半导体量子阱和量子线中杂质束缚能的度规法则与维里定理

利用变分法计算了矩形量子线和量子阱中类氢杂质束缚能的度规法则和维里定理值 .计算结果表明 :的确存在一个参数 (杂质有效玻尔半径 )可用来完全确定束缚能的值 ,而不必考虑截面的形状和尺寸 ;体系的维里定理值并不等于常数 ,而是随杂质有效玻尔半径变化 ,在阱宽较小和较大时 ,维里定理值都趋于 2 .

内建电场和杂质对双电子柱形量子点系统束缚能的影响

在有效质量近似下,采用变分法,研究了内建电场和杂质对双电子柱形GaN/Al_rGa_(1-x)N量子点系统束缚能的影响。结果表明:杂质带负电时,体系基态能量都比较大,不易形成稳定的束缚态。带电量为e的施主杂质位于量子点中心时,杂质电子的束缚能随量子点高度和半径的增加先缓慢增大后减小,存在最大值;随着Al含量的增加,体系的束缚能增大。随着杂质从量子点下界面沿z轴移至上界面,体系的束缚能先增大后减小。与单电子杂质态相比,内建电场对双电子量子点系统束缚能的影响比较显著;当量子点高度L<6 nm时,杂质双电子量子点系统的束缚能大于单电子杂质态束缚能,而当量子点高度L>6 nm时,杂质双电子量子点系统的束缚能小于单电子杂质态束缚能。

磁场对正方体量子点中类氢杂质束缚能的影响

利用有效质量近似 ,计算了磁场影响下正方体量子点中类氢杂质体系的束缚能 ;与相同条件下量子线以及球形量子点的束缚能进行了比较 ,得出合理的结果 ;

垂直磁场中GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs量子阱内类氢杂质束缚能计算

应用一维化方法和有效质量近似计算了在垂直于界面的磁场作用下量子阱内类氢杂质基态和低激发态的束缚能,并考虑到GaAs和GaAlAs中电子具有不同的有效质量和不同的介电常数,所得计算结果与实验较好相符。 量子阱;;超晶格;;GaAs;;

外加电场对GaN/Al_xGa_(1-x)N双量子阱中性施主束缚能的影响

在有效质量包络函数理论下,利用变分法计算了未加电场以及加入电场后GaN/Al_xGa_(1-x)双量子阱中施主杂质各种情况下的束缚能,讨论了双量子阱中间势垒高度、施主杂质位置对杂质束缚能的影响。给出了加入电场后施主位置不同时的束缚能和波函数,以及量子阱宽度不同时的束缚能,并且计算了未加电场和加入电场后中间势垒高度变化以及宽度不同时的束缚能。当双量子阱中间垒宽一定时,束缚能随着阱宽的变化会出现一个峰值。在阱宽一定时,随着中间垒宽度的增加,束缚能逐渐减小,并在垒宽增加到一定宽度时双量子阱情况与单量子阱情况相似,束缚能不再明显变化。计算结果对设计和研究GaN/Al_xGa_(1-x)N量子阱发光和探测器件有一定的参考价值。

杂质对柱形量子点系统束缚能的影响

在有效质量近似和变分原理的基础上,考虑内建电场(BEF)效应和量子点的三维约束效应,研究了纤锌矿结构的GaN/AlxGa1-xN单量子点中杂质体系的基态能量与杂质电荷的关系,讨论了杂质电子的束缚能随量子点的主要结构参数(量子点高度L和量子点半径R)以及杂质在量子点中不同位置的变化规律,并研究了考虑量子点内外电子有效质量失配对杂质电子束缚能的影响.

闪锌矿GaN量子点中类氢杂质态的束缚能

在有效质量近似下,用变分法研究了闪锌矿GaN/Al_xGa_(1-x)N单量子点中的类氢杂质态.结果表明量子点中的杂质位置和量子点结构参数(量子点高度H、半径R及Al含量x)对施主束缚能有很大的影响.当杂质位于量子点中心时,施主束缚能E_b有最大值.此外,施主束缚能E_b随着量子点高度H(半径R)的增大而减小,随着量子点中Al含量x的增大而增大.

甲烷分子价壳层电子动量谱和束缚能谱研究

利用新建成的多道能量测量的电子动量谱仪测量了CH_4分子的价壳层电子能谱和电子动量谱.在内价壳层区域观测到四个伴线峰,测量了极强度,并与现有的理论和实验结果做了比较.测量了1t_2和2a_1的动量分布并与组态相互作用的计算结果做了比较.

