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癸二酸溶解度、介稳区及晶体生长速率的测定
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作者 黄志强 李健 +2 位作者 苏杭 徐庆 宋继田 《中国油脂》 CAS CSCD 北大核心 2024年第7期96-100,共5页
旨在促进癸二酸的连续化生产,采用动态法测定癸二酸在289.25~373.15 K范围的溶解度,采用聚焦光束反射测量技术测定了癸二酸在333.15~353.15 K的介稳区,研究了饱和温度和降温速率对介稳区的影响以及过饱和度与晶体生长速率的关系。结果表... 旨在促进癸二酸的连续化生产,采用动态法测定癸二酸在289.25~373.15 K范围的溶解度,采用聚焦光束反射测量技术测定了癸二酸在333.15~353.15 K的介稳区,研究了饱和温度和降温速率对介稳区的影响以及过饱和度与晶体生长速率的关系。结果表明:癸二酸的溶解度随着温度的升高而增大;癸二酸的介稳区随饱和温度的增大而变窄,随降温速率的增大而变宽;癸二酸在水溶液中的晶体生长速率与晶体粒度大小无关,与过饱和度呈线性增长关系,生长速率常数为3.611×10^(-6)g/(m^(2)·s),生长级数为1.498。 展开更多
关键词 癸二酸 溶解度 结晶介稳区 晶体生长速率
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循环流化结晶过程传质与晶体生长速率模型 被引量:4
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作者 袁俊生 王瑜 +2 位作者 刘燕兰 王士钊 李峰 《化工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第11期982-986,共5页
依据Whiteman传质膜理论 ,针对循环流化床结晶过程 ,建立了传质和晶体生长速率理论模型 .实验研究表明 ,在较宽的流速范围内 ,晶体生长速率仅与结晶物系的物性、晶种粒度和过饱和度有关 ,其基本规律为 :晶体的平均线生长速率与扩散系数... 依据Whiteman传质膜理论 ,针对循环流化床结晶过程 ,建立了传质和晶体生长速率理论模型 .实验研究表明 ,在较宽的流速范围内 ,晶体生长速率仅与结晶物系的物性、晶种粒度和过饱和度有关 ,其基本规律为 :晶体的平均线生长速率与扩散系数、晶种特征长度、晶体与溶液相对密度差、过饱和度成正比 ;与溶液的黏度、晶体的密度成反比 .仅需结晶物系的物性、过饱和度等数据 。 展开更多
关键词 循环流化床 结晶 动力学 传质 传晶器 晶体生长速率模型
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仲钨酸铵晶体生长速率常数和活化能研究 被引量:5
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作者 万林生 章小兵 +3 位作者 石忠宁 张耀静 肖学有 陈帮明 《中国钨业》 CAS 2004年第6期38-41,共4页
采用“成核期积分平均速率法”,运用阿累尼乌斯实验定律,求出仲钨酸铵晶体生长的表观活化能E表=94.657kJ/mol,得出仲钨酸铵晶体生长速率常数与温度的关系式为kn=8.46×1014exp(-94657/RT)。研究结果表明,温度升高,APT成核速率的增... 采用“成核期积分平均速率法”,运用阿累尼乌斯实验定律,求出仲钨酸铵晶体生长的表观活化能E表=94.657kJ/mol,得出仲钨酸铵晶体生长速率常数与温度的关系式为kn=8.46×1014exp(-94657/RT)。研究结果表明,温度升高,APT成核速率的增长幅度大于晶体生长速率的增长幅度,结晶产品粒度变细。 展开更多
关键词 晶体生长速率 成核速率 表观活化能 结晶 仲钨酸铵 研究 常数 APT
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晶体生长速率对定向凝固Al-4.5%Cu合金一次枝晶间距的影响 被引量:2
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作者 司乃潮 史剑 +2 位作者 司松海 李达云 许能俊 《铸造》 CAS CSCD 北大核心 2010年第11期1172-1177,共6页
采用定向凝固方法,研究了晶体生长速率对定向凝固Al-4.5%Cu合金一次枝晶间距的影响。试验结果表明,晶体生长速率对定向凝固Al-4.5%Cu合金枝晶组织影响非常显著。生长速率较低时,获得的组织为粗大的树枝晶,一次和二次枝晶都比较发达,定... 采用定向凝固方法,研究了晶体生长速率对定向凝固Al-4.5%Cu合金一次枝晶间距的影响。试验结果表明,晶体生长速率对定向凝固Al-4.5%Cu合金枝晶组织影响非常显著。生长速率较低时,获得的组织为粗大的树枝晶,一次和二次枝晶都比较发达,定向凝固组织特征不明显;晶体生长速率为60μm/s以上时,定向凝固组织特征明显显现出来;随着晶体生长速率的进一步提高,枝晶细化,枝晶间距明显减小;晶体生长率为123μm/s时,此时测得一次枝晶间距值(104.7μm)和Hunt模型的计算值(98.8μm)能比较好的吻合。 展开更多
