管壁温度对氟化镁窗氘灯光稳定度的影响研究

氟化镁窗氘灯能提供115~400 nm的真空紫外和紫外波段的辐射,具有辐亮度高、光谱宽、尺寸小等优势,在真空紫外标准光源、有害气体检测、半导体检测等领域有重要应用。管壁温度是影响国产氟化镁窗氘灯紫外光稳定度的重要因素。本文定量分析了工作温度对光稳定度的影响,实验证实氘灯光输出稳定度最优的工作温度范围为118℃~130℃。设计了一种内外双层的流体散热灯具,通过气冷和水冷两种散热方式均能实现氘灯在最佳管壁温度区间内工作,优化后氘灯的紫外辐照度稳定度<0.37%。

镁合金化学镀中预处理氟化镁膜的特征与作用

对镁合金的表面前处理工艺进行研究,探讨氟化镁在化学镀层中的存在形式及作用。结果表明:酸浸使镁合金表面形成一层氧化物膜;活化过程生成的氟化镁不具备反应活性,对镁合金基体有保护作用,使之免于受镀液的过度腐蚀;对化学镀层断口进行SEM元素分布分析显示氟化镁层集中存在于镁合金基体与Ni-P镀层之间;但过度活化会导致化学镀层孔隙率升高,以3.5%NaCl溶液为介质的动电位极化测试表明,过度活化会导致化学镀层耐蚀性下降。

氟化镁涂层AZ31B镁合金体内成骨作用的研究

目的探讨新型医用金属材料氟化镁涂层镁合金的可降解特性和体内促进新骨形成的生物特性。方法制备氟化镁涂层AZ31B镁合金(MgF2/AZ31B)并植入大鼠股骨与肌肉间,检测体内MgF2/AZ31B材料表面的成骨效应,观察MgF2/AZ31B的微观结构,评价MgF2/AZ31B在体液环境中的降解行为。结果植入后1周,MgF2/AZ31B镁合金材料周围未见明显炎性细胞浸润;植入后4周,材料周围出现大量成骨细胞及新生骨组织;MgF2/AZ31B镁合金在动物体内降解更为均匀、缓慢,第26周时降解率为20.68%,较AZ31B镁合金(33.70%)明显降低。结论 MgF2涂层显著降低在体内AZ31B材料周围组织的炎性反应,植入早期促进AZ31B表面的新骨形成,并延缓AZ31B基体的降解速率。MgF2/AZ31B有望成为新一代可降解医用金属材料。

氟化镁共形整流罩热障效应分析及试验验证

围绕氟化镁共形整流罩的热障效应展开分析,模拟了真实飞行状态,建立了整流罩气动加热及其内部传热过程的有限元分析模型,计算不同飞行速度下整流罩的气动热载荷及平均温度;再根据红外探测基本原理,分析各个温度下整流罩的热辐射及其对探测系统成像质量的影响,计算探测器达到饱和状态时整流罩的临界温度,即研究热障效应产生机制;最后用成像试验对分析结果加以验证。分析结果表明,对于该红外成像探测系统,氟化镁共形整流罩的临界温度约为460 K,即在Ma=3的末制导阶段及Ma=4的情形下,热障效应显著,若想进一步加快红外成像制导武器的飞行速度,必须对热障效应加以抑制和校正。各项结论对认识热障效应机理及其校正方法有一定借鉴意义。

高比表面积氟化镁的合成及其在催化中的应用研究进展

综述了氟化镁的合成、表征及在催化中的应用,指出了氟化镁在催化应用中的优缺点。氟化镁具有耐腐蚀性、高稳定性、表面性质可调等优点。目前主要应用的催化体系有:氟氯交换反应、氯氟烃的歧化反应、氯氟烃的加氢脱氯反应、加氢反应、加氢脱硫反应、氮氧化物的脱除等,在具有腐蚀性气体及反应介质的催化反应体系中具有独特的优势。缺点是氟化镁比表面积较小和表面酸性较弱,限制了其在催化研究中的应用。总结了高比表面积氟化镁及负载固体酸催化剂的制备方法及其在各类反应中的应用现状,重点阐述了高比表面积氟化镁的孔结构及其表面酸性的调控方法,最后指出了氟化镁催化剂在ODS替代物的合成领域及其它方面的发展前景。

