氧化温度对氧化石墨烯结构的影响

采用高温(90℃)和低温(40℃)两种方式对石墨烯材料进行氧化,制备出了表面含有不同官能团结构的氧化石墨烯(GO)。通过傅里叶红外光谱仪、X射线衍射仪、拉曼光谱仪、X射线光电子能谱仪、热重分析仪和扫描电子显微镜等对制备的GO的表面官能团、晶体结构、元素含量、耐热性和形貌等进行了表征。结果表明在高温条件下利于GO上羧基基团的生成(GO-H),而低温则利于GO上环氧基团的生成(GO-L)。通过不同方式制备的GO具有相近的晶体结构,在GO-L(I D/I G=2.16)上产生的缺陷高于GO-H(I D/I G=1.41),但是GO-L的耐热性高于GO-H。此外,石墨烯材料被氧化后,其层间距得到了增加,由原来的0.34 nm增加到了0.80 nm,证明GO-H和GO-L间的作用力得到了有效减弱。该工作为制备不同结构和性能的GO材料提供了实验依据和理论基础。

氧化温度对SS400钢氧化皮结构及耐蚀性能的影响

以宝钢SS400热轧钢为原料,控制加热温度,在钢表面制备氧化皮。采用SEM分析了氧化皮表面、截面形貌;X射线衍射仪分析氧化皮的相组成;进行室内干湿周期浸润腐蚀试验,对氧化皮试样在NaHSO3(0.01 mol/L)溶液中进行了耐蚀性测试。结果表明,分别在600、700、800℃氧化180 min的过程基本遵循抛物线规律。经过600℃加热保温30 min,所形成的氧化皮厚度小于10μm,700℃时厚度为15μm左右,800℃达到50μm。600、700、800℃制备的氧化皮均含Fe3O4、Fe2O3相和Fe颗粒。同时,800℃制备的氧化皮中保留有少量FeO相。不同温度所制备氧化皮试样耐蚀性能依次为700、600、800℃。

氧化温度对空气中一次烧成SrTiO_(3)晶界层电容器的显微结构及电性能的影响

采用空气中的一次烧成工艺,研究了氧化温度对SrTiO_3.晶界层电容器试样的介电常数ε、绝缘电阻率p及介质损耗tgδ的影响;借助于TEM及STEM对试样进行了分析,观察到试样中有直线型和锯齿型两种不同类型的晶界及存在于多个晶粒交汇处的Ti_nO_(2n-1)第二晶相;提出了不同氧化温度下的晶界结构模型,较好地解释了试样介电常数随氧化温度的降低而单调增大的变化规律.

氧化温度对Fe+Cr改性多元膜氧化行为的影响

对 Fe+Cr改性多元氮化物薄膜 ,即 (Ti Fe Cr) N多元膜的高温氧化行为进行了研究 ,结果表明 :(1)这种多元膜在 6 0 0℃以上温度下的氧化增重均低于 Ti N膜 ,加热至 6 0 0℃膜层仍保持良好的光泽 ,加热至 80 0℃膜层仍保持完整 ,没有类似 Ti N膜的局部脱落现象 ,说明这种多元膜具有优于 Ti N的抗高温氧化性能 ;(2 ) 6 0 0℃氧化 1h后 ,X射线衍射 (XRD)谱上没有出现类似于 Ti N场合下出现的氧化铜的谱线 ,说明这种多元膜可以有效地抑制铜基体的氧化 ,具有优于 Ti

热氧化温度对Ru_(0.15)Ir_(0.15)Ti_(0.7)/Ti电极性能的影响

应用刷涂-热氧化法,在不同热氧化温度(分别为400℃、440℃、470℃)下制备Ru、Ir、Ti三元金属氧化物电极。通过电化学性能、强化寿命以及电极形貌分析得出:440℃热氧化温度下制备的Ru0.15Ir0.15Ti0.7/Ti电极析氯电位低、催化活性强、强化寿命长;且该温度下的反应电阻也最小。

