碲镉汞器件接触孔的ICP刻蚀工艺研究

介绍了ICP等离子体刻蚀技术的工作原理和主要工艺参数,阐述了碲镉汞器件接触孔ICP刻蚀工艺的特点和技术要求。通过一系列实验和分析,最终优化并确定了ICP刻蚀碲镉汞材料接触孔的工艺参数,获得了良好的刻蚀形貌和器件性能。

碲镉汞p型接触孔湿法腐蚀工艺研究

针对碲镉汞芯片p型接触孔湿法腐蚀工艺进行研究,采用不同条件的湿法腐蚀工艺完成碲镉汞p型接触孔制备,通过扫描电子显微镜和激光扫描显微镜分析腐蚀后的接触孔表面形貌,电学接触性能通过伏安特性曲线表征。实验结果表明,传统湿法腐蚀工艺在碲镉汞芯片接触孔制备过程中存在钻蚀严重和均匀性不好等问题,针对以上问题提出了一种超声辅助湿法腐蚀工艺,制备出形貌及均匀性较好的p型接触孔。

漏极接触孔到栅间距对GGNMOS保护器件的影响

研究了不同漏极接触孔到栅间距对深亚微米单叉指栅接地N型金属氧化物半导体静电放电保护器件性能的影响,并分析了相关物理机制.基于中芯国际0.18μm互补金属氧化物半导体工艺进行流片,并进行传输线脉冲测试,得到了不同漏极接触孔到栅间距(DCGS)值的保护器件单位宽度失效电流水平的变化趋势.结合器件仿真,分析了保护器件的电、热分布情况.研究结果表明,DCGS值的增大,使电流密度峰值向远离沟道的方向移动,从而降低了尖端放电的风险.同时,当DCGS值增大到一定阈值时,由于漏区与衬底温度达到平衡,因此失效电流水平出现饱和趋势.

亚微米IC器件中接触孔的填充和铝金属化工艺的技术

在亚微米 IC器件的铝金属化工艺中 ,采用了阻挡层和硅化物后 ,发现随着铝淀积温度的升高 ,铝的阶梯覆盖率有所提高 .为克服高温淀积带来的问题 ,采用了两步的冷 /热铝溅射和浸润层等工艺代替原来的铝溅射 .通过研究和一系列的比较实验 ,发现影响铝填充性能的主要因素为 :热铝淀积温度、热铝淀积功率、Ti浸润层厚度及冷热铝厚度比 .由此得到了适合于实际亚微米

40nm节点高深宽比接触孔刻蚀电性能稳定性改善

随着工艺节点减小,对高深宽比接触孔形貌和关键尺寸的精准控制变得愈加困难。基于40 nm逻辑器件量产数据,研究了高深宽比接触孔刻蚀工艺参数和刻蚀设备内部耗材的磨损对器件电性能稳定性的影响,并提出了工艺改进方案。通过减小SiO_2厚度,减小接触孔深宽比,从而改善孔内聚合物在孔底部沉积的问题;通过优化刻蚀工艺参数提高SiN/SiO_2刻蚀选择比,保持刻蚀后SiO_2的厚度与改进前工艺相同。测试结果表明,工艺改进后接触孔底部关键尺寸稳定性提升36%,接触电阻稳定性提升20%。通过工艺改进提高了电参数稳定性,对40 nm工艺节点逻辑器件产品良率提升起到了关键作用。

模拟光刻中双层衰减相移接触孔衍射的理论公式

为了仿真光刻中接触孔掩模的衍射,建立了严格的三维(3D)掩模模型。采用法向矢量法(NV)改善了接触孔掩模耦合波方程的收敛性。利用S矩阵求解线性方程组避免了数值不稳定问题。对于双吸收层衰减相移接触孔掩模,当有效的截断级次达到1225级以上时,(0,0)级次能得到更好的收敛结果。当有效的截断级次分别为1225级,1369级,1521级及1681级时,衍射效率分别为23.64%,23.67%,23.63%及23.66%。利用建立的模型,研究了偏振态随着掩模、入射光参数的变化关系。当线宽小于25nm时,掩模主要透过TM偏振光。

金属/半导体接触孔噪声特性研究

通过对1mm金属/半导体接触孔链样品施加高应力的加速寿命试验和室温下的噪声频谱测量,得到了1/f噪声、10Hz点频功率谱特征及其变化规律。实验中发现应力前后1/f噪声10Hz点频功率谱有明显的变化。对比实验中电阻和噪声的变化,噪声变化量是电阻变化量的1304倍。1/f噪声可以作为金属/半导体接触孔可靠性的灵敏表征参量。

场效应晶体管中接触孔应力技术的研究

随着集成电路集成度的不断提高以及场效应晶体管尺寸的微缩,沟道载流子迁移率退化越来越严重,通过沟道应力技术提升载流子迁移率从而提高性能的技术被广泛应用。介绍了接触孔应力对沟道的影响,分析了接触孔与沟道间距离及源漏区外延厚度对沟道应力的影响。通过对应力传导机制的分析,提出了通过调节侧墙材料和结构来优化沟道应力的方法。

6T-SRAM共享接触孔失效定位的分析方法

6T静态随机存储器(SRAM)在新的集成电路技术节点被广泛用于制造工艺的研发。随着集成电路制造工艺技术节点微缩进入100 nm线宽以下,SRAM存储单元的主流设计使用了新的布局以降低光刻制造技术的难度,新的布局引入了共享接触孔(shared CT)的新结构,同时也带来了新的失效机制。系统地分析了共享接触孔带来的失效问题,并采用电性分析和传统失效分析相结合的新方法,准确定位了在共享接触孔与SRAM中另一反相器栅极之间存在的新的高阻失效,而这类高阻失效无法通过传统失效分析方法精确定位。对失效物理地址进行的切片检验证实了这种高阻失效,因此也证明了新的分析方法是有效的。