关键词 晶体生长速率 定向凝固 AL-CU合金 一次枝晶间距
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流体混合程度对晶体生长速率的影响 被引量:1
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作者 张小平 郭祀远 李琳 《华南理工大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 1996年第8期91-95,共5页
运用化学反应工程的观点和方法研究了工业结晶过程中流体的混合状态及其对晶体生长速率的影响。结果表明,对全混流工业结晶器来说,在两种极端的混合(完全离集与最大混合)状态下,晶体生长速率有明显的差异,进而影响晶体产品的粒度... 运用化学反应工程的观点和方法研究了工业结晶过程中流体的混合状态及其对晶体生长速率的影响。结果表明,对全混流工业结晶器来说,在两种极端的混合(完全离集与最大混合)状态下,晶体生长速率有明显的差异,进而影响晶体产品的粒度及其分布。 展开更多
关键词 混合 混合状态 停留时间分布 结晶 晶体生长速率
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一种提高熔盐法晶体生长速率的新工艺 被引量:1
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作者 唐鼎元 王元康 姚子健 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第3期281-281,共1页
一种提高熔盐法晶体生长速率的新工艺唐鼎元王元康姚子健(中国科学院福建物质结构研究所,福州350002)ANewTechniqueforImprovingtheRateofCrystalGrowthfromFluxTa... 一种提高熔盐法晶体生长速率的新工艺唐鼎元王元康姚子健(中国科学院福建物质结构研究所,福州350002)ANewTechniqueforImprovingtheRateofCrystalGrowthfromFluxTangDingyuanWangYua... 展开更多
关键词 熔盐法 晶体生长速率 晶体生长
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硫酸钾晶体生长速率的研究(Ⅰ) 被引量:7
7
作者 于萍 郭瓦力 +1 位作者 姜维 王欣宁 《沈阳化工学院学报》 2002年第2期104-107,共4页
采用流化床法对硫酸钾晶体生长速率进行研究 .实验表明 :硫酸钾晶体生长线速率随溶液过饱和度、粒径增大而加快 ,与流速关系不大 .硫酸钾结晶过程在实验研究范围内 ,属于表面反应控制 .添加剂的加入不但影响晶体的生长速率 。
关键词 硫酸钾 流化床 晶体生长速率 添加剂 粒径
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木糖醇介稳区宽度与晶体生长速率测定 被引量:1
8
作者 翁贤芬 《食品科学》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期33-35,共3页
用激光散射法测定纯木糖醇水溶液和含有山梨醇和葡萄糖杂质的木糖醇水溶液的结晶介稳区宽度;在介稳区内测得不同结晶温度下纯木糖醇溶液中过饱和度对晶体生长速率的影响,同时研究杂质的添加对木糖醇结晶生长速率的影响。结果表明:相同... 用激光散射法测定纯木糖醇水溶液和含有山梨醇和葡萄糖杂质的木糖醇水溶液的结晶介稳区宽度;在介稳区内测得不同结晶温度下纯木糖醇溶液中过饱和度对晶体生长速率的影响,同时研究杂质的添加对木糖醇结晶生长速率的影响。结果表明:相同结晶温度下,生长速率随过饱和度的增大而增大;在相同结晶温度和过饱和度下,木糖醇水溶液中分别加入山梨醇和葡萄糖杂质导致生长速率下降,并随杂质含量的增大而下降,山梨醇对晶体生长的抑制作用比葡萄糖更明显。 展开更多
关键词 木糖醇 结晶 介稳区 晶体生长速率
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硫酸钾晶体生长速率的研究(二) 被引量:1
9
作者 于萍 郭瓦力 刘说 《沈阳化工学院学报》 2004年第3期182-184,共3页
 研究了4种添加剂对硫酸钾晶体生长速率的影响.实验表明:在以氯化钾、硫酸铵、甲酰胺、丙酮作为添加剂,丙酮促进硫酸钾晶体生长,而其他几种添加剂则抑制其生长.可以选择在硫酸钾生产中添加适量丙酮从而提高硫酸钾的产率.
