晶形控制剂在苦味酸钾合成中的应用

为确定苦味酸钾(KPA)中晶形控制剂的用量,选择官能团中含有活泼H原子的非离子型表面活性剂作为KPA的晶形控制剂,研究了其水溶液的表面张力和临界胶团浓度。通过对在不同条件下得到的KPA进行XRD研究,确定了KPA晶体成长过程中对晶体形状影响较大的晶面。结果表明,通过加入晶形控制剂能显著降低最强衍射峰,影响KPA的主导晶面,对KPA晶体的晶形起到控制作用。通过对晶形控制剂表面张力的测量,选择合适的晶形控制剂和用量,能够制得颗粒状KPA晶体。

磷化膜晶形的电镜分析

用扫描电镜系统地分析了各种磷化膜的结晶形貌,工艺因素,讨论了不同晶形产生的原因并介绍了不同晶形膜的工业用途。

含能材料晶形预测方法:附着能模型及其发展

为促进附着能模型的合理使用及含能材料晶形预测方法更好地发展,综述了国内外近十年来附着能模型在含能材料晶形预测中的应用,对比了相同体系下部分晶形的预测结果,详细阐述了附着能在真空中和溶剂中的计算方法以及计算模型的构建,重点讨论了分子力场、模型尺寸、晶面-溶剂相互作用等因素对附着能计算结果的影响,并介绍了附着能模型的最新进展,包括溶剂效应的校正、过饱和度的探索、晶形预测新策略等,推动含能材料晶形预测方法向更精确的生长机制模型迈进。附参考文献82篇。

从FGD残渣制备α型半水石膏过程晶形的控制

对从烟气脱硫残渣制备α型半水石膏的结晶形态进行了研究。研究结果表明 :pH值、温度和盐溶液是影响α型半水石膏产品性能的最重要的因素 ,当 pH值从 3～ 6变化时 ,晶体的长径比从 1 0∶1～ 1∶1 ,在适当浓度的盐溶液中 ,加入结晶习性改良剂、结晶稳定剂和表面活性剂可以使α型半水石膏的晶体向粗大、短柱状的方向发展 ,同时 ,碱土金属盐离子的种类不同 。

炸药结晶晶形控制技术研究进展

介绍了HMX、RDX等炸药在传统晶形控制方面的研究进展,阐述了超临界结晶技术、超声波的引入和添加晶形控制剂在炸药晶形控制中的作用机理及其在炸药中的研究进展。

聚丙烯结晶过程中α和γ晶形生成的影响因素

聚丙烯(PP)主要有α、β、γ、δ、拟六方5种结晶形态。其中α晶形为稳定晶形，γ晶形为不稳定晶形。PP中如果有γ晶形生成，将会影响材料的各种性能，从而研究γ晶形的生成条件及影响因素十分重要。

晶形控制及形成共晶:含能材料改性研究的重要途径

从HMX、TATB、CL-20等典型含能材料改性的实验方法及理论模拟两个方面,综述了含能材料改性研究的最新进展。重点介绍了晶形控制及共晶两种改性方法,即通过晶形控制可以有效改善炸药的安定性、装药密度、感度等性能,通过共晶可以有效改善炸药的氧平衡及感度,提高其爆热、作功能力及安全性等性能。分子模拟计算可以有效减少含能材料改性研究过程中的条件筛选工作,并得到最佳实验方案,为实验研究提供理论依据。评述了含能材料改性研究的现状及发展方向。附参考文献64篇。

利用电石渣制备多种晶形碳酸钙的研究

为了有效地利用电石渣资源,研究用电石渣为原料制备球形、板状形、针叶形碳酸钙.利用DTA-TG、SEM等研究了电石渣的预处理方式对碳酸钙纯度的影响和碳化反应温度、CO2流量等对多晶型碳酸钙形成的影响.结果表明:电石渣可直接与氯化铵反应,当pH>7时,合成的碳酸钙的纯度大于97%,白度大于98.电石渣经过处理后,在不同的碳化反应温度及合适的CO2流量的条件下分别可以得到球形、板状形、针叶形的碳酸钙.

