《电子材料制备工艺与设备》课程教学改革:内容更新与教学方法探索

电子材料制备工艺与设备对于现代电子信息技术的发展起着至关重要的作用,其教学内容的优化与教学方法的创新对于提升教学质量和拓宽学生视野具有重要意义。本文深入探讨了“电子材料制备工艺与设备”课程的教学现状,并针对教材选择的合理性、教学内容更新的及时性、以及教学方法改革的创新等方面进行了系统的分析与研究。通过本文的探讨,旨在为电子材料行业相关领域的人才培养提供新的思路与方法,以期培养出更多具备专业素养和创新能力的优秀人才。

《材料制备工艺学》课程教学改革的探讨

《材料制备工艺学》是材料物理专业学生的主要专业课之一,课程的设置是为了使学生获得有关材料合成与制备方法的基本理论。但此课程内容琐碎,实践性强,存在着一定的教学难度。为激发学生的学习兴趣,提高教学质量,结合本课程特点,就教学内容、教学方法及手段、实践教学、课程考核等环节进行改革。通过此次改革,我校的材料制备工艺学课程的教学效果满足了人才培养要求,研究结论对其它课程改革也有一定的借鉴意义。

钢铁冶金工业计算机的应用及发展动态——评《金属材料制备工艺的计算机模拟》

钢铁冶金工业涉及很多大型设备,生产过程也很复杂,原料使用量大,成品的数量也大,而且生产过程很多是在高温下作业,工人劳动强度大,因此,冶金生产过程实行计算机控制显得非常有必要。随着计算机技术的不断更新换代和钢铁冶金工业的发展,钢铁冶金行业的自动化控制与管理系统日趋复杂,计算机控制技术在钢铁工业上的应用也越来越广泛。

玻纤增强大豆蛋白复合材料的制备工艺及性能研究

采用大豆蛋白(SPI)和玻璃纤维(GF)作原料,用传统的热压成型方法来制备大豆蛋白/玻纤复合材料。相比长GF,加入短GF的SPI/GF复合材料的拉伸强度要高,但是断裂伸长率略低;随GF用量的增加,拉伸强度和流动性逐渐变大,吸水率和硬度逐渐变小。当GF用量为5份时,复合材料拉伸强度达到最大,相比纯SPI提高了206.5%。

ITO气敏材料的制备和掺杂工艺的研究进展

主要介绍了ITO薄膜的制备工艺和掺杂优化工艺,例举了两种气敏机理的推论以及掺杂优化的机理。指出今后ITO气敏材料的气敏机理将成为研究重点,新形态ITO材料的研发将成为主要发展方向。

材料制备工艺

0217413纳米 ZnO 薄膜制备及液态源掺杂[刊]/李健//真空科学与技术学报.—2002,22(2).—149～152(L) 0217414各向异性胶体基底表面的分形凝聚体[刊]/钱昌吉//真空科学与技术学报.—2002,22(2).—107～111(L)对各向异性胶体基底表面的分枝状金原子凝聚体的生长机制进行了研究。沉积在无规杂质区域的熔融玻璃表面的金原子先形成网状结构的薄膜,然后逐渐演变成分枝状凝聚体。根据这一实验结果。

材料制备工艺

Y2002-63306-583 0309530金属有机汽相选择区域外延制备 InGaAsP/InP Mach-Zehnder 干涉仪光学放大器开关=Fabrication of In-GaAsP/InP Mach-Zehnder roterferometer optical amplifi-er switches by metalorganic vapor phase selective areaepitaxy[会,英]/Futakuchi,N.& Song,X.L.//2001IEEE Internanonal Conference on Indium Phosphide andRelated Materials.—583～586(E)

材料制备工艺

Y2002-63209-52 0312060采用非选择外延的高性能0.25μm SiGe和SiGe:CHBT(学生论文)=High performance 0.25μm SiGe andSiGe:C HBTs using non-selective epitexy(student pa-

材料制备工艺

0206055淀积在硅片上起杂质吸除用的多晶硅的研究[刊]/闵靖//功能材料与器件学报.—2001,7(4).—401～404(C)在器件的高温工艺过程中多晶硅再结晶,晶粒不断地长大,多晶硅层厚因高温氧化而减薄直到完全耗尽。在多晶硅层完全去除后在硅讨底中诱生出高密度的氧化层错起吸除中心作用。