关键词 硫酸钾 添加剂 晶体生长速率
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测量溶液晶体生长速率用的光学外差干涉技术
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作者 YongkeeKin 唐永滋 《云光技术》 2002年第1期32-39,共8页
非接触性光学外差技术可原地测量溶液中的晶体生长速率。采用波长为633nm,总输出功率为1mW(每个偏振分量为0.5mW)的双频率塞曼激光器,该激光器具有两个彼此共线而又正交偏振的频率v1和v2,它们准确相融250kHz。,系统的灵敏度确定为0... 非接触性光学外差技术可原地测量溶液中的晶体生长速率。采用波长为633nm,总输出功率为1mW(每个偏振分量为0.5mW)的双频率塞曼激光器,该激光器具有两个彼此共线而又正交偏振的频率v1和v2,它们准确相融250kHz。,系统的灵敏度确定为0.77nm ,比0.065nm的理论分辨率大,因为存在着与振动相关的噪声。针对监视溶液晶体生长的外差技术的关键因素进行的研究表明,当溶液温度为28.2℃,晶种温度为26.0℃时,L精氨酸磷酸盐晶体的生和速率为6.15±0.13nm/s(0.53mm/天)。这是运用外差技术进行实时、原地测量晶体生长速率的首次实验。 展开更多
关键词 晶体生长速率 光学外差技术 相位变化 L-精氨酸磷酸盐 溶液晶体生长
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不同蒸发速率下添加剂对氯化钠晶体生长速率的影响研究
11
作者 王勇胜 翟安心 《当代化工研究》 2022年第19期39-41,共3页
通过硅胶控制水分蒸发速率,考察了不同蒸发速率、添加剂种类与用量对氯化钠晶体生长速率的影响。实验结果表明:在高的蒸发速率下,氯化钠晶体生长速率越快,添加剂的引入越能提高晶体的生长速率。具有相同理化性质的添加剂(KI)对晶体生长... 通过硅胶控制水分蒸发速率,考察了不同蒸发速率、添加剂种类与用量对氯化钠晶体生长速率的影响。实验结果表明:在高的蒸发速率下,氯化钠晶体生长速率越快,添加剂的引入越能提高晶体的生长速率。具有相同理化性质的添加剂(KI)对晶体生长速率有促进作用,反之,如葡萄糖不利于晶面的外延生长速率。同时,适量的添加剂可以使氯化钠立方体晶形保持相对稳定。 展开更多
关键词 氯化钠 晶体生长速率 蒸发速率 添加剂
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晶体生长的热动力学分析——以碘化汞晶体为例
12
作者 陈静 《当代化工研究》 CAS 2024年第9期41-43,共3页
为研究热动力学因素对晶体形貌的影响,以碘化汞晶体为例,对晶体生长速率进行分析计算,得到台阶能、面溶解焓、体溶解焓、有效溶质的摩尔分数以及各晶面的生长速率,根据α-HgI_(2)晶体的各晶面的生长速率排序(001)<(110)<(101)<... 为研究热动力学因素对晶体形貌的影响,以碘化汞晶体为例,对晶体生长速率进行分析计算,得到台阶能、面溶解焓、体溶解焓、有效溶质的摩尔分数以及各晶面的生长速率,根据α-HgI_(2)晶体的各晶面的生长速率排序(001)<(110)<(101)<(102)<(103),确定(001)面应为α-HgI_(2)晶体的最大显露面,体现出了α-HgI_(2)晶体的最大形态学特征。 展开更多
关键词 晶体形貌 碘化汞 热动力学因素 晶体生长速率
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水溶液中硫酸钾晶体生长动力学 被引量:8
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作者 陈勇 邵曼君 陈慧萍 《化工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第12期1766-1769,共4页
The single crystal growth rates of potassium sulfate in pure aqueous solution under different conditions were determined by photomicrography in a flow system for crystal growth. The effects of the main controlling fac... The single crystal growth rates of potassium sulfate in pure aqueous solution under different conditions were determined by photomicrography in a flow system for crystal growth. The effects of the main controlling factors, such as supersaturation, crystal size, solution velocity and crystal growth temperature, on crystal growth rates of potassium sulfate were discussed in detail by using non-linear regression from the experimental