碳酸钙级配填充聚丙烯结晶形态的XRD研究

用X射线衍射仪对碳酸钙级配填充聚丙烯 (PP)的结晶形态进行了研究 ,发现PP中碳酸钙的填充可以对 β晶结晶起异相成核作用 ,并可以降低 β晶向α晶的转化速率 ,促进 β晶的形成和保持。有效的级配能够引起体系粘度下降 ,有利于提高 β晶的生成速率 ,进而使体系的 β晶含量和结晶度得到提高 。

不同晶形超细碳酸钡粒子的制备研究

本文分别采用均相沉淀法和共沉淀法合成了碳酸钡粒子。通过添加合适的晶形控制剂,合成了线状、柱状和球状等不同晶形的碳酸钡粉体,利用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)进行了表征,并对不同晶形碳酸钡的形成机理进行了初步的探讨。

超细CL-20晶形控制技术研究

采用溶剂-非溶剂的方法,通过加入不同的晶形控制剂制备超细CL-20,并对晶形控制剂的种类和用量、加料方式等因素进行了分析。结果表明,晶形控制剂的种类、用量及样品溶剂加料方式严重地影响着超细CL-20的晶形。对于2.0 g CL-20原料,采用3.5 mL质量浓度2%聚乙烯醇类化合物(PV)晶形控制剂,所得到的超细粉末晶形大多为块状,晶体粒径最小可达到1μm;采用6.5 mL质量浓度5%聚氧乙烯醚类化合物(PT)晶形控制剂,所得到的超细粉末晶形也大多为块状,晶体粒径最小可达到2μm。采用喷壶方式加料,使用6.5 mL质量浓度5%PT晶形控制剂可使晶形呈椭圆形,晶体粒径最小可达到1μm,细化后的CL-20热敏感性更高,晶型仍为ε型。

降感RDX的制备及晶形控制

采用溶剂-非溶剂重结晶方法制备了降感RDX，研究了温度、溶剂、非溶剂、搅拌强度、表面活性剂和加料方式等工艺条件对双重结晶的影响。采用光学显微镜和扫描电镜分析了所得晶体的形貌，测定了其撞击感度。结果表明，采用最佳工艺条件：70℃，二甲基亚砜（DMSO）为溶剂，甲醇为非溶剂，糊精为表面活性剂，搅拌强度1000r／min，改善了RDX的晶貌和内部质量，降低了撞击感度。通过控制溶液的初始浓度可制得不同粒度的RDX，粒径为100～120μm晶体的撞击感度比原料降低了34％。

从低品位稀土矿渗浸液中沉淀晶形碳酸稀土

用碳酸氢铵代替草酸从低品位稀土矿滲浸液中沉淀稀土,制得晶形碳酸稀土。由于其晶形沉淀,易洗涤、易过滤、收率高、成本低、质量稳定。为低品位稀土矿山的工艺改进。提高矿山的综合效益开辟了一条较好的途径。

粒径和晶形对ε-HNIW感度的影响

采用溶剂-反溶剂重结晶工艺制备出3种不同粒径和晶形的ε-型HNIW,用激光粒度仪和偏光显微镜-扫描电镜(SEM)对样品的粒度和形貌进行表征,并测试了撞击、摩擦感度和热分解性能。结果表明,随着粒径的减小,HNIW的撞击感度显著降低,热稳定性缓慢降低,但摩擦感度增加;粒度分布越宽,撞击感度与大颗粒感度值相当,摩擦感度与细颗粒感度值相当;粒径分布窄时,颗粒晶形越规整,撞击和摩擦感度越低,热稳定性越好。影响HNIW撞击、摩擦和热分解的主要因素依次是粒径、粒度分布和晶形。

