复合栅控二极管新技术提取热载流子诱生的NMOS/SOI器件界面陷阱的横向分布

提出了用复合栅控二极管新技术提取 MOS/ SOI器件界面陷阱沿沟道横向分布的原理 ,给出了具体的测试步骤和方法 .在此基础上 ,对具有体接触的 NMOS/ SOI器件进行了具体的测试和分析 ,给出了不同的累积应力时间下的界面陷阱沿沟道方向的横向分布 .结果表明 :随累积应力时间的增加 ,不仅漏端边界的界面陷阱峰值上升 ,而且沿沟道方向 。

行波管的可靠性现状及其差距

行波管广泛地应用于雷达、电子对抗和通讯等国防重点工程，被誉为武器装备的“心脏”，本文从行波管现场应用情况分析出发，论述我国行波管可靠性水平、质量状况、“八五”期间研制情况及存在问题等，进一步指出宽带大功率行波管国内外的差距，最后提出行波管可靠性工作的建议和相应措施。

脉冲X射线剂量测量方法

为了解决主动式电子剂量率仪在脉冲辐射条件下的溯源需求,评估主动式电子剂量率仪测量脉冲辐射剂量的准确性,本文采用栅控技术于中国计量科学研究院建立了用于辐射防护剂量量值传递的脉冲X射线参考辐射场,具有曝光时间可调的特性。对脉冲X光管的管电压、曝光时间、脉冲上升/下降时间、辐射场均匀野大小进行了测试,同时对脉冲辐射场空气比释动能率测量方法进行了研究。研究结果如下:利用介入法示波器测量管电压,测量值与管电压预设值在100 kV时,相对偏差为0.19%。在建立的均匀辐射场中,利用电离室实现了脉冲场的空气比释动能率的测量,当管电压为60 kV,管电流为50 mA时空气比释动能率约为3 mGy/s。本文研究结果可为后续空气比释动能率定值提供参考。

Ku波段固态高速脉冲功率放大器的设计与实现

提出一种Ku波段固态高速脉冲功率放大器的设计方案。通过分析PHEMT器件模型,精心设计GaAs PHEMT功放管的驱动电路和偏置电路,分模块给出了整个系统的实现方法,并提供主要参数的测试结果。该功率放大器的脉冲功率信号上升、下降沿时间为4 ns,开关隔离度达70 dB。系统在调制响应速度、隔离度和稳定性方面的优良性能验证了该设计的可行性。