Ⅲ)——旋光活性O-乙基O-苯基硫代磷酸及其衍生物的某些反应的立体化学

本文报导了(+)-O-乙基O-苯基硫代磷酸(1R)与五氯化磷反应得到构型翻转的产物(-)-O-乙基O-苯基硫代磷酰氯(5R);5R经水解、醇解及胺解,均发生了构型翻转,并讨论了这些产物某些反应的立体化学过程。

铁氧体衬底——手征性材料隐身波特性研究

指出铁氧体衬底-开口铜导体方形环是一种复合手征性介质结构,给出了本构方程、电磁波反射与透射关系表达式。通过开口尺寸、间隙、单元周期及介质电参数ε、μ的变化,计算了电磁波的反射,讨论了变化的特性,得出这种结构具有弱的频率选择性、波反射减弱和频带展宽等结论。采用介质中的耦合机制对波特性进行了简要分析,结论与文献进行了对比。最后预测,铁氧体与左手Metamaterials材料复合将有助于拓展隐身技术的研究领域。

自旋极化电流驱动下磁涡旋的旋转回归运动和手征性反转

将方向为(-1,1,-1)的3个自旋极化电流通入纳米盘,用OOMMF(object oriented micromagnetic framework)软件分析自旋极化电流大小和位置分布对磁涡旋动力学行为的影响.结果表明:磁涡旋核做旋转回归运动时,最大速度在轨迹上的位置相对固定,利用该性质,可在最大速度处引入缺陷,使磁涡旋核运动到缺陷处被钉扎并发生反转,从而实现磁涡旋核极性的可控反转;通过改变极化电流的大小或位置,可调节磁涡旋核旋转回归运动频率的大小;在高电流密度区域,可实现磁涡旋手征性反转,且反转时间较短;与极化电流位置对称分布相比,其手征性反转的电流范围变大,达到暂态构型的时间变短。

单层手征性平板微波吸波体

介绍了单层手征性平板微波吸波体的研究。报告了微波反射率对电磁波频率的依赖关系。实验结果表明：此种吸波体具有良好的电磁性能。这意味着手征性材料是一种良好的微波吸收材料。此外，本文报告了电磁波通过手征性材料时，电磁波偏振面的旋转现象。

手征性二茂铁膦在催化不对称合成中的应用

对手征性二茂铁膦的合成及其过渡金属配合物在催化不对称合成中的应用作了概述。讨论了手征性二茂铁烷基胺的不对称锂化反应机理,手征性二茂铁膦的镍、钯配合物催化不对称格氏偶合反应,钯、铂、铑配合物催化不对称硅氢化反应,铑配合物催化不对称氢化反应,钴配合物催化不对称氢迁移反应,钯配合物催化不对称环化反应,等等。

手征性季铵盐在不对称合成中的应用

介绍了手征性季铵盐作为手征性相转移催化剂在不对称合成中的应用,包括其类型和制备。并讨论了催化剂的结构对立体选择性的影响。

非均匀二维蜂巢晶格中手征性d + id超导态的量子蒙特卡罗探究

本文基于哈伯德模型采用约束路径量子蒙特卡罗方法研究了非均匀二维蜂巢晶格中手征性d + id超导态随非均匀度(由蜂巢内和蜂巢间的跃迁积分之间的比值来表征)的演化特性。研究结果表明当在位库仑相互作用U较小时,手征性d + id电子配对关联函数随着非均匀度的增大先明显增加后逐渐减小,而在较大U的情况下手征性d + id电子配对关联函数随非均匀度的增大趋势被强烈抑制。我们的研究结果说明在较小U的情况下存在一个最佳的非均匀度,使得体系具有最强的手征性d + id超导态。进一步的理论分析显示磁性并不是导致超导态变化的原因。根据体系中费米能附近的电子状态数与有效在位库仑相互作用随非均匀度的变化特征,我们对手征性d + id超导态随非均匀度的演化给出了合理的解释。我们的研究对量子调控二维蜂巢晶格中的超导态提供了重要的理论思路。