55 nm接触孔刻蚀工艺改善

55 nm接触孔刻蚀在该工艺窗口检查发现严重良率损失的问题,通过改变接触孔刻蚀这个工艺模块的工艺流程,使用了更先进的图形膜工艺可以解决这一问题。先进图形膜工艺与传统光刻胶相比对刻蚀后的接触孔边缘条纹与变形可进行良好的控制,图形转移能力更加可靠与稳定。调试中,利用电子束扫描的方法来验证新条件是否良好,可以大大缩短调试周期,并且节约成本。使用了先进图形膜工艺,接触孔的物理形貌完全符合量产的要求,并且最终将接触孔刻蚀关键尺寸缩减了7 nm,相应的工艺窗口也变大;成功将55 nm接触孔刻蚀套准精度提高33%,接触孔光刻的对准工艺窗口从15 nm扩大到了20 nm,更加利于量产的控制。

适合于改善金属接触孔清洗的单晶圆工艺(英文)

在半导体制造流程中,晶圆清洗正在成为一种更加关键的工序模块。因为集成度的提高,需制定适合于清洗机及更高器件结构均匀性的要求。清洗的有效性最终会影响器件的性能和成品率[1-4]。无论在生产线前端或后端清洗工艺中,正在受到越来越仔细检查。在金属化工艺之前,一个有意义的方面是刻蚀和灰化后期金属接触孔侧壁和底部残留物的清除。因其会导致器件失效,一种不完全接触孔清洗技术成为一种主要的业务。

功率MOSFET接触孔注入退火工艺对激活效果及器件性能的影响

阐述接触孔大剂量离子注入会引起颗粒问题,而离子注入剂量太小会导致背栅效应,引起开启电压不可控。本文通过仿真探索接触孔离子注入退火后的激活效果,并通过实验验证不同注入条件及退火条件对器件的影响,试图找到合适的工艺窗口。

SiC MOSFET Al接触孔填充优化

以制备碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)器件为背景,通过实验研究铝(Al)接触孔填充工艺,分析磁控溅射中溅射温度、功率、靶片间距和优化刻蚀角度等参数对接触孔填充效果的影响。当靶片间距设定为5500 step时,填充高度可由1.487μm增加至1.780μm;当采用湿法腐蚀和干法刻蚀优化刻蚀角度时,填充效果最佳,填充高度可增大至2.72μm,为实际工程应用中参数设置及工艺调试提供参考方向。

线接触中心孔

轴类工件常用中心孔实现定位加工。机械加工中通常用的中心孔是由国标GB145—85所规定的。由于标准中心孔定位面是60°的锥面,故又称为面接触中心孔。高精度刚性轴类工件加工或检测时,用面接触中心孔作定位基准,其精度有限,往往满足不了加工或检测精度要求。在实际加工中,出现了所谓线接触中心孔。线接触中心孔是在标准中心孔基础上,改变其几何尺寸或形状,使中心孔和与其相配的顶尖之间的接触定位而变成线。理想时,中心孔与顶尖之间形成一个封闭定位曲线——定位圆。 轴类工件用线接触中心孔定位,其加工精度有很大提高,且其制造方法简单易行。我们在CA6140和C6136A的主轴新件加工和旧件修复中,运用线接触中心孔已取得较好的效果,现将线接触中心孔作一介绍。

引线孔接触电阻不稳定对基准电压源的影响及改善

该文通过对双极集成电路产品基准电压源稳定性的分析和调查,简述了基准电压源的原理和影响基准值的因素。通过模拟仿真,确定了接触电阻对电阻值的影响从而影响了基准电压的结果,通过增加软刻蚀工艺及在刻蚀后进行氟化铵和氢氟酸混合腐蚀液清洗的方法,改善了引线孔接触电阻的稳定性、提高了基准电压的一致性,达到了良率提升的目的。

TEOS的应用对接触电阻的稳定性问题研究

为了解决因TEOS的应用导致接触电阻稳定性变差的问题,对接触电阻的测试数据及曲线进行分析,初步确定调查研究方向,然后分别对接触孔内生成物、接触孔内氧化层以及接触孔的金属覆盖性进行相关验证与分析,最后找到问题的根源所在,同时针对产生问题的原因采取一系列有效的工艺改善。改善措施实施后,进行仿真加工测试,数据经确认正常。此类产品随后在生产线上逐步上量加工,经检验,其接触电阻的数据均在规范值内且非常稳定。此问题的研究解决对提高采用发射区注入工艺的双极型集成电路产品的加工稳定性及产品良率具有非常重要的现实意义。

谋定而后动——专访重庆合创机电设备工程有限公司总经理孔健

在重庆空调圈子里，经常有同行提到合创机电总经理孔健。而（（中央空调市场》作为1份市场类杂志，却一直没有机会近距离接触孔总，实为遗憾。2011年5月31日，笔者本期望在“美的中央空调重庆3期扩能项目竣工投产仪式”上见到作为美的核心经销商的孔总。然而，由于在外出差，孔总未能参与此次庆典。之后，在美的重庆暖通设备销售公司总经理龙超的牵线下，终促成笔者的这次采访。

对uLoop进行电压对比测试,及时有效对接触层进行在线缺陷分析

本文介绍了在在线电压比较检测中可采用未接地链测试结构对诱发通孔和接触孔开路缺陷的机制进行监控和调试。它为如何利用在线电压对比检测技术的优点带来众多新的机会。同时,本文还提出一种有关开路链的 VC信号表现的解释理论,并进行了实验验证。此外,本文还介绍了在 IBM 的300毫米代工厂中对这一现象的应用方法以及部分使用案例。