湿法磷酸萃取工艺对磷石膏晶形的影响

采用模拟湿法磷酸生产方式,通过控制萃取反应工艺条件来控制磷石膏晶形.采用扫描电子显微镜观察晶体形貌,采用激光粒度分析仪测定粒度分布和平均粒径.结果表明:液相中游离的H2SO4含量和P2O5含量对磷石膏的晶体形貌和大小都有影响,前者提高,二水石膏析晶过饱和度降低,磷石膏晶体由薄片状变为粗大的柱状和斜方六面晶体,然后再向聚晶转变,平均粒径变大;后者提高,二水石膏析晶过饱和度升高,晶体由粗大的板状变为柱状,然后再向细针状转变,平均粒径变小.反应温度升高,二水石膏析晶过饱和度降低,晶体尺寸变大,但晶体形状基本不变,均为柱状.从兼顾湿法磷酸生产和磷石膏建材资源化的角度出发,提出优化的萃取反应工艺条件为:液相游离H2SO4质量分数为5%,液相P2O5质量分数为15%～20%,反应温度为80℃,料浆液固比为2.5∶1(质量比).

粒径和晶形对硼颗粒点火燃烧特性的影响

针对粒径和晶形对硼颗粒燃烧的影响机理，利用激光点火系统研究了硼颗粒的点火燃烧特性。结果表明，在25～65μm范围内，晶体硼点火延迟时间随粒径变化无明显规律，点火延迟时间在13—19ms之间。晶体硼和无定形硼燃烧效率均随粒径增加而增加。当粒径小于65μm，硼表面氧化层是影响硼燃烧效率的决定性因素。55μm的晶体硼不仅点火延迟时间最短，而且燃烧最剧烈，表明55μm可能是晶体硼颗粒点火燃烧性能最佳的尺寸。无定形硼的点火延迟时间要远低于晶体硼，燃烧效率、火焰强度及发射光谱强度也比晶体硼高。相对粒径，点火延迟时间对晶形更加敏感，晶形对硼点火燃烧具有更强的影响作用。

1,1′-二羟基-5,5′-联四唑二羟胺盐的晶形计算及控制

利用Materials Studio软件中Growth Morphology方法模拟计算了1,1′-二羟基-5,5′-联四唑二羟胺盐(TKX-50)的晶体形态和结晶习性,分析了主导晶面的表面结构特征;采用实验方法验证了模拟计算方法。结果表明,各稳定晶面在分子间距离、晶面电荷分布上存在很大区别。选择分子结构中具有负电子作用基团的晶体生长控制剂对其晶体形貌进行控制,可缩短快生长面和慢生长面之间生长速率的差距,减小晶体的形状系数。选择分子结构中含有富电子芳环的离子型表面活性剂为晶形控制剂,制备出了晶体形貌规整、呈多面体颗粒状、长径比明显变小的TKX-50晶体,试验结果验证了理论预测的正确性。

晶形助长剂对磷石膏制硫酸钙晶须性能的影响

借助X射线衍射、扫描电子显微镜等分析方法,研究了晶形助长剂对以磷石膏为原料水热法制备硫酸钙晶须生长行为的影响。结果表明,以磷石膏为原料制备硫酸钙晶须适宜的晶形助长剂为氯化镁(掺量为磷石膏质量的1.0%),其次为十二烷基磺酸钠,效果最差的是硫酸铝。

纳米碳酸钙的晶形控制及机理研究

采用一种新工艺———自吸式搅拌反应法制备纳米碳酸钙。通过加入不同的晶形控制剂,合成了立方状、链状、片状、球状、棒状、针状6种不同形状的纳米碳酸钙,并以晶体生长动力学为基础,从添加的种类、用量及添加时间等条件出发,研究了其对CaCO3产品的粒度和晶形的影响。

GAS超临界重结晶过程中的晶形控制问题

介绍了GAS超临界重结晶过程的概念、原理、实验方法 ,并从晶体生长动力学角度建立模型 ,分析讨论了HMX超临界重结晶过程中出现不同晶形的原因。研究表明 。