氧化温度对SrTiO_3晶界层电容器性能的影响

采用空气中一次烧成工艺,研究了氧化温度对SrTiO_3晶界层电容器试样的介电常数ε,绝缘电阻率ρ及介质损耗tgδ的影响;对试样进行了TEM分析,直接观察到存在于多个晶粒交汇处的Ti_nO_(2n-1)第二相;提出了不同氧化温度下的晶界结构模型,较好地解释了试样介电常数随氧化温度的降低而单调增大的变化规律。

氧化温度对TiO_2纳米管形貌及其催化活性的影响

在不同氧化温度下,采用阳极氧化法制备了一系列TiO2纳米管。利用扫描电子显微镜(SEM)、X-射线衍射(XRD)、X-射线光电子能谱(XPS)对TiO2纳米管的形貌和组成进行了表征,并采用瞬时光电流-时间响应谱测试了TiO2纳米管的光电催化性能,用光催化降解罗丹明B对其光催化性能进行了表征。结果表明,提高氧化温度会降低TiO2纳米管表面的规整度,但可提高其长度和管径,氧化温度过高会导致TiO2纳米管强度变弱,极易断裂;TiO2纳米管的光电催化性能随着氧化温度的升高先提高后降低,适宜的氧化温度为20℃。

硅含量与氧化温度对含Nb高强钢氧化行为的影响

为了更真实地反映工业生产实际工况中硅含量与氧化温度对Nb高强钢氧化行为的影响,设计了4种不同的氧化温度,采用与工业现场类似的加热制度对不同Si含量的含Nb高强钢进行氧化。采用扫描电子显微镜及能谱仪分析了氧化铁皮形貌及确定氧化铁皮各层结构。研究了硅含量及氧化温度对含Nb高强钢氧化行为的综合影响。结果表明:在相同氧气含量及氧化时间下,含Nb高强钢的氧化增重取决于氧化温度及硅含量的综合作用;当加热温度低于1 173℃(硅酸亚铁熔点)时,硅含量增加,氧化铁皮总量减少;当加热温度高于1 173℃时,硅含量增加,氧化铁皮总量增加;当硅含量较高时(1.21%,质量分数),试样的氧化增重曲线主要遵循线性规律。

氧化温度对阳极氧化法制备WO3薄膜光阳极的影响

采用阳极氧化法,以含0.7%(质量分数)NH4F,浓度为1mol/L的(NH4)2SO4溶液为电解质制备WO3薄膜光阳极.研究发现,氧化温度对其结构、形貌和光电化学性能有着重要影响.光电化学性能评价发现,随着氧化温度的升高,光电流呈先减小后增加的趋势.0℃和15℃下制备的WO3薄膜光阳极的光电流密度较大,分别为2.14和1.97mA/cm2(偏压为1.0V(vs饱和甘汞电极).X射线粉末衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)表征结果表明,较低温度下制备的WO3薄膜光阳极具有较高的光吸收面积、较窄的孔边界以及较好的光电化学性能.然而当温度升高至15℃时,尽管WO3薄膜光阳极的光吸收面积不大、孔边界较厚,但此时WO3薄膜光阳极具有较高的结晶度,可有效地促进光生电子和空穴的分离,提高光电化学性能.

氧化温度和分散剂种类对Si_(3)N_(4)浆料性能的影响

研究了自蔓延燃烧合成Si_(3)N_(4)粉的氧化处理(在空气气氛中分别于400、600、800℃保温3 h)以及添加的分散剂种类(分别为聚丙烯酸钠、六偏磷酸钠、三聚磷酸钠、木质素磺酸钙)对制备的Si_(3)N_(4)浆料的抗沉降性、ζ电位和黏度的影响。结果表明:1)在空气气氛中于800℃保温3 h氧化处理后,粉体中Si_(2)N_(2)O含量增多;用其制备的浆料的稳定性最好,ζ电位绝对值较大,黏度最小。2)以六偏磷酸钠作为分散剂制备的Si_(3)N_(4)浆料的稳定性较好,ζ电位绝对值最大,黏度最小。3)添加0.021%(w)六偏磷酸钠制备的Si_(3)N_(4)浆料的ζ电位绝对值最大,黏度较小。

