三元FeCl_3-AlCl_3-GIC的制备及其插层反应过程的研究

采用混合熔融盐法制备以天然鳞片石墨作宿主、以FeCl3和AlCl3为插层剂的GIC。通过考察反应温度、碳与金属氯化物的摩尔比以及保温时间对产物阶结构的影响 ,探讨了FeCl3和AlCl3在石墨层间的插层反应过程。实验结果表明 :调节和控制插层反应条件 ,可以得到一阶FeCl3 GIC和一阶AlCl3 GIC相对含量不同的三元FeCl3 AlCl3 GIC。插层过程中存在通过生成中间产物AlFeCl6 ,以FeCl3逐渐替换AlCl3的插层反应机制。替换量随插层反应温度的升高。

三聚磷酸二氢铝与有机胺的插层反应特征

采用IR、XRD、SEM、EDS、DT-TG和滴定实验等技术手段研究主体三聚磷酸二氢铝(ATP)与客体甲胺、乙胺、正丙胺和正丁胺等有机胺的插层反应特性。实验结果表明,ATP与甲胺、乙胺、正丙胺、正丁胺发生了化学反应,有机胺中的N与ATP层间—OH上的H形成配位键。这些有机胺通过插层反应改变了ATP的酸性、层间距和热分解温度,但没有改变颗粒的层状形貌。层间距从0.795 nm增大至1.71 nm,层间距d与有机胺的碳原子数Cn呈线性关系:d=0.229Cn+0.811,R2=0.9986。有机胺分子链越长则越具有剥离倾向。

高岭石有机插层反应的影响因素

利用高岭石的层状结构特征 ,将有机分子插入高岭石层间形成的高岭石有机复合物 ,兼具粘土矿物和有机物的特性 ,是一种新型矿物材料 ,在功能填料、陶瓷材料、催化剂、择型吸附剂、环境修复材料等方面具有广泛的应用前景。高岭石层间氢键作用较强 ,有机分子的插层作用比较困难 ,合理控制插层条件是插层作用完成的关键。评述了高岭石特征、插层有机分子性质、水、温度、压力、pH值等因素对高岭石有机插层作用的影响。

层状双氢氧化物的插层反应

具有催化、吸附、离子交换等功能的层状结构的双氢氧化物(LDHs)是近年来主客体化学研究领域的一个热点.本文综述了双氢氧化物(LDHs)的插层反应研究,并对今后一个时期该领域的研究和发展的方向做了展望.

有机膦/蒙脱土插层反应的影响因素

利用丁基三苯基溴化膦(BTPB)、十二烷基三苯基溴化膦(DTPB)湿法改性天然钠基蒙脱土,通过烧失量(CL%)研究了反应温度、反应时间、插层剂用量、溶液pH值、蒙脱土浓度对插层效果的影响。

酸化处理对蒙脱土插层反应的影响以及性能表征

利用溶液插层方法对蒙脱土进行了有机化插层处理,通过对蒙脱土进行酸化和有机化两步处理,发现酸化处理不仅能有效地扩大蒙脱土的片层间距,还能有效地增强有机蒙脱土在甲苯、二甲苯等有机溶剂里的相容性。利用TGA、XRD、FT-IR等手段对有机化的蒙脱土内部结构进行了表征,并对酸化机理进行了探究。

层状双金属氢氧化物的插层反应

在碱性介质中，11-烷基氨基酸为插层剂（NH2（CH2）10COO^-）与阴离子型层状双金属氢氧化物层间阴离子（layered double hydroxide，LDH）通过离子交换，11-烷基氨基酸成功插入到层状双金属氢氧化物层间，得到了一种新型的有机-无机纳米级层状复合物。

蒙脱石与聚羧酸减水剂的插层反应机理

通过测定蒙脱石对两种不同聚羧酸减水剂的吸附量,并结合XRD、IR、TG和XPS等测试手段,对蒙脱石与聚羧酸减水剂的插层反应机理进行了探讨。结果表明：蒙脱石对聚羧酸减水剂的吸附量约是水泥颗粒的2～3倍,聚羧酸减水剂可以与蒙脱石发生插层反应,使层间距离增大,经过JS-1、BT聚羧酸减水剂处理后的MMT的层间距分别为1.70nm、1.63nm,相比空白样,增幅分别为12.58%、7.95%;聚羧酸减水剂存在于蒙脱石的层间,不破坏蒙脱石的硅氧、铝氧层结构;蒙脱石与聚羧酸减水剂的插层反应即对聚羧酸减水剂的吸附是造成流动性损失的根本原因。

多层石墨烯插层化合物的制备及电导率调控研究

由于多层石墨烯的低载流子密度限制了其电导率,为了提升石墨烯电导率,通过两温区气相插层方法制备了基于激光诱导石墨烯(LIG)的一阶与二阶石墨烯插层化合物,利用XRD、扫描电子显微镜、拉曼光谱等对插层化合物进行形貌和结构表征,用标准的四探针法测试了电导率。结果表明该化合物很好的保留了LiG的三维多孔结构,为电子传导提供了快速通道;其电导率由纯LIG的634 S/m提高到一阶插层的943 S/m和二阶插层的1 306 S/m,且插层过后仍然能够较完整的转移到其他基面,结构没有破坏。插层过程是由插层剂从中心向边缘逐渐扩散形成的,插层剂分子在插层过程中的剧烈运动,LiG表面发生破损。

高岭石/甲酰胺插层的Raman和DRIFT光谱

用 Raman和漫反射红外光谱研究高岭石

二次插层法制备有机蒙脱石的研究

用甲基丙烯酰氧乙基三甲基氯化铵和十六烷基三甲基溴化铵作为插层剂,采取二次插层法制备了有机化蒙脱石,并对一次插层法和二次插层法的效果进行了比较,结果表明,经过二次插层反应后,蒙脱石的层间距从1nm左右增大至3nm,有利于有机分子的进入和形成新的蒙脱石有机复合物。