材料制备工艺

N2002-07682 0224657电子情报通信学会技术研究报告:硅材料与器件SDM2000-167～186(信学技报,Vol.100,No.517)[汇,日]/日本电子情报通信学会.—2000.12.—134P.(L)本文集为半导体硅以及相关材料评价专辑,收录的20篇论文主要涉及:硅表面腐蚀技术与模拟,硅中缺陷分布,SiGeC 混晶半导体的外延生长,低温多晶硅薄膜晶体管,多晶硅薄膜结晶生长,低温多硅 TFT

材料制备工艺

0219712掺杂和热处理对纳米 ZnO 薄膜气敏特性影响[刊]/李健//传感器技术.—2002,21（3）.—61～64（L）0219713Rb3C60单晶薄膜制备及 Rb3C60/C60相界面稳定性研究[刊]/陈晓//真空科学与技术学报.—2002,22（3）.—189～192（L）通过控制蒸发源电流、源和样品间距及扩散时间,室温下 C60单晶（111）解理面上制备出 Rb3C60。用低温同步辐射角分辨光电子谱测量了样品的能带结构。

材料制备工艺

0319792采用金属镓层氮化技术在石英衬底上生长多晶体GaN[刊]/邵庆辉//真空科学与技术.—2003,23(2).—120～122(L)随着多晶 GaN 材料发光研究的不断深入,大面积、价格低廉的多晶 GaN 基光电器件的研制已成为工业生产中一个重要的研究领域。石英玻璃以共自身特有的优势,成为生长多晶 GaN

材料制备工艺

Y2002-63302-153 0305154中间温度缓冲层上分子束外延生长高质量 GaN 薄膜的电特性=Electrical properties of high quality MBE-grown GaN thin films on intermediate-temperatre bufferlayers[会,英]/Fong,W.K.& Zhu,C.F.//2001IEEE Hong Kong Electron Devices Meeting.—153～157(E)Y2002-63306-125 0305155应用 InGaAs 三态源的 InGaAs 三元体晶体生长方法=InGaAs ternary bulk crystal growth method using

材料制备工艺

0314340三元石墨插层化合物的合成与表征[刊]/任慧//北京理工大学学报.—2003,23（2）.—248～251（L）0314341新型脱除 SO2催化剂的研究[刊]/陈实//北京理工大学学报.—2003,23（2）.—245～247,259（L）

材料制备工艺

Y2002-63084-341 0212820硅与镀掺杂 MBE 生长 GaAs 中的补偿=Compensationin MBE-grown GaAs doped with silicon and

材料制备工艺

Y2002-63306-276 0307221生长速率对金属有机分子束外延生长 InGaAs/InP(001)晶面横向组分调制的影响=Effects of growthrate on lateral compositional modulation of InGaAs/InP(001)grown by metalorganic m01ecular beam epiraxy[会,英]/Ogasawara,M.//2001 IEEE InternationalConference on Indiurn Phosphide and Related Materi-als.—276～279(E)

材料制备工艺

0208180高纯元素合成碘化汞及其单晶的生长[刊]/刘建华//上海大学学报(自然科学版).—2001,7(6).—504～508(C)

篮球体育用品中合成革材料的制作工艺及原理

合成革材料是天然革的替代品,它的出现不仅使皮革市场得到了满足,而且弥补了天然革资源不足的弊端。合成革材料制备工艺经过了多个阶段的发展,由初期的“拉绒处理”方式逐渐发展为“聚氨酯复合”。现在的合成革材料不仅十分接近天然革特征,而且在很多方面是天然革所无法比拟的,比如合成革材料更加耐磨、耐腐蚀、耐霉变等,正因如此,其应用范围越来越广阔,体育教学中更是得到良好应用。篮球体育用品也是用合成革材料制成,从产品效果看,合成革制成的篮球表皮柔软度适中,更能使体育教师更好的授课。合成革材料的良好性能与其制作工艺密不可分,以下以聚氨酯湿法合成革为例介绍其制作原理与工艺。

粉末冶金工艺对制备工艺材料性能的影响

在现在的工业生产中,粉末冶金工艺应用非常广泛。在汽车制造、装备制造以及制备材料等领域都应用而粉末冶金工艺。而制备工艺材料是现在工业生产中常用的生产材料,对于现在的工业生产而言有重要的作用。制备工艺材料的性能直接影响了工业生产的质量。所以,现阶段研究粉末冶金工艺对制备工艺材料的影响很有必要。