data, and several empirical relationships were given.The results showed that the growth rates of crystals increased with supersaturation, crystal size, solution velocity and temperature. Moreover supersaturation was the most important controlling factor influencing growth rates of crystals,crystal size and solution velocity were the secondary and temperature was the least. Furthermore, It was found that the growth rate of crystals along the crystallographic axis was higher than that along the in the same condition. The effect of every factor on crystal growth rates along the crystallographic axis was stronger than that along the . 展开更多
关键词 硫酸钾 晶体生长 晶体生长速率
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方解石晶体生长过程中钙同位素分馏
14
作者 何红涛 刘耘 《矿物学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第S1期543-544,共2页
钙同位素分馏及微量元素(Sr、Mn、Mg等)分异可以作为重要的指标来研究大气圈和海洋的化学演化(Jacobson和Holmden,2008)。作为钙同位素的重要载体,方解石成为众多学者研究的焦点,包括生物成因方解石和无机方解石。在方解石的形成过程中... 钙同位素分馏及微量元素(Sr、Mn、Mg等)分异可以作为重要的指标来研究大气圈和海洋的化学演化(Jacobson和Holmden,2008)。作为钙同位素的重要载体,方解石成为众多学者研究的焦点,包括生物成因方解石和无机方解石。在方解石的形成过程中,诸多因素例如温度。 展开更多
关键词 同位素分馏系数 方解石晶体 微量元素 钙同位素 沉淀速率 晶体生长速率 形成过程 沉淀过程 模型 正向反应
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气相生长ZnSe晶体的提拉效应
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作者 胡德良 《半导体光电》 CAS 1980年第1期66-69,共4页
引言用气相法生长 ZnSe 晶体,通常把装有多晶物料的安瓿放在具存特定温度分布的立式炉内,安瓿底部的物料处在高温区,尖端处在温度梯度区。这样,Znse 分子便由高温区输运,并在安瓿顶端淀积下来长成晶体(图1)。用此法生长晶体,一般还要以... 引言用气相法生长 ZnSe 晶体,通常把装有多晶物料的安瓿放在具存特定温度分布的立式炉内,安瓿底部的物料处在高温区,尖端处在温度梯度区。这样,Znse 分子便由高温区输运,并在安瓿顶端淀积下来长成晶体(图1)。用此法生长晶体,一般还要以一个适当的速度连续地提拉安瓿向上运动。本文论述了提拉对晶体生长速度的影响。 展开更多
关键词 晶体 生长速度 安瓶 ZNSE 晶体生长速率 提拉
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YBCO超导晶体生长规律的实时原位观察研究 被引量:1
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作者 李佳伟 杨万民 +2 位作者 陈森林 王妙 冯忠岭 《中国科学:物理学、力学、天文学》 CSCD 北大核心 2015年第2期66-73,共8页
本文采用顶部籽晶熔渗法(TSIG)成功制备出了不同过冷度下、不同保温时间的系列YBCO单畴超导块材;同时采用原位观察的方法,借助高温摄像技术实时记录了YBCO晶体的生长过程.通过对在不同过冷度、不同保温时间YBCO晶体生长形貌的分析和研究... 本文采用顶部籽晶熔渗法(TSIG)成功制备出了不同过冷度下、不同保温时间的系列YBCO单畴超导块材;同时采用原位观察的方法,借助高温摄像技术实时记录了YBCO晶体的生长过程.通过对在不同过冷度、不同保温时间YBCO晶体生长形貌的分析和研究,结果表明:YBCO晶体起始外延生长温度为1008°C,单畴生长温度窗口为988°C–1008°C;在确定的过冷度下保温时,YBCO晶体的起始生长速率很快,最大平均生长速率达到0.95 mm h-1,之后,先快速衰减,然后逐渐趋于稳定;在YBCO晶体生长温区范围内,过冷度越大,生长速率越快,晶体生长的平均速率与过冷度之间的关系可以用Ra=a(△T)b公式来描述;YBCO晶体的瞬时生长速率在0.01–0.72 mm h-1之间,具有很大的波动性,但瞬时生长速率的平均值随过冷度的增大呈线性增加.这些结果对于进一步制备高质量的YBCO块材具有重要的指导意义. 展开更多
关键词 晶体生长速率 YBCO 高温超导 顶部籽晶熔渗法