预氧化温度对纳米SiC颗粒增强镁基复合材料组织及性能的影响

目的研究预氧化处理对纳米SiC颗粒增强的SiCp/AS81(Mg−8Al−Sn)复合材料显微组织和力学性能的影响,分析其作用机理,最终得到适宜的SiC预氧化温度。方法采用粉末冶金法制备纳米SiC颗粒增强的SiCp/AS81(Mg−8Al−Sn)复合材料,采用相关仪器设备,对不同温度预氧化处理后的SiC颗粒、AS81和0.50%−SiCp/AS81复合材料物相进行分析,观察其显微组织,并对相关力学性能进行测试。结果当对SiC颗粒进行不同温度预氧化处理后,SiC颗粒逐渐钝化,并在预氧化温度达到785℃及以上时,SiC外表层逐渐被SiO2包覆且在985℃时完成完全包覆;AS81复合材料和不同温度预氧化处理的0.5%−SiCp/AS81复合材料的物相组成都主要为Mg和Mg17Al12,785℃及以上温度预氧化处理后的0.5%−SiCp/AS81复合材料中的Si元素都呈均匀分布;0.5%−SiCp/AS81复合材料的硬度、屈服强度、抗拉强度和断后伸长率都高于AS81复合材料,且随着预氧化温度的升高,0.5%−SiCp/AS81复合材料的显微硬度、抗拉强度和屈服强度先增大后减小,在预氧化温度为885℃时取得最大值。结论预氧化温度为885℃时,SiC颗粒外包覆的SiO2可以增强与AS81的界面结合力,有助于提升0.5%−SiCp/AS81复合材料的强塑性,0.5%−SiCp/AS81复合材料适宜的SiC预氧化温度为885℃。

阳极氧化温度对TiO_2纳米管双室光电特性与产氢性能的影响

使用阳极氧化法,在含氟乙二醇电解液体系中制备出高度有序的TiO2纳米管阵列,并将其运用于双室光电解池中,在无任何外加电压条件下制备氢气.通过光催化制氢及光电化学性能测试,系统性地研究了不同氧化温度对TiO2纳米管产氢速率,光电流密度与光电转化率的影响.实验结果表明,TiO2纳米管的光电催化性能受氧化温度影响,并随氧化温度的降低而升高.40℃下制备的TiO2纳米管产氢速率为0.8 m L/(cm2·h),当温度降低至15℃时,TiO2样品产氢速率升高至2.3 m L/(cm2·h),单位面积产氢量增加1.87倍.

氧化温度对β-Ti-24Nb-4Zr-7．9Sn合金表面生物活性的影响

采用热氧化的方法在新型高强度、低弹性模量β-Ti-24Nb-4Zr-7.9Sn合金表面制备了氧化层,改善其生物活性,进而在模拟体液(SBF)中诱导类骨磷灰石生长。通过对不同温度氧化试样在浸入SBF前后的表面形貌、相组成、组元化合价及接触角的变化分析,探讨了氧化温度对合金表面类骨磷灰石形成的影响。结果表明,550℃及650℃氧化3h后,合金表面被Ti、Nb、Sn等不同价态的氧化物层完全覆盖,温度越高,氧化层越厚,其中金红石TiO2的量也就越多。650℃氧化试样表面浸润性较好,生物活性高,在SBF中浸泡5天,可沉积出均匀、完整的类骨磷灰石层。

热氧化法中温度对Ga_2O_3薄膜性质的影响

利用干热氧化方法,对蓝宝石衬底上沉积的GaN薄膜进行热氧化处理制备出了Ga2O3薄膜.研究了氧化温度对Ga2O3薄膜的结构、形貌、氧化层厚度和化学组分的影响.X射线衍射结果显示,氧化后的GaN薄膜上形成了Ga2O3薄膜.当氧化温度处在850-950℃时,Ga2O3薄膜呈现出单一的β型结构,而当氧化温度高于1000℃时,Ga2O3薄膜呈现出多晶结构.扫描电子显微镜测试显示,Ga2O3薄膜的表面由三角岛状结构组成,这些岛具有直线边界,岛的尺寸随着氧化温度的升高而逐渐增加.Ga2O3薄膜的厚度随着氧化温度的升高迅速增加,拟合结果显示,氧化层厚度和氧化温度之间为指数依赖关系.利用X射线能谱测试,研究了Ga2O3薄膜中元素组成情况.