氟化镁晶体的应用研究进展

氟化镁具有特殊的物理化学性能,包括优良的光学性能、高的热稳定性及化学稳定性、高硬度等,因而在众多领域都有重要应用。综述了氟化镁材料的特性及在不同领域中的应用研究进展。最后展望了将来氟化镁的应用研究方向。

热压多晶氟化镁的磁流变抛光研究

热压多晶氟化镁是一种被广泛应用的红外光学材料。磁流变抛光因其抛光效率高、磨头无磨损、可实现确定性加工等优点而日益成为倍受瞩目的超精密光整加工技术。在利用传统抛光方法得到热压多晶氟化镁的抛光特性的基础上配制了适用于该材料的磁流变抛光液。通过抛光实验证明,与传统抛光方法相比,采用磁流变抛光方法对热压多晶氟化镁进行抛光,可以得到较好抛光表面质量,并且抛光的效率也大大提高。

偏二甲肼在氟化镁涂层表面的吸附与反应

研究了偏二甲肼在氟化镁涂层表面的吸附和化学反应情况.首先用液相或气相偏二甲肼沾染氟化镁涂层表面,再将涂层置于真空环境足够长时间,然后通过对比沾染前、后涂层表面的红外吸收光谱、X射线光电子能谱和漫反射率,了解涂层表面的吸附状况和性能变化.实验表明,覆盖于氟化镁涂层表面的偏二甲肼液膜分子,在真空环境下充分脱附的时间约为2h,充分脱附后的涂层表面只有单层化学吸附存在,其质量密度约为27ng/cm2,实验后氟化镁涂层表面的漫反射率下降了10%～15%;在-10℃的偏二甲肼饱和蒸气中沾染10min后,氟化镁涂层表面的原子组成和漫反射率变化很小,红外吸收光谱也没有偏二甲肼特征峰出现.

真空紫外铝+氟化镁膜偏振特性的研究

研究了铝 +氟化镁膜在真空紫外波段的偏振特性。理论上数值模拟计算了铝 +氟化镁膜在真空紫外波段的反射率及其与入射平面平行和垂直两方向的分量 ,分析了铝 +氟化镁膜反射率的两分量随入射条件和氟化镁膜厚度的变化规律 ,在此基础上研究了铝 +氟化镁膜的偏振特性 ,并与单层铝膜的相应特性作了比较。以氟化锂堆作偏振器 ,在Seya Namioka真空紫外反射率计上实验研究了铝 +氟化镁膜的偏振特性。研究结果表明 ,铝 +氟化镁膜的偏振特性由于受到氟化镁厚度的调制 ,存在反射率的垂直分量小于平行分量的情形 ,从而使铝 +氟化镁膜的消光比在非正入射的条件下接近 1。

银基氟化镁材料的研究

采用粉末冶金的方法制备了银基氟化镁材料。利用X射线衍射仪、金相显微镜和差热分析仪等对其组织结构进行分析,同时对其硬度、电导率、密度和摩擦系数等进行了测试。结果表明:形成的合金相对密度达98%以上,银与氟化镁能达到原子级别的结合;在银中添加氟化镁,样品的电导率有较大幅度的下降,并且晶粒显著细化,但材料的硬度提高不大,对银和铜的摩擦系数没有明显的降低。因此,氟化镁不能作固体自润滑材料的添加剂。

氟化镁单晶体与多晶体成膜后薄膜耐磨性分析

分析了氟化镁单晶体与多晶体成膜过程的行为 ,得出了二者不同的聚集方式是造成薄膜耐磨性差异的原因这一结论。给出了改善单晶氟化镁耐磨性的最佳退火条件 :35 0℃退火 2h。