手征性杂氮锗三环的合成及表征

本文报道了首次合成的具有手性的（４Ｓ）－１－羟基－４－羧基杂氮锗三环和（４Ｓ）－３－甲基－１－羟基－４－羧基杂氮锗三环，并运用ＩＲ、１ＨＮＭＲ、ＭＳ等对其进行了表征。证据显示此化合物存在贯穿笼状结构的Ｎ→Ｇｅ配键。

手征性分子中固有的手征性场

手征性只是一个与几何特征有关的概念,是一种赝标量.这种赝标量无法保证与外部物理世界的联系.研究分析发现,分子不仅仅是原子位置在空间的排列,分子通常还具有固有的电偶极子排布.简单的几何图形不足以描述分子的物理特征.手征性分子不仅拥有原子位置的不对称排列,还拥有固有电偶极子的不对称排布.手征性分子的固有手征性场其尺寸要大于分子通常的几何尺寸,这种固有的手征性场可以定义为一种物理状态,能保证分子与外部物理世界的联系.一对对映体是关于手征性场的双态体系.逻辑上,手征性的场分布才是导致手征性分子旋光活性的物理原因,因为场是一种物理实在并且拥有固有的方向性.

手征性物体中电偶极场的手征性排布

对手征性石英和螺旋铜丝的结构进行了分析研究.漆包铜丝本身由于铜和漆皮的接触起电效应,存在固有的电偶极场.当铜丝弯成手征性的螺旋结构时,其固有的场也转变成手征性排列,类似螺苯中C—H键的电偶极场分布.手性石英晶体中的SiO4四面体结构单元表现出扭转的手性结构,并且Si—O键有二种不同长度,结构参数的差值已超出误差范围.一块手性石英晶体相当于由无数的均匀手性的SiO4结构单元组成.SiO4结构单元的构像手性以及手征性偶极场排布也被揭示出来.研究说明,不仅手性分子中存在手征性的场分布,石英晶体和螺旋铜丝也存在固有的手征性偶极场分布.手征性偶极场的存在能够解释光学活性的起源问题.

两个双各向异性手征介质圆柱的散射场性态

本文应用电磁场的边值理论，在ＴＭ或ＴＥ平面波斜入射条件下，给出了两个平行双各向异性手征介质圆柱的散射场表达式，借助数值方法，详细地分析了散射场Ｍｕｅｌｌｅｒ矩阵的所有不同元素性态，揭示了它们随手征。

物理、力学和天文中的手征性专题·编者按

1848年,不到26岁的法国学者、巴氏消毒法的发明人巴斯德利用显微镜,发现葡萄酒沉淀中存在两类晶体,它们的结构呈镜像对称.两类晶体的溶液能够使偏振光的偏振方向分别沿顺时针旋转和逆时针旋转.分子结构的手性从此进入了人们的视野.就跟左手和右手一样,不同手征性(简称手性)的同一种分子其结构呈现镜像对称,且两者不可重合.

太赫兹波段双频带手征性超表面的设计

提出一种具有巨旋光性和负折射特性的双频带手征性超表面结构,该手征性超表面由中间介质层和双层共轭卍字形周期排列而成;通过研究面电流密度分布,解释了巨旋光性和负折射率产生的原因;研究了手征性超表面单元结构的连续圆金属贴片半径和介质层厚度对该结构旋光性和负折射特性的影响。数值模拟结果表明:该结构在0.1～2 THz频率范围内有4个谐振频点,在谐振频点附近,平均折射率均为负值,实部幅值最大为-3.7;该结构在谐振频点附近显示了巨旋光性以及双频带的左旋圆偏振波和右旋圆偏振波负折射特性,最大偏振旋转角达到了122°,右旋圆偏振波折射率实部幅值可达-12.74。