润滑油起始氧化温度与氧化诱导时间关系的预测模型

加压扫描示差量热计法(PDSC)是评定润滑油抗氧化性能的一种简便快速的方法,但由于存在不同的试验模式而使试验者在试验条件的选取上出现难度。建立了基于Matlab的润滑油PDSC中的起始氧化温度与氧化诱导时间之间关系的BP神经网络模型。采用Levenberg-Marquardt优化算法对神经网络进行了训练,然后对网络进行仿真输出,其输出结果与实验之间最大绝对误差仅为1.038min。

预氧化中温度对氧化石墨烯吸波性能的影响

以天然鳞片石墨为原料,改进Hummers法制备氧化石墨烯(GO)。采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、拉曼光谱(Raman)和矢量网络分析仪(VNA)研究了预氧化温度对GO形貌、结构、氧化程度、电磁损耗特性、吸波性能的影响。结果表明:当预氧化温度为80℃时,制备出的氧化石墨烯片层结构较为完整,层间距为0.91 nm,复介电常数和磁导率较高,在15~17 GHz损耗因子达到最大值,为1.07;在17.83 GHz时,反射率达到-34.28 d B,吸波性能最优异。

氧化预处理温度对Si粉流变性、水解及氮化反应的影响

在采用水基湿法浇注成型制备反应烧结Si3N4结合Si C材料时,为抑制Si粉原料的水解,首先将Si粉经600、700、800和850℃保温5 h氧化预处理,并与未处理Si粉一起分别制成水基浆料,研究了氧化预处理温度对Si粉在水中的流变性、水解反应的影响;然后将15%(w)的未处理或预氧化后的Si粉与85%(w)的Si C颗粒和细粉加水搅匀并浇注成型后,在氮化炉中经1 450℃保温3 h氮化烧成Si3N4结合Si C试样,研究氧化预处理温度对Si粉氮化反应的影响。研究表明:1)随着氧化预处理温度的升高,Si粉在不含分散剂的水基浆料中的黏度逐渐增大,在含有分散剂的浆料中黏度逐渐降低;2)氧化预处理温度越高,Si粉水解程度越弱;3)氧化预处理温度≤700℃时,对Si粉氮化反应影响不大;氧化预处理温度为800℃时,Si粉氮化反应受阻,试样中有残留硅存在。

不同温度条件下鱼油氧化的动态变化

鱼油是水产饲料重要的脂肪源,但由于其富含多不饱和脂肪酸而极易氧化。系统研究了不同氧化温度下,鱼油过氧化值(POV)、酸值(AV)、碘值(IV)、羰基值(CV)和硫代巴比妥酸反应物(TBARS)随氧化时间的变化规律。结果表明:在各氧化温度下,鱼油的POV、AV、CV和TBARS均随氧化时间的延长而显著升高(P<0.05);IV随氧化时间的延长而显著降低(P<0.05)。在各氧化温度下,鱼油的POV和AV随氧化时间的延长均呈二次曲线变化;IV和CV随氧化时间的延长均呈线性变化;而TBARS随氧化时间的延长呈幂回归变化。

温度序列对环己烷无催化氧化反应的影响

在2 L磁力搅拌釜中,于152-168℃模拟氧化温度的升温、恒温和降温序列对环己烷空气氧化制环己酮的氧化反应的影响进行了考察,对不同温度序列下尾氧的变化趋势、环己烷氧化的转化率以及选择性进行了比较.结果表明：吸氧速度的变化按照升温、恒温和降温序列依次减慢;环己烷氧化选择性随转化率上升而下降,不同温度序列对选择性的影响不显著,降温序列有利于平稳操作,升温序列有利于提高选择性;当环己烷转化率为4.3%时,恒温序列和降温序列时选择性均为90.05%,升温序列时选择性为90.85%.