氟化镁高压萤石结构稳定性及热物性的数值模拟

氟化镁(MgF2)是工业用途广泛的重要碱土金属氟化物,也是矿物质氟镁石的主要成分,相比于电子结构和光学特性的研究,人们从地球物理学的角度给予MgF2高压热物性的研究明显不够,而组成地球下地幔矿物的高压熔化、热膨胀等热物性预测对理解地球的结构、动力学、演化及起源至关重要.本文利用基于密度泛函理论的第一性原理方法,通过热力学、动力学、力学稳定性计算表明萤石结构为MgF2高压结构,根据等焓原理,分别结合广义梯度近似和局域密度近似确定出了零温下MgF2晶体从稳定金红石结构到高压萤石结构的相转变压力为19.26 GPa和18.15 GPa,且萤石结构至少稳定到135 GPa(相当于下地幔压力);利用基于有效势参数模型的经典分子动力学方法,通过模拟特定压力下MgF2体系的摩尔体积、总能随温度的变化确认了MgF2萤石结构在300—6000 K温度范围内的高温稳定性.在此基础上,考虑选用能够提高密堆固体平衡特性的交换相关泛函形式的广义梯度近似方法且结合准谐德拜模型,以及利用根据从头算Hartree-Fock方法获得的数据拟合得到的可靠经验势参数结合经典分子动力学方法,共同预测了萤石结构的MgF2在300—1500 K和0—135 GPa的温度和压力范围内的体积热膨胀系数、等温体模量、热弹性参数等重要热力学参量.研究表明:MgF2萤石结构基于体积热膨胀系数和等温体模量得到的热弹性参数并非物态方程研究中通常假定的常数,但在高温高压条件下,其值接近于常数.

不同工艺制备的氟化镁材料对真空镀膜的影响

用三种不同工艺制得的氟化镁为镀膜材料，考察了不同材料的结构对镀膜工艺和薄膜光学性能折射率的影响，并就其影响的原因进行了宏观分析，为选择高质量的镀膜材料提供了理论依据。

氟化镁锶中铕和铽的电荷迁移及其平衡解析

在氩气氛中，合成了SrMgF4：xEu，yTb复合组化物磷光体．该体系中Eu3+和Eu2+共存．随共掺入Tb浓度的增加，Eu3+的荧光发射强度降低，Eu2+的发光增强；并且Eu2+的ESR信号增强．认为Eu3+和Tb3+之间存在电荷迁移．即Eu3+＋Tb3+→Eu2+＋Tb4+.

氟化镁新产品的开发

为开发氟化镁产品,综合国内外生产氟化镁的方法,选择由氢氟酸和菱镁矿粉制取氟化镁。该工艺设备简单、易于操作、生产稳定、能耗低、投资少,且本装置三废处理措施完善,基本不造成环境污染,具有较好的经济效益和社会效益。

真空蒸发镀制氟化镁增透膜的实验研究

实验表明镀上MgF2增透膜后,钛酸锶和硅的拉曼特征峰都有几倍的增强,多层膜的激光感生电压增大1倍左右;MgF2薄膜为非晶态。

卤水─氨─氢氟酸法制备高纯氟化镁

用提盐副产的盐湖卤块与氨反应制得高纯氢氧化镁，并进一步与HF作用得到高纯氯化镁粉体材料，纯度可达99.91％。该工艺简单、原料易得，是生产高附加值MgF_2的重要方法。

氟化镁对于冰晶石——氧化铝融盐电解过程的影响

介绍了铝电解质中各种添加剂的应用 ,以及研究氟化镁的起因和氟化镁对于铝电解过程的影响。通过实验室的试验和文献资料的调研以及工业铝生产的验证 ,经过五十来年的应用 ,确认氟化镁是一种有益和廉价的优良添加剂。

氟化镁晶体中自陷态激子结构的研究

本文采用单电子Hartree-Fork近似基础上的扩展离子方法研究MgF2 晶体中的自陷态激子(STE)的结构。研究表明这种晶体中的STE实际上是具有C1 位形的最近邻的F-H对。对于STE光谱研究的理论结果与实验相符合。

离子束辅助蒸发镀制硫化锌、氟化镁薄膜的工艺研究

研究了用离子束辅助蒸发方法镀硫化锌、氟化镁薄膜的基本工艺.重点研究在不同能量和种类的离子束辅助条件下,基底温度和蒸发速率对薄膜性质的影响.给出了对薄膜的耐磨、耐潮湿、耐盐水浸泡性能,和薄膜的折射率、应力及微观结构与成分的实验结果.通过分析实验结果,提出了离子束辅助蒸发镀制硫化锌、氟化镁薄膜的最佳工艺.