影响晶圆凸点电镀质量的设备因素

随着异构集成模块功能提升和特征尺寸的不断增加,三维集成技术应运而生。凸点之间的互连是实现芯片三维叠层的关键,制备出高可靠性的微凸点对微电子封装技术的进一步发展具有重要意义。详细分析了影响晶圆凸点电镀质量的几种设备因素,包括电镀槽设计、电源系统、温度控制系统和电镀液循环系统,并提出了相应的优化建议。

晶圆电镀装备研发关键技术及其表界面基础

电镀在半导体金属化和封装工艺中扮演着重要的角色.本文综述了晶圆电镀装备的发展历程,针对电镀装备研发中涉及的表界面基础和技术问题,如金属表界面的性质、电极界面的反应、多物理场耦合等对镀层质量和均匀度的影响及其解决方案进行了概述.最后对晶圆电镀装备的未来发展进行了展望,希望对我国晶圆电镀装备的研发提供参考.

晶圆级高均匀性电镀工艺研究

分析了晶圆级电镀工艺过程中影响镀层状态和厚度均匀性的主要因素,并通过优化电镀工艺参数和增加阳极挡板的方式,大大改善了镀铜层和镀锡层的厚度均匀性。在直径101.6mm硅圆片上加工的Cu/Sn微凸点,整片上微凸点高度均匀性为3.5%,满足封装过程中的堆叠要求。

各种镀层厚度不同图形双面电镀的可行性研究

根据晶圆电镀原理,建立简化的晶圆双面电镀槽模型,分析了改变阴阳极间距对电流密度的影响,探索了各种镀层厚度不同图形双面电镀的可行性。