季铵盐插层蒙脱土及其去除海洋卡盾藻的研究

利用插层法制备了5种季铵盐改性的蒙脱土,通过FTIR、XRD和DTG等表征表明5种季铵盐已成功插入蒙脱土中;随后以中国典型赤潮藻海洋卡盾藻(Chattonella marina)为研究对象,考察了5种季铵盐改性蒙脱土的除藻效果。发现以双溴化十四烷基二甲基乙基溴化铵改性的蒙脱土在用量为8mg·L-1时,24h内对海洋卡盾藻的去除率最高,可达100%,而未改性蒙脱土在相同条件下除藻率仅为5.64%;除藻效果与除藻剂的结构有密切关系,在官能团相同时,链长数为14的脂肪族季铵盐除藻率最高,24h可达67.03%;在链长数相同时,含吡啶官能团的季铵盐比脂肪族季铵盐除藻率高,24h为33.62%,且随时间延长明显提高。渗溢性评估实验显示,改性蒙脱土经72h浸泡后表观插层率从71.9%降低到69.6%,表明除藻剂在水体中基本不释放。

快速制备肼-高岭石插层复合物的方法及意义

将一定浓度的肼溶液与高岭土混合 ,施以机械研磨 ,不仅加快了肼分子插入高岭石的速率 (1 0分钟内可使插层率达 96 % ) ,而且超细效果明显。在加温 1 2 0℃后 ,插入高岭石层间的肼分子挥发 ,产生的气体能进一步将高岭土剥离 ,最后得到 - 2 μm >90 %的超细高岭土粉体 ,且片状晶形完好。这种技术为制备“双 90”

石墨插层复合材料制备及应用现状

介绍了化学法和电化学法制备石墨插层复合材料的发展及现状,讨论了用不同插层剂制备的层间化合物的特点、插层反应的机理以及影响插层反应和石墨插层化合物性质的主要因素,总结了降低可膨胀石墨中的含硫量、灰份,增大膨胀容积的主要方法。并对石墨插层化合物在新型密封材料、电极和导电材料、发热材料、吸附材料、催化剂等方面的应用作一概述。

硫酸石墨插层化合物的物性研究

通过在过氧化氢化学氧化法和 K Mn O4 -H2 O2 氧化法制备硫酸石墨插层化合物的基础上 ,详细讨论了其物理性质 ,如物相分析、热分析、红外谱图分析、导电性和低温比热的性质等。其中 XRD研究表明石墨的表面氧化对插层反应是必不可少的。TG和 DTA分析表明过氧化氢氧化法制备产物插层反应完全。IR谱进一步确证热分析的结果。低温比热研究表明在某些温区发生相变 ,十分“类似于”纳米材料的低温比热行为。

正癸胺插层层状钛硅酸盐制备参数

以硫酸钛为钛源,白炭黑为硅源,通过溶胶-凝胶法制备层状钛硅酸盐,采用层状钛硅酸盐作为前驱体,以正癸胺作为插层试剂,进行插层反应,探索体系的酸碱度、温度和反应时间对插层反应的影响,总结出插层反应的最佳条件.结果表明,正癸胺插层的最佳反应条件为:反应体系pH=10,反应温度为80℃,反应时间为4 d.

烷基胺插层层状化合物LiNbWO_6纳米复合材料的研究

LiNbWO6作为一种无机层状化合物,是制备有机-无机物纳米复合材料的优良基体。使用高温固相方法合成LiNbWO6,并用直接插入法分别将正丙胺、正丁胺、正己胺、正辛胺插入HNbWO6层间制备了烷基胺的插层复合材料,并用SEM,XRD等方法进行了表征,同时研究了层间距的增加与烷基胺中碳原子数目之间的关系。

有机敏化剂插层层状氢氧化铽纳米复合体的合成与发光性质

选择两种有机物对苯二甲酸(TA)和苯甲酸(BA)作为敏化剂,通过在水热条件下的离子交换反应,成功将其以有机阴离子形式插层至层状铽氢氧化物而获得纳米复合体。荧光性质测定表明TA2-和BA-通过有效的能量转移均增强了Tb3+的特征绿色荧光发射,并且TA2-的敏化增强能力大于BA-。从能级匹配角度讨论了敏化剂和Tb3+之间能量转移的机理。

烷基双胺和烷基单胺微波插层四钛酸材料的结构性能研究

将K2CO3和TiO2高温固相法合成K2Ti4O9,酸化后得到H2Ti4O9,在微波辅助作用下进行烷基双胺H2N(CH2)nNH2(n=4,8,12)和烷基单胺n-CnH2n+1NH2(n=4,8,12)的插层反应,制得了烷基双胺和单胺柱撑的层状复合材料,采用IR、SEM、XRD和元素分析仪对材料进行了表征,并比较了烷基双胺和单胺柱撑机理和不同碳链长度对层间距的影响。结果表明:双胺插层材料中烷基胺在层间以单层排列,而单胺插层材料中烷基胺则以类似双分子层形式排列,并且复合材料的层间距都是随着碳链长度的增长而增大的。

聚合物/高岭土插层复合材料的研究进展

聚合物/高岭土插层复合材料显示出优异的性能,但高岭土特殊的晶层结构则有碍于其与聚合物的插层复合,其复合材料的研究已受到关注。综述了聚合物/高岭土插层纳米复合材料制备方法、液态插层机理和表征技术的研究进展,并展望了其发展前景。