杂质对方形量子点基态能和束缚能的影响

用有限差分法求解了二维方形量子点中有H_2^+杂质时的量子体系,得到了离散薛定谔方程.对体系中电子处于基态时的能量和杂质的束缚能进行了数值计算,讨论了不同间距的杂质离子对不同尺寸量子点中电子基态能量和束缚能的影响。计算结果表明:量子点中电子基态能量是杂质位置和量子点尺度的函数;基态能量随着量子点尺度的增加先急剧减小后缓慢增大,最后趋于定值;杂质对电子的束缚能随着量子点尺度的增加而减小;杂质间距越小对量子点基态能影响越大。

GaAs基InAs量子点中类氢杂质的束缚能

在有效质量近似下,采用微扰法研究了InAs/GaAs量子点内类氢杂质基态及低激发态的束缚能.受限势采用抛物形势,在二维平面极坐标下,精确地求解了电子的薛定谔方程.数值计算结果表明,类氢杂质基态及低激发态的束缚能敏感地依赖于抛物形势的角频率,受类氢杂质的影响,谱线发生蓝移.这一结果对设计和制备量子点器件是有价值的.

核束缚能效应和部分子间相互演化对平均核结构函数的影响

把束缚核子内海夸克从物理上分为两部分：一部分是伴随价夸克受核束缚效应影响的云海夸克；另一部分是能摆脱核子的禁闭而逃逸到核环境中的背景海夸克．首先，给出了核束缚效应对核内束缚核子中价夸克、云海夸克及相应胶子的纵向动量几率分布函数的最低级修正形式；借助核动量守恒条件定出了背景海夸克及相应胶子的动量几率分布函数．然后，根据部分子内禀横向动量分布与纵向动量分布间的制约关系及我们关于核环境中部分子间相互演化的观点，建立了决定平均核结构函数的束缚核子内部分子动量几率分布所满足的自洽积分方程组，并进行了迭代数值求解．最后，我们将所得的束缚核子内部分子动量几率分布应用到解释ＥＭＣ效应及预言核Ｄｒｅｌ－Ｙａｎ反应截面，在没有引进任何可调参数的情况下。

MgO激子束缚能—第一性原理GW-BSE研究

采用第一性原理计算了MgO的电子结构和激子光谱。通过解贝塞尔方程,得到MgO的吸收光谱,同时计算了MgO的激子束缚能。由计算结果知MgO中存在强烈的激子效应,激子束缚能约83 meV。在室温条件下,由于MgO的激子束缚能大于热能,因此激子效应可能对等离子平板显示单元的放电性能产生重要影响。本文还研究了不同布里渊k点密度下的MgO激子光谱,研究结果可帮助理解MgO晶体中激子的物理性质。另外暗激子则被认为是MgO暴露在真空紫外等离子辐射后另一可能的外电子发射源。

磁场中量子点内弱耦合磁极化子基态束缚能的温度依赖性

用线性组合算符法、LLP变换法和量子统计的方法,研究了温度对磁场中抛物量子点内弱耦合磁极化子的影响,得到了磁极化子基态能量和基态束缚能量与量子点的受限强度、回旋频率和温度的依赖关系。数值计算结果表明,磁极化子的基态束缚能量|Eb|随回旋频率ωc的增加而增大,随温度参量γ的增加而减小,|Eb|随γ的增加而减小的幅度,不仅与γ的取值范围有关,而且还与ωc有显著关系,|Eb|显著变化的γ范围随ωc的增加而减小。

三分子聚合体的束缚能和几何结构的变分计算

利用解少体问题的变分法，计算了三个三分子聚合体（Ｈ２）３、（Ｄ２）３和Ｎｅ３的束缚能量，用形状密度分析法研究了这些三聚体的几何结构和内部运动模式，得出了一些有意义的结果。

H_2D^+的束缚能和结构测量

应用高分辨库仑爆炸技术,测量了氘化星际分子H_2D^+的库仑爆炸产物能谱。实验结果证明H_2D^+是等腰三0 形结构;它的核间距R_(HH)=l.33±0.12(?),R_(HD)=0.95±0.06(?)和束缚能ε=41.2±3.0eV。

微团簇HD^+的形成机理及束缚能实测

文内报告了１５０９６５ＭｅＶＨＤ＋离子微团簇经库仑爆炸在０°方向生成碎片Ｈ＋和Ｄ＋能谱的测量。获得ＨＤ＋的最可几束缚能实测值为１１４８ｅＶ。

HD_2^+的束缚能和结构测量

应用高分辩库仑爆炸技术,测量了氘化分子HD_2^+的库仑爆炸产物能谱。由此实验结果证明HD_2^+是等腰三角形结构。首次测量出它的核间距R_(HD)=1.20±0.04A,R_(DD)=0.95±0.03A和束缚能ε=39.2±1.2eV。

离子微团簇的束缚能和立体结构

给出了对９种离子微团簇束缚能和立体结构的实测结果，对测量的原理和方法、高分辨装置和技术作了介绍。

Au纳米粒子的束缚能

利用从头计算法计算了一定粒径下Au纳米量子点的谐振子束缚能的大小。根据对波函数的分析发现 ,谐振子势是描述量子点的一个较好的势模型。

利用Schrdinger表象和Heisenberg表象对束缚能级与散射波幅极点的再讨论

在波函数含时状态下,利用Schrdinger表象和Heisenberg表象对一维δ势阱束缚态及势垒散射问题进行了讨论,给出了一维δ势阱束缚能级是δ势垒散射波幅极点的更普遍性证明.