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高温高压合成钻石晶体表面微形貌观察及其成因探讨 被引量:5
17
作者 吴旭旭 陆太进 +6 位作者 杨池玉 张健 唐诗 陈华 张勇 柯捷 何明跃 《岩矿测试》 CAS CSCD 北大核心 2019年第4期411-417,共7页
我国作为世界上最大的合成钻石生产国,其产量占据世界总产量的90%以上,其中以高温高压法(HPHT)合成钻石为主。国内外学者对于HPHT合成钻石物性的测试方法和性质分析较为完备,但是对HPHT合成钻石生长完成后的酸洗过程以及酸洗后留下的内... 我国作为世界上最大的合成钻石生产国,其产量占据世界总产量的90%以上,其中以高温高压法(HPHT)合成钻石为主。国内外学者对于HPHT合成钻石物性的测试方法和性质分析较为完备,但是对HPHT合成钻石生长完成后的酸洗过程以及酸洗后留下的内外部微形貌亟待研究。本文采用激光共聚焦显微镜和超景深三维显微镜对118粒产自我国的HPHT合成钻石进行内外部特征观察,并配合激光拉曼光谱仪对这些微细结构内的包裹残余进行定性分析。发现了三类特征的结构类型:成一定夹角的阶梯型生长结构,揭示了HPHT合成钻石聚型晶的结晶学特质;近平行线状划痕,反映了生长腔体内钻石晶粒间的接触关系;通过独特的"绳捆纹"结构进行观察和分析,认为这一结构反映了HPHT合成钻石的生长速率。这些钻石表面的微形貌反映了HPHT合成钻石梯度高温和持续高压的生长条件和环境,对于HPHT合成钻石的鉴别具有指导意义。 展开更多
关键词 合成钻石 高温高压 表面微细特征 激光共聚焦显微镜 晶体生长速率
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晶体大小分布理论与岩浆存储时间的确定——以1959年夏威夷基拉危厄火山喷发物为例
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作者 Margaret T.Mangan 朱云海 《地质科学译丛》 1992年第1期15-20,共6页
晶体大小分布理论(CSD理论)的基础为定态粒度平衡,它可用来监测正在沉淀的溶液中生长的特定大小晶体的带出带入量.应用描述该平衡的守恒方程可以直接从晶体大小分布数据中确定晶体生长和成核速率.这项研究表明,如果特征的晶体生长速率... 晶体大小分布理论(CSD理论)的基础为定态粒度平衡,它可用来监测正在沉淀的溶液中生长的特定大小晶体的带出带入量.应用描述该平衡的守恒方程可以直接从晶体大小分布数据中确定晶体生长和成核速率.这项研究表明,如果特征的晶体生长速率可以被独立地确定或估计,通过CSD分析可以用于计算晶体在体系或火山岩浆中的滞留时间.确定存储时间所需的晶体粒度数据可以从玻璃质喷发样品薄片中很容易地获得,数学计算相对简单.这种新方法固有误差的分析显示存储估计的准确性在一个数量级之内. 展开更多
关键词 晶体大小分布理论 岩浆 存储时间 岩石学 火山喷发物 晶体生长速率 成核速率 CSD理论
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压力作用下Al熔体凝固过程的分子动力学模拟研究
19
作者 安思敏 高兴誉 +3 位作者 刘瑜 孙博 刘海风 宋海峰 《铸造技术》 CAS 2023年第2期185-189,共5页
由于温度和压力不是等效的热力学变量,因此改变压力和温度对结晶过程的影响也是不同的。压力对结晶影响的相关研究仍然不充分。本文采用分子动力学模拟研究了5 GPa下Al熔体在不同温度下的结晶过程,表明该压力下Al熔体的结晶速率随温度... 由于温度和压力不是等效的热力学变量,因此改变压力和温度对结晶过程的影响也是不同的。压力对结晶影响的相关研究仍然不充分。本文采用分子动力学模拟研究了5 GPa下Al熔体在不同温度下的结晶过程,表明该压力下Al熔体的结晶速率随温度的降低而增加,最高可达~125.1 m/s。通过分析晶粒形貌演变过程,揭示了多个晶体取向共存于同一晶粒中的现象,各取向间相互竞争,最终择出优势取向,展现出压力作用下晶粒边长大边进行结构调整的动态演化过程。 展开更多
关键词 压力 结晶 分子动力学模拟 晶体生长速率 晶体取向
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KNO_3-H_2O溶液间歇结晶动力学 被引量:20
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作者 伍川 黄培 时钧 《化工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第7期953-958,共6页
基于ΔL定律推导了晶体线性生长速率的数学表达式 ,利用已建立的溶液间歇结晶动力学实验研究手段实现了溶液透光率和浓度的在线测量 .利用经验模型关联线性生长速率和相对过饱和度求取了生长动力学参数 ,并与文献值进行了比较 .结果发... 基于ΔL定律推导了晶体线性生长速率的数学表达式 ,利用已建立的溶液间歇结晶动力学实验研究手段实现了溶液透光率和浓度的在线测量 .利用经验模型关联线性生长速率和相对过饱和度求取了生长动力学参数 ,并与文献值进行了比较 .结果发现 :对于自发成核结晶过程 ,综合动态透光率、过饱和度和经验模型可对成核和生长阶段进行定性识别 . 展开更多
关键词 溶液间歇结晶 △L定律 透光率 过饱和度 晶体生长速率
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